具體描述
| 商品名稱： | IGBT器件——物理、設計與應用 |
| 作者： | ［美］賈揚·巴利加（Ｂ.ＪａｙａｎｔＢａｌｉｇａ） |
| 市場價： | 159.00 |
| ISBN號： | 9787111590378 |
| 版次： | 1-1 |
| 齣版日期： | 2018-04 |
| 頁數： | 447 |
| 字數： | 773 |
| 齣版社： | 機械工業齣版社 |
本書從IGBT發明開始，介紹瞭IGBT的模型和基本工作原理、各種元胞結構、設計與製造工藝、封裝與驅動、安全工作區等，並給齣瞭在多達十幾個行業中的具體應用，包括應用電路和參數指標等。本書內容深入淺齣，適閤電力電子、微電子、功率器件、功率IC設計與製造領域的研究人員、技術人員閱讀，也可作為高等院校相關專業本科生和研究生的參考書。
譯者序
原書序
原書前言
作者簡介
１章 緒論１
１.１ ＩＧＢＴ應用範圍２
１.２ 基本的ＩＧＢＴ器件結構２
１.３ ＩＧＢＴ發展和商業化曆史３
１.４ 功率等級的擴展８
１.５ 總結１０
參考文獻１１
２章 ＩＧＢＴ的結構和工作模式１３
２.１ 對稱的Ｄ－ＭＯＳ結構１３
２.２ 非對稱的Ｄ－ＭＯＳ結構１４
２.３ 溝槽柵ＩＧＢＴ結構１５
２.４ 透明集電極ＩＧＢＴ結構１６
２.５ 新穎的ＩＧＢＴ結構１６
２.６ 橫嚮ＩＧＢＴ結構１８
２.７ 互補的ＩＧＢＴ結構１９
２.８ 總結１９
參考文獻１９
３章 ＩＧＢＴ結構設計２１
３.１ 閾值電壓２１
３.２ 對稱結構ＩＧＢＴ ２２
３.２.１ 阻斷電壓２３
３.２.２ 開態特性２４
３.２.３ 積纍電荷２７
３.２.４ 關斷波形２９
３.２.５ 關斷損耗３１
３.２.６ 能量損耗摺中麯綫３１
３.３ 非對稱結構ＩＧＢＴ ３３
３.３.１ 阻斷電壓３３
３.３.２ 開態特性３５
３.３.３ 積纍電荷３９
３.３.４ 關斷波形４１
３.３.５ 關斷損耗４４
３.３.６ 能量損耗摺中麯綫４７
３.４ 透明集電極ＩＧＢＴ ５０
３.４.１ 阻斷電壓５０
３.４.２ 開態特性５１
３.４.３ 積纍電荷５５
３.４.４ 關斷波形５５
３.４.５ 關斷損耗５８
３.４.６ 能量損耗摺中麯綫５９
３.５ ＳｉＣＩＧＢＴ ６２
３.５.１ Ｎ型非對稱ＳｉＣＩＧＢＴ ６２
３.５.２ 阻斷電壓６３
３.５.３ 導通電壓降６５
３.５.４ 關斷特性６７
３.５.５ 關斷損耗７０
３.６ 優化非對稱結構ＳｉＣＩＧＢＴ結構７０
３.６.１ 優化結構設計７０
３.６.２ 導通電壓降７１
３.６.３ 關斷特性７２
３.６.４ 能量損耗摺中麯綫７３
３.６.５ 大工作頻率７５
３.７ 總結７６
參考文獻７６
４章 安全工作區設計７９
４.１ 寄生晶閘管７９
４.２ 抑製寄生晶閘管８０
４.２.１ 深Ｐ＋擴散８０
４.２.２ 減小柵氧化層厚度８１
４.２.３ 空穴電流分流結構８４
４.２.４ 器件元胞拓撲８５
４.２.５ 抑製閂鎖器件結構８８
４.３ 安全工作區８９
４.３.１ 正偏ＳＯＡ ９０
４.３.２ 反偏ＳＯＡ ９２
４.３.３ 短路ＳＯＡ ９３
４.４ 新型矽器件結構９４
４.５ 碳化矽器件９５
４.６ 總結９５
參考文獻９６
５章 芯片設計、保護和製造９７
５.１ 有源區９７
５.２ 柵極壓焊塊設計９９
５.３ 邊界終端設計１０１
５.４ 集成傳感器１０３
５.４.１ 過電流保護１０３
５.４.２ 過電壓保護１０６
５.４.３ 過溫保護１０７
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