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出版社： 机械工业出版社
ISBN：9787111427766
商品编码：1036103360
出版时间：2013-08-01
具体描述
作 者:(美)沃尔德曼 著作 刘志伟 等 译者 定 价:68 出 版 社:机械工业出版社 出版日期:2013年08月01日 页 数:230 装 帧:平装 ISBN:9787111427766 从全芯片的角度，对EOS/ESD以及Latchup进行了探讨。 ●前言
●致谢
●第1章ESD设计综合1
●1.1ESD设计综合与系统结构流程1
●1.1.1自顶向下的ESD设计1
●1.1.2自底向上的ESD设计1
●1.1.3自顶向下的ESD设计——存储器芯片3
●1.1.4自顶向下的ESD设计——ASIC设计系统3
●1.2ESD设计——信号通路和备用电流通路4
●1.3ESD电路和原理图结构思想5
●1.3.1理想的ESD网络和直流电流-电压设计窗口6
●1.3.2ESD设计窗口6
●1.3.3频域设计窗口下的理想ESD网络8
●1.4半导体芯片和ESD设计方案的映射10
●1.4.1半导体制造商之间的映射10
●1.4.2ESD设计在不同工艺之间的映射11
●1.4.3从双极工艺向CMOS工艺的映射12
●1.4.4从数字CMOS工艺向数模混合CMOS工艺的映射13
●1.4.5从体硅CMOS工艺向绝缘衬底上的硅（SOI）工艺的映射13
●1.4.6ESD设计——由CMOS向RF CMOS工艺的映射14
●部分目录
Steven H．Voldman博士由于在CMOS、SOI和SiGe工艺下的静电放电(ESD)保护方面所作出的贡献，而成为了ESD领域的**位IEEE Fellow。
他于1979年在布法罗大学获得了工程学学士学位；并于1981年在麻省理工学院(MIT)获得了电子工程方向的硕士学位；以后又在MIT获得第二个电子工程学位(工程硕士学位)；1986年他在IBM的驻地研究员计划下从佛蒙特大学获得了工程物理学硕士学位，并于1991年从该校获得了电子工程的博士学位。
●致谢
●第1章ESD设计综合1
●1.1ESD设计综合与系统结构流程1
●1.1.1自顶向下的ESD设计1
●1.1.2自底向上的ESD设计1
●1.1.3自顶向下的ESD设计——存储器芯片3
●1.1.4自顶向下的ESD设计——ASIC设计系统3
●1.2ESD设计——信号通路和备用电流通路4
●1.3ESD电路和原理图结构思想5
●1.3.1理想的ESD网络和直流电流-电压设计窗口6
●1.3.2ESD设计窗口6
●1.3.3频域设计窗口下的理想ESD网络8
●1.4半导体芯片和ESD设计方案的映射10
●1.4.1半导体制造商之间的映射10
●1.4.2ESD设计在不同工艺之间的映射11
●1.4.3从双极工艺向CMOS工艺的映射12
●1.4.4从数字CMOS工艺向数模混合CMOS工艺的映射13
●1.4.5从体硅CMOS工艺向绝缘衬底上的硅（SOI）工艺的映射13
●1.4.6ESD设计——由CMOS向RF CMOS工艺的映射14
●部分目录
内容简介
本书是Steven H.Voldman博士所著的《ESD Design and Synthesis》的中文翻译版。本书的目的在于教会读者半导体芯片上ESD设计的“艺术”。全书的线索将按照如下顺序：版图布局、结构、电源轨及电源轨的ESD网络、ESD信号引脚解决方案、保护环还有一大批实现的实例。这条线索同其他已公开的大部分相关资料不同，但却更贴近实际团队在实现ESD设计过程中所采用的方法。除此之外，本书还将为读者介绍当下处于热议的许多结构和概念。同时还将展示如DRAM、SRAM、图像处理芯片、微处理器、混合电压到混合信号应用，以及版图布局等实例。*后，本书还将介绍其他资料中尚未讨论过的话题，包括电源总线结构、保护环、版图布局。本书主要面向需要学习和参考ESD相关设计的工程师，或需要学习ESD相关知识的微电子学和集成电路设计专业高年级学生和研究生 (美)沃尔德曼 著作 刘志伟 等 译者 作者:(美)沃尔德曼 译者:刘志伟、刘继芝、雷鑑铭、邹雪城、刘俊杰Steven H．Voldman博士由于在CMOS、SOI和SiGe工艺下的静电放电(ESD)保护方面所作出的贡献，而成为了ESD领域的**位IEEE Fellow。
他于1979年在布法罗大学获得了工程学学士学位；并于1981年在麻省理工学院(MIT)获得了电子工程方向的硕士学位；以后又在MIT获得第二个电子工程学位(工程硕士学位)；1986年他在IBM的驻地研究员计划下从佛蒙特大学获得了工程物理学硕士学位，并于1991年从该校获得了电子工程的博士学位。
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