半导体科学与技术丛书：透明氧化物半导体 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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马洪磊，马瑾 著

图书标签:

• 半导体
• 氧化物半导体
• 透明氧化物
• 材料科学
• 电子工程
• 半导体物理
• 薄膜技术
• 器件物理
• 新兴材料
• 科学技术

出版社： 科学出版社

ISBN：9787030416643

版次：1

商品编码：11562058

包装：精装

丛书名： 半导体科学与技术丛书

开本：16开

出版时间：2014-10-01

用纸：胶版纸

页数：374

正文语种：中文

内容简介

　　《半导体科学与技术丛书：透明氧化物半导体》重点阐述了已经得到广泛应用或具有重要应用前景的8种氧化物半导体的制备技术、晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、光学性质和气敏性质，既包含了作者近30年的研究成果，又反映了国内外透明氧化物半导体重要研究成果，既包含了早期透明氧化物半导体成熟理论，又反映了当前国际上透明氧化物半导体的较新成果，重点突出，内容系统、全面、新颖，具有重要的科学意义和应用价值。

目录

前言绪论第1章 氧化物薄膜的制备技术1．1 真空蒸发技术1．1．1 金属和化合物蒸发1．1．2 蒸发源的加热装置1．2 MBE技术1．3 溅射技术1．3．1 双极直流反应溅射1．3．2 偏压溅射1．3．3 射频溅射1．3．4 磁控溅射1．3．5 离子束溅射1．4 离子镀技术1．5 CVD技术1．5．1 APCVD和LPCVD技术1．5．2 PECVD技术1．5．3 MOCVD技术1．6 溶液镀膜技术1．6．1 喷涂高温分解1．6．2 浸涂技术1．6．3 化学溶解生长1．6．4 sol-gel技术1．7 阳极氧化技术1．7．1 阳极氧化技术1．7．2 等离子体阳极氧化技术参考文献
第2章 氧化物半导体基础2．1 金属氧化物晶体结构2．1．1 MO型金属氧化物的典型晶体结构2．1．2 MO2型金属氧化物晶体的典型晶体结构2．1．3 M2O3型金属氧化物的典型晶体结构2．2 金属氧化物的缺陷2．2．1 金属氧化物晶体缺陷类型2．2．2 金属氧化物晶体点缺陷理论基础2．3 金属氧化物半导体的电学性质2．3．1 金属氧化物半导体的电子结构2．3．2 金属氧化物半导体的载流子浓度2．3．3 金属氧化物半导体载流子输运散射机制2．4 氧化物半导体的磁学性质2．4．1 稀磁氧化物半导体的掺杂元素2．4．2 氧化物半导体的铁磁性起源2．5 透明氧化物半导体的光学性质2．5．1 透明氧化物半导体的光学常数2．5．2 Burstein—Moss移动2．5．3 透明氧化物半导体薄膜的PL特性2．6 金属氧化物半导体的气敏特性参考文献
第3章 ZnO薄膜3．1 ZnO薄膜的晶体结构3．1．1 ZnO的晶体结构3．1．2 ZnO薄膜的XRD谱3．1．3 ZnO薄膜的Raman谱3．1．4 ZnO薄膜的RHEED图案3．1．5 ZnO薄膜的HRTEM图像3．2 ZnO的电子结构3．3 ZnO的本征点缺陷3．4 ZnO薄膜的电学性质3．4．1 本征ZnO的弱n型导电3．4．2 ZnO的掺杂3．4．3 ZnO薄膜载流子散射机制3．5 ZnO薄膜的磁学性质和压电性质3．5．1 ZnO基稀磁半导体3．5．2 ZnO薄膜的压电性质3．6 ZnO薄膜的光学性质3．6．1 ZnO薄膜的光透射谱3．6．2 ZnO薄膜的PL特性3．6．3 ZnO薄膜的激子受激发射特性参考文献
第4章 SnO2薄膜4．1 SnO2薄膜的晶体结构4．1．1 SnO2的晶体结构4．1．2 SnO2薄膜的XRD谱4．1．3 SnO2薄膜的Raman谱4．1．4 SnO2薄膜的TEM和HRTEM图像4．1．5 SnO2薄膜的XPS谱4．1．6 SnO2薄膜的RBS谱4．2 金红石Sn02的电子结构4．3 SnO2薄膜的电学性质4．3．1 金红石SnO2的本征缺陷4．3．2 金红石SnO2薄膜的掺杂4．3．3 金红石SnO2薄膜载流子散射机制4．3．4 铌铁矿SnO2薄膜的电学性质4．4 SnO2薄膜的磁学性质4．5 SnO2薄膜的光学特性4．5．1 SnO2薄膜的光透射谱4．5．2 SnO2薄膜的PL特性4．6 金红石SnO2薄膜的气敏特性参考文献
第5章 TiO2薄膜5．1 TiO2薄膜的晶体结构5．1．1 TiO2的晶体结构5．1．2 TiO2薄膜的XRD谱5．1．3 TiO2薄膜的Raman谱5．1．4 TiO2薄膜的XPS谱5．1．5 TiO2的RBS谱5．2 TiO2的电子结构5．3 TiO2的本征点缺陷5．4 TiO2薄膜的电学性质5．5 TiO2薄膜的磁学性质5．6 TiO2薄膜的光学性质5．6．1 TiO2薄膜的光透射谱5．6．2 TiO2薄膜的PL特性5．6．3 TiO2薄膜的光学常数5．7 TiO2薄膜的光催化特性参考文献
第6章 In2O3薄膜6．1 In2O3薄膜的晶体结构6．1．1 In2O3薄膜的晶体结构6．1．2 In2O3薄膜的XRD谱6．1．3 In2O3薄膜的Raman谱6．1．4 In2O3薄膜的HRTEM图像6．1．5 In2O3薄膜的XPS谱6．1．6 In2O3薄膜的RBS谱6．2 In2O3的电子结构6．3 IIn2O3薄膜的电学性质6．3．1 In2O3的本征点缺陷6．3．2 In2O3薄膜的电导特性6．3．3 In2O3薄膜载流子散射机制6．4 In2O3薄膜的磁学性质6．5 In2O3薄膜的光学性质6．5．1 In2O3薄膜的光透射谱6．5．2 In2O3薄膜的PL特性6．5．3 In2O3薄膜的光学常数6．6 In2O3薄膜的气敏特性参考文献
第7章 Ga2O3薄膜7．1 Ga2O3薄膜的晶体结构7．1．1 Ga2O3的晶体结构7．1．2 Ga2O3薄膜的XRD谱7．1．3 β-Ga2O3的薄膜HRTEM图像7．1．4 β-Ga2O3薄膜的Raman谱7．1．5 β-Ga2O3的XPS谱7．1．6 Ga2O3薄膜的RBS谱7．2 Ga2O3的电子结构7．3 Ga2O3薄膜的电学性质7．3．1 Ga2O3的点缺陷7．3．2 Ga2O3薄膜的电学性质7．4 Ga2O3薄膜的光学性质7．4．1 Ga2O3薄膜的光透射谱7．4．2 GGa2O3薄膜的PL特性7．4．3 Ga2O3的薄膜CL特性7．4．4 Ga2O3薄膜的光学常数7．5 β-Ga2O3薄膜的气敏特性参考文献
第8章 MgZnO薄膜8．1 MgZnO薄膜的晶体结构8．1．1 MgZnO薄膜的晶体结构8．1．2 MgZnO薄膜的XRD谱8．1．3 MgZnO薄膜的Raman谱8．1．4 MgZnO薄膜的AFM图像8．1．5 MgZnO薄膜的TEM和HRTEM图像8．1．6 MgZnO的XPS谱8．1．7 MgZnO薄膜的RBS谱8．2 MgZnO的电子结构8．3 MgznO薄膜的电学和磁学性质8．3．1 MgZnO薄膜的电学性质8．3．2 MgZnO薄膜的磁学性质8．4 MgZnO的光学性质8．4．1 MgZnO薄膜的光透射谱8．4．2 MgZnO薄膜的PL特性8．4．3 MgZnO薄膜的长波光学声子性质8．4．4 MgZnO薄膜的光学常数参考文献
第9章 GaIno和InGazno薄膜9．1 引言9．2 GaInO薄膜9．2．1 GaInO薄膜的晶体结构9．2．2 GaInO薄膜的电学性质9．2．3 GaInO薄膜的光学性质9．3 InGaZnO薄膜9．3．1 InGaZnO薄膜的晶体结构9．3．2 InGaZnO薄膜的电学性质9．3．3 InGaZnO薄膜的光学性质参考文献
第10章 透明氧化物电子学10．1 引言10．2 透明氧化物薄膜晶体管10．2．1 C—IGZO—TFT10．2．2 a—IGZO—TFT10．2．3 ZnO—一TFT10．3 紫外发光二极管和激光二极管10．3．1 UV—LED10．3．2 UV—LD10．4 透明UV探测器参考文献
索引《半导体科学与技术丛书》已出版书目彩图

前言/序言

闪耀的未来：探索透明氧化物半导体的奥秘与应用 在日新月异的科技浪潮中，材料科学的发展始终是推动进步的核心驱动力之一。而在众多前沿材料中，透明氧化物半导体（Transparent Conductive Oxides, TCOs）正以其独特的性能组合，悄然改变着我们的数字生活，并在能源、显示、传感等诸多领域展现出巨大的应用潜力。这套《半导体科学与技术丛书：透明氧化物半导体》旨在为读者深入剖析这一激动人心的领域，从基础原理到前沿技术，从材料制备到器件应用，提供一个全面而深入的视角。 一、 独树一帜的性能：兼具透明与导电的“矛盾统一体” 透明氧化物半导体之所以令人着迷，在于它们成功地克服了传统半导体材料在透明度和导电性之间难以调和的矛盾。一般来说，能够高效导电的材料往往是不透明的，例如金属；而能够透过可见光而透明的材料，往往是绝缘体，无法导电。TCOs则打破了这一桎梏，它们在可见光区域表现出极高的透光率，同时又具备良好的电导率。这种“鱼与熊掌兼得”的特性，使得它们成为许多尖端技术中不可或缺的关键组成部分。 那么，这种神奇的性能是如何实现的呢？本书将从晶体结构、电子能带理论、载流子输运机制等基础物理原理出发，层层剥开TCOs的神秘面纱。我们将深入探讨不同氧化物材料（如氧化铟锡In₂SnO₄，氧化锌ZnO，氧化锡SnO₂等）的晶体结构特点，分析其对电子能带结构的影响。特别是，TCOs通常是通过在宽禁带的绝缘体氧化物中引入化学计量缺陷（如氧空位）或进行化学掺杂（例如，在ZnO中掺杂Al、Ga，在SnO₂中掺杂F、Sb，在In₂O₃中掺杂Sn）来获得自由载流子（电子或空穴）的。本书将详细阐述这些掺杂和缺陷工程如何调控材料的导电类型、载流子浓度和迁移率，从而实现优异的导电性能。 此外，TCOs的透明性也并非偶然。它们的禁带宽度通常大于3.1 eV，这意味着它们只能吸收能量高于此值的紫外光，而对可见光区域的能量吸收较少，从而表现出高度的透明性。本书将结合量子力学和固体物理的知识，解释不同氧化物材料的禁带宽度如何决定其光学特性，并探讨影响透明度的因素，例如载流子吸收、晶界散射、颗粒界散射以及薄膜微观结构等。 二、 性能卓越的材料家族：从经典到新兴 本书将对目前研究和应用最为广泛的TCOs材料进行系统性的梳理和介绍。 氧化铟锡（ITO）： 作为目前应用最广泛的TCO材料，ITO以其高导电性和高透明度在平板显示器（LCD、OLED）、触摸屏、太阳能电池等领域占据主导地位。本书将详细介绍ITO的制备工艺（如溅射、蒸发、溶胶-凝胶法等），深入探讨其性能优化途径，例如控制氧分压、退火处理、表面形貌调控等。同时，也会讨论ITO固有的局限性，例如铟资源的稀缺性、成本较高以及在柔性器件中的脆性问题，这些都催生了对新型TCOs的需求。 氧化锌（ZnO）及其掺杂材料： ZnO是一种廉价、环保且性能优异的TCO材料。其本身具有较窄的禁带宽度，可以通过掺杂Al、Ga、In等元素来获得n型导电性。本书将重点介绍掺铝氧化锌（AZO）、掺镓氧化锌（GZO）等材料，分析它们的制备方法、结构特性、电学和光学性能，以及在太阳能电池、薄膜晶体管（TFTs）、紫外发光器件等领域的应用前景。 氧化锡（SnO₂）及其掺杂材料： SnO₂也是一种重要的TCO材料，通常表现出n型导电性。通过掺杂F、Sb等元素，可以显著提高其导电性。本书将介绍掺氟氧化锡（FTO）等材料，并分析其在太阳能电池（特别是染料敏化太阳能电池和钙钛矿太阳能电池）和气体传感器等方面的应用。 新型TCOs： 除了上述经典材料，本书还将介绍一些正在快速发展的新型TCOs，例如氧化铝（Al₂O₃）基TCOs、氧化钛（TiO₂）基TCOs、氧化铜（CuO）基TCOs等。这些新型材料旨在克服现有TCOs的不足，例如提高稳定性、降低成本、改善柔韧性或实现特定功能（如p型导电性）。 三、 精益求精的制备技术：从实验室到工业化 TCOs的性能在很大程度上取决于其制备方法和薄膜微观结构。本书将详细介绍各种主流的TCOs薄膜制备技术，包括： 物理气相沉积（PVD）技术： 如磁控溅射（Sputtering）和蒸发（Evaporation）。我们将深入探讨不同溅射靶材、基底温度、气体压力、溅射功率等工艺参数如何影响薄膜的结晶度、致密性、载流子浓度和迁移率。 化学气相沉积（CVD）技术： 包括大气压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）等。我们将分析其在制备高质量、大面积TCOs薄膜方面的优势。 湿化学法： 如溶胶-凝胶法（Sol-Gel）、化学浴沉积（CBD）等。这些方法通常成本较低，易于在大面积上实现，但可能在薄膜质量和一致性方面存在挑战。 原子层沉积（ALD）： ALD技术能够实现原子层级别的精确厚度控制和优异的薄膜均匀性，在制备高质量、复杂结构TCOs薄膜方面具有重要潜力。 本书将不仅仅停留在技术介绍层面，更会深入分析不同制备技术在制备高性能、高稳定性、大面积以及柔性TCOs薄膜方面的优缺点，并探讨面向工业化生产的工艺优化策略。 四、 驱动未来的创新应用：从显示到能源 TCOs的独特性能使其在众多前沿技术领域扮演着至关重要的角色。本书将深入探讨TCOs在以下方面的具体应用： 平板显示技术： TCOs作为触摸屏和LCD、OLED显示器的电极层，是实现人机交互和图像显示的关键。我们将分析TCOs在提高显示屏分辨率、刷新率、亮度和响应速度方面的作用，并探讨其在柔性显示器中的应用挑战与机遇。 太阳能电池： TCOs在薄膜太阳能电池（如CIGS、CdTe、有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池）中用作透明导电电极，能够有效地收集光生载流子，提高电池的光电转换效率。我们将讨论不同TCOs材料在不同类型太阳能电池中的适配性、界面特性以及对器件性能的影响。 发光二极管（LEDs）和激光器： TCOs作为发光器件的电极，能够提高电流注入效率，从而增强器件的亮度和效率。特别是在紫外LEDs和激光器领域，TCOs的应用尤为突出。 光电器件与传感器： TCOs还广泛应用于光电探测器、光传感器、气体传感器、生物传感器等领域，利用其导电性和对特定物质或环境变化的敏感性。 柔性与可穿戴电子设备： 随着柔性电子技术的兴起，开发具有良好机械柔韧性的TCOs成为一个研究热点。本书将探讨如何通过材料设计、微结构调控以及新型制备工艺来制备适用于柔性基底的TCOs，并展望其在可穿戴设备、柔性显示、电子皮肤等领域的应用。 智能窗户与光伏建筑一体化（BIPV）： 智能窗户能够根据外部环境变化调节透光度和隔热性能，TCOs是实现这些功能的核心材料。同时，在BIPV领域，TCOs也为建筑材料增加了发电功能。 五、 面临的挑战与未来的发展趋势 尽管TCOs取得了巨大的成功，但仍面临一些挑战，例如： 成本与资源问题： 尤其是ITO中铟资源的稀缺性，促使研究者积极寻找更经济、更环保的替代材料。 稳定性问题： 在潮湿、高温或紫外照射等恶劣环境下，TCOs的性能可能会发生衰减。 p型TCOs的挑战： 目前主流的TCOs多为n型，实现稳定、高效的p型TCOs仍然是一个研究难点，这对于对称电极器件（如OLED）至关重要。 大面积、低成本、高质量制备： 工业化生产中，如何在保证性能的同时实现大面积、低成本、高效率的制备仍需不断探索。 本书的最后部分将展望TCOs领域的未来发展趋势，包括： 新型TCOs的探索： 致力于开发具有更高导电性、更高透明度、更优异稳定性以及特定功能（如p型导电性、自旋电子学特性）的新型材料。 多功能TCOs的设计： 将TCOs与其他功能材料（如发光材料、传感材料）结合，实现集成化的多功能器件。 计算材料科学的应用： 利用第一性原理计算、机器学习等方法加速新材料的发现和性能预测。 绿色制备技术的开发： 发展更环保、更节能的制备工艺，降低对环境的影响。 柔性与可穿戴电子器件的突破： 推动TCOs在柔性电子领域的广泛应用，赋能下一代电子产品。 《半导体科学与技术丛书：透明氧化物半导体》不仅仅是一本关于材料的书，它更是一扇通往未来科技之门的窗口。通过对TCOs的深入探索，我们不仅能理解材料背后的科学原理，更能洞察它们如何驱动着显示、能源、传感等众多领域的革新，最终为我们描绘一个更加智能、绿色、便捷的未来图景。本书适合半导体材料、物理、电子工程、化学等领域的科研人员、研究生以及对前沿科技感兴趣的读者。

评分☆☆☆☆☆

评价二： 作为一名刚入行的电子工程硕士研究生，我常常感到信息爆炸的压力，要在这个快速发展的领域站稳脚跟，扎实的理论基础和对前沿技术的敏锐洞察都至关重要。“透明氧化物半导体”这本书，虽然书名听起来聚焦于某一类材料，但其内容之广博、讲解之深入，远超我的想象。我非常赞赏作者在引入具体材料之前，先对半导体物理的基本原理进行了梳理，这对于我这种跨学科背景的学生来说尤为重要。这本书对各种生长技术（如溅射、脉冲激光沉积、原子层沉积等）的详细介绍，以及对材料性能表征的详尽阐述，如X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、紫外-可见吸收光谱（UV-Vis）等，都为我今后的实验设计提供了宝贵的参考。我特别喜欢书中对制备工艺与材料性能之间关系的深入分析，例如，不同氧含量如何影响氧化物半导体的载流子浓度和迁移率，掺杂元素的选择如何调节材料的导电性和透明度。这种“追根溯源”式的讲解方式，让我能够真正理解材料的“为什么”，而非仅仅记住“是什么”。即便我的研究方向不是直接的氧化物半导体，书中关于异质结、界面工程的讨论，以及在柔性电子器件中的应用前景，都给了我极大的思考空间。

评分☆☆☆☆☆

评价四： 从材料科学的角度来看，“透明氧化物半导体”这本书提供了一个极其精彩的视角来理解这一类具有独特光学和电子特性的材料。“半导体科学与技术丛书”的整体风格一向是严谨而系统的，而这一本在深入探讨TOS的材料科学基础上，更是将物理化学的原理与工程应用紧密结合。我非常感兴趣于书中关于氧化物半导体晶体缺陷对载流子行为影响的分析，例如氧空位、金属间隙原子等如何扮演施主或受主角色，以及它们如何影响材料的导电率和光学带隙。书中对不同氧化物体系（如Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族氧化物）的晶体结构、化学键合特点及其与电子结构之间关系的细致描述，让我对材料的设计和优化有了更深的理解。我特别喜欢它在介绍不同TOS材料时，能够清晰地指出其优缺点，并针对性地提出改进策略，例如通过掺杂、共沉积等手段来调控材料的导电性、透明度和稳定性。这本书不仅让我深入了解了TOS的微观世界，更让我看到了如何通过精细的材料设计来满足不断发展的技术需求，例如在低功耗、高迁移率器件方面的潜力。

评分☆☆☆☆☆

评价五： 这本书“透明氧化物半导体”，作为“半导体科学与技术丛书”的一员，无疑是该系列中一股清流，它将目光聚焦于一类兼具美学和实用性的材料。“透明”这一属性本身就充满了吸引力，而书中对构成这一神奇特性的微观机制的深入剖析，则更令我着迷。我并非材料科学家，我的研究方向是光电子器件的集成与应用，但这本书的内容却极大地拓宽了我的视野。书中关于TOS在触摸屏、OLED显示、太阳能电池等领域的实际应用案例分析，让我看到了这些材料如何从实验室走向实际产品，以及它们在提升器件性能、降低成本方面所起到的关键作用。我尤其关注书中对TOS在柔性电子设备中应用的潜力分析，这种能够弯曲、拉伸的电子设备，未来必将改变我们的生活方式，而TOS的轻薄、透明特性正是实现这一愿景的重要基石。书中对于如何提高TOS器件的稳定性和可靠性的探讨，以及对未来发展趋势的预测，都让我对这个领域充满了期待。它不仅是一本专业书籍，更是一扇通往未来科技世界的窗户。

评分☆☆☆☆☆

评价一： 这套“半导体科学与技术丛书”一直是我在学术道路上的得力助手，尤其当我第一次接触到“透明氧化物半导体”这一专题时，这本书更是如同一盏明灯，照亮了我前行的方向。虽然我并不是直接研究透明氧化物半导体，但它所涉及的基础理论，比如半导体能带理论、晶体结构对电子传输的影响，以及各种半导体材料的制备和表征方法，都与我正在进行的有机半导体研究有着千丝万缕的联系。这本书的叙述严谨而又不失通俗，能够将复杂的物理概念讲解得浅显易懂。我尤其欣赏它在讨论不同氧化物半导体材料时，不仅仅罗列了它们的物理性质，更是深入剖析了这些性质背后的微观机制，以及这些材料在不同应用场景下的优势与局限。例如，它对ZnO、ITO、IGZO等几种主流透明氧化物半导体的系统性介绍，以及对它们在薄膜晶体管、触摸屏、LED等领域应用的深入探讨，都给我带来了不少启发。读完这本书，我感觉自己对整个半导体材料领域有了更宏观的认识，也更加理解了不同材料体系之间相互借鉴的可能性。它不仅是某个特定领域的参考书，更是一本能够拓展研究者视野的宝贵读物。

评分☆☆☆☆☆

评价三： 我是一名多年从事半导体器件研发的工程师，近年来，随着显示技术和物联网的飞速发展，透明氧化物半导体（TOS）引起了我的极大关注。“透明氧化物半导体”这本书，可以说是我近期工作中接触到的最全面、最权威的参考资料之一。它不仅深入浅出地介绍了TOS的基本物理性质、能带结构、缺陷特性，更重要的是，它详尽地阐述了各种TOS材料（如ZnO、ITO、IGZO等）在制备、性能调控和实际器件应用中的最新进展。我尤其欣赏书中关于TOS材料在薄膜晶体管（TFT）中的应用部分，其中对沟道材料、栅介质、电极材料的选择和优化，以及器件结构设计等方面的深入讨论，都为我解决实际工程难题提供了宝贵的思路。书中对不同TOS材料在不同温度、湿度条件下的稳定性分析，以及对长期工作寿命的预测，也让我对TOS器件的可靠性有了更清晰的认识。此外，这本书还对TOS在柔性电子、光电器件等新兴领域的应用前景进行了展望，这对我拓展新的研发方向具有重要的指导意义。总而言之，这是一本兼具理论深度和工程实用性的优秀著作，我强烈推荐给所有从事半导体器件研发和相关领域研究的专业人士。

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书是好书，正版。外包装坏了，书上都是土。。。。。本来买2本打算收藏一本的，现在看着都烦

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书不错，学习一下

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