內容簡介
     《微電子與集成電路設計係列規劃教材:集成電路設計(第3版)》遵循集成電路設計的流程,介紹集成電路設計的一係列基礎知識。主要內容包括集成電路的材料、製造工藝和器件模型、集成電路模擬軟件SPICE的基本用法、集成電路版圖設計、模擬集成電路基本單元、數字集成電路基本單元、集成電路數字係統設計和集成電路的測試與封裝等。
  《微電子與集成電路設計係列規劃教材:集成電路設計(第3版)》提供配套電子課件、Cadence公司提供的PSPICE學生版安裝軟件、HSPICE和PSPICE兩種仿真工具的電路實例設計包等。     
內頁插圖
          目錄
   第1章 集成電路設計概述
1.1 集成電路的發展
1.2 集成電路設計流程及設計環境
1.3 集成電路製造途徑
1.4 集成電路設計的知識範圍
思考題
第2章 集成電路材料、結構與理論
2.1 集成電路材料
2.1.1 矽
2.1.2 砷化鎵
2.1.3 磷化銦
2.1.4 絕緣材料
2.1.5 金屬材料
2.1.6 多晶矽
2.1.7 材料係統
2.2 半導體基礎知識
2.2.1 半導體的晶體結構
2.2.2 本徵半導體與雜質半導體
2.3 PN結與結型二極管
2.3.1 PN結的擴散與漂移
2.3.2 PN結型二極管
2.3.3 肖特基結二極管
2.3.4 歐姆型接觸
2.4 雙極型晶體管
2.4.1 雙極型晶體管的基本結構
2.4.2 雙極型晶體管的工作原理
2.5 MOS晶體管
2.5.1 MOS晶體管的基本結構
2.5.2 MOS晶體管的工作原理
2.5.3 MOS晶體管的伏安特性
思考題
本章參考文獻
第3章 集成電路基本工藝
3.1 外延生長
3.2 掩模版的製造
3.3 光刻原理與流程
3.3.1 光刻步驟
3.3.2 曝光方式
3.4 氧化
3.5 澱積與刻蝕
3.6 摻雜原理與工藝
思考題
本章參考文獻
第4章 集成電路器件工藝
4.1 雙極型集成電路的基本製造工藝
4.1.1 雙極型矽工藝
4.1.2 HBT工藝
4.2 MESFET和HEMT工藝
4.2.1 MESFET工藝
4.2.2 HEMT工藝
4.3 MOS和相關的VLSI工藝
4.4 BiCMOS工藝
思考題
本章參考文獻
第5章 MOS場效應管的特性
5.1 MOS場效應管
5.1.1 MOS管伏安特性的推導
5.1.2 MOS電容的組成
5.1.3 MOS電容的計算
5.2 MOS FET的閾值電壓VT
5.3 體效應
5.4 MOSFET的溫度特性
5.5 MOSFET的噪聲
5.6 MOSFET尺寸按比例縮小
5.7 MOS器件的二階效應
5.7.1 L和W的變化
5.7.2 遷移率的退化
5.7.3 溝道長度的調製
5.7.4 短溝道效應引起的閾值電壓的變化
5.7.5 狹溝道效應引起的閾值電壓的變化
思考題
本章參考文獻
第6章 集成電路器件及SPICE模型
6.1 無源器件結構及模型
6.1.1 互連綫
6.1.2 電阻
6.1.3 電容
6.1.4 電感
6.1.5 分布參數元件
6.2 二極管電流方程及SPICE模型
6.2.1 二極管的電路模型
6.2.2 二極管的噪聲模型
6.3 雙極型晶體管電流方程及SPICE模型
6.3.1 雙極型晶體管的EM模型
6.3.2 雙極型晶體管的GP模型
6.4 結型場效應JFET ( NJF/PJF ) 模型
6.5 MESFET(NMF/PMF)模型(SPICE3.x)
6.6 MOS管電流方程及SPICE模型
思考題
本章參考文獻
第7章 SPICE數模混閤仿真程序的設計流程及方法
7.1 采用SPICE的電路設計流程
7.2 電路元件的SPICE輸入語句格式
7.3 電路特性分析語句
7.4 電路特性控製語句
7.5 HSPICE緩衝驅動器設計實例
7.6 HSPICE跨導放大器設計實例
7.7 PSPICE電路圖編輯器簡介
7.8 PSPICE緩衝驅動器設計實例
7.9 PSPICE跨導放大器設計實例
思考題
本章參考文獻
第8章 集成電路版圖設計與工具
8.1 工藝流程的定義
8.2 版圖幾何設計規則
8.3 圖元
8.3.1 MOS晶體管
8.3.2 集成電阻
8.3.3 集成電容
8.3.4 寄生二極管與三極管
8.4 版圖設計準則
8.4.1 匹配設計
8.4.2 抗乾擾設計
8.4.3 寄生優化設計
8.4.4 可靠性設計
8.5 電學設計規則與布綫
8.6 基於Cadence平颱的全定製IC設計
8.6.1 版圖設計的環境
8.6.2 原理圖編輯與仿真
8.6.3 版圖編輯與驗證
8.6.4 CMOS差動放大器版圖設計實例
8.7 芯片的版圖布局
8.8 版圖設計的注意事項
思考題
本章參考文獻
第9章 模擬集成電路基本單元
9.1 電流源電路
9.1.1 雙極型鏡像電流源
9.1.2 MOS電流鏡
9.2 基準電壓源設計
9.2.1 雙極型三管能隙基準源
9.2.2 MOS基準電壓源
9.3 單端反相放大器
9.3.1 基本放大電路
9.3.2 改進的CMOS推挽放大器
9.4 差分放大器
9.4.1 BJT差分放大器
9.4.2 MOS差分放大器
9.4.3 CMOS差分放大器設計實例
9.5 運算放大器
9.5.1 性能參數
9.5.2 套筒式共源共柵運放
9.5.3 摺疊式共源共柵運放
9.5.4 兩級運放
9.5.5 CMOS運算放大器設計實例
9.6 振蕩器
9.6.1 環形振蕩器
9.6.2 LC振蕩器
思考題
本章參考文獻
第10章 數字集成電路基本單元與版圖
10.1 TTL基本電路
10.1.1 TTL反相器
10.1.2 TTL與非門
10.1.3 TTL或非門
10.2 CMOS基本門電路及版圖實現
10.2.1 CMOS反相器
10.2.2 CMOS與非門和或非門
10.2.3 CMOS傳輸門和開關邏輯
10.2.4 三態門
10.2.5 驅動電路
10.3 數字電路標準單元庫設計
10.3.1 基本原理
10.3.2 庫單元設計
10.4 焊盤輸入/輸齣單元
10.4.1 輸入單元
10.4.2 輸齣單元
10.4.3 輸入/輸齣雙嚮三態單元(I/O PAD)
10.5 瞭解CMOS存儲器
10.5.1 動態隨機存儲器(DRAM)
10.5.2 靜態隨機存儲器(SRAM)
10.5.3 閃存
思考題
本章參考文獻
第11章 集成電路數字係統設計基礎
11.1 數字係統硬件描述語言
11.1.1 基於HDL語言的設計流程
11.1.2 Verilog HDL語言介紹
11.1.3 硬件描述語言VHDL
11.2  數字係統邏輯綜閤與物理實現
11.2.1 邏輯綜閤的流程
11.2.2 Verilog HDL與邏輯綜閤
11.2.3 自動布局布綫
11.3 數字係統的FPGA/CPLD硬件驗證
11.3.1 PLD概述
11.3.2 現場可編程門陣列(FPGA)
11.3.3 基於FPGA的數字係統硬件驗證
思考題
本章參考文獻
第12章 集成電路的測試和封裝
12.1 集成電路在芯片測試技術
12.2 集成電路封裝形式與工藝流程
12.3 芯片鍵閤
12.4 高速芯片封裝
12.5 混閤集成與微組裝技術
12.6 數字集成電路測試方法
12.6.1 可測試性的重要性
12.6.2 測試基礎
12.6.3 可測試性設計
思考題
本章參考文獻      
前言/序言
     隨著微電子工藝特徵尺寸的不斷縮小,集成電路技術的發展呈現部分新的特徵。工藝庫與電子CAD軟件不斷更新,集成電路的速度不斷提高,電路復雜度不斷增加,電路結構隨著電源電壓的降低也隨之調整。針對這一情況,我們對2009年6月齣版的《集成電路設計》第二版進行瞭重新修訂,新版在體係結構上保留原書的特色,基本內容力求符閤教育部高等學校電子信息與電氣信息類基礎課程教學分指導委員會製定的“集成電路設計基礎”課程教學基本要求。
  本次修訂力求結閤當前集成電路技術的發展動態,增加教材的新穎性和實用性。與第二版相比,本版介紹當前最先進的集成電路工藝,以及近年來我國集成電路産業的發展與麵臨的新問題,為讀者提供瞭集成電路設計從前端、版圖、流片到封裝測試的完整流程中的相關知識。結閤設計工具進一步強化瞭設計實例。電路仿真工具選用瞭Cadence公司的PSPICE和Spectre以及Synopsys公司的HSPICE,版圖設計工具則主要選用瞭Cadence的Virtuoso。
  具體修訂內容如下:
  1.第1章在集成電路的發展部分引入瞭當前45nm和22nm等最先進的CMOS工藝,對係統芯片SOC進行瞭比較詳細的介紹。總結瞭當前集成電路發展呈現的新的趨勢與特徵,以及集成電路發展所麵臨的機遇和存在的問題。在集成電路製造途徑部分,更新瞭我國集成電路工藝廠傢能夠提供的最新工藝。
  2.為增加本書的連貫性,第4章的集成電路器件工藝部分增加瞭HBT和PHEMT的Π型小信號等效電路模型,為後麵第6章SPICE模型部分的內容進行瞭鋪墊。對幾種器件工藝的電學性能進行瞭比較。在MOS管的工作原理部分,不僅提供瞭直觀的剖麵圖,同時增加瞭文字說明,進一步強化瞭基本概念與基本原理。
  3.SPICE是集成電路EDA技術的語言基礎,當前幾乎所有的電路仿真應用軟件都是以SPICE為內核的,或者是在SPICE基礎上的擴充。模擬工具的網錶文件輸入形式雖然原理性比較強,在處理大工程時效率高,不易齣錯,但是圖形界麵比較直觀形象,易於查錯,受到許多高等學校學生和研究人員的廣泛歡迎。因此第7章的SPICE仿真實例部分,在第二版原有的HSPICE網錶文件形式仿真實例的基礎上,增加瞭對PSPICE圖形界麵輸入形式的介紹,並對相同的電路介紹瞭圖形界麵的設計流程,也便於讀者進行設計與比較。
  4.第8章集成電路版圖設計與工具中更新瞭部分軟件界麵圖。
  5.對第11章集成電路數字係統設計基礎部分進行瞭改寫。豐富瞭硬件描述語言VHDL部分的內容,增加瞭現場可編程門陣列(FPGA)設計實例,使本章的內容更翔實、全麵,便於初學者學習,目的是加強本書的基礎性。
  為瞭方便讀者上機練習本書集成電路仿真實例的內容,書後附有Cadence公司提供的PSPICE學生版軟件光盤一張,光盤同時還配有第7章中HSPICE和PSPICE兩種仿真工具的電路實例設計包。
  本書提供配套多媒體電子課件,請登錄華信教育資源網注冊下載。
  本書可作為電子、通信與信息等學科高年級本科生和碩士生的教材,也可作為集成電路設計工程師的參考用書。
  本書的修訂大綱與內容由王誌功組織並審定,由陳瑩梅主持編寫,Cadence公司中國區AE總監陳春章博士對PSPICE軟件的提供進行瞭大力支持,東南大學射頻與光電集成電路研究所的研究生宰大偉為PSPICE軟件實例做瞭部分前期工作。電子工業齣版社的王羽佳編輯在組織齣版和編輯工作中給以瞭很大的支持。多年來,廣大讀者和兄弟院校教師對本書提齣的批評和建議,對我們有很大的幫助和促進。在此對以上各方人士錶示衷心的感謝!並懇請讀者對本書繼續批評和指正。
  編者
  2012年12月於東南大學    
				
 
				
				
					《集成電路設計(第3版)》:揭秘微小世界中的智慧之光  在這日新月異的科技浪潮中,集成電路(Integrated Circuit,IC)無疑是推動現代文明進步的基石。從智能手機的芯片到航空航天的精密部件,從傢用電器到尖端醫療設備,IC的身影無處不在,它們是電子設備的大腦與神經係統,更是信息時代的核心驅動力。而《集成電路設計(第3版)》這本教材,正是為那些渴望深入理解並掌握這一關鍵技術領域的讀者精心打造的一扇知識大門。  本書並非泛泛而談,而是以其嚴謹的學術態度和深入淺齣的講解,係統地梳理瞭集成電路設計的完整流程與核心理論。它不僅適閤電子信息工程、微電子學、集成電路設計與集成係統等相關專業的高年級本科生和研究生作為教材,同樣也為從事IC設計、研發、驗證及相關行業的工程師提供瞭一份寶貴的技術參考。  精雕細琢,層層遞進的知識體係  《集成電路設計(第3版)》以其清晰的邏輯結構,將龐雜的IC設計知識體係化、條理化。全書內容涵蓋瞭從基礎概念到高級應用的各個層麵,力求為讀者構建一個紮實且全麵的知識框架。  第一部分:基礎奠基——硬件描述語言與邏輯綜閤  任何現代集成電路設計的起點,都離不開強大的建模和描述工具。本書開篇即聚焦於硬件描述語言(HDL),重點介紹業界主流的Verilog HDL和VHDL。通過詳盡的語法解析、豐富的實例演示,讀者將學會如何用這些“語言”精確地描述數字電路的功能和結構,從而為後續的設計打下堅實基礎。從基本的邏輯門電路,到復雜的組閤邏輯和時序邏輯,再到寄存器傳輸級(RTL)的抽象描述,本書都進行瞭細緻入微的講解。  緊隨其後的是邏輯綜閤的概念。理解邏輯綜閤,就是理解如何將用HDL描述的高層抽象轉化為實際可執行的門級網錶。本書將深入探討邏輯綜閤的目標、約束條件以及常見的綜閤工具的工作原理。讀者將學習到如何編寫易於綜閤的HDL代碼,如何優化綜閤結果以滿足性能、麵積和功耗的要求,以及如何理解和分析綜閤報告,從而有效指導設計。  第二部分:核心技術——電路原理與版圖設計  在掌握瞭HDL和邏輯綜閤的基礎後,本書將帶領讀者深入到集成電路設計的“硬件”層麵。  MOSFET器件模型是理解現代IC工作原理的基石。本書將係統介紹MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的各種模型,從SPICE模型到更精確的幾何模型,幫助讀者理解器件的電學特性,如閾值電壓、跨導、輸齣電阻等,以及它們如何影響電路的性能。  CMOS電路設計是本書的核心章節之一。CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術因其低功耗、高集成度的優點,成為現代數字集成電路的主流工藝。本書將詳細講解CMOS反相器、傳輸門、多路選擇器、加法器、觸發器等基本邏輯門電路和存儲單元的CMOS實現方式,並深入分析它們的性能特點。在此基礎上,本書還將介紹更復雜的組閤邏輯和時序邏輯的CMOS設計技術。  時序電路設計是實現復雜功能的關鍵。本書將詳細闡述時鍾信號的作用,講解鎖存器、觸發器(D觸發器、JK觸發器、T觸發器)、寄存器、移位寄存器、計數器等時序電路的設計原理和實現方法。特彆會強調時序約束,如建立時間(setup time)和保持時間(hold time),以及如何避免時序違例,這對於保證電路在高速運行時鍾下正常工作至關重要。  版圖設計是IC設計過程中將邏輯電路轉化為物理實現的環節。本書將介紹版圖設計的概念,包括標準單元庫、版圖布局、布綫規則、設計規則檢查(DRC)、版圖與原理圖一緻性檢查(LVS)等。讀者將瞭解如何根據工藝參數和設計需求,將電路的邏輯結構轉化為可製造的物理版圖,以及如何通過版圖設計來優化電路的性能。  第三部分:高級主題與驗證  為瞭讓讀者更全麵地掌握IC設計的相關技術,本書還涵蓋瞭一些高級主題和至關重要的驗證環節。  功耗分析與設計:在移動化和物聯網時代,低功耗設計已成為IC設計的重中之重。本書將探討不同電路結構帶來的功耗差異,介紹各種降低功耗的技術,如動態功耗和靜態功耗的分析方法,以及門控時鍾、動態電壓頻率調整(DVFS)等策略。  版圖後仿真與寄生參數提取:在版圖設計完成後,需要進行更為精確的仿真以預測實際工作性能。本書將介紹版圖後仿真(Post-Layout Simulation)的概念,以及如何從版圖中提取寄生電阻和寄生電容,並將其用於仿真,從而更準確地評估電路的性能,發現潛在的設計問題。  測試與可測試性設計(DFT):集成電路的可靠性離不開有效的測試。本書將介紹IC測試的基本原理,以及如何通過可測試性設計(DFT)技術,如掃描鏈、內建自測試(BIST)等,來提高測試覆蓋率,降低測試成本,並確保産品的質量。  EDA工具的應用:在整個IC設計流程中,EDA(Electronic Design Automation)工具扮演著不可或缺的角色。本書將在講解相關概念的同時,穿插介紹主流EDA工具在各個設計環節的應用,如綜閤工具、布局布綫工具、仿真工具、物理驗證工具等,幫助讀者瞭解實際工作中的工具鏈。  精益求精,實踐齣真知  《集成電路設計(第3版)》的價值遠不止於理論知識的傳授。本書在每個章節都精心設計瞭豐富的實例,從簡單的邏輯功能實現到復雜的模塊設計,這些實例都緊密結閤實際應用,能夠幫助讀者將理論知識轉化為實踐技能。此外,書中還提供瞭大量的習題,覆蓋瞭從概念理解到問題解決的各個層麵,鼓勵讀者主動思考,鞏固所學。  附帶的CD光盤更是本書的一大亮點。光盤中包含瞭豐富的配套資源,例如:     設計工具的試用版或開源版本:為讀者提供實踐的平颱。    源代碼示例:書中講解的各種電路和設計模塊的Verilog/VHDL源代碼,方便讀者參考和修改。    仿真波形和設計文件:幫助讀者直觀理解電路的行為。    相關的技術文檔和論文索引:為有進一步研究需求的讀者提供指引。    視頻教程或演示:可能包含對關鍵概念的直觀演示,使學習更加生動。  這些配套資源的設計,旨在最大程度地降低學習門檻,鼓勵讀者動手實踐,通過“做中學”的方式,真正掌握集成電路設計的精髓。  麵嚮未來,驅動創新  集成電路設計是一個快速發展且充滿挑戰的領域。每一代新技術的齣現,都為IC設計帶來瞭新的機遇和挑戰。《集成電路設計(第3版)》在內容的編排和更新上,充分考慮瞭當前及未來IC設計的發展趨勢。它不僅教授經典的設計方法,也為讀者提供瞭理解和掌握新興技術(如異構集成、先進封裝等)所需的紮實基礎。  通過學習本書,讀者將不僅能夠理解現有集成電路的原理和設計流程,更能培養起獨立分析問題、解決問題的能力,以及持續學習和適應新技術的能力。這對於在競爭激烈的IC設計行業中立足並不斷創新至關重要。  總之,《集成電路設計(第3版)》是一部集理論深度、實踐指導和資源支持於一體的優秀教材。它將帶領讀者穿越微電子技術的奇妙世界,從抽象的邏輯描述到真實的物理芯片,逐步揭示集成電路設計背後的智慧與奧秘,為培養新一代的IC設計人纔,推動科技的持續進步,貢獻重要力量。