內容簡介
《半導體器件原理簡明教程》力圖用*簡明、準確的語言,介紹典型半導體器件的核心知識,主要包括半導體物理基礎、pn結、雙極型晶體管、場效應晶體管、金屬半導體接觸和異質結、半導體光電子器件。
《半導體器件原理簡明教程》在闡明基本結構和工作原理的基礎上,還介紹瞭微電子領域的一些新技術,如應變異質結、能帶工程、量子阱激光器等。
《半導體器件原理簡明教程》可作為高等院校電子信息與電氣學科相關專業半導體器件原理課程的教材,也可供有關科研人員和工程技術人員參考。
內頁插圖
目錄
叢書序
序言
前言
主要符號錶
第1章 半導體物理基礎
1.1 晶體結構
1.1.1 基元、點陣和晶格
1.1.2 原胞、基矢、晶嚮和晶麵
1.1.3 倒格子和倒格子空間
1.2 能帶結構
1.2.1 能帶的形成
1.2.2 鍺、矽和砷化鎵的能帶結構
1.2.3 絕緣體、半導體和導體
1.2.4 本徵半導體、半導體中的載流子、空穴
1.3 半導體中載流子的統計分布
1.3.1 狀態密度
1.3.2 費米統計律和費米分布
1.3.3 電子濃度、空穴濃度、玻爾茲曼分布和本徵載流子濃度
1.3.4 雜質半導體中的電子和空穴濃度、費米能級
1.3.5 平衡態係統的費米能級
1.4 載流子的漂移運動
1.4.1 散射與有效質量
1.4.2 遷移率
1.4.3 電導率、電阻率、歐姆定律和薄層電阻
1.5 載流子的擴散運動
1.5.1 擴散電流密度
1.5.2 電流密度方程
1.5.3 雜質濃度梯度及其感生電場
1.6 非平衡載流子
1.6.1 載流子的産生與復閤、非平衡載流子
1.6.2 非平衡載流子的復閤、非平衡載流子壽命
1.6.3 間接復閤理論
1.6.4 準費米能級
1.6.5 連續性方程
1.7 半導體基本方程
1.7.1 基本方程
1.7.2 泊鬆方程
習題
第2章 pn結
2.1 pn結的形成及其基本特性
2.2 pn結空間電荷區基本特性的進一步討論
2.2.1 平衡pn結的能帶結構和載流子分布
2.2.2 非平衡pn結的能帶結構和載流子分布
2.2.3 pn結的電場和電勢分布
2.3 pn結的直流特性
2.3.1 非平衡pn結擴散區的載流子分布和擴散電流
2.3.2 pn結的勢壘復閤電流和産生電流
2.3.3 正偏pn結的大注入效應
2.4 pn結的耗盡層電容
2.5 pn結的小信號交流特性
2.5.1 pn結的擴散電容
2.5.2 pn結的交流參數和等效電路
2.6 pn結的開關特性
2.7 pn結的擊穿
2.7.1 擊穿機理概述
2.7.2 雪崩擊穿條件
2.7.3 雪崩擊穿電壓的計算
習題
第3章 雙極型晶體管
3.1 雙極型晶體管的基本結構
3.2 雙極型晶體管內載流子的輸運過程
3.3 雙極型晶體管的電流放大係數
3.3.1 均勻基區晶體管電流增益因子的簡化推導
3.3.2 均勻基區晶體管電流增益因子的數學推導
3.3.3 緩變基區晶體管的電流放大係數
3.3.4 發射區重摻雜條件下的禁帶變窄效應
3.3.5 大注入效應
……
第4章 場效應晶體管
第5章 金屬一半導體接觸和異質結
第6章 半導體光電子器件
附錄
參考文獻
前言/序言
微電子技術按照摩爾定律發展,其偉大成就奠定瞭現代信息社會的基礎。目前微電子技術正處於摩爾時代嚮後摩爾時代轉換的關鍵時期,矽基微電子技術正在走嚮三維集成,光電子器件、傳感器件和微機械器件等已經集成在矽基集成係統中,新型電子材料和新型信息處理器件不斷湧現。在這種大背景下,電子科學與技術的人纔培養麵臨新的挑戰。雖然專業課程的基本架構,即理論物理~固體物理一器件原理一集成電路和微電子係統的架構不會改變,但是教學內容必須根據微電子科學與技術的發展有所取捨。另一方麵,為瞭增加學生工程實踐能力的培養和訓練的課外學時,希望適當壓縮課堂教學的時間。
由貴州大學、安徽大學的教師閤作編寫的《半導體器件原理簡明教程》在這方麵作瞭有益的嘗試。該書選擇pn結、雙極型晶體管、金屬一氧化物一半導體場效應晶體管、金屬一半導體接觸和異質結、半導體光電子器件作為教學重點,著重強調瞭這幾種半導體器件的基本理論和基本分析方法,並注重學生工程實踐能力的培養,教學內容和教學目標取捨得當,可滿足高級專業人纔培養的要求。該書重點突齣,內容精煉,概念清晰,語言流暢。雖為簡明教程,但對半導體器件發展的一些新技術也穿插在章節中進行瞭闡述,如書中關於柵介質擊穿、應變異質結、能帶工程等方麵的論述是其他一些教材很少涉及的內容。
貴州大學早在1961年就在物理學專業中開設瞭半導體專門化課程,是我國最早開展半導體物理和器件本科教學的少數高校之一。貴州省早在20世紀70年代初就是我國的重要微電子産業基地之一。貴州大學的微電子學科,為貴州省微電子産業的發展提供瞭強有力的人纔和技術支撐。貴州大學、安徽大學閤作編寫的《半導體器件原理簡明教程》的齣版,使我們有機會分享他們的教學經驗,該書無論是對於學習半導體器件,還是學習集成電路設計與製造,均是一本很好的基礎教材,同時也可作為相關專業人員研究與工作的參考書,特嚮讀者推薦。
《微納電子技術:從理論到實踐的深度探索》 內容簡介 本書旨在為對微納電子技術領域感興趣的讀者提供一個全麵而深入的視角,從基本概念到前沿技術,涵蓋瞭微納電子器件的設計、製造、錶徵及其在現代科技中的應用。本書不同於市麵上許多聚焦於單一器件類型或原理的教材,而是著眼於微納電子技術作為一個整體的學科體係,強調各部分之間的內在聯係與發展脈絡。我們力求通過嚴謹的理論闡述、翔實的實例分析以及對未來發展趨勢的展望,幫助讀者構建起紮實的理論基礎,並培養解決實際問題的能力。 第一章:微納電子技術的基石——量子力學與固體物理 本章將從最基礎的層麵切入,深入剖析構成半導體器件微觀世界的量子力學原理。我們將介紹波粒二象性、量子疊加態、量子隧穿效應等核心概念,並闡述這些概念如何解釋電子在晶體材料中的行為。隨後,本書將重點講解晶體結構、布裏淵區、能帶理論、費米能級等固體物理的關鍵知識點。我們將通過生動形象的比喻和圖示,清晰地解釋絕緣體、導體和半導體之間的能帶結構差異,以及載流子(電子和空穴)的概念及其在不同材料中的演變。重點將放在對本徵半導體和雜質半導體的載流子濃度、導電類型以及遷移率等關鍵參數的推導和理解。此外,本章還會簡要介紹晶體生長技術,為後續器件製造奠定基礎。 第二章:構建信息處理的磚石——半導體異質結與界麵物理 本章將深入探討半導體材料在界麵處的奇妙物理現象,特彆是PN結的形成原理、功函數、錶麵勢壘以及載流子在界麵的擴散與漂移。我們將詳細解析PN結在不同偏壓下的伏安特性麯綫,解釋其整流作用的微觀機製。在此基礎上,本書將進一步拓展到更復雜的異質結結構,例如MNOS(金屬-氧化物-氮化物-半導體)結構、MIS(金屬-絕緣體-半導體)結構以及PIN(正-本徵-負)結等。對於每一類異質結,我們將詳細闡述其形成條件、界麵態的特性及其對器件性能的影響。特彆地,本章將重點關注界麵陷阱、錶麵散射、以及這些因素如何影響載流子輸運和器件的穩定性。通過對異質結物理的深入理解,讀者將能更好地把握多種先進半導體器件的性能極限和優化方嚮。 第三章:微納世界的精密構造——半導體製造工藝概述 本章將帶領讀者走進半導體製造的神秘世界,詳細介紹從矽片製備到最終芯片封裝的整個流程。我們將從矽的提純和單晶生長開始,闡述外延生長、氧化、光刻、刻蝕、摻雜、薄膜沉積等核心工藝步驟。對於每一步驟,我們將不僅僅描述其技術過程,更會深入剖析其背後的物理化學原理,例如氧化過程中氧原子在矽晶格中的擴散機理,光刻膠的曝光顯影過程,乾法刻蝕和濕法刻蝕的優勢與劣勢,以及摻雜的擴散和離子注入技術。本書還將介紹先進的光刻技術,如深紫外(DUV)光刻和極紫外(EUV)光刻,以及它們在製造更小尺寸器件中的關鍵作用。此外,我們還將探討關鍵的工藝控製參數和質量保證方法,強調工藝窗口的重要性以及如何通過精確控製實現高質量的微納器件。 第四章:信息轉換的靈魂——新型半導體材料與器件 本章將聚焦於當前半導體領域最活躍的前沿研究方嚮,重點介紹不同於傳統矽基材料的新型半導體材料及其在新型器件中的應用。我們將詳細介紹III-V族半導體(如GaAs、InP)、II-VI族半導體(如CdTe)、氧化物半導體(如ZnO、IGZO)以及碳基材料(如石墨烯、碳納米管)的獨特物理化學性質。對於每一種材料,我們將分析其能帶結構、載流子遷移率、光學特性等,並闡述它們為何適用於製造高性能的電子器件和光電器件。例如,我們將討論GaAs在高速電子器件中的優勢,以及InP在光通信領域的應用。同時,本書還將介紹基於這些新型材料的新型器件,包括高頻晶體管(如HEMT)、光電探測器、LED、激光器、太陽能電池以及柔性電子器件等。我們將深入分析這些新型器件的工作原理,並探討其相對於傳統矽基器件的優缺點以及未來發展潛力。 第五章:微觀世界的操控者——微納電子器件的物理機理與設計 本章將深入解析各類微納電子器件的核心物理機理。我們將從最基礎的二極管開始,詳細講解其單嚮導電特性、肖特基勢壘二極管、PN結二極管的工作原理,以及齊納二極管、變容二極管等特殊用途二極管的特性。隨後,本書將重點介紹晶體管的傢族,包括雙極結型晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)。對於BJT,我們將深入分析其載流子注入、傳輸和收集的過程,以及共發射極、共集電極、共基極三種基本組態的放大作用。對於FET,我們將重點講解MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的工作原理,包括其溝道形成、閾值電壓、跨導等關鍵參數。我們將詳細闡述NMOS和PMOS的結構特點和工作過程,並分析其在數字邏輯電路中的應用。此外,本章還將介紹其他重要的微納電子器件,如光電器件(光敏二極管、光電晶體管)、存儲器件(DRAM、SRAM、Flash Memory)等,並對其工作原理進行詳盡的剖析。本書將強調器件的設計理念,即如何通過結構調整和材料選擇來優化器件的性能,例如提高開關速度、降低功耗、增強可靠性等。 第六章:信息世界的載體——微納電子器件在係統中的應用 本章將從宏觀層麵展現微納電子器件如何在實際係統中發揮至關重要的作用。我們將探討微納電子技術在各個領域的廣泛應用,包括但不限於: 通信係統: 從移動通信基站到智能手機,微納電子器件是無綫信號的接收、處理與發射的核心。我們將分析射頻前端器件、功率放大器、低噪聲放大器等在通信係統中的作用。 計算係統: 現代計算機的強大算力離不開微處理器、內存芯片等高度集成的微納電子器件。本書將介紹CPU、GPU、ASIC等核心芯片的架構以及其中關鍵晶體管的應用。 消費電子: 智能電視、數碼相機、可穿戴設備等琳琅滿目的消費電子産品,都依賴於微納電子器件的 miniaturization 和高性能化。我們將討論圖像傳感器、顯示驅動芯片、電源管理芯片等在這些産品中的部署。 汽車電子: 自動駕駛、智能座艙、動力總成控製等汽車電子係統的發展,推動瞭對高性能、高可靠性微納電子器件的需求。我們將介紹功率半導體、傳感器、MCU等在汽車電子中的關鍵角色。 醫療電子: 醫療影像設備、生命體徵監測儀、植入式醫療器械等,都離不開微納電子器件的精準與可靠。我們將探討生物傳感器、微流控芯片等在醫療領域的潛力。 物聯網(IoT): 物聯網的爆發式增長,催生瞭大量低功耗、低成本的微納電子器件的需求,用於連接和感知世界。我們將討論傳感器網絡、邊緣計算節點等。 本章將通過大量實際應用的案例,幫助讀者將理論知識與實際應用緊密結閤,理解微納電子技術如何驅動現代社會的發展,並激發讀者對未來科技創新的思考。 第七章:挑戰與展望——微納電子技術的發展前沿與未來方嚮 本章將深入探討當前微納電子技術麵臨的挑戰,以及未來的發展趨勢和創新方嚮。我們將首先討論摩爾定律的極限以及半導體行業在持續縮小器件尺寸方麵遇到的物理和經濟瓶頸。在此基礎上,我們將介紹當前正在積極探索的顛覆性技術,包括: 超越CMOS的技術: 例如,量子計算、神經形態計算、自鏇電子學等,旨在突破傳統CMOS邏輯的性能限製。 三維集成技術(3D ICs): 將多個芯片堆疊起來,實現更高的集成密度和更短的互連長度,從而提高性能和降低功耗。 先進封裝技術: Chiplet技術、扇齣晶圓級封裝(FOWLP)等,允許將不同工藝製備的芯片靈活組閤,實現更靈活、更高性能的係統集成。 可持續微納電子技術: 關注綠色製造工藝、可迴收材料以及低功耗器件的設計,以應對環境挑戰。 人工智能與微納電子學的融閤: AI在芯片設計、製造和優化中的應用,以及為AI設計的專用芯片(如TPU、NPU)。 本書將以開放的視角,鼓勵讀者批判性地思考當前技術,並積極探索未知的領域,為未來的微納電子技術發展貢獻自己的力量。 目標讀者 本書適閤以下人群閱讀: 對電子工程、微電子學、材料科學、物理學等專業感興趣的本科生和研究生。 從事半導體器件設計、製造、測試、封裝等相關工作的工程師和技術人員。 希望深入瞭解現代電子産品核心技術的科技愛好者。 對未來科技發展趨勢有濃厚興趣的讀者。 本書特色 體係完整: 從基礎的量子力學和固體物理,到器件的物理機理,再到製造工藝和應用,構成瞭一個完整的學科知識體係。 深度與廣度並重: 既有紮實的理論推導,又涵蓋瞭廣泛的應用領域和前沿技術。 圖文並茂: 大量精美的插圖、圖錶和示意圖,幫助讀者直觀理解復雜的概念。 理論聯係實際: 結閤大量的實際案例和應用場景,使讀者深刻理解理論知識的價值。 前瞻性: 重點關注微納電子技術的發展前沿和未來趨勢,為讀者提供前瞻性的視野。 通過學習本書,讀者將能夠對微納電子技術有一個深刻而係統的認識,為他們在相關領域的研究、開發和創新奠定堅實的基礎。