接触到双极型晶体管(BJT)的部分,我感觉这本书的深度进一步提升。作者从PNP和NPN结构入手,详细分析了电流的传输过程,包括载流子的注入、扩散、复合以及收集。我特别关注了电流放大系数β的推导,以及影响β的各种因素,比如基区宽度、掺杂浓度以及复合率。书中对不同工作状态(截止、放大、饱和)下的BJT特性分析也非常到位,从能带图的角度解释了各种状态下的载流子流动和能量状态。此外,对于BJT的输入输出特性曲线,书中也进行了详细的解读,并给出了不同偏置条件下的等效电路模型,这对于进一步进行放大电路的设计非常有帮助。
评分这本书在PN结部分的讲解,可以说是相当详尽。我花了大量时间去理解其形成机理,从载流子扩散到漂移,再到耗尽层的形成,以及内建电场的产生,整个过程都被拆解得非常清晰。作者在介绍PN结的伏安特性曲线时,不仅仅是给出了理论公式,还深入探讨了不同工作区域(正偏、反偏、击穿)的物理机制。例如,对于正偏电压下载流子注入和复合的过程,书中详细解释了少数载流子如何克服势垒,以及注入到对方区域后如何与多数载流子复合。而在反偏状态下,对于漏电流的分析,则重点阐述了热激发产生和表面漏电等多种因素的影响。尤其是击穿部分,书中详细区分了雪崩击穿和齐纳击穿的微观机理,并给出了相应的工程经验公式,这对于实际器件设计中的安全电压选择非常有指导意义。
评分MOSFET部分是这本书我投入精力最多的章节之一。从MIS(金属-绝缘层-半导体)结构的形成开始,作者就一步步引导读者理解电场效应是如何调控沟道导电性的。我花了很长时间去弄懂阈值电压的含义及其计算,书中通过对栅电压、氧化层厚度和半导体材料特性的分析,给出了详细的推导过程。书中对N沟道和P沟道的增强型和耗尽型MOSFET都进行了详细的介绍,包括它们的结构、工作原理以及转移特性曲线。在讲述MOSFET的输出特性曲线时,作者也详细解释了线性区、饱和区和夹断区的物理含义,以及载流子迁移率的饱和现象。
评分本书在器件特性的深入分析上,确实做到了“细致入微”。例如,对于MOSFET的亚阈值区,书中不仅解释了其存在的物理原因,还给出了相应的数学模型,并分析了亚阈值摆幅(Subthreshold Swing)这一重要参数的意义,这对于低功耗器件的设计尤为重要。此外,作者还探讨了MOSFET在高频下的表现,包括寄生电容的影响以及跨导的频率响应。书中对衬底电压效应对阈值电压的影响,以及温度对MOSFET特性的影响也都进行了深入的分析,这些都是在实际器件应用中需要考虑的重要因素。
评分对于一些特殊的半导体器件,如光电器件和功率器件,本书也给予了一定的篇幅。在光电器件部分,书中介绍了PN结光电二极管和太阳能电池的基本原理,包括光生载流子的产生和收集过程,以及其伏安特性。在功率器件方面,虽然篇幅有限,但也简要提及了PNPN器件(如SCR)的工作原理,以及其作为开关器件的应用。这些内容为我打开了更广阔的视野,让我意识到半导体物理基础在各种不同类型的器件中都有着广泛的应用。
评分在阅读过程中,我发现这本书在理论推导上,非常注重数学模型的建立和严谨性。例如,在推导载流子迁移率模型时,作者不仅考虑了电场效应,还探讨了晶格散射、杂质散射等多种因素的影响,并给出了相应的数学表达式。对于热激发电流量的计算,书中也给出了详细的积分和近似推导过程,力求让读者理解公式的由来。这些严谨的数学推导,虽然初看有些烧脑,但仔细研读后,能够帮助我真正理解背后的物理机制,而不是停留在表面的记忆。
评分本书对于器件可靠性和工艺制程的触及,虽然不是核心内容,但却给出了很好的概览。例如,在讲解MOSFET的栅氧化层时,书中简要介绍了氧化层的缺陷对器件性能的影响,以及可能导致击穿的原因。虽然没有深入到具体的工艺流程,但其点出了工艺在器件性能中的重要性,以及对材料科学的依赖。书中也提到了器件的封装和测试,以及一些常见的失效模式,这对于理解一个器件从理论走向实际应用的整个过程非常有启发。
评分我特别欣赏这本书在讲解复杂概念时的“循序渐进”原则。例如,在介绍结型场效应晶体管(JFET)时,作者先从PN结的原理出发,然后类比地讲解了JFET的沟道调制过程,通过改变栅源电压来改变耗尽层的宽度,从而控制沟道的导电性。对于JFET的输出特性曲线和转移特性曲线,书中也做了详细的分析,并解释了其与BJT和MOSFET的区别。书中对JFET的输入电阻、跨导以及频率特性也进行了简要的介绍,尽管篇幅不如BJT和MOSFET多,但足够提供一个初步的认识。
评分总的来说,这本书的优点在于其理论体系的完整性和内容的深度。从最基础的半导体材料特性,到复杂的器件工作原理,都做了比较系统的阐述。书中大量引用的图表和公式,虽然需要耐心去消化,但它们确实是理解半导体器件物理的“语言”。当然,如果书中能增加一些更贴近实际应用的案例分析,或者在某些章节提供一些更详细的仿真实例,相信会更具实践指导意义。但就作为一本“普通高等教育‘十一五’国家级规划教材”而言,它无疑是合格且优秀的,为我打下了坚实的理论基础。
评分拿到这本《半导体器件物理基础(第2版)》的时候,我抱着学习的热情,希望能够系统地梳理一下半导体物理的基础知识,为后续的器件设计和分析打下坚实的基础。这本书的编排确实遵循了从基础理论到具体器件的逻辑,开篇对于晶体结构、能带理论、载流子统计等概念的阐述,力求深入浅出。我尤其欣赏作者在讲解能带理论时,并没有仅仅停留在概念层面,而是辅以了大量的图示和类比,例如通过“电子在势阱中的运动”来类比“电子在晶体中的运动”,这种方式极大地降低了理解的门槛。对于本征半导体和杂质半导体的区分,也做了非常细致的描述,包括不同掺杂浓度下载流子浓度的变化规律,以及费米能级的移动。这些内容对于理解后续PN结的形成至关重要。
评分正版,名家参考书,不错
评分京东购买,质量有保证,速度快!
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评分书看起来还行,就是有点薄
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评分非常满意,五星
评分半导体器件物理基础(第2版)普通高等教育十一五国家级规划教材在书店看上了这本书一直想买可惜太贵又不打折,回家决定上京东看看,果然有折扣。毫不犹豫的买下了,京东速度果然非常快的,从配货到送货也很具体,快递非常好,很快收到书了。书的包装非常好,没有拆开过,非常新,可以说无论自己阅读家人阅读,收藏还是送人都特别有面子的说,特别精美各种十分美好虽然看着书本看着相对简单,但也不遑多让,塑封都很完整封面和封底的设计、绘图都十分好画让我觉得十分细腻具有收藏价值。书的封套非常精致推荐大家购买。打开书本,书装帧精美,纸张很干净,文字排版看起来非常舒服非常的惊喜,让人看得欲罢不能,每每捧起这本书的时候似乎能够感觉到作者毫无保留的把作品呈现在我面前。作业深入浅出的写作手法能让本人犹如身临其境一般,好似一杯美式咖啡,看似快餐,其实值得回味无论男女老少,第一印象最重要。从你留给别人的第一印象中,就可以让别人看出你是什么样的人。所以多读书可以让人感觉你知书答礼,颇有风度。多读书,可以让你多增加一些课外知识。培根先生说过知识就是力量。不错,多读书,增长了课外知识,可以让你感到浑身充满了一股力量。这种力量可以激励着你不断地前进,不断地成长。从书中,你往往可以发现自己身上的不足之处,使你不断地改正错误,摆正自己前进的方向。所以,书也是我们的良师益友。多读书,可以让你变聪明,变得有智慧去战胜对手。书让你变得更聪明,你就可以勇敢地面对困难。让你用自己的方法来解决这个问题。这样,你又向你自己的人生道路上迈出了一步。多读书,也能使你的心情便得快乐。读书也是一种休闲,一种娱乐的方式。读书可以调节身体的血管流动,使你身心健康。所以在书的海洋里遨游也是一种无限快乐的事情。用读书来为自己放松心情也是一种十分明智的。读书能陶冶人的情操,给人知识和智慧。所以,我们应该多读书,为我们以后的人生道路打下好的、扎实的基础!读书养性,读书可以陶冶自己的性情,使自己温文尔雅,具有书卷气读书破万卷,下笔如有神,多读书可以提高写作能力,写文章就才思敏捷旧书不厌百回读,熟读深思子自知,读书可以提高理解能力,只要熟读深思,你就可以知道其中的道理了读书可以使自己的知识得到积累,君子学以聚之。总之,爱好读书是好事。让我们都来读书吧。其实读书有很多好处,就等有心人去慢慢发现.最大的好处是可以让你有属于自己的本领靠自己生存。最后在好评一下京东客服服务态度好,送货相当快,包装仔细!这个也值得赞美下希望京东这样保持下去,越做越好
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