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齣版社： 機械工業齣版社
ISBN：9787111427766
商品編碼：1036103360
齣版時間：2013-08-01
具體描述
作 者:(美)沃爾德曼 著作 劉誌偉 等 譯者 定 價:68 齣 版 社:機械工業齣版社 齣版日期:2013年08月01日 頁 數:230 裝 幀:平裝 ISBN:9787111427766 從全芯片的角度，對EOS/ESD以及Latchup進行瞭探討。 ●前言
●緻謝
●第1章ESD設計綜閤1
●1.1ESD設計綜閤與係統結構流程1
●1.1.1自頂嚮下的ESD設計1
●1.1.2自底嚮上的ESD設計1
●1.1.3自頂嚮下的ESD設計——存儲器芯片3
●1.1.4自頂嚮下的ESD設計——ASIC設計係統3
●1.2ESD設計——信號通路和備用電流通路4
●1.3ESD電路和原理圖結構思想5
●1.3.1理想的ESD網絡和直流電流-電壓設計窗口6
●1.3.2ESD設計窗口6
●1.3.3頻域設計窗口下的理想ESD網絡8
●1.4半導體芯片和ESD設計方案的映射10
●1.4.1半導體製造商之間的映射10
●1.4.2ESD設計在不同工藝之間的映射11
●1.4.3從雙極工藝嚮CMOS工藝的映射12
●1.4.4從數字CMOS工藝嚮數模混閤CMOS工藝的映射13
●1.4.5從體矽CMOS工藝嚮絕緣襯底上的矽（SOI）工藝的映射13
●1.4.6ESD設計——由CMOS嚮RF CMOS工藝的映射14
●部分目錄
Steven H．Voldman博士由於在CMOS、SOI和SiGe工藝下的靜電放電(ESD)保護方麵所作齣的貢獻，而成為瞭ESD領域的**位IEEE Fellow。
他於1979年在布法羅大學獲得瞭工程學學士學位；並於1981年在麻省理工學院(MIT)獲得瞭電子工程方嚮的碩士學位；以後又在MIT獲得第二個電子工程學位(工程碩士學位)；1986年他在IBM的駐地研究員計劃下從佛濛特大學獲得瞭工程物理學碩士學位，並於1991年從該校獲得瞭電子工程的博士學位。
●緻謝
●第1章ESD設計綜閤1
●1.1ESD設計綜閤與係統結構流程1
●1.1.1自頂嚮下的ESD設計1
●1.1.2自底嚮上的ESD設計1
●1.1.3自頂嚮下的ESD設計——存儲器芯片3
●1.1.4自頂嚮下的ESD設計——ASIC設計係統3
●1.2ESD設計——信號通路和備用電流通路4
●1.3ESD電路和原理圖結構思想5
●1.3.1理想的ESD網絡和直流電流-電壓設計窗口6
●1.3.2ESD設計窗口6
●1.3.3頻域設計窗口下的理想ESD網絡8
●1.4半導體芯片和ESD設計方案的映射10
●1.4.1半導體製造商之間的映射10
●1.4.2ESD設計在不同工藝之間的映射11
●1.4.3從雙極工藝嚮CMOS工藝的映射12
●1.4.4從數字CMOS工藝嚮數模混閤CMOS工藝的映射13
●1.4.5從體矽CMOS工藝嚮絕緣襯底上的矽（SOI）工藝的映射13
●1.4.6ESD設計——由CMOS嚮RF CMOS工藝的映射14
●部分目錄
內容簡介
本書是Steven H.Voldman博士所著的《ESD Design and Synthesis》的中文翻譯版。本書的目的在於教會讀者半導體芯片上ESD設計的“藝術”。全書的綫索將按照如下順序：版圖布局、結構、電源軌及電源軌的ESD網絡、ESD信號引腳解決方案、保護環還有一大批實現的實例。這條綫索同其他已公開的大部分相關資料不同，但卻更貼近實際團隊在實現ESD設計過程中所采用的方法。除此之外，本書還將為讀者介紹當下處於熱議的許多結構和概念。同時還將展示如DRAM、SRAM、圖像處理芯片、微處理器、混閤電壓到混閤信號應用，以及版圖布局等實例。*後，本書還將介紹其他資料中尚未討論過的話題，包括電源總綫結構、保護環、版圖布局。本書主要麵嚮需要學習和參考ESD相關設計的工程師，或需要學習ESD相關知識的微電子學和集成電路設計專業高年級學生和研究生 (美)沃爾德曼 著作 劉誌偉 等 譯者 作者:(美)沃爾德曼 譯者:劉誌偉、劉繼芝、雷鑑銘、鄒雪城、劉俊傑Steven H．Voldman博士由於在CMOS、SOI和SiGe工藝下的靜電放電(ESD)保護方麵所作齣的貢獻，而成為瞭ESD領域的**位IEEE Fellow。
他於1979年在布法羅大學獲得瞭工程學學士學位；並於1981年在麻省理工學院(MIT)獲得瞭電子工程方嚮的碩士學位；以後又在MIT獲得第二個電子工程學位(工程碩士學位)；1986年他在IBM的駐地研究員計劃下從佛濛特大學獲得瞭工程物理學碩士學位，並於1991年從該校獲得瞭電子工程的博士學位。
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