章LED材料外延与检测技术
1.1LED外延基础知识
1.1.1LED的外延结构
1.1.2LED的外延生长基本知识
1.2MOCVD技术基本背景
1.2.1MOCVD技术的背景知识
1.2.2MOCVD外延生长中的基本机制和原理
1.3MOCVD设备简介
1.3.1原材料气源供应系统
1.3.2MOCVD反应室分系统
1.3.3MOCVD设备的其他功能子系统
1.4MOCVD源材料
1.4.1金属有机化合物源（MO源）
1.4.2气体源（氢化物、载气）
1.4.3衬底
1.5氮化物LED材料的检测技术
1.5.1高分辨X射线检测技术
1.5.2光致发光测试技术
1.5.3霍尔测试技术
1.5.4电容电压测试技术
1.5.5AFM和TEM检测技术
参考文献

第2章蓝绿光LED外延结构设计与制备
2.1氮化物半导体材料的性质
2.1.1氮化物材料的基本性质
2.1.2氮化物材料中的极化电场
2.2氮化物LED的能带结构
2.2.1pn结的能带结构
2.2.2量子阱能带结构
2.3氮化物LED多量子阱的设计及生长
2.3.1极化电场对量子阱能带的影响
2.3.2量子垒设计及其对载流子输运的影响
2.3.3量子阱设计及其对载流子分布的影响
2.3.4多量子阱界面的优化生长
2.4氮化物LED电子阻挡层及p型层的设计
2.4.1电子阻挡层的电子限制作用
2.4.2电子阻挡层对空注入的影响
2.4.3p-GaN层的优化生长
参考文献

第3章红黄光LED外延生长技术
3.1红光LED材料及LED基本结构
3.1.1LED外延材料选取的原则
3.1.2红光LED外延材料--AlGaInP的性质
3.1.3红光LED基本外延结构
3.2红光LED的材料外延
3.2.1红光LED材料外延的工艺设计
3.2.2有源区材料的外延
3.2.3限制层材料的外延
3.2.4窗口层材料的外延
3.3共振腔LED结构与外延
3.3.1共振腔LED结构及设计
3.3.2650nm共振腔LED外延
3.3.3650nm共振腔LED芯片工艺
参考文献

第4章LED芯片结构及制备工艺
4.1芯片制造基础工艺
4.1.1蒸镀工艺
4.1.2光刻工艺
4.1.3刻蚀工艺
4.1.4沉积工艺
4.1.5退火工艺
4.1.6研磨抛光工艺
4.1.7点测工艺
4.1.8检验工艺
4.2蓝绿光LED芯片结构及制备工艺
4.2.1正装结构设计及制备工艺
4.2.2倒装结构芯片及制备工艺
4.3垂直结构设计及制备工艺
4.3.1垂直结构芯片的优势
4.3.2垂直结构芯片的制备工艺
4.4高压LED芯片设计及制备工艺
4.4.1高压LED芯片的优点
4.4.2GaN基高压LED结构设计
4.4.3GaN基高压LED制备工艺
参考文献

第5章蓝绿光LED高光提取技术
5.1电流阻挡层（CurrentBlockingLayer，CBL）
5.2隐形切割（StealthDicing，SD）
5.3粗化（Rough）
5.4反射电极（ReflectedPad）
5.5侧腐蚀（SidewallEtching，SWE）
5.6表面纹理化（SurfaceTexture）
5.6.1在LED外延层上直接引入纹理化图形
5.6.2在透明导电层上引入纹理化图形
5.6.3在传统透明导电层上引入其他透明导电层
5.7分布布拉格反射镜（DistributionBlaggReflector）
5.8图形蓝宝石衬底（PatternSapphireSubstrate，PSS）
参考文献

第6章黄红光LED芯片结构与制备工艺
6.1红、黄色LED基本结构和制备工艺流程
6.1.1正装AlGaInPLED芯片结构及制备工艺
6.1.2倒装芯片结构及工艺流程
6.2红、黄光LED电极结构及电流扩展技术
6.2.1芯片电极形状变化
6.2.2电流扩展层技术及透明电极
6.2.3电流阻挡层
6.3GaAs基LED高光提取技术
6.3.1透明光学窗口层技术
6.3.2倒梯形等外形结构
6.3.3表面粗化
6.3.4光子晶体LED
6.4转移衬底器件的反射镜
6.4.1金属反射镜结构
6.4.2全方向反射镜结构（ODR）
6.5高亮度和大功率AlGaInPLED技术
参考文献

第7章LED封装基础知识
7.1LED器件封装的主要功能
7.1.1光电器件封装的机电连接与保护特性
7.1.2发光器件的光谱转换与实现
7.2LED器件封装的光学设计
7.2.1LED器件的光提取效率
7.2.2LED封装后的光学特性
7.2.3荧光粉光学特性的计算与分析
7.3LED器件封装的热学设计
7.3.1LED的热特性
7.3.2LED封装的热阻模型
7.3.3热场分布的计算机辅助分析
参考文献