具体描述
| 商品名称： | IGBT器件——物理、设计与应用 |
| 作者： | ［美］贾扬·巴利加（Ｂ.ＪａｙａｎｔＢａｌｉｇａ） |
| 市场价： | 159.00 |
| ISBN号： | 9787111590378 |
| 版次： | 1-1 |
| 出版日期： | 2018-04 |
| 页数： | 447 |
| 字数： | 773 |
| 出版社： | 机械工业出版社 |
本书从IGBT发明开始，介绍了IGBT的模型和基本工作原理、各种元胞结构、设计与制造工艺、封装与驱动、安全工作区等，并给出了在多达十几个行业中的具体应用，包括应用电路和参数指标等。本书内容深入浅出，适合电力电子、微电子、功率器件、功率IC设计与制造领域的研究人员、技术人员阅读，也可作为高等院校相关专业本科生和研究生的参考书。
译者序
原书序
原书前言
作者简介
１章 绪论１
１.１ ＩＧＢＴ应用范围２
１.２ 基本的ＩＧＢＴ器件结构２
１.３ ＩＧＢＴ发展和商业化历史３
１.４ 功率等级的扩展８
１.５ 总结１０
参考文献１１
２章 ＩＧＢＴ的结构和工作模式１３
２.１ 对称的Ｄ－ＭＯＳ结构１３
２.２ 非对称的Ｄ－ＭＯＳ结构１４
２.３ 沟槽栅ＩＧＢＴ结构１５
２.４ 透明集电极ＩＧＢＴ结构１６
２.５ 新颖的ＩＧＢＴ结构１６
２.６ 横向ＩＧＢＴ结构１８
２.７ 互补的ＩＧＢＴ结构１９
２.８ 总结１９
参考文献１９
３章 ＩＧＢＴ结构设计２１
３.１ 阈值电压２１
３.２ 对称结构ＩＧＢＴ ２２
３.２.１ 阻断电压２３
３.２.２ 开态特性２４
３.２.３ 积累电荷２７
３.２.４ 关断波形２９
３.２.５ 关断损耗３１
３.２.６ 能量损耗折中曲线３１
３.３ 非对称结构ＩＧＢＴ ３３
３.３.１ 阻断电压３３
３.３.２ 开态特性３５
３.３.３ 积累电荷３９
３.３.４ 关断波形４１
３.３.５ 关断损耗４４
３.３.６ 能量损耗折中曲线４７
３.４ 透明集电极ＩＧＢＴ ５０
３.４.１ 阻断电压５０
３.４.２ 开态特性５１
３.４.３ 积累电荷５５
３.４.４ 关断波形５５
３.４.５ 关断损耗５８
３.４.６ 能量损耗折中曲线５９
３.５ ＳｉＣＩＧＢＴ ６２
３.５.１ Ｎ型非对称ＳｉＣＩＧＢＴ ６２
３.５.２ 阻断电压６３
３.５.３ 导通电压降６５
３.５.４ 关断特性６７
３.５.５ 关断损耗７０
３.６ 优化非对称结构ＳｉＣＩＧＢＴ结构７０
３.６.１ 优化结构设计７０
３.６.２ 导通电压降７１
３.６.３ 关断特性７２
３.６.４ 能量损耗折中曲线７３
３.６.５ 大工作频率７５
３.７ 总结７６
参考文献７６
４章 安全工作区设计７９
４.１ 寄生晶闸管７９
４.２ 抑制寄生晶闸管８０
４.２.１ 深Ｐ＋扩散８０
４.２.２ 减小栅氧化层厚度８１
４.２.３ 空穴电流分流结构８４
４.２.４ 器件元胞拓扑８５
４.２.５ 抑制闩锁器件结构８８
４.３ 安全工作区８９
４.３.１ 正偏ＳＯＡ ９０
４.３.２ 反偏ＳＯＡ ９２
４.３.３ 短路ＳＯＡ ９３
４.４ 新型硅器件结构９４
４.５ 碳化硅器件９５
４.６ 总结９５
参考文献９６
５章 芯片设计、保护和制造９７
５.１ 有源区９７
５.２ 栅极压焊块设计９９
５.３ 边界终端设计１０１
５.４ 集成传感器１０３
５.４.１ 过电流保护１０３
５.４.２ 过电压保护１０６
５.４.３ 过温保护１０７
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