功率半導體器件：原理、特性和可靠性 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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[德] Josef Lutz 等 著，卞抗等 譯

圖書標籤:

• 功率半導體
• 半導體器件
• 電力電子
• 可靠性
• 器件物理
• 開關器件
• MOSFET
• IGBT
• 二極管
• 寬禁帶半導體

齣版社： 機械工業齣版社

ISBN：9787111417279

版次：1

商品編碼：11258908

品牌：機工齣版

包裝：平裝

叢書名： 國際電氣工程先進技術譯叢

開本：16開

齣版時間：2013-06-01

用紙：膠版紙

頁數：435

字數：578

編輯推薦

　　

“國際電氣工程先進技術譯叢”是機械工業齣版社集中優勢資源精心打造的中高端産品，所有圖書都是精選的國外優秀電氣工程著作，主要針對新能源、智能電網、電力電子、自動控製及新能源汽車等電氣工程熱點領域。這些圖書都是由經驗豐富的業內人士編著，並由國內知名專傢翻譯，具有很高的實用性。
　　 “國際電氣工程先進技術譯叢”的齣版目的主要是為廣大國內讀者提供一個展示國外先進技術成果的窗口，使國內讀者有一個可以更好地瞭解國外技術的平颱。“國際電氣工程先進技術譯叢”可供電氣工程及相關專業工程技術人員、科研人員及大專院校相關專業師生參考。

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內容簡介

　　《國際電氣工程先進技術譯叢·功率半導體器件：原理、特性和可靠性》介紹瞭功率半導體器件的原理、結構、特性和可靠性技術，器件部分涵蓋瞭當前電力電子技術中使用的各種類型功率半導體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，還包含瞭製造工藝、測試技術和損壞機理分析。就其內容的全麵性和結構的完整性來說，在同類專業書籍中是不多見的。
　　《國際電氣工程先進技術譯叢·功率半導體器件：原理、特性和可靠性》內容新穎，緊跟時代發展，除瞭介紹經典的功率二極管、晶閘管外，還重點介紹瞭MOSFET、IGBT等現代功率器件，頗為難得的是收入瞭近年來有關功率半導體器件的新的成果。本書是一本精心編著，並根據作者多年教學經驗和工程實踐不斷補充更新的好書，相信它的翻譯齣版，必將有助於我國電力電子事業的發展。
　　《國際電氣工程先進技術譯叢·功率半導體器件：原理、特性和可靠性》的讀者對象包括在校學生、功率器件設計製造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。本書適閤高等院校有關專業用作教材或專業參考書，亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生産企業的工程技術人員作為參考書之用。

目錄

前言
第1章 功率半導體器件——高效電能變換裝置中的關鍵器件
1.1 裝置、電力變流器和功率半導體器件
1.1.1 電力變流器的基本原理
1.1.2 電力變流器的類型和功率器件的選擇
1.2 使用和選擇功率半導體
1.3 功率半導體的應用
參考文獻

第2章 半導體的性質
2.1 引言
2.2 晶體結構
2.3 禁帶和本徵濃度
2.4 能帶結構和載流子的粒子性質
2.5 摻雜的半導體
2.6 電流的輸運
2.6.1 載流子的遷移率和場電流
2.6.2 強電場下的漂移速度
2.6.3 載流子的擴散和電流輸運方程式
2.7 復閤�膊�生和非平衡載流子的壽命
2.7.1 本徵復閤機理
2.7.2 復閤中心上的復閤和産生
2.8 碰撞電離
2.9 半導體器件的基本公式
2.10簡單的結論
參考文獻

第3章 pn結
3.1 熱平衡狀態下的pn結
3.1.1 突變結
3.1.2 緩變結
3.2 pn結的I�睼特性
3.3 pn結的阻斷特性和擊穿
3.3.1 阻斷電流
3.3.2 雪崩倍增和擊穿電壓
3.3.3 寬禁帶半導體的阻斷能力
3.4 發射區的注入效率
3.5 pn結的電容
參考文獻

第4章 功率器件工藝的簡介
4.1 晶體生長
4.2 通過中子嬗變來調整晶片的摻雜
4.3 外延生長
4.4 擴散
4.5 離子注入
4.6 氧化和掩蔽
4.7 邊緣終端
4.7.1 斜麵終端結構
4.7.2 平麵結終端結構
4.7.3 雙嚮阻斷器件的結終端
4.8 鈍化
4.9 復閤中心
4.9.1 用金和鉑作為復閤中心
4.9.2 輻射引入的復閤中心
4.9.3 Pt和Pd的輻射增強擴散
參考文獻
功率半導體器件——原理、特性和可靠性目錄

第5章 pin二極管
5.1 pin二極管的結構
5.2 pin二極管的I�睼特性
5.3 pin二極管的設計和阻斷電壓
5.4 正嚮導通特性
5.4.1 載流子的分布
5.4.2 結電壓
5.4.3 中間區域兩端之間的電壓降
5.4.4 在霍爾近似中的電壓降
5.4.5 發射極復閤、有效載流子壽命和正嚮特性
5.4.6 正嚮特性和溫度的關係
5.5 儲存電荷和正嚮電壓之間的關係
5.6 功率二極管的開通特性
5.7 功率二極管的反嚮恢復
5.7.1 定義
5.7.2 與反嚮恢復有關的功率損耗
5.7.3 反嚮恢復：二極管中電荷的動態
5.7.4 具有最佳反嚮恢復特性的快速二極管
5.8 展望
參考文獻

第6章 肖特基二極管
6.1 金屬�舶氳繼褰岬腦�理
6.2 肖特基結的I�睼特性
6.3 肖特基二極管的結構
6.4 單極型器件的歐姆電壓降
6.5 SiC肖特基二極管
參考文獻

第7章 雙極型晶體管
7.1 雙極型晶體管的工作原理
7.2 功率雙極型晶體管的結構
7.3 功率晶體管的I�睼特性
7.4 雙極型晶體管的阻斷特性
7.5 雙極型晶體管的電流增益
7.6 基區展寬、電場再分布和二次擊穿
7.7 矽雙極型晶體管的局限性
7.8 SiC雙極型晶體管
參考文獻

第8章 晶閘管
8.1 結構與功能模型
8.2 晶閘管的I�睼特性
8.3 晶閘管的阻斷特性
8.4 發射極短路點的作用
8.5 晶閘管的觸發方式
8.6 觸發前沿擴展
8.7 隨動觸發與放大門極
8.8 晶閘管關斷和恢復時間
8.9 雙嚮晶閘管
8.10 門極關斷（GTO）晶閘管
8.11 門極換流晶閘管（GCT）
參考文獻

第9章 MOS晶體管
9.1 MOSFET的基本工作原理
9.2 功率MOSFET的結構
9.3 MOS晶體管的I�睼特性
9.4 MOSFET溝道的特性
9.5 歐姆區域
9.6 現代MOSFET的補償結構
9.7 MOSFET的開關特性
9.8 MOSFET的開關損耗
9.9 MOSFET的安全工作區
9.10 MOSFET的反並聯二極管
9.11 SiC場效應器件
9.12 展望
參考文獻

第10章 IGBT
10.1 功能模式
10.2 IGBT的I�睼特性
10.3 IGBT的開關特性
10.4 基本類型：PT�睮GBT和NPT�睮GBT
10.5 IGBT中的等離子體分布
10.6 提高載流子濃度的現代IGBT
10.6.1 高n發射極注入比的等離子增強
10.6.2 無閂鎖元胞幾何圖形
10.6.3 "空穴勢壘"效應
10.6.4 集電極端的緩衝層
10.7 具有雙嚮阻斷能力的IGBT
10.8 逆導型IGBT
10.9 展望
參考文獻

第11章 功率器件的封裝和可靠性
11.1 封裝技術麵臨的挑戰
11.2 封裝類型
11.2.1 餅形封裝
11.2.2 TO係列及其派生
11.2.3 模塊
11.3 材料的物理特性
11.4 熱仿真和熱等效電路
11.4.1 熱力學參數和電參數之間的轉換
11.4.2 一維等效網絡
11.4.3 三維熱網絡
11.4.4 瞬態熱阻
11.5 功率模塊內的寄生電學元件
11.5.1 寄生電阻
11.5.2 寄生電感
11.5.3 寄生電容
11.6 可靠性
11.6.1 提高可靠性的要求
11.6.2 高溫反嚮偏置試驗
11.6.3 高溫柵極應力試驗
11.6.4 溫度濕度偏置試驗
11.6.5 高溫和低溫存儲試驗
11.6.6 溫度循環和溫度衝擊試驗
11.6.7 功率循環試驗
11.6.8 其他的可靠性試驗
11.6.9 提高可靠性的策略
11.7 未來的挑戰
參考文獻

第12章 功率器件的損壞機理
12.1 熱擊穿——溫度過高引起的失效
12.2 浪湧電流
12.3 過電壓——電壓高於阻斷能力
12.4 動態雪崩
12.4.1 雙極型器件中的動態雪崩
12.4.2 快速二極管中的動態雪崩
12.4.3 具有高動態雪崩能力的二極管結構
12.4.4 動態雪崩：進一步的任務
12.5 超過GTO的最大關斷電流
12.6 IGBT的短路和過電流
12.6.1 短路類型Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ
12.6.2 短路的熱、電應力
12.6.3 過電流的關斷和動態雪崩
12.7 宇宙射綫造成的失效
12.8 失效分析
參考文獻

第13章 功率器件的感應振蕩和電磁乾擾
13.1 電磁乾擾的頻率範圍
13.2 LC振蕩
13.2.1 並聯IGBT的關斷振蕩
13.2.2 階躍二極管的關斷振蕩
13.3 渡越時間振蕩
13.3.1 等離子體抽取渡越時間（PETT）振蕩
13.3.2 動態碰撞電離渡越時間（IMPATT）振蕩
參考文獻

第14章 電力電子係統
14.1 定義和基本特徵
14.2 單片集成係統——功率IC
14.3 印刷電路闆上的係統集成
14.4 混閤集成
參考文獻

附錄A Si與4H�睸iC中載流子遷移率的建模參數
附錄B 雪崩倍增因子與有效電離率
附錄C 封裝技術中重要材料的熱參數
附錄D 封裝技術中重要材料的電參數
附錄E 常用符號

前言/序言

探索微觀世界的能量秘密：一塊小小的芯片，如何點亮我們的生活？ 在你我的日常生活中，從智能手機的充電器到驅動著巨大工廠的電力係統，從靜謐的電動汽車到璀璨的LED照明，無處不見一股股強勁的能量在被精準地操控、轉化和傳輸。而這股能量的“心髒”，正是那些在我們眼中看似微不足道，實則蘊含著無限智慧的半導體器件。它們如同微縮的電子閥門，以驚人的效率和可靠性，連接著龐大的能量世界與我們便捷的生活。 想象一下，如果電力係統是一條奔騰不息的長河，那麼功率半導體器件便是這條河流中精密建造的水壩、閘門和渦輪機。它們決定著水流的方嚮、流量的控製，以及如何將水流的勢能轉化為我們所需的動能。沒有它們，我們的生活將陷入一片黑暗，科技的進步也將停滯不前。 然而，這股強大的能量背後，究竟隱藏著怎樣的科學奧秘？是什麼讓一塊小小的矽片，能夠承擔如此重要的使命？是什麼力量驅使著工程師們不斷突破界限，創造齣更高效、更可靠的能量轉換方案？ 本書將帶領你踏上一段深入探索功率半導體器件世界的旅程，揭示那些看不見的能量流動背後的原理，品味那些精妙絕倫的設計哲學，並觸及那些確保我們生活安全、可靠運行的保障機製。我們不會止步於冰冷的理論公式，而是試圖用生動、形象的語言，為你描繪齣這個微觀世界的宏大圖景。 從基礎齣發：理解半導體的“脾氣”與“性格” 要理解功率半導體器件，首先需要對半導體的基本性質有所認識。我們知道，物質可以分為導體、絕緣體和半導體。導體導電容易，絕緣體導電睏難，而半導體則介於兩者之間，它的導電能力可以通過摻雜（加入少量雜質）等方式進行精確調控，這便是其神奇之處。 本書將從晶體管這一最基本的半導體器件講起。你將會瞭解，為何一個微小的控製信號，能夠讓大電流在半導體內部的通道中奔流，又或者被瞬間阻斷。我們將深入剖析PN結的形成，理解空穴和電子如何在電場的作用下進行“舞蹈”，從而實現電流的單嚮導通，這是所有半導體器件工作的基石。 更進一步，我們將聚焦於功率半導體器件的“特長”——處理大電流、承受高電壓。這需要對傳統的半導體結構進行巧妙的“改造”。例如，你將瞭解到，為何某些功率器件的結構看起來比普通的邏輯器件要“厚實”得多。這背後隱藏著對載流子運動路徑、電場分布的深刻理解與設計。我們將為你揭示，何謂“耐壓”與“載流子遷移率”的重要性，它們如同功率器件的“力量”與“速度”，是衡量其性能的關鍵指標。 核心器件剖析：功率半導體傢族的“明星們” 功率半導體器件並非單一的存在，而是一個龐大而精密的傢族，每個成員都有其獨特的“專長”和“使命”。本書將一一為你細緻講解這些傢族成員的“前世今生”： 功率二極管： 彆看它結構簡單，功率二極管卻是能量轉換中最基礎、最可靠的“開關”。你將瞭解，為何在電源適配器、充電器等設備中，它們能扮演如此關鍵的角色，將交流電轉化為直流電，又或是保護電路免受反嚮電壓的侵害。我們將探討不同類型功率二極管的特點，比如快恢復二極管、肖特基二極管，它們各自在不同應用場景下的優勢與劣勢。 功率三極管（BJT）： 作為最早的功率開關器件之一，雙極結型晶體管（BJT）在曆史上扮演瞭重要的角色。你將理解，為何通過基極電流的控製，可以調節集電極電流的大小，實現信號的放大或開關。盡管在某些高端應用中被其他器件取代，但BJT在某些領域依然有著不可替代的地位。 功率MOSFET： 這可以說是現代功率電子領域最耀眼的明星。你將深入瞭解，場效應晶體管（MOSFET）是如何通過柵極電壓來控製漏極和源極之間的電流。我們將詳細剖析其內部的MOS電容結構，理解電荷的積纍和耗盡如何影響導電溝道的形成。更重要的是，你將看到，為何MOSFET以其高輸入阻抗、低開關損耗等優勢，在開關電源、電機驅動等領域占據主導地位。從N溝道、P溝道到不同的溝道類型，再到不同類型的MOSFET（如LDMOS、IGBT等）的演進，我們將為你一一梳理。 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）： 融閤瞭MOSFET的柵極驅動特點和BJT的低導通壓降優勢，IGBT在處理高電壓、大電流的應用中錶現卓越。你將理解，為何IGBT能夠勝任中高壓大功率的場閤，例如在電動汽車的逆變器、工業變頻器中。我們將剖析其PNP和NPN的晶體管結構與MOSFET柵極的結閤，是如何實現高效率的功率開關。 性能的“秘密武器”：驅動你的想象力 瞭解瞭基本器件的原理，我們還將深入探討，如何讓這些器件發揮齣它們最強大的能量。這不僅僅是關於如何讓電流通過，更是關於如何高效、快速、精確地控製能量的流動。 開關特性： 在現代功率電子中，器件的工作模式多為開關狀態，而非綫性放大。這意味著器件需要在“開”和“關”兩個狀態之間快速切換。本書將詳細闡述開關損耗的産生機製，例如關斷時的延遲效應，以及如何通過器件結構和驅動電路的設計來最小化這些損耗，從而提高整體的能量效率。 導通損耗： 當電流流過器件時，由於電阻的存在，總會産生一定的能量損耗，錶現為熱量。你將瞭解到，器件的導通電阻（Rds(on) for MOSFET, Vce(sat) for IGBT）是如何影響導通損耗的，以及為何在設計中需要權衡導通損耗與開關損耗。 熱管理： 功率半導體器件在工作時會産生大量的熱量，如何有效地將這些熱量散發齣去，是保證器件可靠運行的關鍵。我們將探討散熱器、熱界麵材料等關鍵因素，以及它們在工程設計中的重要性。 驅動電路： 功率半導體器件本身往往需要一個特殊的驅動電路來控製其開關。你將瞭解，為什麼簡單地連接到微控製器輸齣端可能不足以驅動大功率器件，以及柵極驅動電路、基極驅動電路等的作用，它們如何提供足夠的電壓、電流，甚至隔離，來確保器件的正確工作。 可靠性的“護盾”：讓能量的流動更安心 再強大的能量，如果不能穩定可靠地輸齣，其價值也會大打摺扣。功率半導體器件直接承載著巨大的能量，它們的可靠性直接關係到整個係統的安全運行。 擊穿機製： 當電壓超過器件的承受極限時，半導體材料會發生擊穿，導緻器件損壞。我們將探討不同類型的擊穿現象，例如雪崩擊穿、熱擊穿等，以及它們是如何發生的，以及如何通過器件設計和應用限製來避免。 過載保護： 在實際應用中，功率器件可能會麵臨電流過載、短路等突發情況。你將瞭解到，器件本身內置的保護機製，例如過流保護、過溫保護等，以及它們是如何工作的，以及外部保護電路的設計原則。 壽命與老化： 功率半導體器件並非永恒不變，隨著時間的推移，它們會發生老化，性能逐漸衰減。我們將探討影響器件壽命的關鍵因素，例如溫度循環、電流應力等，以及如何通過閤理的設計和應用來延長器件的使用壽命。 封裝的藝術： 功率半導體器件的封裝並非簡單的“外殼”，它直接影響著器件的散熱、電氣性能以及可靠性。你將瞭解到不同封裝形式的特點，例如TO-247、TO-220、以及更加先進的模塊化封裝，它們如何在散熱、電氣連接、以及整體的可靠性之間找到平衡。 展望未來：更高效、更智能的能量之路 功率半導體器件的發展從未止步。本書的最後，我們將目光投嚮未來，展望功率半導體技術的發展趨勢。 新材料的探索： 除瞭傳統的矽基材料，寬禁帶半導體材料如碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）正在改變功率電子的麵貌。你將瞭解到，為何這些新材料能夠提供更高的耐壓、更低的損耗和更高的工作頻率，從而為電動汽車、可再生能源等領域帶來革命性的突破。 集成與智能化： 未來的功率半導體器件將更加集成化和智能化。我們將會看到，將多個功率器件、控製電路甚至傳感器集成到同一芯片上的趨勢，從而實現更小的體積、更高的效率和更強的自適應能力。 可持續能源的驅動力： 隨著全球對可持續能源的需求日益增長，功率半導體器件在太陽能逆變器、風力發電控製器、儲能係統等領域的應用將更加廣泛。你將看到，這些微小的器件是如何成為推動綠色能源革命的關鍵力量。 這本書，不僅僅是關於一個技術領域，更是關於我們如何利用科學的力量，去理解和駕馭我們賴以生存的能量。它將為你打開一扇窗，讓你看到那些隱藏在日常設備背後的精密工程，讓你對那些點亮我們生活的“小精靈”有更深的認識和敬意。無論你是學生、工程師，還是對科技充滿好奇的愛好者，這本書都將為你提供一個堅實的基礎，讓你能夠自信地理解並參與到這場關於能量的偉大變革之中。

評分☆☆☆☆☆

這本書的內容，簡直是為我量身定做的。我是一名從事電力電子設備研發多年的工程師，一直在尋找一本能夠全麵、深入、且具有指導意義的關於功率半導體器件的著作。而這本《功率半導體器件：原理、特性和可靠性》完全超齣瞭我的預期。作者在講解過程中，非常注重理論與實踐的結閤，他不僅僅是闡述瞭器件的原理，還詳細介紹瞭實際應用中可能遇到的問題以及相應的解決方案。我尤其欣賞他對器件選擇的指導，不僅僅是提供參數錶，而是深入分析瞭不同應用場景下，對器件性能的側重點要求，以及如何根據這些要求進行權衡和選擇。例如，在設計高頻開關電源時，作者會強調開關損耗和柵極電荷的重要性，並推薦選擇具有低柵極電荷和快速開關速度的器件。而在設計大功率電機驅動時，則會側重於器件的導通損耗和熱管理能力。書中關於器件的測試和測量方法也寫得非常詳盡，從靜態參數測量到動態參數測試，都給齣瞭具體的步驟和注意事項。這對於我進行器件的選型評估和質量控製，提供瞭非常有效的參考。而且，書中對一些常見的故障模式和排除方法也做瞭詳細的介紹，這大大提高瞭我的故障診斷能力。這本書的價值，在於它能夠幫助讀者建立起一個係統性的功率半導體器件知識體係，並將其有效地應用於實際工程中，解決實際問題。

評分☆☆☆☆☆

終於入手瞭這本《功率半導體器件：原理、特性和可靠性》，簡直是功率器件領域的一本寶藏！作為一名剛入行不久的工程師，我一直在尋找一本能夠係統梳理功率器件知識的讀物，這本書無疑滿足瞭我的需求。我尤其欣賞的是它對器件原理的講解，不是那種浮光掠影的介紹，而是深入到半導體物理的底層，例如 PN 結的形成、少數載流子的注入與擴散、以及各種溝道導電機製的詳細闡述，都寫得非常透徹。我之前對 MOSFET 的開關特性一直有些模糊的概念，但看瞭這本書後，對柵極電容、閾值電壓、以及不同導通模式下的漏極電流行為有瞭清晰的理解，這對於我設計驅動電路至關重要。而且，作者在介紹不同類型器件時，比如 BJT、MOSFET、IGBT、Thyristor 等，不僅僅列舉瞭它們的結構和基本工作原理，還深入分析瞭它們各自的優缺點、適用場景以及在不同應用中的性能錶現。例如，在討論 IGBT 時，作者花瞭相當大的篇幅來解析其正嚮導通壓降與開關速度之間的權衡，以及如何通過改進結構來優化這兩項關鍵指標，這對我理解為何在某些高壓大功率場閤 IGBT 比 MOSFET 更受歡迎提供瞭有力的解釋。書中還穿插瞭一些實際應用的案例分析，比如在開關電源、電機驅動等領域的應用，這使得理論知識與實際工程緊密結閤，非常有啓發性。即使是關於器件的可靠性部分，我也覺得寫得非常到位，從失效模式的分析到可靠性測試的方法，都涉及到瞭，這對於延長産品壽命，降低維護成本非常有幫助。總的來說，這本書為我構建瞭一個紮實的功率半導體器件知識體係，讓我能夠更有信心地去進行相關的設計和開發工作。

評分☆☆☆☆☆

這本書的質量，真的超乎我的預期。我一直認為功率半導體器件是電力電子領域的核心，但很多資料都過於晦澀難懂，或者過於理論化，缺乏實際應用指導。而這本《功率半導體器件：原理、特性和可靠性》則恰恰填補瞭這一空白。讓我印象深刻的是，作者在講解器件的可靠性部分，不是簡單地列舉一些失效機理，而是從材料、製造工藝、以及工作環境等多個維度，深入剖析瞭導緻器件失效的根本原因。例如，他詳細討論瞭高溫、高濕、以及電應力對器件壽命的影響，並給齣瞭相應的加速壽命測試方法和可靠性評估模型。這對於我理解器件的長期穩定性，以及如何通過設計來提高係統的可靠性，提供瞭非常重要的理論依據。書中關於熱管理的部分也寫得非常齣色，從器件本身的發熱機製，到散熱器的設計，再到整體的散熱方案，都給齣瞭詳細的指導。我之前在設計一個大功率電源時，就遇到瞭散熱瓶頸，但看瞭這本書後，我對如何選擇閤適的散熱器，以及如何優化風道設計有瞭更清晰的思路，最終成功解決瞭問題。而且，書中對不同器件的封裝形式及其對散熱和可靠性的影響也做瞭詳細的介紹，這讓我明白瞭為什麼在不同的應用場景下，會選擇不同的封裝。這本書的價值，不僅僅體現在知識的廣度上，更在於其深度和實用性，它是一本真正能夠幫助工程師解決實際問題的工具書。

評分☆☆☆☆☆

我必須說，這本書簡直是我在功率半導體領域探索之旅中的一盞明燈。作者的寫作風格非常獨特，他能夠將那些抽象的物理概念，通過生動形象的語言和精美的插圖，變得通俗易懂。我特彆喜歡他對器件的建模和仿真部分，作者不僅給齣瞭各種數學模型，還結閤瞭一些常用的仿真軟件，演示瞭如何利用這些模型來預測器件的性能。例如，他演示瞭如何使用SPICE模型來模擬MOSFET的開關過程，並分析瞭不同參數設置對仿真結果的影響。這對於我進行電路仿真和優化，節省瞭大量的時間和精力。書中對各種功率器件的性能指標進行瞭詳細的對比分析，從耐壓、電流能力、開關速度，到導通壓降、漏電電流，都給齣瞭清晰的量化數據和解釋。這讓我能夠快速地根據應用需求，選擇齣最適閤的器件。作者還對一些前沿的功率半導體技術，比如寬禁帶半導體器件（SiC和GaN）的發展趨勢和應用前景進行瞭展望，這讓我對未來的技術方嚮有瞭更深的認識。而且，書中對器件的過載能力和保護措施的講解也相當到位，這對於保證電路的安全運行至關重要。總的來說，這本書不僅是一本技術手冊，更是一本能夠激發讀者對功率半導體技術學習興趣的啓濛讀物，它讓我看到瞭這個領域巨大的潛力和美好的未來。

評分☆☆☆☆☆

這本書，我隻能說，對於想要深入理解功率半導體器件的朋友來說，絕對是一次不容錯過的體驗。作者在講解器件的特性時，仿佛是一位經驗豐富的老師，循循善誘，將那些看似復雜的概念一一分解。我特彆喜歡書中對器件損耗的分析，從導通損耗到開關損耗，再到漏電損耗，作者都給齣瞭詳盡的計算模型和影響因素的分析。例如，在討論導通損耗時，他不僅僅是給齣RDS(on)這個參數，還詳細分析瞭不同溫度、柵極電壓、以及漏極電流對RDS(on)的影響，並且給齣瞭具體的公式推導。這對於我在選擇閤適的器件，尤其是在考慮散熱設計時，提供瞭非常寶貴的參考。書中對器件的開關特性也做瞭深入的剖析，特彆是關於柵極電荷的講解，讓我對MOSFET的瞬態響應有瞭更清晰的認識。作者通過圖示和文字相結閤的方式，生動地展現瞭柵極電荷在開關過程中的變化，以及如何通過選擇閤適的柵極電阻來優化開關速度和降低損耗。這對於我在設計高速開關電路時，避免振蕩和提高效率，起到瞭決定性的作用。另外，書中對於不同器件在不同工作模式下的參數解讀也做得非常細緻，比如對IGBT的反嚮恢復特性，對SCR的觸發特性，都做瞭詳細的說明。我感覺作者在寫作時，充分考慮到瞭讀者可能遇到的實際問題，並給齣瞭相應的解決方案和建議。這本書的價值，不僅僅在於知識的傳遞，更在於它能夠幫助讀者建立起一套嚴謹的工程思維，從而更好地應對實際工作中的挑戰。

評分☆☆☆☆☆

不錯，內容很詳細，很好的參考

評分☆☆☆☆☆

在蔡駿的精心構思之下，他筆下的諸多經典場景與人物悉數登場。隨著主人公少年司望神秘的復仇行動展開，一宗宗懸而未決的案件逐一明朗，種種錯綜復雜的關係糾葛由此而生，人物的命運與人性的復雜交織成一首激蕩的交響麯！《生死河》深入罪犯的精神世界，探索殺人犯罪的社會原因，揭示社會矛盾和黑暗現象。情節麯摺，環環相扣，耐人尋味。在保留嚴密推理的基礎上，重視挖掘案情發生的動機，追究犯罪的社會原因。《生死河》中激情澎湃的情節設置、嚴謹細密的解謎手法，充滿憂患反思的作傢良知以及對社會變遷的敏銳觀察使得這部作品成為華語懸疑文學劃時代性作品。“即使對世界感到絕望，所有人都拋棄瞭你，但還是要活著！因為最愛你的人說：你必須等待我長大！”這一悲傷的主題完美闡釋瞭“大時代”裏淒涼的“小命運”！人物的命運和人性的復雜，仿佛海上的冰山，慢慢浮現！這已經不是單純的懸疑小說，而是一部展現廣闊社會和復雜人性的文學作品！極具創意的故事構思，跨越前生今世的神秘凶案，再現波雲詭譎的時代記憶 這次趕上京東滿150返還50的促銷活動，每一本書都包裝的很完整，用塑料套子塑封好的，保證瞭書籍的整潔完整不破損，打開來看，印刷很清晰，一看就是正品書，沒有錯彆字，而且字體印刷很大，排版也排的很閤理，看著不傷眼睛，紙張質量也相當的好，總之，以低價來買一本質量好的正版書，絕對是上算的。多讀書可以提高人的綜閤素養，多讀書，可以讓你多增加一些課外知識。古人雲：書中自有黃金屋，書中自有顔如玉。古人讀書的目的功利性比較強，現代人就不一定瞭，除瞭工作學習上的需要，給自己充充電占瞭一大部分，畢竟，人的一生很短，書中的東西很精彩，如果我們不能延展生命的長度，那麼，就多少讀一點書，來拓寬生命的寬度，好的書是人類的良師益友，多讀書，可以使人變得更加聰明更加理性，遇到問題可以很好的獨立解決，這樣的話，又使得你在人生的道路上多漫齣瞭一步，多讀書，能使人的心情變得愉快起來，所以說，讀書不但可以增長知識，而且還是一種娛樂的方式，讀書可以調節身體的血管流動，使你身心健康。所以在書的海洋裏遨遊也是一種快樂的事情。用讀書來為自己放鬆心情也是一種十分明智的。 讀書能陶冶人的情操，給人知識和智慧。所以，作為一個人，應該在空閑時刻多讀書，不管年齡大小，讀書對人有好處，讀書可以養性，可以陶冶自己的性情，使自己變得更加溫文爾雅，俗話說腹有詩書氣自華，慢慢變得具有書捲氣；讀書破萬捲，下筆如有神，多讀書可以提高寫作能力，寫文章就纔思敏捷；讀書不厭百迴讀，熟讀深思子自知，讀書可以提高理解能力，隻要熟讀深思，反復閱讀，你就可以知道其中的道理瞭。

評分☆☆☆☆☆

很實用，是想買的書籍。

評分☆☆☆☆☆

趁著京東618大促，買來很多書

評分☆☆☆☆☆

老公用的(?•??•?)??

評分☆☆☆☆☆

桂林創達電子.電源接口為5v-16v輸入，有條件的話最大電流應該保持在2A。

評分☆☆☆☆☆

很不錯哦，就是沒時間看瞭

評分☆☆☆☆☆

號此時信號燈閃爍的頻率大概是2次/秒，如果您的手機卡可正常通訊的

評分☆☆☆☆☆

不錯