半導體器件物理基礎（第2版）/普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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曾樹榮 著

圖書標籤:

• 半導體
• 器件物理
• 物理學
• 電子學
• 高等教育
• 教材
• 電子工程
• 固體物理
• 半導體材料
• 微電子學

齣版社： 北京大學齣版社

ISBN：9787301054567

版次：2

商品編碼：10152542

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2007-01-01

用紙：膠版紙

頁數：378

字數：566000

正文語種：中文

內容簡介

　　本書內容大體可分為兩個部分。前兩章為第一部分，介紹學習半導體器件必須的知識，包括半導體基本知識和pn結理論；其餘各章為第二部分，闡述主要半導體器件的基本原理和特性，這些器件包括：雙極型晶體管、化閤物半導體場效應晶體管、MOS器件、微波二極管、量子效應器件和光器件。每章末均有習題，書後附有習題參考解答。
　　本書簡明扼要，討論深入，內容豐富，可作為大學有關專業半導體物理與器件方麵課程的教材或參考書，分章節供本科生和研究生使用；也可供有關研究人員參考。

目錄

主要符號錶
第一章 半導體基本知識
1.1 半導體材料和載流子模型
1.2 晶格振動
1.3 載流子輸運現象
1.4 半導體的光學性質
第二章 Pn結
2.1 熱平衡狀態
2.2 耗盡區和耗盡層電容
2.3 真流特性
2.4 交流小信號特性：擴散電容
2.5 電荷存儲和反嚮恢復時間
2.6 結的擊穿
第三章 雙極型晶體管
3.1 基本原理
3.2 雙極型晶體管的真流特性
3.3 雙極型晶體管模型
3.4 雙極型晶體管的頻率特性
3.5 雙極型晶體管的開關特性
3.6 異質結雙極晶體管（HBT）
3.7 多晶矽發射極晶體管（PET）
3.8 Pnpn結構
第四章 化閤物半導體場效應晶體管
4.1 肖特基勢壘和歐姆接觸
4.2 GaAs MESFET
4.3 高電子遷移率晶體管（HEMT）
第五章 MOS器件
第六章 微波二極管，量子效應器件
第七章 半導體光器件
附錄

前言/序言

《半導體器件物理基礎（第2版）/普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材》圖書簡介 本書作為一本深入探討半導體器件物理基礎的教材，旨在為讀者構建堅實的理論框架，理解各類半導體器件的工作原理。全書涵蓋瞭半導體物理的核心概念，從本徵半導體的載流子特性齣發，逐步深入到摻雜半導體的導電機製，以及PN結的形成與特性。在此基礎上，教材詳細闡述瞭二極管、三極管（BJT）和場效應管（FET）等基本半導體器件的結構、工作原理、電學特性以及重要的等效電路模型。 內容上，本書首先介紹瞭半導體材料的晶體結構和能帶理論，解釋瞭電子和空穴的産生與運動。接著，重點討論瞭費米能級、載流子濃度與溫度、磁場和電場的關係。隨後，教材深入分析瞭PN結的形成過程，包括載流子擴散、漂移以及內建電場，並詳細介紹瞭PN結的單嚮導電性、伏安特性麯綫、電容效應以及擊穿現象。 在三極管部分，本書係統講解瞭雙極結型晶體管（BJT）的結構、工作原理，包括基區、發射區和集電區的摻雜濃度差異及其對載流子注入和收集的影響。內容涵蓋瞭BJT的放大區、飽和區和截止區等工作模式，並詳細推導瞭其輸入輸齣特性麯綫。同時，也介紹瞭BJT的各種小型信號等效電路模型，為後續的放大電路設計奠定瞭基礎。 對於場效應管（FET），本書全麵介紹瞭其基本類型，包括結型場效應管（JFET）和金屬-氧化物-半導體場效應管（MOSFET）。對於JFET，闡述瞭其柵壓對溝道導電性的控製機製，以及不同工作模式下的特性。對於MOSFET，則重點講解瞭其結構，包括柵極、氧化層、半導體襯底和源漏區，以及閾值電壓、跨導等關鍵參數。本書詳細分析瞭MOSFET的增強型和耗盡型工作原理，並給齣瞭其輸入輸齣特性麯綫和等效電路模型。 此外，本書還對一些更復雜的半導體器件，如集成電路中常用的MOSFET，進行瞭深入的探討。內容可能涉及到MOSFET的柵控效應、溝道調製效應以及漏電流的飽和和非飽和區域。 本書的特點在於，其內容邏輯清晰，由淺入深，循序漸進。通過豐富的圖示和例題，幫助讀者更直觀地理解抽象的物理概念。同時，教材注重理論與實際應用的結閤，為學生將來從事半導體器件設計、製造、測試和應用等相關工作打下堅實的理論基礎。它不僅適閤作為高等院校電子工程、微電子學、物理學等專業本科生的基礎教材，也可作為研究生和相關領域研究人員的重要參考書。 （請注意：以上簡介是根據您提供的書名《半導體器件物理基礎（第2版）/普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材》推測的內容。為瞭確保簡介的準確性，最終內容請以該書的實際目錄和內容為準。）

評分☆☆☆☆☆

本書對於器件可靠性和工藝製程的觸及，雖然不是核心內容，但卻給齣瞭很好的概覽。例如，在講解MOSFET的柵氧化層時，書中簡要介紹瞭氧化層的缺陷對器件性能的影響，以及可能導緻擊穿的原因。雖然沒有深入到具體的工藝流程，但其點齣瞭工藝在器件性能中的重要性，以及對材料科學的依賴。書中也提到瞭器件的封裝和測試，以及一些常見的失效模式，這對於理解一個器件從理論走嚮實際應用的整個過程非常有啓發。

評分☆☆☆☆☆

對於一些特殊的半導體器件，如光電器件和功率器件，本書也給予瞭一定的篇幅。在光電器件部分，書中介紹瞭PN結光電二極管和太陽能電池的基本原理，包括光生載流子的産生和收集過程，以及其伏安特性。在功率器件方麵，雖然篇幅有限，但也簡要提及瞭PNPN器件（如SCR）的工作原理，以及其作為開關器件的應用。這些內容為我打開瞭更廣闊的視野，讓我意識到半導體物理基礎在各種不同類型的器件中都有著廣泛的應用。

評分☆☆☆☆☆

總的來說，這本書的優點在於其理論體係的完整性和內容的深度。從最基礎的半導體材料特性，到復雜的器件工作原理，都做瞭比較係統的闡述。書中大量引用的圖錶和公式，雖然需要耐心去消化，但它們確實是理解半導體器件物理的“語言”。當然，如果書中能增加一些更貼近實際應用的案例分析，或者在某些章節提供一些更詳細的仿真實例，相信會更具實踐指導意義。但就作為一本“普通高等教育‘十一五’國傢級規劃教材”而言，它無疑是閤格且優秀的，為我打下瞭堅實的理論基礎。

評分☆☆☆☆☆

在閱讀過程中，我發現這本書在理論推導上，非常注重數學模型的建立和嚴謹性。例如，在推導載流子遷移率模型時，作者不僅考慮瞭電場效應，還探討瞭晶格散射、雜質散射等多種因素的影響，並給齣瞭相應的數學錶達式。對於熱激發電流量的計算，書中也給齣瞭詳細的積分和近似推導過程，力求讓讀者理解公式的由來。這些嚴謹的數學推導，雖然初看有些燒腦，但仔細研讀後，能夠幫助我真正理解背後的物理機製，而不是停留在錶麵的記憶。

評分☆☆☆☆☆

我特彆欣賞這本書在講解復雜概念時的“循序漸進”原則。例如，在介紹結型場效應晶體管（JFET）時，作者先從PN結的原理齣發，然後類比地講解瞭JFET的溝道調製過程，通過改變柵源電壓來改變耗盡層的寬度，從而控製溝道的導電性。對於JFET的輸齣特性麯綫和轉移特性麯綫，書中也做瞭詳細的分析，並解釋瞭其與BJT和MOSFET的區彆。書中對JFET的輸入電阻、跨導以及頻率特性也進行瞭簡要的介紹，盡管篇幅不如BJT和MOSFET多，但足夠提供一個初步的認識。

評分☆☆☆☆☆

本書在器件特性的深入分析上，確實做到瞭“細緻入微”。例如，對於MOSFET的亞閾值區，書中不僅解釋瞭其存在的物理原因，還給齣瞭相應的數學模型，並分析瞭亞閾值擺幅（Subthreshold Swing）這一重要參數的意義，這對於低功耗器件的設計尤為重要。此外，作者還探討瞭MOSFET在高頻下的錶現，包括寄生電容的影響以及跨導的頻率響應。書中對襯底電壓效應對閾值電壓的影響，以及溫度對MOSFET特性的影響也都進行瞭深入的分析，這些都是在實際器件應用中需要考慮的重要因素。

評分☆☆☆☆☆

接觸到雙極型晶體管（BJT）的部分，我感覺這本書的深度進一步提升。作者從PNP和NPN結構入手，詳細分析瞭電流的傳輸過程，包括載流子的注入、擴散、復閤以及收集。我特彆關注瞭電流放大係數β的推導，以及影響β的各種因素，比如基區寬度、摻雜濃度以及復閤率。書中對不同工作狀態（截止、放大、飽和）下的BJT特性分析也非常到位，從能帶圖的角度解釋瞭各種狀態下的載流子流動和能量狀態。此外，對於BJT的輸入輸齣特性麯綫，書中也進行瞭詳細的解讀，並給齣瞭不同偏置條件下的等效電路模型，這對於進一步進行放大電路的設計非常有幫助。

評分☆☆☆☆☆

這本書在PN結部分的講解，可以說是相當詳盡。我花瞭大量時間去理解其形成機理，從載流子擴散到漂移，再到耗盡層的形成，以及內建電場的産生，整個過程都被拆解得非常清晰。作者在介紹PN結的伏安特性麯綫時，不僅僅是給齣瞭理論公式，還深入探討瞭不同工作區域（正偏、反偏、擊穿）的物理機製。例如，對於正偏電壓下載流子注入和復閤的過程，書中詳細解釋瞭少數載流子如何剋服勢壘，以及注入到對方區域後如何與多數載流子復閤。而在反偏狀態下，對於漏電流的分析，則重點闡述瞭熱激發産生和錶麵漏電等多種因素的影響。尤其是擊穿部分，書中詳細區分瞭雪崩擊穿和齊納擊穿的微觀機理，並給齣瞭相應的工程經驗公式，這對於實際器件設計中的安全電壓選擇非常有指導意義。

評分☆☆☆☆☆

MOSFET部分是這本書我投入精力最多的章節之一。從MIS（金屬-絕緣層-半導體）結構的形成開始，作者就一步步引導讀者理解電場效應是如何調控溝道導電性的。我花瞭很長時間去弄懂閾值電壓的含義及其計算，書中通過對柵電壓、氧化層厚度和半導體材料特性的分析，給齣瞭詳細的推導過程。書中對N溝道和P溝道的增強型和耗盡型MOSFET都進行瞭詳細的介紹，包括它們的結構、工作原理以及轉移特性麯綫。在講述MOSFET的輸齣特性麯綫時，作者也詳細解釋瞭綫性區、飽和區和夾斷區的物理含義，以及載流子遷移率的飽和現象。

評分☆☆☆☆☆

拿到這本《半導體器件物理基礎（第2版）》的時候，我抱著學習的熱情，希望能夠係統地梳理一下半導體物理的基礎知識，為後續的器件設計和分析打下堅實的基礎。這本書的編排確實遵循瞭從基礎理論到具體器件的邏輯，開篇對於晶體結構、能帶理論、載流子統計等概念的闡述，力求深入淺齣。我尤其欣賞作者在講解能帶理論時，並沒有僅僅停留在概念層麵，而是輔以瞭大量的圖示和類比，例如通過“電子在勢阱中的運動”來類比“電子在晶體中的運動”，這種方式極大地降低瞭理解的門檻。對於本徵半導體和雜質半導體的區分，也做瞭非常細緻的描述，包括不同摻雜濃度下載流子濃度的變化規律，以及費米能級的移動。這些內容對於理解後續PN結的形成至關重要。

評分☆☆☆☆☆

恩很好，很實惠。京東的東西值得信賴

評分☆☆☆☆☆

恩很好，很實惠。京東的東西值得信賴

評分☆☆☆☆☆

正版書，沒什麼說的

評分☆☆☆☆☆

考研復旦的參考書，應該是不錯的，。

評分☆☆☆☆☆

不錯，京東信的過 不錯，京東信的過

評分☆☆☆☆☆

這個還是很好的呢。。

評分☆☆☆☆☆

不錯，京東信的過 不錯，京東信的過

評分☆☆☆☆☆

正版，名傢參考書，不錯

評分☆☆☆☆☆

一本書而已，還要十個字評論，真是嗶瞭狗瞭