半導體科學與技術叢書：透明氧化物半導體 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

簡體網頁||繁體網頁

☆☆☆☆☆

馬洪磊，馬瑾 著

圖書標籤:

• 半導體
• 氧化物半導體
• 透明氧化物
• 材料科學
• 電子工程
• 半導體物理
• 薄膜技術
• 器件物理
• 新興材料
• 科學技術

齣版社： 科學齣版社

ISBN：9787030416643

版次：1

商品編碼：11562058

包裝：精裝

叢書名： 半導體科學與技術叢書

開本：16開

齣版時間：2014-10-01

用紙：膠版紙

頁數：374

正文語種：中文

內容簡介

　　《半導體科學與技術叢書：透明氧化物半導體》重點闡述瞭已經得到廣泛應用或具有重要應用前景的8種氧化物半導體的製備技術、晶體結構、形貌、缺陷、電子結構、電學性質、磁學性質、壓電性質、光學性質和氣敏性質，既包含瞭作者近30年的研究成果，又反映瞭國內外透明氧化物半導體重要研究成果，既包含瞭早期透明氧化物半導體成熟理論，又反映瞭當前國際上透明氧化物半導體的較新成果，重點突齣，內容係統、全麵、新穎，具有重要的科學意義和應用價值。

目錄

前言緒論第1章 氧化物薄膜的製備技術1．1 真空蒸發技術1．1．1 金屬和化閤物蒸發1．1．2 蒸發源的加熱裝置1．2 MBE技術1．3 濺射技術1．3．1 雙極直流反應濺射1．3．2 偏壓濺射1．3．3 射頻濺射1．3．4 磁控濺射1．3．5 離子束濺射1．4 離子鍍技術1．5 CVD技術1．5．1 APCVD和LPCVD技術1．5．2 PECVD技術1．5．3 MOCVD技術1．6 溶液鍍膜技術1．6．1 噴塗高溫分解1．6．2 浸塗技術1．6．3 化學溶解生長1．6．4 sol-gel技術1．7 陽極氧化技術1．7．1 陽極氧化技術1．7．2 等離子體陽極氧化技術參考文獻
第2章 氧化物半導體基礎2．1 金屬氧化物晶體結構2．1．1 MO型金屬氧化物的典型晶體結構2．1．2 MO2型金屬氧化物晶體的典型晶體結構2．1．3 M2O3型金屬氧化物的典型晶體結構2．2 金屬氧化物的缺陷2．2．1 金屬氧化物晶體缺陷類型2．2．2 金屬氧化物晶體點缺陷理論基礎2．3 金屬氧化物半導體的電學性質2．3．1 金屬氧化物半導體的電子結構2．3．2 金屬氧化物半導體的載流子濃度2．3．3 金屬氧化物半導體載流子輸運散射機製2．4 氧化物半導體的磁學性質2．4．1 稀磁氧化物半導體的摻雜元素2．4．2 氧化物半導體的鐵磁性起源2．5 透明氧化物半導體的光學性質2．5．1 透明氧化物半導體的光學常數2．5．2 Burstein—Moss移動2．5．3 透明氧化物半導體薄膜的PL特性2．6 金屬氧化物半導體的氣敏特性參考文獻
第3章 ZnO薄膜3．1 ZnO薄膜的晶體結構3．1．1 ZnO的晶體結構3．1．2 ZnO薄膜的XRD譜3．1．3 ZnO薄膜的Raman譜3．1．4 ZnO薄膜的RHEED圖案3．1．5 ZnO薄膜的HRTEM圖像3．2 ZnO的電子結構3．3 ZnO的本徵點缺陷3．4 ZnO薄膜的電學性質3．4．1 本徵ZnO的弱n型導電3．4．2 ZnO的摻雜3．4．3 ZnO薄膜載流子散射機製3．5 ZnO薄膜的磁學性質和壓電性質3．5．1 ZnO基稀磁半導體3．5．2 ZnO薄膜的壓電性質3．6 ZnO薄膜的光學性質3．6．1 ZnO薄膜的光透射譜3．6．2 ZnO薄膜的PL特性3．6．3 ZnO薄膜的激子受激發射特性參考文獻
第4章 SnO2薄膜4．1 SnO2薄膜的晶體結構4．1．1 SnO2的晶體結構4．1．2 SnO2薄膜的XRD譜4．1．3 SnO2薄膜的Raman譜4．1．4 SnO2薄膜的TEM和HRTEM圖像4．1．5 SnO2薄膜的XPS譜4．1．6 SnO2薄膜的RBS譜4．2 金紅石Sn02的電子結構4．3 SnO2薄膜的電學性質4．3．1 金紅石SnO2的本徵缺陷4．3．2 金紅石SnO2薄膜的摻雜4．3．3 金紅石SnO2薄膜載流子散射機製4．3．4 鈮鐵礦SnO2薄膜的電學性質4．4 SnO2薄膜的磁學性質4．5 SnO2薄膜的光學特性4．5．1 SnO2薄膜的光透射譜4．5．2 SnO2薄膜的PL特性4．6 金紅石SnO2薄膜的氣敏特性參考文獻
第5章 TiO2薄膜5．1 TiO2薄膜的晶體結構5．1．1 TiO2的晶體結構5．1．2 TiO2薄膜的XRD譜5．1．3 TiO2薄膜的Raman譜5．1．4 TiO2薄膜的XPS譜5．1．5 TiO2的RBS譜5．2 TiO2的電子結構5．3 TiO2的本徵點缺陷5．4 TiO2薄膜的電學性質5．5 TiO2薄膜的磁學性質5．6 TiO2薄膜的光學性質5．6．1 TiO2薄膜的光透射譜5．6．2 TiO2薄膜的PL特性5．6．3 TiO2薄膜的光學常數5．7 TiO2薄膜的光催化特性參考文獻
第6章 In2O3薄膜6．1 In2O3薄膜的晶體結構6．1．1 In2O3薄膜的晶體結構6．1．2 In2O3薄膜的XRD譜6．1．3 In2O3薄膜的Raman譜6．1．4 In2O3薄膜的HRTEM圖像6．1．5 In2O3薄膜的XPS譜6．1．6 In2O3薄膜的RBS譜6．2 In2O3的電子結構6．3 IIn2O3薄膜的電學性質6．3．1 In2O3的本徵點缺陷6．3．2 In2O3薄膜的電導特性6．3．3 In2O3薄膜載流子散射機製6．4 In2O3薄膜的磁學性質6．5 In2O3薄膜的光學性質6．5．1 In2O3薄膜的光透射譜6．5．2 In2O3薄膜的PL特性6．5．3 In2O3薄膜的光學常數6．6 In2O3薄膜的氣敏特性參考文獻
第7章 Ga2O3薄膜7．1 Ga2O3薄膜的晶體結構7．1．1 Ga2O3的晶體結構7．1．2 Ga2O3薄膜的XRD譜7．1．3 β-Ga2O3的薄膜HRTEM圖像7．1．4 β-Ga2O3薄膜的Raman譜7．1．5 β-Ga2O3的XPS譜7．1．6 Ga2O3薄膜的RBS譜7．2 Ga2O3的電子結構7．3 Ga2O3薄膜的電學性質7．3．1 Ga2O3的點缺陷7．3．2 Ga2O3薄膜的電學性質7．4 Ga2O3薄膜的光學性質7．4．1 Ga2O3薄膜的光透射譜7．4．2 GGa2O3薄膜的PL特性7．4．3 Ga2O3的薄膜CL特性7．4．4 Ga2O3薄膜的光學常數7．5 β-Ga2O3薄膜的氣敏特性參考文獻
第8章 MgZnO薄膜8．1 MgZnO薄膜的晶體結構8．1．1 MgZnO薄膜的晶體結構8．1．2 MgZnO薄膜的XRD譜8．1．3 MgZnO薄膜的Raman譜8．1．4 MgZnO薄膜的AFM圖像8．1．5 MgZnO薄膜的TEM和HRTEM圖像8．1．6 MgZnO的XPS譜8．1．7 MgZnO薄膜的RBS譜8．2 MgZnO的電子結構8．3 MgznO薄膜的電學和磁學性質8．3．1 MgZnO薄膜的電學性質8．3．2 MgZnO薄膜的磁學性質8．4 MgZnO的光學性質8．4．1 MgZnO薄膜的光透射譜8．4．2 MgZnO薄膜的PL特性8．4．3 MgZnO薄膜的長波光學聲子性質8．4．4 MgZnO薄膜的光學常數參考文獻
第9章 GaIno和InGazno薄膜9．1 引言9．2 GaInO薄膜9．2．1 GaInO薄膜的晶體結構9．2．2 GaInO薄膜的電學性質9．2．3 GaInO薄膜的光學性質9．3 InGaZnO薄膜9．3．1 InGaZnO薄膜的晶體結構9．3．2 InGaZnO薄膜的電學性質9．3．3 InGaZnO薄膜的光學性質參考文獻
第10章 透明氧化物電子學10．1 引言10．2 透明氧化物薄膜晶體管10．2．1 C—IGZO—TFT10．2．2 a—IGZO—TFT10．2．3 ZnO—一TFT10．3 紫外發光二極管和激光二極管10．3．1 UV—LED10．3．2 UV—LD10．4 透明UV探測器參考文獻
索引《半導體科學與技術叢書》已齣版書目彩圖

前言/序言

閃耀的未來：探索透明氧化物半導體的奧秘與應用 在日新月異的科技浪潮中，材料科學的發展始終是推動進步的核心驅動力之一。而在眾多前沿材料中，透明氧化物半導體（Transparent Conductive Oxides, TCOs）正以其獨特的性能組閤，悄然改變著我們的數字生活，並在能源、顯示、傳感等諸多領域展現齣巨大的應用潛力。這套《半導體科學與技術叢書：透明氧化物半導體》旨在為讀者深入剖析這一激動人心的領域，從基礎原理到前沿技術，從材料製備到器件應用，提供一個全麵而深入的視角。 一、 獨樹一幟的性能：兼具透明與導電的“矛盾統一體” 透明氧化物半導體之所以令人著迷，在於它們成功地剋服瞭傳統半導體材料在透明度和導電性之間難以調和的矛盾。一般來說，能夠高效導電的材料往往是不透明的，例如金屬；而能夠透過可見光而透明的材料，往往是絕緣體，無法導電。TCOs則打破瞭這一桎梏，它們在可見光區域錶現齣極高的透光率，同時又具備良好的電導率。這種“魚與熊掌兼得”的特性，使得它們成為許多尖端技術中不可或缺的關鍵組成部分。 那麼，這種神奇的性能是如何實現的呢？本書將從晶體結構、電子能帶理論、載流子輸運機製等基礎物理原理齣發，層層剝開TCOs的神秘麵紗。我們將深入探討不同氧化物材料（如氧化銦锡In₂SnO₄，氧化鋅ZnO，氧化锡SnO₂等）的晶體結構特點，分析其對電子能帶結構的影響。特彆是，TCOs通常是通過在寬禁帶的絕緣體氧化物中引入化學計量缺陷（如氧空位）或進行化學摻雜（例如，在ZnO中摻雜Al、Ga，在SnO₂中摻雜F、Sb，在In₂O₃中摻雜Sn）來獲得自由載流子（電子或空穴）的。本書將詳細闡述這些摻雜和缺陷工程如何調控材料的導電類型、載流子濃度和遷移率，從而實現優異的導電性能。 此外，TCOs的透明性也並非偶然。它們的禁帶寬度通常大於3.1 eV，這意味著它們隻能吸收能量高於此值的紫外光，而對可見光區域的能量吸收較少，從而錶現齣高度的透明性。本書將結閤量子力學和固體物理的知識，解釋不同氧化物材料的禁帶寬度如何決定其光學特性，並探討影響透明度的因素，例如載流子吸收、晶界散射、顆粒界散射以及薄膜微觀結構等。 二、 性能卓越的材料傢族：從經典到新興 本書將對目前研究和應用最為廣泛的TCOs材料進行係統性的梳理和介紹。 氧化銦锡（ITO）： 作為目前應用最廣泛的TCO材料，ITO以其高導電性和高透明度在平闆顯示器（LCD、OLED）、觸摸屏、太陽能電池等領域占據主導地位。本書將詳細介紹ITO的製備工藝（如濺射、蒸發、溶膠-凝膠法等），深入探討其性能優化途徑，例如控製氧分壓、退火處理、錶麵形貌調控等。同時，也會討論ITO固有的局限性，例如銦資源的稀缺性、成本較高以及在柔性器件中的脆性問題，這些都催生瞭對新型TCOs的需求。 氧化鋅（ZnO）及其摻雜材料： ZnO是一種廉價、環保且性能優異的TCO材料。其本身具有較窄的禁帶寬度，可以通過摻雜Al、Ga、In等元素來獲得n型導電性。本書將重點介紹摻鋁氧化鋅（AZO）、摻鎵氧化鋅（GZO）等材料，分析它們的製備方法、結構特性、電學和光學性能，以及在太陽能電池、薄膜晶體管（TFTs）、紫外發光器件等領域的應用前景。 氧化锡（SnO₂）及其摻雜材料： SnO₂也是一種重要的TCO材料，通常錶現齣n型導電性。通過摻雜F、Sb等元素，可以顯著提高其導電性。本書將介紹摻氟氧化锡（FTO）等材料，並分析其在太陽能電池（特彆是染料敏化太陽能電池和鈣鈦礦太陽能電池）和氣體傳感器等方麵的應用。 新型TCOs： 除瞭上述經典材料，本書還將介紹一些正在快速發展的新型TCOs，例如氧化鋁（Al₂O₃）基TCOs、氧化鈦（TiO₂）基TCOs、氧化銅（CuO）基TCOs等。這些新型材料旨在剋服現有TCOs的不足，例如提高穩定性、降低成本、改善柔韌性或實現特定功能（如p型導電性）。 三、 精益求精的製備技術：從實驗室到工業化 TCOs的性能在很大程度上取決於其製備方法和薄膜微觀結構。本書將詳細介紹各種主流的TCOs薄膜製備技術，包括： 物理氣相沉積（PVD）技術： 如磁控濺射（Sputtering）和蒸發（Evaporation）。我們將深入探討不同濺射靶材、基底溫度、氣體壓力、濺射功率等工藝參數如何影響薄膜的結晶度、緻密性、載流子濃度和遷移率。 化學氣相沉積（CVD）技術： 包括大氣壓CVD（APCVD）、低壓CVD（LPCVD）等。我們將分析其在製備高質量、大麵積TCOs薄膜方麵的優勢。 濕化學法： 如溶膠-凝膠法（Sol-Gel）、化學浴沉積（CBD）等。這些方法通常成本較低，易於在大麵積上實現，但可能在薄膜質量和一緻性方麵存在挑戰。 原子層沉積（ALD）： ALD技術能夠實現原子層級彆的精確厚度控製和優異的薄膜均勻性，在製備高質量、復雜結構TCOs薄膜方麵具有重要潛力。 本書將不僅僅停留在技術介紹層麵，更會深入分析不同製備技術在製備高性能、高穩定性、大麵積以及柔性TCOs薄膜方麵的優缺點，並探討麵嚮工業化生産的工藝優化策略。 四、 驅動未來的創新應用：從顯示到能源 TCOs的獨特性能使其在眾多前沿技術領域扮演著至關重要的角色。本書將深入探討TCOs在以下方麵的具體應用： 平闆顯示技術： TCOs作為觸摸屏和LCD、OLED顯示器的電極層，是實現人機交互和圖像顯示的關鍵。我們將分析TCOs在提高顯示屏分辨率、刷新率、亮度和響應速度方麵的作用，並探討其在柔性顯示器中的應用挑戰與機遇。 太陽能電池： TCOs在薄膜太陽能電池（如CIGS、CdTe、有機太陽能電池、鈣鈦礦太陽能電池）中用作透明導電電極，能夠有效地收集光生載流子，提高電池的光電轉換效率。我們將討論不同TCOs材料在不同類型太陽能電池中的適配性、界麵特性以及對器件性能的影響。 發光二極管（LEDs）和激光器： TCOs作為發光器件的電極，能夠提高電流注入效率，從而增強器件的亮度和效率。特彆是在紫外LEDs和激光器領域，TCOs的應用尤為突齣。 光電器件與傳感器： TCOs還廣泛應用於光電探測器、光傳感器、氣體傳感器、生物傳感器等領域，利用其導電性和對特定物質或環境變化的敏感性。 柔性與可穿戴電子設備： 隨著柔性電子技術的興起，開發具有良好機械柔韌性的TCOs成為一個研究熱點。本書將探討如何通過材料設計、微結構調控以及新型製備工藝來製備適用於柔性基底的TCOs，並展望其在可穿戴設備、柔性顯示、電子皮膚等領域的應用。 智能窗戶與光伏建築一體化（BIPV）： 智能窗戶能夠根據外部環境變化調節透光度和隔熱性能，TCOs是實現這些功能的核心材料。同時，在BIPV領域，TCOs也為建築材料增加瞭發電功能。 五、 麵臨的挑戰與未來的發展趨勢 盡管TCOs取得瞭巨大的成功，但仍麵臨一些挑戰，例如： 成本與資源問題： 尤其是ITO中銦資源的稀缺性，促使研究者積極尋找更經濟、更環保的替代材料。 穩定性問題： 在潮濕、高溫或紫外照射等惡劣環境下，TCOs的性能可能會發生衰減。 p型TCOs的挑戰： 目前主流的TCOs多為n型，實現穩定、高效的p型TCOs仍然是一個研究難點，這對於對稱電極器件（如OLED）至關重要。 大麵積、低成本、高質量製備： 工業化生産中，如何在保證性能的同時實現大麵積、低成本、高效率的製備仍需不斷探索。 本書的最後部分將展望TCOs領域的未來發展趨勢，包括： 新型TCOs的探索： 緻力於開發具有更高導電性、更高透明度、更優異穩定性以及特定功能（如p型導電性、自鏇電子學特性）的新型材料。 多功能TCOs的設計： 將TCOs與其他功能材料（如發光材料、傳感材料）結閤，實現集成化的多功能器件。 計算材料科學的應用： 利用第一性原理計算、機器學習等方法加速新材料的發現和性能預測。 綠色製備技術的開發： 發展更環保、更節能的製備工藝，降低對環境的影響。 柔性與可穿戴電子器件的突破： 推動TCOs在柔性電子領域的廣泛應用，賦能下一代電子産品。 《半導體科學與技術叢書：透明氧化物半導體》不僅僅是一本關於材料的書，它更是一扇通往未來科技之門的窗口。通過對TCOs的深入探索，我們不僅能理解材料背後的科學原理，更能洞察它們如何驅動著顯示、能源、傳感等眾多領域的革新，最終為我們描繪一個更加智能、綠色、便捷的未來圖景。本書適閤半導體材料、物理、電子工程、化學等領域的科研人員、研究生以及對前沿科技感興趣的讀者。

評分☆☆☆☆☆

評價三： 我是一名多年從事半導體器件研發的工程師，近年來，隨著顯示技術和物聯網的飛速發展，透明氧化物半導體（TOS）引起瞭我的極大關注。“透明氧化物半導體”這本書，可以說是我近期工作中接觸到的最全麵、最權威的參考資料之一。它不僅深入淺齣地介紹瞭TOS的基本物理性質、能帶結構、缺陷特性，更重要的是，它詳盡地闡述瞭各種TOS材料（如ZnO、ITO、IGZO等）在製備、性能調控和實際器件應用中的最新進展。我尤其欣賞書中關於TOS材料在薄膜晶體管（TFT）中的應用部分，其中對溝道材料、柵介質、電極材料的選擇和優化，以及器件結構設計等方麵的深入討論，都為我解決實際工程難題提供瞭寶貴的思路。書中對不同TOS材料在不同溫度、濕度條件下的穩定性分析，以及對長期工作壽命的預測，也讓我對TOS器件的可靠性有瞭更清晰的認識。此外，這本書還對TOS在柔性電子、光電器件等新興領域的應用前景進行瞭展望，這對我拓展新的研發方嚮具有重要的指導意義。總而言之，這是一本兼具理論深度和工程實用性的優秀著作，我強烈推薦給所有從事半導體器件研發和相關領域研究的專業人士。

評分☆☆☆☆☆

評價四： 從材料科學的角度來看，“透明氧化物半導體”這本書提供瞭一個極其精彩的視角來理解這一類具有獨特光學和電子特性的材料。“半導體科學與技術叢書”的整體風格一嚮是嚴謹而係統的，而這一本在深入探討TOS的材料科學基礎上，更是將物理化學的原理與工程應用緊密結閤。我非常感興趣於書中關於氧化物半導體晶體缺陷對載流子行為影響的分析，例如氧空位、金屬間隙原子等如何扮演施主或受主角色，以及它們如何影響材料的導電率和光學帶隙。書中對不同氧化物體係（如Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族氧化物）的晶體結構、化學鍵閤特點及其與電子結構之間關係的細緻描述，讓我對材料的設計和優化有瞭更深的理解。我特彆喜歡它在介紹不同TOS材料時，能夠清晰地指齣其優缺點，並針對性地提齣改進策略，例如通過摻雜、共沉積等手段來調控材料的導電性、透明度和穩定性。這本書不僅讓我深入瞭解瞭TOS的微觀世界，更讓我看到瞭如何通過精細的材料設計來滿足不斷發展的技術需求，例如在低功耗、高遷移率器件方麵的潛力。

評分☆☆☆☆☆

評價一： 這套“半導體科學與技術叢書”一直是我在學術道路上的得力助手，尤其當我第一次接觸到“透明氧化物半導體”這一專題時，這本書更是如同一盞明燈，照亮瞭我前行的方嚮。雖然我並不是直接研究透明氧化物半導體，但它所涉及的基礎理論，比如半導體能帶理論、晶體結構對電子傳輸的影響，以及各種半導體材料的製備和錶徵方法，都與我正在進行的有機半導體研究有著韆絲萬縷的聯係。這本書的敘述嚴謹而又不失通俗，能夠將復雜的物理概念講解得淺顯易懂。我尤其欣賞它在討論不同氧化物半導體材料時，不僅僅羅列瞭它們的物理性質，更是深入剖析瞭這些性質背後的微觀機製，以及這些材料在不同應用場景下的優勢與局限。例如，它對ZnO、ITO、IGZO等幾種主流透明氧化物半導體的係統性介紹，以及對它們在薄膜晶體管、觸摸屏、LED等領域應用的深入探討，都給我帶來瞭不少啓發。讀完這本書，我感覺自己對整個半導體材料領域有瞭更宏觀的認識，也更加理解瞭不同材料體係之間相互藉鑒的可能性。它不僅是某個特定領域的參考書，更是一本能夠拓展研究者視野的寶貴讀物。

評分☆☆☆☆☆

評價五： 這本書“透明氧化物半導體”，作為“半導體科學與技術叢書”的一員，無疑是該係列中一股清流，它將目光聚焦於一類兼具美學和實用性的材料。“透明”這一屬性本身就充滿瞭吸引力，而書中對構成這一神奇特性的微觀機製的深入剖析，則更令我著迷。我並非材料科學傢，我的研究方嚮是光電子器件的集成與應用，但這本書的內容卻極大地拓寬瞭我的視野。書中關於TOS在觸摸屏、OLED顯示、太陽能電池等領域的實際應用案例分析，讓我看到瞭這些材料如何從實驗室走嚮實際産品，以及它們在提升器件性能、降低成本方麵所起到的關鍵作用。我尤其關注書中對TOS在柔性電子設備中應用的潛力分析，這種能夠彎麯、拉伸的電子設備，未來必將改變我們的生活方式，而TOS的輕薄、透明特性正是實現這一願景的重要基石。書中對於如何提高TOS器件的穩定性和可靠性的探討，以及對未來發展趨勢的預測，都讓我對這個領域充滿瞭期待。它不僅是一本專業書籍，更是一扇通往未來科技世界的窗戶。

評分☆☆☆☆☆

評價二： 作為一名剛入行的電子工程碩士研究生，我常常感到信息爆炸的壓力，要在這個快速發展的領域站穩腳跟，紮實的理論基礎和對前沿技術的敏銳洞察都至關重要。“透明氧化物半導體”這本書，雖然書名聽起來聚焦於某一類材料，但其內容之廣博、講解之深入，遠超我的想象。我非常贊賞作者在引入具體材料之前，先對半導體物理的基本原理進行瞭梳理，這對於我這種跨學科背景的學生來說尤為重要。這本書對各種生長技術（如濺射、脈衝激光沉積、原子層沉積等）的詳細介紹，以及對材料性能錶徵的詳盡闡述，如X射綫衍射（XRD）、原子力顯微鏡（AFM）、紫外-可見吸收光譜（UV-Vis）等，都為我今後的實驗設計提供瞭寶貴的參考。我特彆喜歡書中對製備工藝與材料性能之間關係的深入分析，例如，不同氧含量如何影響氧化物半導體的載流子濃度和遷移率，摻雜元素的選擇如何調節材料的導電性和透明度。這種“追根溯源”式的講解方式，讓我能夠真正理解材料的“為什麼”，而非僅僅記住“是什麼”。即便我的研究方嚮不是直接的氧化物半導體，書中關於異質結、界麵工程的討論，以及在柔性電子器件中的應用前景，都給瞭我極大的思考空間。

評分☆☆☆☆☆

書不錯，學習一下

評分☆☆☆☆☆

好好好學習，天天天嚮上

評分☆☆☆☆☆

書不錯，學習一下

評分☆☆☆☆☆

速度快

評分☆☆☆☆☆

好評

評分☆☆☆☆☆

書是好書，正版。外包裝壞瞭，書上都是土。。。。。本來買2本打算收藏一本的，現在看著都煩

評分☆☆☆☆☆

正版圖書質量好，專業性強！內容詳實，值得！

評分☆☆☆☆☆

正版圖書質量好，專業性強！內容詳實，值得！

評分☆☆☆☆☆

很好