編輯推薦
                                      《微電子機械加工係統(MEMS)技術基礎》著重於MEMS元件設計中的有限元靜電場和電流場,溫度場,MEMS元件各嚮同性應力場和各嚮異性應變分析及壓電效應介紹。《微電子機械加工係統(MEMS)技術基礎》重點還放在MEMS元件製造,包括矽片腐蝕加工和矽片鍵閤,封裝和引綫。編者在上述各方麵曾作過許多研究,完成多項科研任務,有一定的經驗和收獲。                 
內容簡介
     《微電子機械加工係統(MEMS)技術基礎》還詳細介紹瞭電學,熱學和力學有限元方法的要領,相關軟件的使用及矽片的加工處理方法。閱讀《微電子機械加工係統(MEMS)技術基礎》,可以為MEMS元件的設計和製造打下較好的基礎,從而可以靈活應用所學知識。MEMS技術是21世紀發展的重大技術,涉及國防、航天、醫療等領域。《微電子機械加工係統(MEMS)技術基礎》以各種微型閥、微型泵、微型馬達、壓電元器件的製造為目的,闡述其功能,所依據的物理原理及定律。
  《微電子機械加工係統(MEMS)技術基礎》可供國防、航天、醫療等專業的技術人員閱讀,也可供大專院校有關專業師生參考。     
內頁插圖
          目錄
   1  靜電場數值計算有限元方法
1.1  靜電場中重要定律和方程
1.1.1  歐姆定律
1.1.2  奧-高定律
1.1.3  靜電場中的泊鬆(poisson)方程
1.1.4  高斯定理
1.1.5  格林定理
1.1.6  靜電場能量
1.2  變分原理與泛函
1.2.1  變分原理與泛函
1.2.2  場域中存在電荷時泛函L(φ)
1.3  靜電場有限元法的計算過程
1.3.1  場域的剖分與函數的近似錶示
1.3.2  泛函的計算過程
1.3.3  綜閤方程的係數矩陣形式
1.4  靜電場有限元數值計算在電流場電勢分析中的應用實例
1.4.1  概述
1.4.2  原理
1.4.3  計算結果
2  應力場數值計算有限元方法
2.1  有限元應力分析概述
2.1.1  原理
2.1.2  FEA的輸入信息
2.1.3  應力分析的輸齣信息
2.1.4  圖形輸齣
2.1.5  總評
2.1.6  ANSYS的分析例子
2.2  ANSYS軟件在矽島膜電容式MEMS壓力傳感器設計中的應用
2.2.1  ANSYS力學分析步驟
2.2.2  問題的提齣
2.2.3  ANSYS分析
2.3  MEMS彈性膜的二維有限元應力計算原理
2.3.1  彈性膜的有限元剖分
2.3.2  虛功原理的應用
2.3.3  單元剛度方程與整體剛度方程
2.3.4  整體剛度方程的求解
2.3.5  彈性膜應力分布有限元法計算結果
2.4  壓力傳感器三維有限元法應力計算簡介
2.4.1  單元的選擇與形變自由度
2.4.2  用結點位移錶示單元中任何一點位移
2.4.3  單元剛度矩陣
2.4.4  總體剛度方程
2.4.5  計算結果
2.5  高溫壓力傳感器熱模擬
2.5.1  概述
2.5.2  AIN、Si02、A1203作為絕緣層時的比較
2.5.3  散熱層不同厚度時襯底溫度的比較
2.5.4  散熱層不同厚度時電阻中心點溫度的比較
2.6  受徑嚮力圓環中正應力的周嚮分布規律及其應力計算的分析解法
2.6.1  概述
2.6.2  由格林定理推導正應力的周嚮分布規律
2.6.3  力的平衡條件
2.6.4  利用力矩平衡條件決定A值
2.6.5  計算結果
2.7  MEMS單晶元件各嚮異性正應變的計算
2.7.1  概述
2.7.2  在單軸應力下,進行X射綫衍射實驗測量
2.7.3  正應力作用下晶麵正應變機理
2.7.4  不同晶嚮正應變與正應力間的關係
3  矽MEMS元件的化學腐蝕微機械加工
3.1  概況
3.2  濕化學腐蝕
3.2.1  電化學腐蝕機理
3.2.2  影響腐蝕速率的因素
3.2.3  陽極腐蝕法
3.2.4  凸角腐蝕及其補償
3.2.5  無掩膜KOH腐蝕技術
3.2.6  各嚮異性腐蝕過程計算機模擬
3.2.7  腐蝕過程的幾何分析
3.2.8  二維腐蝕過程計算機模擬
3.2.9  三維腐蝕過程計算機模擬
3.3  微電子機械元件的壓力腔腐蝕工藝
3.3.1  常用腐蝕液及其特性
3.3.2  矽杯壓力腔口掩膜尺寸設計
3.3.3  適閤腐蝕法製備彈性膜的外延結構
3.3.4  KOH各嚮異性腐蝕製作近似圓形膜技術
3.3.5  各嚮異性腐蝕設備
3.3.6  簡易雙麵對準技術
3.4  錶麵微機械加工——犧牲層技術
3.5  等離子體刻蝕技術在微細圖形加工中的應用
3.6  微細電化學加工技術
3.6.1  微細電鑄
3.6.2  微細電解加工
4  MEMS係統的封裝
4.1  MEMS係統的封裝意義及要求
4.1.1  封裝的作用與意義
4.1.2  MEMS封裝設計中需要考慮的重要問題
4.1.3  封裝結構及封裝材料
4.1.4  接口問題
4.1.5  封裝外殼設計
4.1.6  熱設計
4.1.7  封裝過程引起的可靠性問題
4.1.8  封裝成本
4.2  焊球柵陣列倒裝芯片封裝技術
4.3  MEMS中芯片封接方法
4.3.1  黏結
4.3.2  共晶鍵閤
4.3.3  陽極鍵閤
4.3.4  冷焊
4.3.5  釺焊
4.3.6  矽-矽直接鍵閤
4.3.7  玻璃密封
4.4  矽片與矽片低溫直接鍵閤
4.4.1  各種矽-矽直接鍵閤法
4.4.2  矽-矽酸鈉-矽低溫直接鍵閤過程
4.4.3  影響鍵閤質量的因素
4.4.4  質量檢測方法
4.5  封接材料的性質
5  微電子機械元件的引綫
5.1  MEMS元件的引綫鍵閤
5.1.1  引綫的作用
5.1.2  對鍵閤引綫材料的要求
5.1.3  MEMS元件中應用的引綫鍵閤工藝
5.2  MEMS係統壓力傳感器的引綫鍵閤工藝
5.2.1  超聲鍵閤設備
5.3  引綫的可靠性與可鍵閤性
5.3.1  材料間鍵閤接觸時的冶金學效應
5.3.2  各種材料的鍵閤接觸
5.4  壓力傳感器的鍵閤工藝及效果
5.4.1  芯片電路及引綫
5.4.2  壓力傳感器鍵閤工藝步驟
6  MEMS元件的製作
6.1  矽膜電容型壓力傳感器
6.1.1  電容變化量與流體壓力的關係
6.1.2  測定方法
6.2  壓電型壓力傳感器
6.2.1  壓電材料和壓電效應
6.2.2  壓電方程與壓電係數
6.2.3  錶麵電荷的計算
6.2.4  壓電型壓力傳感器的電荷測量
6.2.5  壓電型壓力傳感器的結構及其特點
6.3  MEMS微型閥和微型泵的製作
6.3.1  微型閥
6.3.2  微型泵
6.4  基於壓電原理的MEMS微驅動器
6.4.1  壓電納米驅動器
6.4.2  壓電噴墨頭
6.5  氣體傳感器陣列中微加熱器的製作
6.5.1  利用擴散電阻作加熱器
6.5.2  微型熱闆式加熱器(MHP)
6.5.3  絕緣層之間的金屬Pt膜或多晶Si膜作加熱器
6.6  微型燃燒器的製作
參考文獻      
前言/序言
     微電子機械加工係統(MEMS)是指以集成電路等工藝批量製作,集微型機械、微型傳感器、微型執行器及信號處理和控製電路等於一體的裝置。它具有尺寸小、重量輕、響應快、精度高、性能優和成本低等特點,其在工業、國防、航天、航海、醫學、生物工程、農業等領域有著廣泛的應用前景。
  微機電係統是微電子技術的拓寬和延伸,它與精密機械加工融為一體,能製造齣外形輪廓尺寸在毫米、微米、甚至納米量級的微型機電裝置。MEMS製作技術包括微電子技術和微加工技術兩大部分。前者有矽片的拋光、氧化、光刻、摻雜擴散、引綫等;後者有矽片腐蝕加工和矽片鍵閤、封裝等。目前已製造齣微型壓力傳感器、微型加速度傳感器、微型泵、微型閥、微型溝槽、微型執行器、微型齒輪、微型電機、微型飛行器、微型陀螺、微型燃燒器、微型手術刀、微型血管內注射器、DNA芯片、智能藥物釋放器以及微小衛星等,並已在不同領域發揮重要作用。
  今後在MEMS材料、性能及檢查、元件設計與製造、加工效果觀察、元件封裝與測試方麵實現標準化也是其發展方嚮之一。這將決定MEMS産業化發展的成功與否。    
				
 
				
				
					矽基微納製造工藝揭秘:從設計到應用的深度探索  本書旨在為讀者提供一個全麵而深入的視角,聚焦於當前集成電路製造領域的核心技術——矽基微納製造工藝。我們將一同剖析這一塑造瞭現代電子設備性能與形態的基石技術,從其最基礎的設計理念、材料選擇,到一係列精密的加工步驟,再到最終的器件性能錶徵與應用拓展,層層剝繭,力求展現其內在的邏輯與精妙。  第一章:微納製造的基石——矽材料的特性與製備  矽作為半導體工業的絕對主角,其獨特的物理和化學性質是微納製造得以實現的關鍵。本章將首先詳細闡述矽晶體的原子結構、能帶理論以及其在電學、光學和熱學上的錶現。我們將深入探討矽的晶格缺陷、雜質擴散等概念,以及這些因素如何影響器件的性能。  隨後,我們將重點介紹高純度單晶矽的製備過程,包括柴氏法(Czochralski method)和區熔法(Float zone method)等主流技術。我們將詳細解析提純、晶體生長、晶圓切割、拋光等關鍵環節,並對比不同製備工藝對矽片質量的影響。此外,本章還將簡要介紹其他常用的微納製造材料,如二氧化矽、氮化矽、多晶矽等,闡述其在集成電路中的作用與應用。  第二章:微納圖形的“雕刻師”——光刻技術詳解  光刻是微納製造中最核心的圖形轉移技術,它決定瞭集成電路的最小特徵尺寸和器件密度。本章將從光刻的原理齣發,詳細解析不同代際的光刻技術。我們將首先迴顧接觸式光刻和接近式光刻的局限性,隨後重點深入介紹投影光刻,包括其光學成像原理、掩模版(mask)的製作與特性、以及光刻膠(photoresist)的選擇與工藝。  我們將詳細闡述深紫外(DUV)光刻技術,包括其光源(如KrF、ArF)的特點、光學係統(如多層透鏡組、數值孔徑NA)的設計理念,以及衍射限製和像差等關鍵問題。對於當前最前沿的極紫外(EUV)光刻技術,本章將投入大量篇幅,深入剖析其光源(如LPP光源)、反射式光學係統(如多層反射鏡)的挑戰,以及EUV光刻膠、光掩模版(reflective mask)的獨特性。此外,我們還將探討光刻中的關鍵工藝參數,如曝光劑量、顯影條件、以及其對圖形尺寸和綫寬均勻性的影響。  第三章:矽基體的“變形術”——刻蝕工藝  刻蝕是根據光刻産生的圖形,選擇性地去除矽基體上不需要的材料,從而形成器件的三維結構。本章將全麵介紹乾法刻蝕和濕法刻蝕兩大類工藝。  乾法刻蝕方麵,我們將重點解析等離子體刻蝕(Plasma Etching),包括其基本原理、反應機理(物理刻蝕、化學刻蝕、離子束刻蝕)以及不同刻蝕氣體(如CF4、SF6、Cl2、HBr)的選擇與作用。我們將詳細介紹反應離子刻蝕(RIE)和電感耦閤等離子體(ICP)刻蝕等主流技術,分析其刻蝕速率、選擇比、側壁形貌控製(如各嚮異性刻蝕)等關鍵參數。對於先進工藝中越來越重要的深矽刻蝕(Bosch process)等技術,也將進行深入的探討。  濕法刻蝕方麵,我們將介紹其原理、優勢(如成本低、設備簡單)和局限性(如選擇比、圖形精度)。我們將分析不同濕法刻蝕劑(如HF/HNO3、KOH)對矽及其氧化物、氮化矽等材料的刻蝕特性,以及其在特定應用場景下的使用。  第四章:層層堆疊的“微建築”——薄膜沉積技術  在微納製造過程中,需要精確控製材料在矽基體錶麵的沉積,形成各種功能層。本章將詳細介紹各種主流的薄膜沉積技術。  化學氣相沉積(CVD)將是本章的重點,包括其基本原理、反應機理以及不同類型,如低壓化學氣相沉積(LPCVD)、等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、高密度等離子體化學氣相沉積(HDPCVD)和原子層沉積(ALD)。我們將深入分析不同CVD工藝在沉積速率、膜厚均勻性、緻密性、摻雜控製以及錶麵形貌等方麵的優缺點。特彆是ALD技術,我們將重點闡述其原子層級的精確控製能力,以及在極薄、高深寬比結構中的獨特優勢。  物理氣相沉積(PVD)也將被介紹,包括濺射(Sputtering)和蒸發(Evaporation)。我們將分析其工作原理、靶材選擇、基底溫度、功率等參數對薄膜性能的影響,並討論其在金屬互連、阻擋層等方麵的應用。  第五章:微觀世界的“塑形師”——離子注入與摻雜  摻雜是賦予半導體材料特定電學性能的關鍵步驟。本章將聚焦於離子注入技術,它是現代集成電路摻雜的主流方法。我們將詳細闡述離子注入的基本原理,包括離子的産生、加速、注入以及在矽基體中的擴散行為。  我們將深入分析不同摻雜元素(如P、As、B)的注入能量、劑量、角傾角等參數如何影響摻雜濃度、深度分布和載流子遷移率。本章還將介紹退火(Annealing)在激活摻雜原子、修復損傷、以及固態擴散中的重要作用,包括快速熱退火(RTA)等技術。此外,我們還將簡要提及擴散摻雜等傳統工藝,並對比其與離子注入的優劣。  第六章:細節的“打磨者”——平坦化與錶麵處理  為瞭實現高密度的多層互連結構,必須保證每一層錶麵的平坦度。化學機械拋光(CMP)是實現這一目標的關鍵技術。本章將深入解析CMP的原理,包括其化學腐蝕和機械研磨的協同作用。  我們將詳細討論CMP的工藝流程、研磨液(slurry)的成分與作用、研磨墊(pad)的選擇以及加工參數(如壓力、轉速、時間)對平坦化效果的影響。本章還將介紹CMP在去除錶麵缺陷、提高器件良率方麵的重要作用。此外,我們還將簡要介紹其他錶麵處理技術,如清洗(Cleaning)和鈍化(Passivation),以及它們在微納製造中的重要性。  第七章:從“藍圖”到“實物”——器件製造流程與集成  本章將整閤前幾章所介紹的各項工藝,展現一個典型的集成電路器件從設計到最終製造的完整流程。我們將以一個基礎的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)為例,詳細解析其製造步驟,包括源漏區域的形成、柵極結構的構建、以及各層互連綫的連接。  我們將深入探討CMOS(互補金屬氧化物半導體)工藝的集成挑戰,包括NMOS和PMOS器件的協同製造,以及如何在同一矽片上實現復雜的邏輯電路。本章還將介紹多層互連(multi-layer interconnect)的結構與工藝,以及它們在提高器件性能和減小芯片麵積方麵的作用。  第八章:器件的“體檢”——性能錶徵與可靠性分析  製造齣器件隻是第一步,對其性能的精確錶徵和可靠性分析是確保其最終産品質量的關鍵。本章將介紹一係列用於評估微納器件性能的測量技術。  我們將首先介紹電學參數的測量,如I-V特性麯綫、閾值電壓、亞閾值擺幅、漏電流等,以及用於測量這些參數的儀器(如參數分析儀)。光學顯微鏡、掃描電子顯微鏡(SEM)和透鏡掃描電子顯微鏡(TEM)等成像技術將被詳細介紹,它們用於觀察器件的微觀形貌和結構。X射綫衍射(XRD)、俄歇電子能譜(AES)和X射綫光電子能譜(XPS)等錶麵分析技術也將被介紹,用於錶徵材料的成分和晶體結構。  此外,本章還將重點關注器件的可靠性問題,包括熱應力、電遷移、柵氧化擊穿、以及在不同環境條件下的失效模式。我們將介紹加速壽命測試(ALT)等方法,以及如何通過工藝優化來提高器件的可靠性。  第九章:微納技術的“無限可能”——應用領域拓展  微納製造技術的發展不僅驅動瞭集成電路産業的飛速進步,更在眾多新興領域展現齣巨大的應用潛力。本章將聚焦於微納製造在不同領域的創新應用。  我們將探討微納技術在生物醫學領域的應用,如微流控芯片(microfluidic chips)在疾病診斷、藥物篩選和基因測序中的作用;生物傳感器(biosensors)的開發;以及微型手術器械和可植入式醫療設備。  在傳感器技術方麵,我們將介紹微納製造如何實現高靈敏度、低功耗的各類傳感器,包括MEMS加速度計、陀螺儀、壓力傳感器、麥剋風等,以及它們在消費電子、汽車電子和物聯網(IoT)中的廣泛應用。  此外,本章還將展望微納製造在新能源(如微型太陽能電池)、光電子學(如微光學元件、光通信器件)、以及先進封裝技術等領域的未來發展趨勢。  本書緻力於為讀者構建一個關於矽基微納製造工藝的完整知識體係,從基礎理論到實際應用,力求提供最前沿、最深入的見解,幫助讀者理解並掌握這項推動現代科技發展的關鍵技術。