还可以
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评分美国Cree公司和日本罗姆公司在业界领先生产SiC的MOS场效应晶体管。SiC功率晶体管分3类:MOSFET、结型场效应及IGBT那样的双极型器件。前两者为单极型器件。SiC晶体管的结构比SiC二极管复杂、因此成品率低、价格贵、影响其普及。然而对于耐压1200伏的应用,SiC晶体管对于硅基晶体管的成本优势己很明显。
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评分专家指出,对于耗电大户的信息业的数据中心,目前采用SiC器件在一年内可收回投资。
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