包邮 北京大学 半导体物理学 叶良修 第二版 上下册 精装本 高等教育出版社

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出版社: 高等教育出版社
ISBN:9787040266252
商品编码:1527287403

具体描述

 

半导体物理学(上)+半导体物理学(下)(第2版) 2本

1.半导体物理学 第二版 上册 书号:9787040225075
2.半导体物理学 第二版 下册 书号:9787040266252

半导体物理学(上) 

  • 出版社: 高等教育出版社; 第2版 (2007年10月1日)
  • 外文书名: 
  • 精装: 646页
  • 语种: 简体中文
  • 开本: 16
  • ISBN: 9787040225075
  • 条形码: 9787040225075
  • 商品尺寸: 24 x 17.4 x 3 cm
  • 商品重量: 1.1 Kg

目录

重要符号表
第1章 晶格结构和结合性质
1.1 晶格的周期性
1.2 常见半导体的晶格结构
1.3 结合性质
1.4 晶格缺陷
1.5 半导体表面的再构
第1章参考文献

第2章 半导体中的电子状态
2.1 晶体中的能带
2.2 晶体中电子的运动 有效质量和有效质量近似
2.3 导电电子和空穴
2.4 常见半导体的能带结构
2.5 杂质和缺陷能级
2.6 局域态的晶格弛豫
2.7 重掺杂半导体
2.8 表面态
第2章参考文献

第3章 电子和空穴的统计平衡分布
3.1 费米分布函数
3.2 栽流子浓度对费米能的依赖关系
3.3 本征载流子浓度  
3.4 含单一能级杂质情形的统计  
3.5 补偿及多重能级情形的统计  
3.6 简并情形的统计
3.7 化学势和费米能
3.8 宽禁带半导体的掺杂问题和自补偿  
附录3.1 若干半导体的等效态密度(300K)
第3章参考文献

第4章 电荷输运现象
4.1 电导和霍尔效应的分析  
4.2 载流子的散射
4.3 电导统计理论
4.4 霍尔效应的统计理论
4.5 磁阻
4.6 强电场下的载流子输运  
4.7 漂移速度过冲和近弹道输运
附录4.1 微扰势引起的状态之间的跃迁
附录4.2 玻尔兹曼积分一微分方程和弛豫时间的存在性
附录4.3 电阻率和杂质浓度的对应关系
第4章参考文献

第5章 过剩载流子
5.1 过剩栽流子及其产生和复合
5.2 过剩载流子的扩散
5.3 过剩载流子的漂移和扩散
5.4 双极扩散和双极漂移  
5.5 丹倍效应和光磁效应  
5.6 表面复合对寿命的影响  
5.7 复合机制和直接复合
5.8 间接复合
5.9 陷阱效应  
5.10 空间电荷的弛豫
第5章参考文献

第6章 接触现象

6.1 同质和异质pn结势垒
6.2 金属-半导体接触:肖特基势垒  
6.3 pn结电流:注入电流 势垒区产生复合电流
6.4 肖特基势垒电流 尖峰发射
6.5 势垒电容和扩散电容
6.6 隧道穿透势垒——隧道电流  
6.7 光生伏特效应
6.8 雪崩击穿和齐纳击穿  
第6章 参考文献

第7章 半导体表面层和MIS结构
7.1 半导体表面电荷层
7.2 MIS电容
7.3 界面态及其电容效应  
7.4 场效应和表面电导
7.5 表面复合
附录7.1 半导体表面电荷层电荷、表面电场和电容作为ys函数的一般表示式
第7章参考文献

第8章 微结构和超晶格
8.1 半导体中的尺寸量子化和低维电子气  
8.2 微结构和超晶格的生长和形成  
8.3 二维电子气的电荷输运  
8.4 微结构中垂直于界面的输运 共振隧穿  
8.5 一维系统的输运介观输运
8.6 有关量子点的输运现象  
8.7 半导体超晶格
8.8 超晶格的输运
8.9 Rashba效应和自旋晶体管
8.10 碳纳米管
8.11 异质结构的带阶
8.12 晶格失配的异质结构
第8章参考文献

第9章 半导体的光吸收和光反射
9.1 光的吸收和基本吸收边
9.2 基本吸收与能带结构  
9.3 激子和激子吸收
9.4 杂质吸收
9.5 自由载流子吸收
9.6 晶格吸收和反射
第9章参考文献

第10章 半导体中的发光现象  
10.1 自发发射和受激发射
10.2 发光光谱
10.3 微结构和超晶格的光谱现象
10.4 发光二极管及相关问题
10.5 半导体激光器
10.6 单光子发射和量子点一微腔系统
第10章参考文献
索引
重要的物理常量

半导体物理学(下)(第2版) 

  • 出版社: 高等教育出版社; 第2版 (2009年6月1日)
  • 精装: 604页
  • 语种: 简体中文
  • 开本: 16
  • ISBN: 9787040266252
  • 条形码: 9787040266252
  • 商品尺寸: 24 x 16.2 x 3.2 cm
  • 商品重量: 998 g

目录

符号表
第11章 载流子的散射
§11.1 散射率
§11.2 屏蔽库仑势和电离杂质散射
§11.3 声学波形变势散射
§11.4 声学波压电散射
§11.5 光学波形变势散射和等价谷间散射
§11.6 极性光学波及其散射
§11.7 等离子体振荡和等离子体激元散射
§11.8 栽流子之间的散射
§11.9 其它晶格缺陷的散射
§11.10 半导体中的各种散射机制
第11章 参考文献

第12章 半导体中的热现象
§12.1 半导体的热导
§12.2 热电效应及其相互联系
§12.3 温差电动势率
§12.4 热磁效应
§12.5 声子曳引效应
第12章 参考文献

第13章 复杂能带中的输运现象
§13.1 多谷带的电导、霍尔效应和磁阻
§13.2 半导体中的压阻效应
§13.3 声电效应
附录13.1 Herring-Vogt变换
第13章 参考文献

第14章 热载流子和相关现象
§14.1 热载流子和载流子温度模型
§14.2 能量弛豫机制和能量损失率
§14.3 蒙特卡罗模拟
§14.4 和谷间转移相关的热载流子输运现象
§14.5 雪崩击穿和碰撞电离
§14.6 热载流子的扩散
§14.7 激光产生的热载流子的弛豫
§14.8 研究载流子动态过程的超快光谱方法
§14.9 量子阱中热载流子的弛豫
§14.1 0量子阱中热激子的动态过程
§14.1 1量子点中电子空穴的弛豫
附录14.1 第二类修正贝塞尔函数
第14章 参考文献

第15章 强磁场输运和磁光现象
§15.1 磁量子化和自旋分裂
§15.2 纵向振荡磁阻
§15.3 横向振荡磁阻
§15.4 量子霍尔效应
§15.5 回旋共振
§15.6 磁-声子效应和强微波辐照场下的零磁阻
§15.7 振荡磁吸收
§15.8 几种其它磁光效应
第15章 参考文献

第16章 半导体中自旋相关的现象
§16.1 自旋及其在磁场中的行为
§16.2 自旋-轨道相互作用
§16.3 稀磁半导体及其铁磁性
§16.4 电子自旋的光取向及自旋相关的光学现象
§16.5 自旋霍尔效应和其它自旋相关的输运现象
§16.6 自旋极化的电注入和探测
§16.7 自旋极化的弛豫
§16.8 核自旋超精细相互作用
§16.9 自旋和量子计算
§16.10 自旋共振和自旋一核双共振在半导体中的应用
第16章 参考文献

第17章 非晶态半导体
§17.1 非晶态半导体的结构
§17.2 非晶态半导体中的电子状态
§17.3 非晶态半导体中的输运现象
§17.4 非晶态半导体的光吸收
§17.5 非晶态Si、Ge中的隙态和掺杂效应
§17.6 硫系非晶态半导体
第17章 参考文献

索引
《半导体物理学(上册)》的若干修改
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