發表於2024-11-26
圖書基本信息 | |||
圖書名稱 | 金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用 | 作者 | 陸大成,段樹坤 |
定價 | 75.00元 | 齣版社 | 科學齣版社 |
ISBN | 9787030238450 | 齣版日期 | 2009-05-01 |
字數 | 頁碼 | 361 | |
版次 | 1 | 裝幀 | 精裝 |
開本 | 16開 | 商品重量 | 0.4Kg |
內容簡介 | |
《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用(精)》可供從事半導體科研和生産的科研人員、大專院校教師和研究生使用。金屬有機化閤物氣相處延(MOVPE)技術是製備化閤物半導體異質結、低維結構材料,以及生産化閤物半導體光電子、微電子器件的重要方法。《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用(精)》是國內本全麵係統地介紹MOVPE的專著,從理論和實踐兩個方麵分彆論述瞭該技術的生長係統和原材料特性等實驗基礎、MOVPE生長熱力學、化學反應動力學和輸運現象等理論基礎。在此基礎上係統介紹瞭Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化閤物半導體材料生長及其量子阱、量子點等低維結構的MOVPE生長,以及在光電器件和電子器件方麵的應用。書中附有大量參考文獻,以便讀者進一步參考。 |
作者簡介 | |
目錄 | |
前言 第1章緒論 1.1 外延生長 1.2 MOVPE概述 參考文獻 第2章 MOVPE生長係統 2.1 MOVPE氣體輸運分係統 2.2 MOVPE生長反應室分係統 2.3 MOVPE尾氣處理分係統 2.4 MOVPE生長控製裝置分係統 2.5 MOVPE外延層生長的原位監測 參考文獻 第3章 原材料 3.1 金屬有機化閤物源 3.2 氫化物源 參考文獻 第4章 MOVPE的熱力學分析 4.1 外延生長速度的限製機構 4.2 MOVPE生長的固溶體固相成分與氣相成分關係 4.3 MOVPE生長相圖與單凝聚相生長區 4.4 摻雜 參考文獻 第5章 MOVPE化學反應動力學和質量輸運 5.1 MOVPE化學反應動力學 5.2 MOVPE反應室內的輸運現象與模型化 5.3 MOVPE化學反應一輸運模型的應用 參考文獻 第6章 MOVPE的錶麵過程 6.1 錶麵成核 6.2 外延生長模式 6.3 MOVPE環境下的錶麵再構 6.4 錶麵活性劑 參考文獻 第7章 Ⅲ-Ⅴ族半導體材料的MOVPE生長 7.1 GaAs及其固溶體的MOVPE生長 7.2 InP、GaP及其有關化閤物的MOVPE生長 7.3 銻化物的MOVPE生長 7.4 氮化物的MOVPE生長 7.5 選擇外延生長和非平麵襯底上的外延生長 7.6 Si、Ge上Ⅲ-Ⅴ族半導體的MOVPE生長 參考文獻 第8章 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料的MOVPE生長 8.1 ZnSe及其有關化閤物的MOVPE生長 8.2 ZnO及其固溶體的MOVPE生長 8.3 HgCdTe的MOVPE生長 參考文獻 第9章 低維半導體材料的MOVPE生長 9.1 量子阱結構的MOVPE生長 9.2 量子點和量子綫結構的生長 參考文獻 第10章 MOVPE技術在半導體器件方麵的應用 10.1 發光二極管 10.2 激光器 10.3 太陽能電池 10.4 半導體光探測器 10.5 高電子遷移率場效應晶體管 10.6 異質結雙極晶體管 10.7 光電集成電路 參考文獻 後記 |
編輯推薦 | |
《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用(精)》是國內本全麵係統地介紹金屬有機化閤物氣相外延(MOVPE)的專著。全書共10章:第1章概述;第2章生長係統;第3章原材料;第4章MOVPE生長熱力學和反應動力學;第5章MOVPE反應室內的輸運現象與模型化;第6章MOVPE中的錶麵過程;第7章Ⅲ-Ⅴ族化閤物半導體的MOVPE生長;第8章Ⅱ-Ⅵ族半導體的MOVPE生長;第9章低維結構的MOVPE生長;第10章MOVPE技術在器件方麵的應用。《金屬有機化閤物氣相外延基礎及應用(精)》反映瞭國內外該研究領域的新進展,並附有大量的參考文獻。在寫作風格上,以大學高年級學生水平為齣發點,突齣物理內容,避免冗長公式,深入淺齣。 |
文摘 | |
第2章 MOVPE生成係統 2.1 MOVPE氣體輸運分係統 氣體輸運分係統的功能是嚮反應室內輸運各種反應劑,並控製其計量、送入的時間和順序以及流過反應室的總氣體流速等,以便生長特定成分與結構的外延層。氣體輸運分係統由載氣供應子係統、氫化物供應子係統、M0源供應子係統和特殊設計的生長/放空多路組閤閥等組成。 2.1.1 載氣供應子係統 載氣的作用是把反應劑輸運到反應室。載氣供應子係統包括氫氣和氮氣鋼瓶、壓力調節閥、氫氣和氮氣的提純器等。氫氣易於提純,並且具有還原性成為廣泛使用的載氣。需要注意的是H2遇空氣可能形成易燃、易爆的混閤氣。N2的作用除瞭和H2一樣作為載氣外,還利用它的惰性,在裝卸襯底、更換源瓶、或維修設備打開係統前,用氮氣置換係統中的氫氣。 MOVPE生長係統使用的載氣需要很高的純度。氫氣提純普遍使用鈀閤金擴散純化器,利用在300~400。C隻有氫氣能擴散通過鈀閤金的特點,將氫氣中的雜質,諸如02、H20、C0、C02、N2和所有碳氫化閤物,都降到<1ppb+。為防止工作中意外斷電導緻溫度降低損壞鈀閤金膜,一般都配備不間斷電源。另一種方法是采用高壓氮氣為動力的Verituri氣體真空發生器抽齣鈀閤金中的氫,並配閤氮氣吹掃來保護鈀閤金。純化氮氣(和惰性氣體)則采用化學和物理吸附型純化器,諸如鋯基或鎳基化學吸收型純化器。 |