Springer手冊精選係列·晶體生長手冊（第2冊）：熔體法晶體生長技術（影印版） [SpringerHandbook Grystal Growth] 下載 mobi epub pdf 電子書 2024

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內容簡介

　　《Springer手冊精選係列·晶體生長手冊（第2冊）：熔體法晶體生長技術（影印版）》介紹體材料晶體的熔體生長，一種生長大尺寸晶體的關鍵方法。這一部分闡述瞭直拉單晶工藝、泡生法、布裏茲曼法、浮區熔融等工藝，以及這些方法的最新進展，例如應用磁場的晶體生長、生長軸的取嚮、增加底基和形狀控製。本部分涉及材料從矽和Ⅲ-V族化閤物到氧化物和氟化物的廣泛內容。

作者簡介

　　Govindhan Dhanaraj is the Manager of Crystal Growth Technologies at Advanced Renewable Energy Company （ARC Energy） at Nashua， New Hampshire （USA） focusing on the growth of large size sapphire crystals for LED lighting applications， characterization and related crystal growth furnace development. He received his PhD from the Indian Institute of Science， Bangalore and his Master of Science from Anna University （India）. Immediately after his doctoral degree， Dr. Dhanaraj joined a National Laboratory， presently known as Rajaramanna Center for Advanced Technology in India， where he established an advanced Crystal Growth Laboratory for the growth of optical and laser crystals. Prior to joining ARC Energy， Dr. Dhanaraj served as a Research Professor at the Department of Materials Science and Engineering， Stony Brook University， NY， and also held a position of Research Assistant Professor at Hampton University， VA. During his 25 years of focused expertise in crystal growth research， he has developed optical， laser and semiconductor bulk crystals and SiC epitaxial films using solution， flux， Czochralski， Bridgeman， gel and vapor methods， and characterized them using x-ray topography， synchrotron topography， chemical etching and optical and atomic force microscopic techniques. He co-organized a symposium on Industrial Crystal Growth under the 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy in conjunction with the 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy held at Lake Geneva， WIin 2009. Dr. Dhanaraj has delivered invited lectures and also served as session chairman in many crystal growth and materials science meetings. He has published over 100 papers and his research articles have attracted over 250 rich citations.

內頁插圖

精彩書評

　　施普林格的手冊，一貫全麵闡述基礎理論，提供可靠的研究方法和關鍵知識皮及大量的參考文獻，介紹最新的應用實例，前瞻學科的發展方嚮。手冊作者多為世界首席專傢或知名學者。手冊具有極大的實用性，其錶格、圖標、索引等更增加瞭它的使用價值。
　　——《Springer手冊精選係列》推薦委員會

目錄

縮略語
PartB 熔體生長晶體技術
7.磷化銦：用穩定的磁場生長晶體及缺陷控製
7.1 曆史綜述
7.2 磁場下液體封蓋生長法
7.3 熔體的磁場接觸麵
7.4 位錯密度
7.5 磁流量對雜質隔離的影響
7.6 InP:Fe的光學特徵
7.7 總結
參考文獻

8.半導體直拉矽單晶和太陽能電池應用
8.1 激光掃描光散射技術生長矽單晶和太陽能電池應用
8.2 直拉矽單晶的晶體缺陷的控製
8.3 太陽能電池應用的多晶矽的生長和特徵
8.4 總結
參考文獻

9.氧化物光摺變單晶的直拉生長法
9.1 背景
9.2 晶體生長
9.3 直拉生長係統的設計和發展
9.4 鈮酸鋰晶體的生長及其特性
9.5 其他氧化物光摺變晶體
9.6 軟鉍礦晶體的生長及其特性
9.7 結論
參考文獻

10.三元化閤物Ⅲ-V族半導體體材料晶體生長
10.1 Ⅲ-V族三元化閤物半導體
10.2 三元化閤物襯底的需求
10.3 器件級三元化閤物襯底標準
10.4 布裏茲曼晶體生長技術介紹
10.5 Ⅲ-V族的二元化閤物晶體生長技術綜述
10.6 三元化閤物相平衡
10.7 三元化閤物半導體閤金偏析
10.8 三元化閤物晶體裂紋的形成
10.9 單晶三元化閤物籽晶生産工藝
10.10 均質閤金生長的溶質配備過程
10.11 熔體-固體界麵形狀的作用
10.12 結論
參考文獻

11.用於紅外綫探測器的銻基窄禁帶Ⅲ-V族半導體晶體的生長與特性
11.1 銻基半導體的重要性
11.2 相圖
11.3 晶體結構和成鍵
11.4 材料閤成和提純
11.5 體材料InSb的生長
11.6 InSb、InAsxSbl-x.InBixSbl-x的結構特性
11.7 InSb、InAsxSb1_x.InBixSb1_x的物理性質
11.8 應用
11.9 結語與展望
參考文獻

12.光學浮區技術用於氧化物晶體生長
12.1 曆史
12.2 光學浮區技術——氧化物的應用
12.3 光學浮區及溶區移動晶體生長技術
12.4 浮區技術的優勢和局限
12.5 光學浮區爐
12.6 OFZT的陶瓷和晶棒生長的實驗細節
12.7 同成分和不同成分熔融氧化物的穩定生長
12.8 結構過冷和結晶前的穩定性
12.9 晶體生長的終止和冷卻
12.10 0FZ技術的晶體生長特點
12.11 晶體缺陷測定——實驗方法
12.12 0FZ和TSFZ方法選定氧化物單晶生長的具體條件
……
13.激光加熱基座生長氧化物縴維
14.采用殼融技術閤成高熔點材料
15.激光基質氟化物和氧化物品體生長
16.晶體生長的成型
參考文獻

前言/序言

　　多年以來，有很多探索研究已經成功地描述瞭晶體生長的生長工藝和科學，有許多文章、專著、會議文集和手冊對這一領域的前沿成果做瞭綜閤評述。這些齣版物反映瞭人們對體材料晶體和薄膜晶體的興趣日益增長，這是由於它們的電子、光學、機械、微結構以及不同的科學和技術應用引起的。實際上，大部分半導體和光器件的現代成果，如果沒有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化閤物晶體的發展則是不可能的。這些文章緻力於生長機製的基本理解、缺陷形成、生長工藝和生長係統的設計，因此數量是龐大的。
　　本手冊針對目前備受關注的體材料晶體和薄膜晶體的生長技術水平進行闡述。我們的目的是使讀者瞭解經常使用的生長工藝、材料生産和缺陷産生的基本知識。為完成這一任務，我們精選瞭50多位頂尖科學傢、學者和工程師，他們的閤作者來自於22個不同國傢。這些作者根據他們的專業所長，編寫瞭關於晶體生長和缺陷形成共計52章內容：從熔體、溶液到氣相體材料生長；外延生長；生長工藝和缺陷的模型；缺陷特性的技術以及一些現代的特彆課題。
　　本手冊分為七部分。PartA介紹基礎理論：生長和錶徵技術綜述，錶麵成核工藝，溶液生長晶體的形態，生長過程中成核的層錯，缺陷形成的形態。
　　PartB介紹體材料晶體的熔體生長，一種生長大尺寸晶體的關鍵方法。這一部分闡述瞭直拉單晶工藝、泡生法、布裏茲曼法、浮區熔融等工藝，以及這些方法的最新進展，例如應用磁場的晶體生長、生長軸的取嚮、增加底基和形狀控製。本部分涉及材料從矽和Ⅲ-V族化閤物到氧化物和氟化物的廣泛內容。
　　第三部分，本書的PartC關注瞭溶液生長法。在前兩章裏討論瞭水熱生長法的不同方麵，隨後的三章介紹瞭非綫性和激光晶體、KTP和KDP。通過在地球上和微重力環境下生長的比較給齣瞭重力對溶液生長法的影響的知識。
　　PartD的主題是氣相生長。這一部分提供瞭碳化矽、氮化鎵、氮化鋁和有機半導體的氣相生長的內容。隨後的PartE是關於外延生長和薄膜的，主要包括從液相的化學氣相澱積到脈衝激光和脈衝電子澱積。
　　PartF介紹瞭生長工藝和缺陷形成的模型。這些章節驗證瞭工藝參數和産生晶體質量問題包括缺陷形成的直接相互作用關係。隨後的PartG展示瞭結晶材料特性和分析的發展。PartF和G說明瞭預測工具和分析技術在幫助高質量的大尺寸晶體生長工藝的設計和控製方麵是非常好用的。
　　最後的PartH緻力於精選這一領域的部分現代課題，例如蛋白質晶體生長、凝膠結晶、原位結構、單晶閃爍材料的生長、光電材料和綫切割大晶體薄膜。
　　我們希望這本施普林格手冊對那些學習晶體生長的研究生，那些從事或即將從事這一領域研究的來自學術界和工業領域的研究人員、科學傢和工程師以及那些製備晶體的人是有幫助的。

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