国外名校最新教材精选：模拟CMOS集成电路设计 [Design of Analog CMOS and Integrated Circuits] pdf epub mobi txt 电子书下载 2025

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拉扎维著

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出版社：西安交通大学出版社

ISBN：9787560516066

版次：1

商品编码：11390765

包装：平装

丛书名：国外名校最新教材精选

外文名称：Design of Analog CMOS and Integrated Circuits

开本： 16开

出版时间：2003-02-01

用纸：胶版纸

页数：562

正文语

具体描述

编辑推荐

　　毕查德·拉扎维编著的这本《国外名校较新教材精选：模拟CMOS集成电路设计》是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的新教材。《国外名校较新教材精选：模拟CMOS集成电路设计》组织严谨，内容丰富，循序渐进。在阐述原理和概念时，由浅入深，逐步分析。模拟电路设计需要直观、严密和创新。在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时，着重观察和分析，不断地提出问题和解决问题，重视这三方面能力的培养。

内容简介

　　毕查德·拉扎维编著的这本《国外名校较新教材精选：模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《国外名校较新教材精选：模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。《国外名校较新教材精选：模拟CMOS集成电路设计》共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响，第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。《国外名校较新教材精选：模拟CMOS集成电路设计》是现代模拟集成电路设计的理想教材或参考书。可供与集成电路领域有关的各电类专业的高年级本科生和研究生使用，也可供从事这一领域的工程技术人员自学和参考。

作者简介

　　毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位，并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT＆T贝尔实验室工作，随后又受聘于Hewlett—Packard实验室，直到1996年为止。1996年9月，他成为加州大学洛杉矶分校的电气工程系副教授，随后晋升为教授。目前他从事的研究包括无线收发、频率合成、高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。
　　拉扎维教授分别于1992年到1994年在普林斯顿大学(新泽西州普林斯顿)和1995年在斯坦福大学任副教授。他是VLSI电路专题讨论会的技术程序委员会和国际固体电子协会(ISSCC)的成员，在其中担任模拟小组委员会的主席。此外，他还分别担任IEEE固体电路杂志、IEEE电路和系统杂志及高速电子学国际杂志的特邀编辑和副编辑。
　　拉扎维教授于1994年因为卓越的编辑能力获ISSCC的Beatrice奖，1994年在欧洲固体电子会议上获很好论文奖，1995年和1997年ISSCC的很好专题小组奖，1997年TRw创新教学奖，1998年IEEE定制集成电路会议很好论文奖。他是《数据转换系统设计原理》(IEEE出版，1995)和《RF微电子学》(PrenticeHall出版，1998)的作者，以及《单片锁相环和时钟恢复电路》(IEEE出版，1996)的编者。

内页插图

作者简介
中文版前言
译者序
序
致谢
第1章模拟电路设计绪论
第2章 MOS器件物理基础
第3章单级放大器
第4章差动放大器
第5章无源与有源电流镜
第6章放大器的频率特性
第7章噪声
第8章反馈
第9章运算放大器
第10章稳定性与频率补偿
第11章带隙基准
第12章开关电容电路
第13章非线性与不匹配
第14章振荡器
第15章锁相环
第16章短沟道效应与器件模型
第17章 CMOS工艺技术
第18章版图与封装
英汉词汇对照