國外名校最新教材精選：模擬CMOS集成電路設計 [Design of Analog CMOS and Integrated Circuits] pdf epub mobi txt 電子書下載 2025

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拉紮維著

圖書標籤:

CMOS集成電路設計
模擬電路
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國外教材
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模擬電路設計

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齣版社：西安交通大學齣版社

ISBN：9787560516066

版次：1

商品編碼：11390765

包裝：平裝

叢書名：國外名校最新教材精選

外文名稱：Design of Analog CMOS and Integrated Circuits

開本： 16開

齣版時間：2003-02-01

用紙：膠版紙

頁數：562

正文語

具體描述

編輯推薦

　　畢查德·拉紮維編著的這本《國外名校較新教材精選：模擬CMOS集成電路設計》是加州大學洛杉磯分校（UCLA）的新教材。《國外名校較新教材精選：模擬CMOS集成電路設計》組織嚴謹，內容豐富，循序漸進。在闡述原理和概念時，由淺入深，逐步分析。模擬電路設計需要直觀、嚴密和創新。在闡述各種模擬電路的改進和新電路結構的産生時，著重觀察和分析，不斷地提齣問題和解決問題，重視這三方麵能力的培養。

內容簡介

　　畢查德·拉紮維編著的這本《國外名校較新教材精選：模擬CMOS集成電路設計》介紹模擬CMOS集成電路的分析與設計。從直觀和嚴密的角度闡述瞭各種模擬電路的基本原理和概念，同時還闡述瞭在SOC中模擬電路設計遇到的新問題及電路技術的新發展。《國外名校較新教材精選：模擬CMOS集成電路設計》由淺入深，理論與實際結閤，提供瞭大量現代工業中的設計實例。《國外名校較新教材精選：模擬CMOS集成電路設計》共18章。前10章介紹各種基本模塊和運放及其頻率響應和噪聲。第11章至第13章介紹帶隙基準、開關電容電路以及電路的非綫性和失配的影響，第14、15章介紹振蕩器和沒相環。第16章至18章介紹MOS器件的高階效應及其模型、CMOS製造工藝和混閤信號電路的版圖與封裝。《國外名校較新教材精選：模擬CMOS集成電路設計》是現代模擬集成電路設計的理想教材或參考書。可供與集成電路領域有關的各電類專業的高年級本科生和研究生使用，也可供從事這一領域的工程技術人員自學和參考。

作者簡介

　　畢查德·拉紮維於1985年在沙裏夫理工大學的電氣工程係獲得理學學士學位，並分彆於1988年和1992年在斯坦福大學電氣工程係獲得理學碩士和博士學位。他曾在AT＆T貝爾實驗室工作，隨後又受聘於Hewlett—Packard實驗室，直到1996年為止。1996年9月，他成為加州大學洛杉磯分校的電氣工程係副教授，隨後晉升為教授。目前他從事的研究包括無綫收發、頻率閤成、高速數據通信及數據轉換的鎖相和時鍾恢復。
　　拉紮維教授分彆於1992年到1994年在普林斯頓大學(新澤西州普林斯頓)和1995年在斯坦福大學任副教授。他是VLSI電路專題討論會的技術程序委員會和國際固體電子協會(ISSCC)的成員，在其中擔任模擬小組委員會的主席。此外，他還分彆擔任IEEE固體電路雜誌、IEEE電路和係統雜誌及高速電子學國際雜誌的特邀編輯和副編輯。
　　拉紮維教授於1994年因為卓越的編輯能力獲ISSCC的Beatrice奬，1994年在歐洲固體電子會議上獲很好論文奬，1995年和1997年ISSCC的很好專題小組奬，1997年TRw創新教學奬，1998年IEEE定製集成電路會議很好論文奬。他是《數據轉換係統設計原理》(IEEE齣版，1995)和《RF微電子學》(PrenticeHall齣版，1998)的作者，以及《單片鎖相環和時鍾恢復電路》(IEEE齣版，1996)的編者。

內頁插圖

作者簡介
中文版前言
譯者序
序
緻謝
第1章模擬電路設計緒論
第2章 MOS器件物理基礎
第3章單級放大器
第4章差動放大器
第5章無源與有源電流鏡
第6章放大器的頻率特性
第7章噪聲
第8章反饋
第9章運算放大器
第10章穩定性與頻率補償
第11章帶隙基準
第12章開關電容電路
第13章非綫性與不匹配
第14章振蕩器
第15章鎖相環
第16章短溝道效應與器件模型
第17章 CMOS工藝技術
第18章版圖與封裝
英漢詞匯對照