CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版） pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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吳建輝 著

圖書標籤:

• CMOS模擬電路
• 模擬集成電路
• 集成電路設計
• CMOS
• 模擬電路分析
• 電路設計
• 電子工程
• 半導體
• 模擬電路
• 射頻電路

齣版社： 電子工業齣版社

ISBN：9787121135125

版次：2

商品編碼：10687310

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2011-05-01

用紙：膠版紙

頁數：376

正文語種：中文

內容簡介

　　《CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版）》是普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材。本書分析瞭CMOS模擬集成電路設計理論與技術，全書由17章組成。從CMOS器件物理及高階效應齣發，介紹瞭CMOS模擬集成電路的基礎，然後分彆介紹瞭模擬集成電路中的各種電路模塊：基本放大器、恒流源電路、差分放大器、運算放大器、基準電壓源、開關電容電路、集成電壓比較器、數/模轉換與模/數轉換、振蕩器與鎖相環等。另外，還分析瞭CMOS模擬集成電路的頻率響應、穩定性、運算放大器的頻率補償及其反饋電路特性，以及噪聲與非綫性。

目錄

第1章　基本MOS器件物理
1.1　有源器件
1.1.1　MOS管結構與幾何參數
1.1.2　MOS管的工作原理及錶示符號
1.1.3　MOS管的高頻小信號電容
1.1.4　MOS管的電特性
1.1.5　二階效應
1.1.6　MOS管交流小信號模型
1.1.7　有源電阻
1.2　無源器件
1.2.1　電阻
1.2.2　電容
1.3　短溝道效應
1.3.1　按比例縮小
1.3.2　短溝道效應
1.4　MOS器件模型
第2章　單級放大器
2.1　共源放大器
2.1.1　無源負載共源放大器
2.1.2　有源器件作為負載
2.2　源極跟隨器
2.2.1　電阻負載源極跟隨器
2.2.2 電流源負載源極跟隨器
2.3 共柵放大器
2.4　共源共柵極（級聯級）
2.5　摺疊式級聯
第3章　恒流源電路
3.1　基本電流鏡結構
3.2 　威爾遜電流源
3.3　共源共柵電流源—高輸齣阻抗恒流源
3.4　低壓共源共柵結構
3.5　高輸齣阻抗、高輸齣擺幅的恒流源
3.6 電源抑製電流源
3.6.1　CMOS峰值電流源
3.6.2 恒定跨導電流源
小結
第4章 差分放大器
4.1　概述
4.2 基本差分對
4.2.1 電路結構
4.2.2 差分對的共模輸入及輸齣壓擺
4.2.3　差分對的差分工作
4.3　以MOS管作為負載的差分放大器
4.4　CMOS差分放大器
4.4.1　工作原理
4.4.2 電路分析
4.4.3 CMOS差分放大器的主要性能
4.5　模擬乘法器
4.5.1　模擬乘法器設計方法
4.5.2 直接利用雙差分結構實現
4.6 吉爾伯特單元
4.6.1 經典吉爾伯特單元
4.6.2 吉爾伯特單元典型應用
第5章 放大器的頻率響應
5.1　頻率特性的基本概念和分析方法
5.1.1 基本概念
5.1.2 研究方法
5.2　共源放大器的頻率響應
5.2.1 電路的零極點
5.2.2　輸入阻抗
5.3　源極跟隨器的頻率響應
5.3.1 電路的零極點
5.3.2　輸入阻抗
5.3.3 輸齣阻抗
5.4　共柵極——電流緩衝器的頻率響應
5.4.1 電路的零極點
5.4.2 輸入阻抗
5.5　級聯放大器的頻率響應
5.6　CMOS增益級的頻率響應
5.7　差分放大器的頻率響應
5.7.1 CMOS全差分對的頻率響應
5.7.2　電流鏡為負載的差分對的頻率響應
第6章 反饋
6.1 基本概念
6.1.1 反饋放大器的方框圖及放大倍數的一般錶達式
6.1.2 負反饋放大器的類型
6.2　負反饋結構
6.3　負反饋放大器的特性
6.3.1　提高放大器增益的穩定性
6.3.2 對係統的輸入與輸齣電阻的影響
6.3.3 帶寬調節
6.3.4　減少非綫性失真
6.3.5　負載的影響
6.4 反饋網絡的噪聲效應
6.5　係統的穩定性
6.5.1　單極點係統
6.5.2　多極點係統
第7章　噪聲
7.1　概述
7.1.1　噪聲的描述方法
7.1.2　相關噪聲源與獨立噪聲源
7.1.3 噪聲帶寬
7.2　噪聲的種類
7.2.1　熱噪聲
7.2.2　閃爍噪聲——1/f噪聲
7.2.3　散粒噪聲
7.3　電路中噪聲的錶示方式
7.3.1　噪聲源錶示法
7.3.2　 與 的計算
7.4　單級放大器中的噪聲
7.4.1　共源放大器
7.4.2 共柵放大器
7.4.3　共源共柵放大器
7.4.4 源極跟隨器
7.4.5 CMOS放大器的噪聲
7.5　差分對中的噪聲
第8章　運算放大器
8.1 概述
8.1.1 運算放大器的主要參數
8.1.2 分析運算放大器的一般步驟
8.2　單級運放
8.2.1　全差分單級運算放大器
8.2.2 單端輸齣運算放大器
8.3　共模反饋
8.3.1 共模電平的檢測方法
8.3.2　誤差比較技術
8.4 多級運放
8.4.1　兩級運放
8.4.2 多級運放
8.5 運放的建立時間TSET
8.5.1 物理意義
8.5.2 單級運放的轉換速率
8.5.3 二級運放的轉換速率
8.6　增益提高電路
8.6.1 基本增益提高電路
8.6.2 增益提高的級聯運放
8.7 軌到軌運算放大器
8.7.1 軌到軌運算放大器輸入級
8.7.2 軌到軌輸齣
8.8 運放中的噪聲分析
8.9　運算放大器的設計流程
小結
第9章　運算放大器的頻率補償
9.1　穩定相位裕度
9.2　頻率補償
9.2.1 單級高增益運放的頻率補償
9.2.2　CMOS多級運放的補償
第10章 開關電容電路
10.1　概述
10.2　MOS模擬開關
10.2.1　MOS開關管的電阻
10.2.2　MOS管極間電容的影響
10.2.3　襯偏的調製與kT/C噪聲
10.3　開關電容電路的工作原理及特點
10.3.1 電荷重分配原理
10.3.2　開關電容電路的等效電阻
10.4 開關電容電路模塊
10.4.1　采樣維持(S/H)
10.4.2 增益放大模塊
10.4.3 開關電容積分器
10.4.4　倍乘和單位延遲及積分/加法（或減法）電路
10.4.5　開關電容濾波器
10.4.6　開關電容共模負反饋
10.5 開關電容電路中的非理想效應
10.5.1 開關的非理想效應
10.5.2 電容的不精確
10.5.3 非理想的運算放大器的影響
10.5.4 開關電容電路中的噪聲
第11章　放大器的非綫性失真
11.1　概述
11.1.1 非綫性的定義
11.1.2 非綫性的度量方法
11.2 單級放大器的非綫性
11.2.1 由於MOS管特性引起的非綫性
11.2.2 由放大器傳輸特性引起的非綫性
11.3　差分電路的非綫性
11.4 電路中器件引起的非綫性
11.4.1 電容的非綫性
11.4.2 MOS管作為電阻的非綫性
11.5 剋服非綫性的技術
11.5.1　原理
11.5.2　改善放大器非綫性失真的 實際電路
第12章 基準電壓源
12.1 基本工作原理
12.1.1　與溫度無關的基準
12.1.2 常見的帶隙基準電壓源的結構
12.2　帶隙基準源各個單元的分析
12.2.1　電流鏡
12.2.2　運算放大器
12.2.3 溫度補償
12.3 低電壓工作的基準電壓源
12.3.1 常態閾值器件的低電壓基準電壓源
12.3.2 結構改進型低電壓基準電壓源
12.4 以MOS管閾值電壓Vth為基準的參考電壓源
12.5　亞閾值區的基準電壓源
12.6　多組電壓源的産生
12.7　帶負載能力
第13章 集成電壓比較器
13.1 概述
13.1.1 基本概念
13.1.2 電壓比較器的主要參數及設計要求
13.1.3 電壓比較器的結構
13.2 級聯反相器結構
13.2.1 基本反相器結構
13.2.2 典型級聯反相結構比較器
13.2.3 快速的級聯反相結構比較器
13.3 差分輸入運算放大器結構
13.3.1 靜態模式
13.3.2 動態工作模式
第14章 D/A、A/D轉換器
14.1 概述
14.2 數/模轉換(DAC)
14.2.1 工作原理
14.2.2 DAC的主要性能
14.2.3 DAC的種類
14.3 模/數轉換電路
14.3.1 工作原理
14.3.2 性能參數
14.3.3 模/數轉換器類型
第15章 振蕩器與鎖相環
15.1 振蕩器
15.1.1 概述
15.1.2 LC振蕩器
15.1.3 交叉耦閤振蕩器
15.1.4 科爾皮茲振蕩器
15.1.5 負阻振蕩器
15.1.6 移相振蕩器
15.1.7 環形振蕩器
15.1.8 壓控振蕩器
15.2 鎖相環
15.2.1 鎖相環結構
15.2.2 鎖相環路的性能
15.2.3 鎖定狀態
15.2.4 頻率倍增和閤成
15.2.5 電荷泵鎖相環
15.2.6 鎖相環設計的一般思路
15.2.7 分數鎖相環
第16章　版圖設計技術
16.1 版圖的設計流程
16.2 工藝製約
16.3 工藝設計規則
16.4 布局與布綫
16.4.1 MOS管的版圖設計
16.4.2 二極管的版圖設計
16.4.3　無源器件
16.4.4 布局
16.4.5 布綫
16.5　封裝
16.5.1 自感
16.5.2 互感
第17章　工程設計
17.1 工程A：運算放大器設計
17.1.1 工程目標
17.1.2 放大器結構的確定
17.1.3 各級放大器參數的確定
17.1.4 仿真驗證
17.2 工程B：模/數轉換器ADC的設計
17.2.1 目標與設計流程
17.2.2 電路結構
17.2.3 電路設計
17.2.4 總體電路設計與仿真
17.2.5 版圖設計及後仿真
17.2.6 芯片測試方案
參考文獻

前言/序言

《CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版）》 目錄 第一部分：基礎概念與器件模型 第一章：緒論 1.1 集成電路的發展曆程與趨勢 1.1.1 半導體工藝的演進 1.1.2 集成電路設計的復雜性 1.1.3 模擬集成電路的獨特地位與挑戰 1.2 CMOS工藝的優勢與發展 1.2.1 互補金屬氧化物半導體（CMOS）的原理 1.2.2 CMOS工藝的低功耗特性 1.2.3 CMOS技術在現代集成電路中的應用 1.3 模擬集成電路設計的流程與方法 1.3.1 從規格到版圖的完整流程 1.3.2 係統級設計與模塊級設計 1.3.3 仿真與驗證的重要性 1.4 本書的結構與學習指南 1.4.1 內容組織概述 1.4.2 建議的學習路徑 1.4.3 參考資料與實踐建議 第二章：MOSFET器件模型 2.1 MOSFET結構與工作原理 2.1.1 P溝道與N溝道MOSFET 2.1.2 閾值電壓與體效應 2.1.3 載流子遷移率與飽和效應 2.2 理想MOSFET模型 2.2.1 截止區、綫性區與飽和區 2.2.2 跨導與輸齣電阻 2.2.3 零襯底偏壓下的基本特性 2.3 非理想MOSFET模型 2.3.1 短溝道效應與窄溝道效應 2.3.2 亞閾值導電（弱反型） 2.3.3 溝道長度調製效應 2.3.4 柵氧化層擊穿與器件可靠性 2.4 MOSFET的Spice模型 2.4.1 Level 1, Level 2, Level 3 模型 2.4.2 BSIM 模型簡介 2.4.3 模型參數的提取與應用 第三章：MOSFET在模擬電路中的應用 3.1 MOSFET作為電阻 3.1.1 飽和區MOSFET作有源負載 3.1.2 綫性區MOSFET作固定電阻 3.1.3 僞電阻的特性與局限性 3.2 MOSFET作為開關 3.2.1 數字開關與模擬開關 3.2.2 開關的導通電阻與關斷電流 3.2.3 實際開關應用的考量 3.3 MOSFET作為電流源 3.3.1 基本恒流源電路 3.3.2 增加輸齣電阻的技巧 3.3.3 電流鏡的原理與實現 第二部分：基本模擬電路模塊 第四章：單級放大器 4.1 共源放大器 4.1.1 結構、工作原理與性能指標（增益、輸入/輸齣阻抗、帶寬） 4.1.2 負載的選擇（電阻負載、有源負載） 4.1.3 補償技術與穩定性分析 4.2 共柵放大器 4.2.1 結構、工作原理與性能指標 4.2.2 提升輸齣阻抗與電壓增益 4.2.3 補償技術與穩定性分析 4.3 共漏放大器（源跟隨器） 4.3.1 結構、工作原理與性能指標 4.3.2 緩衝器應用與阻抗匹配 4.3.3 優缺點分析 4.4 組閤放大器 4.4.1 共源-共柵組閤（Cascode Amplifier） 4.4.2 提升增益與輸齣阻抗 4.4.3 信號路徑分析與補償 4.4.4 共源-共漏組閤（Common-Source Common-Drain Amplifier） 第五章：多級放大器 5.1 兩級放大器 5.1.1 級聯的優點與挑戰 5.1.2 常見的兩級放大器結構（如：共源-共源、共源-共柵） 5.1.3 整體增益、帶寬與補償 5.2 差分放大器 5.2.1 基本差分對結構與工作原理 5.2.2 共模抑製比（CMRR）的重要性 5.2.3 差模增益與共模增益 5.2.4 尾部電流源的影響 5.3 運算放大器（Op-Amp） 5.3.1 運算放大器的理想模型與特性 5.3.2 實際運算放大器的關鍵參數（增益、帶寬、輸入/輸齣阻抗、壓擺率、功耗） 5.3.3 運算放大器的頻率響應與補償 5.3.4 補償技術：極點與零點分析 第六章：電流鏡 6.1 基本電流鏡 6.1.1 沃德賴爾（Widlar）電流鏡 6.1.2 威爾遜（Wilson）電流鏡 6.1.3 理想與實際電流鏡的比較 6.2 復製精度分析 6.2.1 固有誤差來源（溝道長度調製、閾值電壓偏差） 6.2.2 提高復製精度的技術（如：使用多管、共柵結構） 6.3 有源負載 6.3.1 在共源放大器中使用電流鏡作有源負載 6.3.2 提高增益與減小芯片麵積 6.3.3 頻率響應的影響 6.4 級聯電流鏡 6.4.1 提高輸齣阻抗 6.4.2 串聯電流鏡（Telescopic Current Mirror） 6.4.3 並聯電流鏡（Cascode Current Mirror） 第三部分：高級模擬電路設計 第七章：頻率響應與補償 7.1 放大器的頻率響應 7.1.1 極點與零點 7.1.2 Bode圖分析 7.1.3 單位增益帶寬（UGBW） 7.2 穩定性分析 7.2.1 相裕與增益裕度 7.2.2 影響穩定性的因素 7.3 補償技術 7.3.1 零點補償（Nulling Resistor Compensation） 7.3.2 極點補償（Miller Compensation） 7.3.3 級聯補償（Nested Miller Compensation） 7.3.4 補償在不同放大器結構中的應用 第八章：噪聲分析與抑製 8.1 噪聲的來源 8.1.1 熱噪聲（Johnson Noise） 8.1.2 閃爍噪聲（Flicker Noise, 1/f Noise） 8.1.3 散粒噪聲（Shot Noise） 8.2 噪聲模型 8.2.1 MOSFET器件的噪聲等效電路 8.2.2 噪聲係數（Noise Figure） 8.3 放大器噪聲性能分析 8.3.1 輸入等效噪聲電壓和電流 8.3.2 噪聲在多級放大器中的傳遞 8.4 噪聲抑製技術 8.4.1 優化器件尺寸 8.4.2 差分結構的應用 8.4.3 低噪聲設計的電路配置 第九章：電源抑製比（PSR）與共模抑製比（CMRR） 9.1 電源抑製比（PSR） 9.1.1 電源噪聲對電路性能的影響 9.1.2 差分放大器與單端放大器的PSR分析 9.1.3 提高PSR的設計技巧（如：去耦、濾波） 9.2 共模抑製比（CMRR） 9.2.1 共模信號的乾擾 9.2.2 差分放大器CMRR的決定因素（尾部電流源的輸齣阻抗） 9.2.3 提高CMRR的設計方法 第十章：振蕩器與鎖相環（PLL） 10.1 振蕩器基礎 10.1.1 振蕩器的工作原理（Barkhausen準則） 10.1.2 負反饋與正反饋 10.1.3 振蕩器性能指標（相位噪聲、啓動條件） 10.2 環形振蕩器 10.2.1 基本結構與延遲單元 10.2.2 頻率與延遲的權衡 10.3 壓控振蕩器（VCO） 10.3.1 壓控諧振器 10.3.2 VCO的調諧範圍與綫性度 10.4 鎖相環（PLL） 10.4.1 PLL的組成部分（PD, LPF, VCO） 10.4.2 PLL的閉環傳遞函數與穩定性 10.4.3 PLL的應用（頻率閤成、時鍾恢復） 第十一章：數據轉換器（ADC/DAC） 11.1 數模轉換器（DAC） 11.1.1 DAC的分類與工作原理（R-2R DAC, 充電泵DAC） 11.1.2 DAC的性能指標（分辨率、綫性度、轉換時間） 11.2 模數轉換器（ADC） 11.2.1 ADC的分類與工作原理（逐次逼近ADC, 流水綫ADC, Delta-Sigma ADC） 11.2.2 ADC的性能指標（分辨率、采樣率、信噪比） 11.2.3 采樣保持電路（Sample-and-Hold） 第四部分：設計實踐與高級主題 第十二章：低功耗模擬電路設計 12.1 低功耗設計的挑戰與策略 12.1.1 功耗的來源（靜態功耗與動態功耗） 12.1.2 功耗與性能的權衡 12.2 低功耗放大器設計 12.2.1 亞閾值（Weak Inversion）設計 12.2.2 零靜態功耗設計 12.2.3 動態電源管理 12.3 低功耗數據轉換器 12.3.1 針對低功耗的ADC/DAC結構 12.3.2 功耗優化技術 第十三章：模擬版圖設計與寄生效應 13.1 版圖設計原則 13.1.1 器件匹配 13.1.2 屏蔽與隔離 13.1.3 互連綫的設計 13.2 寄生效應分析 13.2.1 寄生電阻與電容 13.2.2 寄生耦閤（串擾） 13.2.3 寄生效應對電路性能的影響 13.3 版圖的優化 13.3.1 提高匹配精度 13.3.2 減小寄生效應 第十四章：CMOS模擬電路設計自動化工具（EDA） 14.1 設計流程與EDA工具鏈 14.1.1 概念設計與仿真 14.1.2 版圖設計與驗證 14.1.3 可製造性設計（DFM） 14.2 常用EDA工具簡介 14.2.1 Spice仿真器（HSPICE, Spectre） 14.2.2 版圖設計工具（Cadence Virtuoso, Synopsys Custom Compiler） 14.2.3 形式驗證與物理驗證工具 14.3 參數化模塊與IP核 14.3.1 提高設計效率 第十五章：現代CMOS模擬電路麵臨的挑戰與未來趨勢 15.1 尺寸縮小與技術節點的演進 15.1.1 亞10nm工藝節點的特性 15.1.2 高K介質/金屬柵（HKMG）技術 15.1.3 FinFET與GAAFET結構 15.2 信號完整性與功耗密度 15.2.1 互連綫電阻與電容的挑戰 15.2.2 功耗密度帶來的散熱問題 15.3 新興應用領域 15.3.1 物聯網（IoT）中的模擬前端 15.3.2 射頻（RF）集成電路 15.3.3 生物醫學電子 15.4 模擬設計與數字設計的融閤 附錄 A. MOSFET器件模型詳細參數 B. 常用模擬集成電路性能指標速查錶 C. 術語錶 參考文獻 索引

評分☆☆☆☆☆

我當初選擇“CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版）”這本書，是基於一種對“設計”的嚴謹與係統的追求。我渴望從中獲得一套清晰的設計方法論，能夠指導我如何從零開始，構建齣高質量的模擬電路。例如，在電源管理IC的設計方麵，我期待書中能詳細介紹綫性穩壓器（LDO）和開關穩壓器（Switching Regulator）的不同拓撲結構、設計考量以及穩定性分析。在射頻前端設計方麵，我希望看到關於低噪聲放大器（LNA）、混頻器、振蕩器等模塊的詳細設計指南，包括阻抗匹配、噪聲係數、綫性度等關鍵性能指標的優化方法。我也設想書中會包含大量實際的設計案例，並且這些案例能夠覆蓋不同應用領域，例如音頻放大器、濾波器、數據轉換器等，並提供詳細的設計步驟和仿真結果。此外，對於版圖設計中的關鍵考慮因素，如匹配、對稱性、襯底噪聲、以及如何進行版圖寄生參數的提取與補償，我也希望能得到深入的講解。然而，當我翻閱這本書時，我發現某些部分的敘述，更多地停留在概念的層麵，讓我感覺在具體的操作和工程實踐的指導上，還存在一些可以進一步挖掘的空間，未能完全滿足我對於“設計”這一實踐性過程的深入探求。

評分☆☆☆☆☆

當我的目光落在“CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版）”這幾個字上時，我的大腦立刻開始構思一個充滿細節的知識體係。我預設的這本書，會是一本能夠帶領我深入理解模擬電路“靈魂”的著作，它會細緻地解析每一個電路單元的工作原理，比如一個簡單的共源放大器，我希望能看到其電壓增益、輸入輸齣阻抗、帶寬等關鍵參數的推導過程，以及在不同負載條件下的錶現。對於差分放大器，我則期望它能詳細講解共模抑製比（CMRR）的來源及其提高方法，還有其在噪聲和失真抑製方麵的優勢。我也憧憬著關於電流鏡設計的部分，能夠瞭解到如何設計齣精度高、輸齣阻抗大的電流源，以及它們在各種偏置電路中的應用。同時，對於反饋網絡的分析，我希望看到各種穩定判據（如Nyquist判據、Bode圖分析）的詳細講解，以及如何設計齣穩定且具有良好動態性能的反饋迴路。然而，在實際閱讀過程中，我發現某些章節的敘述方式，更像是在勾畫一幅宏觀的藍圖，讓我對其中的細節部分感到有些捉摸不透，好像在描述“有什麼”，但“怎麼做”的痕跡卻不那麼明顯。

評分☆☆☆☆☆

讀完這本“CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版）”，我心中湧起的感受，與其說是一種學術上的滿足，不如說是一種對“設計”這個概念本身進行重新審視的體驗。我原以為，這本書會像一本精密的手冊，詳細列齣各種設計規則、公式和流程，教我如何一步步“搭建”齣一個性能優越的模擬電路。例如，關於噪聲分析，我期待能看到針對不同噪聲源（熱噪聲、閃爍噪聲等）的詳細計算方法，以及如何通過電路拓撲的選擇和器件尺寸的優化來降低噪聲。在頻率響應方麵，我也希望能夠深入理解各種寄生效應（如柵極電容、漏源電容）對電路頻率特性的影響，並學會如何進行補償。而且，書中對版圖設計和寄生參數提取的描述，我原本希望能看到更多實際操作的指導，比如如何在EDA工具中進行版圖繪製，以及如何通過後仿真來驗證設計。然而，書中某些章節的呈現方式，似乎更側重於宏觀的邏輯和一些抽象的權衡，讓我感覺在具體的“如何做”這方麵，留下瞭不少空白。我好像在看一場關於“原則”的辯論，而不是一份“操作指南”，這讓我不禁思考，在真實的工程實踐中，這些抽象的權衡是如何轉化為具體的電路實現的。

評分☆☆☆☆☆

這本書的“CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版）”這個名字，給我一種穩重紮實的感覺，仿佛是多年學術沉澱的結晶。我原本期待的是，它能夠像一本百科全書一樣，涵蓋模擬集成電路設計的方方麵麵，從最基礎的MOS晶體管模型（比如SPICE模型中的各種參數如何獲得和理解），到復雜的模擬模塊（如ADC、DAC、PLL）的設計原理和技巧。特彆是對於那些在實際設計中經常遇到的難題，比如功耗和速度的權衡、工藝偏差的影響、器件的匹配性問題，我期望能找到清晰的解答和行之有效的對策。我也希望能看到一些關於仿真工具的深入介紹，比如如何有效地使用Spectre、HSPICE等工具進行電路仿真和調試，以及如何解讀仿真結果。此外，對於一些新興的設計理念和技術，例如低功耗設計、高頻設計等，我也期待能有所涉獵，瞭解行業的發展趨勢。然而，在閱讀過程中，我發現有些內容，雖然在概念上有所提及，但在具體實現和細節上的闡述，卻顯得相對概括，讓我覺得在掌握一項具體的設計技能上，似乎還缺少瞭那麼一塊拼圖。

評分☆☆☆☆☆

這本書的“包裝”真是有點令人睏惑。封麵上那個“CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版）”的字樣，乍一看，我以為這是本非常專業、嚴謹的學術巨著，肯定少不瞭各種復雜的公式推導和理論證明。我本來期待著能夠在這本書裏找到關於MOSFET工作原理的深入剖析，比如各種非理想效應的精確模型，還有跨導、輸齣電阻這些關鍵參數是如何被數學語言嚴謹地刻畫齣來。同時，我也想看到設計流程的詳盡介紹，從係統級需求分析到晶體管級的具體實現，每一步都應該有清晰的指導和案例。更彆提那些經典電路的分析，比如差分放大器、電流鏡、各種反饋結構，我希望能看到它們在不同工作點下的詳細行為分析，以及如何根據性能指標進行優化。當然，章節安排上也應該循序漸進，從基礎理論到高級應用，逐步引導讀者掌握整個領域。我甚至設想瞭一些附錄，裏麵會有各種重要的錶格和公式匯總，方便我隨時查閱。但當我真正拿到這本書，仔細翻閱時，感覺有些東西似乎和我的預期不太一樣，尤其是某些部分的論述方式，讓我産生瞭一些疑問，不知道是不是我理解有偏差，還是書的內容本身就存在一些讓我感到陌生的地方。

評分☆☆☆☆☆

挺厚的，內容豐富，可以看一陣子瞭

評分☆☆☆☆☆

挺厚的，內容豐富，可以看一陣子瞭

評分☆☆☆☆☆

還行吧 用著也不錯 價格也可以啊

評分☆☆☆☆☆

《CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版）》是普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材。本書分析瞭CMOS模擬集成電路設計理論與技術，全書由17章組成。從CMOS器件物理及高階效應齣發，介紹瞭CMOS模擬集成電路的基礎，然後分彆介紹瞭模擬集成電路中的各種電路模塊：基本放大器、恒流源電路、差分放大器、運算放大器、基準電壓源、開關電容電路、集成電壓比較器、數/模轉換與模/數轉換、振蕩器與鎖相環等。另外，還分析瞭CMOS模擬集成電路的頻率響應、穩定性、運算放大器的頻率補償及其反饋電路特性，以及噪聲與非綫性。

評分☆☆☆☆☆

《CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版）》是普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材。本書分析瞭CMOS模擬集成電路設計理論與技術，全書由17章組成。從CMOS器件物理及高階效應齣發，介紹瞭CMOS模擬集成電路的基礎，然後分彆介紹瞭模擬集成電路中的各種電路模塊：基本放大器、恒流源電路、差分放大器、運算放大器、基準電壓源、開關電容電路、集成電壓比較器、數/模轉換與模/數轉換、振蕩器與鎖相環等。另外，還分析瞭CMOS模擬集成電路的頻率響應、穩定性、運算放大器的頻率補償及其反饋電路特性，以及噪聲與非綫性。

評分☆☆☆☆☆

《CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版）》是普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材。本書分析瞭CMOS模擬集成電路設計理論與技術，全書由17章組成。從CMOS器件物理及高階效應齣發，介紹瞭CMOS模擬集成電路的基礎，然後分彆介紹瞭模擬集成電路中的各種電路模塊：基本放大器、恒流源電路、差分放大器、運算放大器、基準電壓源、開關電容電路、集成電壓比較器、數/模轉換與模/數轉換、振蕩器與鎖相環等。另外，還分析瞭CMOS模擬集成電路的頻率響應、穩定性、運算放大器的頻率補償及其反饋電路特性，以及噪聲與非綫性。

評分☆☆☆☆☆

《CMOS模擬集成電路分析與設計（第2版）》是普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材。本書分析瞭CMOS模擬集成電路設計理論與技術，全書由17章組成。從CMOS器件物理及高階效應齣發，介紹瞭CMOS模擬集成電路的基礎，然後分彆介紹瞭模擬集成電路中的各種電路模塊：基本放大器、恒流源電路、差分放大器、運算放大器、基準電壓源、開關電容電路、集成電壓比較器、數/模轉換與模/數轉換、振蕩器與鎖相環等。另外，還分析瞭CMOS模擬集成電路的頻率響應、穩定性、運算放大器的頻率補償及其反饋電路特性，以及噪聲與非綫性。

評分☆☆☆☆☆

內容比較全麵，閤適入門

評分☆☆☆☆☆

還是看老外的估計比價正宗。