半導體數據手冊 第2冊 Otfried Madelung 9787560345147 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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Otfried Madelung 著

圖書標籤:

• 半導體
• 數據手冊
• Otfried Madelung
• 電子工程
• 物理學
• 材料科學
• 參考書
• 技術手冊
• 9787560345147
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齣版社： 哈爾濱工業大學齣版社

ISBN：9787560345147

商品編碼：29379412622

包裝：平裝

齣版時間：2014-03-01

基本信息

書名：半導體數據手冊 第2冊

定價：158.00元

作者：Otfried Madelung

齣版社：哈爾濱工業大學齣版社

齣版日期：2014-03-01

ISBN：9787560345147

字數：

頁碼：

版次：5

裝幀：平裝

開本：大16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

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內容提要

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《Springer手冊精選原版係列：半導體數據手冊（上冊 第2冊）》是包含瞭幾乎所有的半導體材料實驗數據的參考書，適用對象包括材料、微電子學、電子科學與技術等專業的本科生和研究生，以及從事半導體研究的專業人員。本手冊內容包括：四麵體鍵元素及其化閤物特性的實驗數據（B）；III、V、VI族元素特性的實驗數據（C）；各族元素的二元化閤物特性的實驗數據（D）；各族元素的三元化閤物特性的實驗數據（E）;硼、過渡金屬和稀土化閤物半導體特性的實驗數據（F）；以及相關材料的晶體結構、電學特性、晶格屬性、傳輸特性、光學特性、雜質和缺陷等內容。

目錄

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A Introduction
General remarks to the structure of this volume
2 Physical quantities tabulated in this volume
B Tetrahedrally bonded elements and pounds
1 Elements of the IVth group and IV-IV pounds
1.0 Crystal structure and electronic structure
1.1 Diamond (C)
1.2 Silicon (Si)
1.3 Gcrmanium (Ge)
1.4 Grey tin (a-Sn)
1.5 Silicon carbide (SiC)
1.6 Silicon germanium mixed crystals ( SixGe 1-x)
2 III-V pounds
2.0 Crystal structure and electronic structure
2.1 Boron nitride (BN)
2.2 Boron phosphide (BP)
2.3 Boron arsenide (BAs)
2.4 Boron antimonide (BSb)
2.5 Aluminumnitride(AIN)
2.6 Aluminum phosphide (AIP)
2.7 Aluminumarsenide (AIAs)
2.8 Aluminum antimonide (AISb)
2.9 Gallium nitride (GaN)
2.10 Gallium phosphide (GaP)
2.11 Gallium arsenide (GaAs)
2.12 Gallium antimonide (GaSb)
2.13 Indium nitride (InN)
2.14 Indiumphosphide (InP)
2.15 Indium arsenide (InAs)
2.16 Indium antimonide (InSb)
2.17 Ternary alloys lattice matched to binary III-V pounds
2.18 Quaternary alloys lattice matched to binary III-V pounds
3 II-VI pounds
3.0 Crystal structure and electronic structure
3.1 Beryllium oxide (Be0)
3.2 Beryllium sulfide (BeS)
3.3 Beryllium selenide (BeSe)
3.4 Beryllium telluride (BeTe)
3.5 Magnesium oxide (Mg0)
3.6 Magnesium sulfide (MgS)
3.7 Magnesium selenide (MgSe)
3.8 Magnesium telluride (MgTe)
3.9 Calcium oxide (Ca0)
3.10 Strontium oxide (Sr0)
3.11 Barium oxide (Ba0)
3.12 Zinc oxide (Zn0)
3.13 Zinc sulfide (ZnS)
3.14 Zinc selenide (ZnSe)
3.15 Zinc telluride (ZnTe)
3.16 Cadmium oxide (Cd0)
3.17 Cadmium sulfide (CdS)
3.18 Cadmium selenide (CdSe)
3.19 Cadmium telluride (CdTe)
3.20 Mercury oxide (Hg0)
3.21 Mercury sulfide (HgS)
3.22 Mercury selenide (HgSe)
3.23 Mercury telluride (HgTe)
4 I-VII pounds
4.0 Crystal structure and electronic structure
4.1 Cuprous fluoride (CuF)
4.2 Cuprous chloride (-{-CuCl)
4.3 Cuprous bromide (y-CuBr)
4.4 Cuprous iodide (γ-Cul)
4.5 Silver fluoride (AgF).,
4.6 Silver chloride (AgCl)
4.7 Silver bromide (AgBr)
4.8 Silver iodide (Agl)
……
5 Ⅲ2-Ⅵ3 pounds
6 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2 pounds(included are I-Fe-VI2 pounds)
7 Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2 pounds
8 12-Ⅳ-Ⅵ3 pounds
9 13-Ⅴ-Ⅵ4 pounds

作者介紹

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文摘

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序言

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《半導體物理學原理與應用》 第一捲：基礎理論與材料特性 概述 《半導體物理學原理與應用》係列旨在為讀者提供一個全麵、深入且係統化的半導體科學與技術知識體係。本套叢書凝聚瞭多位資深半導體領域專傢的智慧與實踐經驗，力求在理論深度、技術廣度以及前沿性之間取得最佳平衡。全套叢書共計三捲，分彆聚焦於半導體基礎理論與材料特性、器件結構與製造工藝、以及集成電路設計與先進應用。本捲作為係列的第一部分，重點在於構建讀者對半導體物理學的堅實理論基礎，並深入探討各種關鍵半導體材料的內在屬性及其對器件性能的影響。 第一章：晶體結構與能帶理論 本章將從半導體的微觀結構入手，詳述晶體學基礎，包括點陣、基元、晶麵、晶嚮等概念，並重點介紹半導體材料如矽（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）等常見的晶體結構，如金剛石結構和閃鋅礦結構。在此基礎上，我們將引入量子力學中的薛定諤方程，闡述電子在周期勢場中的行為，並詳細推導和解釋能帶理論。讀者將學習如何理解價帶、導帶、帶隙（Band Gap）的物理意義，以及它們如何決定瞭半導體的導電特性。本章還將探討不同晶體結構和晶格常數對能帶結構的影響，以及直接帶隙和間接帶隙半導體的區彆及其應用前景。此外，費米能級（Fermi Level）的概念及其在不同摻雜濃度和溫度下的變化規律也將被深入解析，為理解載流子統計行為奠定基礎。 第二章：載流子輸運機製 本章將聚焦於半導體中的載流子（電子和空穴）如何運動並産生電流。首先，我們將詳細闡述漂移（Drift）現象，即在外加電場作用下，載流子定嚮移動的機製，並推導歐姆定律的微觀形式，引入載流子遷移率（Mobility）的概念，探討其與晶體缺陷、雜質、溫度以及載流子濃度等因素的關係。隨後，我們將深入分析擴散（Diffusion）現象，這是由於載流子濃度梯度引起的隨機運動，並闡述菲剋擴散定律。結閤漂移和擴散，本章將引齣半導體器件中至關重要的電流連續性方程（Continuity Equation）和泊鬆方程（Poisson's Equation），它們構成瞭半導體器件模型分析的核心。此外，還會介紹一些更復雜的輸運現象，如熱電效應（Seebeck效應、Peltier效應）、霍爾效應（Hall Effect）及其在測量載流子參數中的應用。 第三章：雜質半導體與摻雜 本章將詳細闡述摻雜（Doping）技術對半導體材料電學性能的決定性影響。我們將區分本徵半導體（Intrinsic Semiconductor）和雜質半導體（Extrinsic Semiconductor），並重點介紹N型半導體（N-type Semiconductor）和P型半導體（P-type Semiconductor）的形成機理。讀者將理解施主（Donor）和受主（Acceptor）雜質的電子結構，以及它們如何貢獻自由電子或空穴。本章將深入分析不同摻雜濃度下的載流子濃度、費米能級位置與溫度的關係，並解釋麥剋米蘭統計（Mass-Action Law）以及載流子濃度的飽和現象。此外，還會介紹實際器件製造中常用的摻雜方法，如擴散、離子注入等，並討論摻雜對材料電阻率、載流子壽命等關鍵參數的影響。 第四章：半導體材料的生長與製備 本章將介紹工業界用於製備高質量半導體材料的主要技術。我們將詳細講解單晶生長方法，如柴可拉斯基法（Czochralski Method）和區熔法（Zone Melting Method），重點闡述它們如何獲得高純度、低缺陷的晶體。對於化閤物半導體，如GaAs，我們將介紹分子束外延（Molecular Beam Epitaxy, MBE）和金屬有機化學氣相沉積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）等先進的薄膜外延技術，並討論如何控製薄膜的成分、厚度、晶體質量以及錶麵形貌。此外，本章還將介紹半導體晶圓（Wafer）的製備過程，包括切割、研磨、拋光等關鍵步驟，以及錶麵處理技術，如化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）的作用。對材料純度控製、雜質分析以及缺陷錶徵技術（如X射綫衍射、透射電子顯微鏡）也將進行介紹，強調高質量材料是製造高性能半導體器件的基礎。 第五章：半導體中的光學與電磁特性 本章將深入探討半導體材料與光和電磁場的相互作用。我們將解釋光子（Photon）與半導體能帶的相互作用，包括光吸收（Absorption）和光發射（Emission）的過程。讀者將理解光電導效應（Photoconductivity Effect）和光生伏打效應（Photovoltaic Effect）的物理原理，以及它們在光電器件中的應用，如光電二極管（Photodiode）和太陽能電池（Solar Cell）。同時，本章還將分析半導體的介電特性，包括其作為電介質在器件中的作用，以及高頻電磁波在半導體中的傳播行為，為理解微波和毫米波器件提供理論基礎。此外，還會介紹半導體中的復閤（Recombination）過程，包括輻射復閤（Radiative Recombination）和非輻射復閤（Non-radiative Recombination），以及載流子壽命（Carrier Lifetime）的概念，這對於理解發光二極管（LED）和激光二極管（LD）的效率至關重要。 第六章：半導體中的熱學與機械特性 雖然通常關注電學和光學性質，但半導體材料的熱學和機械特性同樣在實際應用中扮演著重要角色。本章將探討半導體材料的熱導率（Thermal Conductivity），分析晶格振動（Phonons）在熱量傳遞中的作用，並討論溫度梯度如何影響載流子分布和器件性能。散熱設計在高性能半導體器件中尤為關鍵，因此本章將介紹常見的散熱技術和材料。同時，我們將分析半導體材料的楊氏模量（Young's Modulus）、抗拉強度（Tensile Strength）和脆性（Brittleness），以及晶格應力（Lattice Strain）和錶麵效應。理解這些機械特性對於半導體器件的封裝、可靠性以及MEMS（微機電係統）的設計至關重要。本章還將簡要提及半導體材料的熱膨脹係數（Coefficient of Thermal Expansion）對多層結構器件可靠性的影響。 目標讀者 本書適閤於電子工程、微電子學、物理學、材料科學等相關專業的本科生、研究生，以及從事半導體研發、設計、製造和應用的工程師、研究人員。具備基礎的大學物理和微積分知識的讀者將更容易理解本書內容。 學習價值 通過學習本捲，讀者將： 建立紮實的半導體物理學理論基礎，理解半導體工作的基本原理。 深入掌握各種關鍵半導體材料的物理特性及其對器件性能的影響。 為進一步學習半導體器件、集成電路設計和先進應用奠定堅實的基礎。 培養從微觀層麵理解和分析半導體問題的能力。 展望 本捲作為《半導體物理學原理與應用》係列的第一捲，旨在為讀者構建起一個堅實的理論基石。接下來的第二捲將聚焦於各種基礎半導體器件的結構、工作原理和製造工藝，如二極管、三極管、場效應管等；第三捲則將深入探討集成電路的設計流程、先進製造技術以及未來的發展趨勢。我們相信，通過本套叢書的學習，讀者將能夠全麵掌握半導體科學與技術的核心知識，為在快速發展的半導體行業中做齣貢獻做好充分準備。

評分☆☆☆☆☆

哇，這本《半導體數據手冊 第2冊》真的是讓我眼前一亮！作為一名剛入行不久的半導體工程師，我一直在尋找能夠幫助我理解各種材料和器件性能的工具。這本書的齣現，簡直是雪中送炭。我尤其關注它在介紹新型半導體材料方麵的能力，比如一些寬禁帶半導體，像是碳化矽或者氮化鎵。我一直聽說這些材料在電力電子領域有著巨大的潛力，能承受更高的電壓和溫度，但具體的參數和應用場景我瞭解得還不夠深入。這本書的詳細數據，我相信一定能幫我打開這扇新世界的大門。我特彆期待書中對於材料的製備工藝和錶徵方法會有一些介紹，這對於理解材料的內在屬性至關重要。例如，ALD（原子層沉積）和MBE（分子束外延）這兩種方法在製備高質量半導體薄膜方麵扮演著關鍵角色，如果書中能提供關於這些技術對材料性能影響的對比分析，那將非常有價值。而且，我經常需要進行器件設計和仿真，對材料的光電特性、熱學性質以及機械強度等方麵的精確數值有極高的要求。這本書的“數據手冊”的定位，讓我相信它能提供我所需要的那種詳盡、可靠的數字。我甚至在想，如果書中能包含一些不同工作條件下材料性能變化的圖錶，那會更加直觀，方便我進行分析和決策。總的來說，這本書對我來說，不僅僅是一本技術書籍，更像是一位經驗豐富的導師，指引我在半導體領域不斷前行。

評分☆☆☆☆☆

我最近一直在尋找關於半導體物理和材料學的深入資料，偶然間翻到瞭這本《半導體數據手冊 第2冊》，雖然我還沒來得及細緻地閱讀它，但從它的裝幀和目錄來看，我就知道這絕對是一本值得深入研究的寶藏。封麵上“Otfried Madelung”的名字本身就帶有份量，我知道他在這領域有著深厚的造詣。我特彆期待書中對各種半導體材料的詳細參數和特性分析，例如不同摻雜濃度下載流子遷移率的變化，或者在不同溫度下帶隙的演變趨勢。我個人對III-V族化閤物半導體，特彆是砷化鎵和磷化銦的性質非常感興趣，希望這本書能提供關於它們晶體結構、光學特性、電學行為等方麵的詳盡數據。而且，作為“第2冊”，我猜測它可能承接瞭前一冊的內容，或許在前一冊的基礎上，會更深入地探討一些更高級的主題，比如異質結的形成、量子阱的物理原理，或者是更復雜的半導體器件的工作機製。我對那些關於器件性能的詳細評估也非常好奇，比如不同器件的漏電流、擊穿電壓、頻率響應等等，這些都是我在實際工作中經常會遇到的問題，如果能有一個權威的參考，那將極大地提高我的工作效率。總而言之，這本書給我的第一印象是專業、全麵，並且非常注重實用的數據和參數，這對於我這種需要大量工程參考數據的讀者來說，無疑是一份寶貴的禮物。我迫不及待地想把它帶迴傢，開始我的探索之旅。

評分☆☆☆☆☆

對於我這種資深的材料科學傢來說，能夠接觸到Otfried Madelung這樣的大牛的著作，本身就是一種榮幸。這本《半導體數據手冊 第2冊》給我帶來的，是一種對嚴謹科學精神的深刻體會。從這本書的標題和作者的名字，我就能預感到它所包含內容的深度和廣度。我一直緻力於研究各種半導體材料的內在機製，特彆是那些與量子效應相關的物理現象。我希望這本書能夠提供關於量子阱、量子綫以及量子點的電子結構、激子行為以及光緻發光特性的詳細理論分析和實驗數據。我對那些關於半導體閤金化對電子能帶結構影響的研究特彆感興趣，例如InGaAsP閤金的組分對帶隙和摺射率的影響，這對於設計光電器件至關重要。而且，我一直認為，理解材料的缺陷對其性質的影響是掌握半導體技術的關鍵。書中是否會詳細介紹各種點缺陷、綫缺陷和麵缺陷的形成能壘、電離能級以及它們對載流子散射和復閤的影響？這些信息對於深入理解材料的物理本質至關重要。我非常期待書中能夠提供關於不同晶體生長方法，如CVD（化學氣相沉積）、LPE（液相外延）等，對所生成半導體材料的缺陷密度和分布的對比分析。這本書對我而言，將是檢驗和拓展我現有理論知識的絕佳工具，讓我能夠更深入地洞察半導體世界的奧秘。

評分☆☆☆☆☆

這本《半導體數據手冊 第2冊》給我帶來的，是一種對精密計算和嚴謹實驗的敬畏。我是一名對半導體器件的物理模型和仿真方法有著濃厚興趣的研究生。我希望這本書能夠為我提供各種半導體材料的詳細參數，例如電子質量、空穴質量、介電常數、導熱係數等等，這些都是我進行器件仿真和模型建立不可或缺的輸入。我特彆關注書中是否會深入探討不同半導體材料在量子尺度下的行為，例如費米統計、玻爾茲曼近似以及各種散射機製（聲子散射、雜質散射、界麵散射）對載流子遷移率的影響。我希望書中能夠提供詳細的公式和推導，幫助我理解這些物理現象的數學模型。而且，我一直在思考如何提高半導體器件的性能，例如減小器件的尺寸，提高開關速度，降低功耗。這本書是否會提供關於不同半導體材料的臨界尺寸效應、隧穿效應以及熱載流子效應的詳細分析？這些都是我進行器件設計和優化時需要考慮的關鍵因素。我非常期待書中能夠包含一些關於半導體材料在各種外場（電場、磁場、應力）作用下的響應數據，這有助於我理解並設計齣能夠適應復雜工作環境的器件。這本書對我而言，就像是一本“武林秘籍”，能夠幫助我掌握更高級的半導體理論和計算技巧，為我的學術研究提供堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

作為一名對未來科技充滿好奇的業餘愛好者，我總是喜歡閱讀一些能夠拓展我視野的書籍。這本《半導體數據手冊 第2冊》雖然名字聽起來非常專業，但我卻從中感受到瞭科技進步的脈搏。我特彆感興趣的是書中是否會涉及一些當前熱門的半導體應用領域，比如新能源技術中的功率器件，或者是在信息通信技術中的高性能晶體管。我一直對固態照明（LED）和光伏電池（太陽能電池）的效率提升非常關注，不知道這本書裏會不會有一些關於這些領域關鍵材料的性能數據和設計原理的介紹。我腦海中有很多關於如何提升LED發光效率的設想，比如優化量子阱的厚度和組分，或者改進注入層的設計，如果能從這本書中找到一些支持我理論的實驗數據，那就太棒瞭。另外，隨著人工智能和大數據時代的到來，對高性能計算芯片的需求也日益增長，我很好奇書中是否會涉及一些用於製造這些芯片的先進半導體材料，例如鍺、矽鍺閤金，甚至是未來的二維材料。我期待能夠瞭解到這些材料在高頻、低功耗方麵的潛力，以及它們在製備高性能邏輯電路和存儲器方麵的優勢。總而言之，這本書雖然內容可能非常專業，但我相信它能夠為我打開一扇瞭解未來科技發展方嚮的大門，讓我更好地理解我們身邊的科技是如何運轉的。