半導體物理性能手冊 第3捲(下) (日)足立貞夫 9787560345192 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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日足立貞夫 著

圖書標籤:

• 半導體物理
• 半導體材料
• 材料性能
• 物理學
• 電子工程
• 應用物理
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齣版社： 哈爾濱工業大學齣版社

ISBN：9787560345192

商品編碼：29379450557

包裝：平裝

齣版時間：2014-04-01

基本信息

書名：半導體物理性能手冊 第3捲(下)

定價：138.00元

作者：(日)足立貞夫

齣版社：哈爾濱工業大學齣版社

齣版日期：2014-04-01

ISBN：9787560345192

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

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內容提要

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　　《半導體物理性能手冊》介紹瞭各族半導體、化閤物半導體的物理性能，包括：StructuralProperties結構特性ThermalProperties熱學性質ElasticProperties彈性性質PhononsandLatticeVibronicProperties聲子與晶格振動性質CollectiveEffectsandRelatedProperties集體效應及相關性質Energy-BandStructure：Energy-BandGaps能帶結構：能帶隙Energy-BandStructure：ElectronandHoleEffectiveMasses能帶結構：電子和空穴的有效質量ElectronicDeformationPotential電子形變勢ElectronAffinityandSchottkyBarrierHeight電子親和能與肖特基勢壘高度OpticalProperties光學性質Elastooptic，Electrooptic，andNonlinearOpticalProperties彈光、電光和非綫性光學性質CartierTransportProperties載流子輸運性質適用對象包括材料、微電子學、電子科學與技術等專業的本科生和研究生，以及從事半導體研究的專業人員。

目錄

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PrefaceAcknowledgementsContents of Other Volumes10 Cubic Cadmium Sulphide (c-CdS)11 Wurtzite Cadmium Sulphide (w-CdS)12 Cubic Cadmium Selenide (c-CdSe)13 Wurtzite Cadmium Selenide (w-CdSe)14 Cadmium Telluride (CdTe)15 Cubic Mercury Sulphide (β-HgS)16 Mercury Selenide (HgSe)17 Mercury Telluride (HgTe)

作者介紹

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文摘

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序言

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《半導體物理性能手冊 第3捲(下)》是一部深入剖析半導體材料核心物理性能的巨著，聚焦於對半導體器件設計、性能優化以及新材料探索至關重要的各個方麵。本書由日本著名半導體專傢足立貞夫教授傾力編撰，曆經多年研究與實踐的沉澱，匯聚瞭他在該領域的深厚學養和獨到見解。全書分為上下兩冊，本捲（下）承接上捲的宏觀論述，將目光聚焦於半導體材料的精微之處，從微觀層麵的物理機製齣發，詳細闡述瞭各類半導體材料在不同條件下的電學、光學、熱學等關鍵性能錶現，為讀者構建起一個全麵、係統、深入的半導體物理性能認知框架。 本書的寫作旨在彌閤理論與實踐之間的鴻溝，為從事半導體材料研究、器件設計、工藝開發以及相關領域的工程師、研究人員和高年級學生提供一本不可或缺的參考工具書。它不僅是對現有半導體物理知識的係統梳理和總結，更是對未來半導體技術發展趨勢的深刻洞察與前瞻性指引。 核心內容概述： 本捲（下）的篇幅在保持嚴謹學術性的同時，力求內容的詳實與易讀。其核心內容圍繞著以下幾個關鍵維度展開： 載流子動力學與輸運特性： 深入探討瞭不同半導體材料中自由載流子（電子和空穴）的産生、復閤、散射以及在電場作用下的輸運行為。這部分內容詳盡地分析瞭材料的遷移率、擴散係數、導電率等基本輸運參數，並重點闡述瞭錶麵效應、界麵效應、雜質散射、聲子散射等對載流子輸運的復雜影響。對於理解各種半導體器件（如MOSFET、BJT、二極管等）的工作原理以及限製其性能的因素至關重要。例如，在對特定半導體材料進行分析時，會詳細列齣其在不同溫度、摻雜濃度下的遷移率麯綫，並分析導緻遷移率下降的物理機製，為器件設計者提供精確的參數依據。 能帶理論與電子結構： 詳細闡述瞭不同晶體結構和成分的半導體材料的能帶結構，包括價帶、導帶、禁帶寬度、能帶麯率等。通過對電子態密度、費米能級、能帶彎麯等概念的深入剖析，揭示瞭材料電學特性的本源。本書特彆關注瞭閤金半導體（如GaAs、InP、GaN及其固溶體）以及新型半導體材料（如二維材料，如石墨烯、過渡金屬硫化物等）的電子結構特性，並闡釋瞭這些結構差異如何導緻宏觀性能上的巨大差異。例如，在討論III-V族化閤物半導體時，會提供不同組分的閤金的能帶色散關係圖，並分析其直接帶隙或間接帶隙的特性，以及這對光電器件應用的影響。 光學性質與光電轉換： 聚焦於半導體材料與光之間的相互作用，包括光的吸收、發射、透射以及光生載流子的産生和復閤。詳細介紹瞭半導體材料的光學帶隙、摺射率、吸收係數、光緻發光、電緻發光等關鍵光學參數。本書對發光二極管（LED）、激光二極管（LD）、光電二極管（PD）、太陽能電池等光電器件的核心材料性能進行瞭深入的分析，探討瞭材料的朗道-施文格效應、激子效應、俄歇復閤等對光電轉換效率的影響。例如，在介紹 GaN 基半導體時，會詳述其在高亮度 LED 應用中的重要性，並分析其發光波長與材料成分、摻雜程度、量子阱結構的關係。 熱學性質與熱管理： 涵蓋瞭半導體材料的熱導率、比熱容、熱膨脹係數等熱學參數。在當今微電子器件集成度日益提高、功耗不斷增大的背景下，材料的熱學性質對其可靠性和性能穩定性至關重要。本書深入分析瞭熱量在半導體材料中的産生、傳遞和耗散機製，以及界麵熱阻、晶界對熱傳導的影響。對於高性能計算芯片、功率器件等領域的設計者而言，這部分內容提供瞭關鍵的指導，以避免過熱導緻的性能下降和器件失效。例如，在討論SiC功率器件時，會詳細對比其與矽的優劣，重點突齣SiC優異的熱導率和擊穿電壓。 錶麵與界麵物理： 詳細探討瞭半導體錶麵和界麵對材料性能的影響。這包括錶麵態、錶麵重構、肖特基勢壘、歐姆接觸、異質結等概念。對於理解和設計各種先進半導體器件，如MOSFET的柵介質/半導體界麵、PN結、異質結雙極晶體管（HBT）、薄膜晶體管（TFT）等，錶麵和界麵物理特性是核心。本書對界麵散射、界麵陷阱、界麵復閤等對器件性能的製約作用進行瞭詳盡的分析，並提供瞭相應的材料選擇和工藝優化建議。例如，在討論CMOS工藝時，會重點分析柵介質/矽界麵處的陷阱密度對閾值電壓穩定性的影響。 新型半導體材料與新興應用： 隨著科技的進步，對高性能、低功耗、特定功能的新型半導體材料的需求日益增長。本書特彆關注瞭如寬禁帶半導體（SiC、GaN）、二維材料（石墨烯、TMDs）、量子點、有機半導體等前沿材料的物理性能。同時，也探討瞭這些材料在新能源（太陽能電池、固態照明）、高性能電子（5G通信、人工智能加速器）、生物電子學、微機電係統（MEMS）等新興領域的應用潛力及其對材料性能的特殊要求。例如，在介紹GaN在高頻大功率應用的潛力時，會深入分析其優異的電子飽和漂移速度和擊穿電場。 本書的價值與特色： 權威性與深度： 由該領域資深專傢足立貞夫教授主筆，內容經過嚴格的科學驗證和實踐檢驗，具有極高的學術權威性和可信度。 全麵性與係統性： 涵蓋瞭半導體材料從微觀到宏觀的各項關鍵物理性能，構建瞭一個完整的知識體係。 前瞻性與實用性： 在深入分析現有材料性能的基礎上，對未來半導體技術發展趨勢進行瞭預測，為讀者提供瞭寶貴的參考信息和設計思路。 圖文並茂與數據詳實： 配備瞭大量的插圖、圖錶和實驗數據，直觀地展示瞭各種物理現象和性能參數，便於讀者理解和應用。 專業性與細緻性： 對於每個物理概念的闡述都力求準確、詳盡，並輔以必要的數學推導和物理模型，展現瞭作者深厚的功底。 目標讀者： 本書適閤於從事以下工作的專業人士和學生： 半導體材料科學傢與工程師： 進行新型半導體材料的設計、製備、錶徵和性能優化。 集成電路設計工程師： 理解器件物理原理，進行高性能、低功耗的集成電路設計。 半導體器件研發人員： 針對特定應用需求，開發具有特定性能的半導體器件。 工藝工程師： 優化半導體製造工藝，提升器件性能和良率。 大學本科高年級學生和研究生： 學習半導體物理、固體物理、材料科學等相關課程，進行科學研究。 對半導體技術及其未來發展感興趣的專業人士。 《半導體物理性能手冊 第3捲(下)》不僅是一本技術手冊，更是一扇通往半導體世界深層奧秘的窗口。它將幫助讀者更深刻地理解半導體材料的本質，掌握驅動現代電子技術革命的核心原理，並為解決未來技術挑戰提供堅實的基礎。通過閱讀本書，讀者將能夠更清晰地把握半導體技術的脈搏，從而在各自的專業領域取得更大的突破。

評分☆☆☆☆☆

讀完第一批新書後，我通常會習慣性地對照手頭已有的幾本經典教材進行比較。坦率地說，這本書在某些細節的處理上，展現齣一種近乎“偏執”的嚴謹性。作者似乎不滿足於僅僅給齣結論，而是要把每一個物理過程的來龍去脈都交代得清清楚楚，這對於培養深厚的理論素養至關重要。我注意到它在解釋高場效應下載流子輸運特性時，采用瞭非常精妙的過渡描述，似乎將經典物理和量子統計力學的邊界描繪得非常清晰。這種精細度，是很多追求快速成書的齣版物所不具備的。我希望這本書能在統計物理和半導體物理的交叉地帶提供更深層次的洞察，特彆是關於費米能級附近態密度的精確計算方法，這對精確預測材料的摻雜效率和載流子濃度至關重要。這本書給我的感覺是，它不是用來“讀完”的，而是用來“參考”和“學習”的，需要反復咀嚼纔能體會其妙處。

評分☆☆☆☆☆

這部書的封麵設計真是抓人眼球，那種深邃的藍色調和簡潔的字體排版，一看就知道是部嚴謹的學術著作。我拿到手的時候，立刻就被那種厚重感所吸引，感覺裏麵一定匯集瞭大量真知灼見。雖然我還沒來得及深入研讀每一個章節，但光是快速翻閱目錄和前言，就能感受到作者在半導體物理這個領域深厚的功底和對前沿探索的執著。特彆是對於一些基礎概念的闡述，那種層層遞進、深入淺齣的講解方式，簡直是為我們這些想在專業上更進一步的工程師和研究人員量身定做的。我特彆期待能找到關於新型半導體材料特性的那一塊內容，希望能從中獲得一些新的研究思路和實驗方嚮的啓發。這本書的裝幀質量也相當不錯，紙張的觸感很好，印刷清晰，即便是長時間閱讀也不會讓人感到視覺疲勞，這對於需要反復查閱的工具書來說，無疑是一個巨大的加分項。總的來說，這份初步的“見麵禮”已經讓我對後續的深入學習充滿瞭期待，它給我的感覺就像是找到瞭一把通往更深層次理解半導體世界的鑰匙，期待能在接下來的時間裏，把它徹底啃下來。

評分☆☆☆☆☆

拿到這本書時，包裝嚴密，外殼保護得很好，這對於這種精裝的專業書籍來說是必須的。從一個更宏觀的角度來看，我更看重的是作者能否在一個復雜交織的知識體係中，提煉齣清晰的脈絡。半導體物理的知識點繁多，從能帶理論到器件效應，很容易讓人迷失方嚮。我希望這本書能夠像一個經驗豐富的老教授在給我講課一樣，不僅告訴我“是什麼”，更重要的是告訴我“為什麼會這樣”，並且能將不同物理現象之間的內在聯係揭示齣來。尤其是在探討器件尺寸效應時，如何平衡錶麵/界麵效應與體效應的影響，這本書的闡述方式如何，非常值得我探究。我注意到扉頁上印有非常詳細的專業術語對照錶，這再次印證瞭它作為“手冊”的實用定位。總而言之，這本書散發齣的那種沉靜、厚重的學術氣質，讓人肅然起敬，深信這是一筆值得投入時間和精力的知識儲備。

評分☆☆☆☆☆

這本書的齣版年份雖然不算最新，但半導體物理的很多基本原理是跨越時代的，所以這並不影響它的核心價值。吸引我的是它名字裏“性能手冊”這幾個字，這暗示著它不僅僅停留在理論層麵，更注重實際的參數和可量化的描述。我是一名在晶圓廠工作的技術人員，日常工作中經常需要快速定位某個工藝參數變化對最終器件電學特性影響背後的物理機製。我希望這本書能成為我工作颱邊的一本“字典”，當我遇到突發的異常數據時，能迅速翻閱到相應的章節，找到對應的物理模型進行快速排查。那種即查即得、直擊問題的實用性，纔是我最看重的。從目錄結構來看，它似乎對不同材料體係（比如III-V族和寬禁帶材料）的處理都有所覆蓋，這對於我拓寬技術視野非常有幫助。期待它能提供一些關於先進封裝技術下熱電效應的深入分析，畢竟這在功耗控製方麵越來越重要。

評分☆☆☆☆☆

說實話，我購買這類專業書籍，往往更看重的是它的係統性和權威性，而不是那些花哨的修飾。這本書給我的第一印象，就是那種撲麵而來的紮實感，像是站在一個巨大的知識寶庫的入口。我目前正在處理一個關於器件可靠性的項目，急需更精確的載流子輸運模型來指導仿真參數的設置。我對這本書抱有極大的期望，因為它承諾要提供一個全麵且細緻的物理圖像。那些復雜的方程和推導過程，雖然看起來讓人有些望而卻步，但正是這些核心的數學描述，構成瞭我們理解半導體行為的基石。我特彆注意到其中對量子效應在微納尺度下影響的論述，這正是當前半導體技術麵臨的瓶頸之一。如果能從這本書裏找到更清晰的物理圖像來指導我們的實驗設計，那這本書的價值就無可估量瞭。現在我迫不及待地想去查找關於界麵態和能帶彎麯的精確分析章節，希望它能提供一些不同於現有主流教科書的獨特視角，幫助我跳齣固有的思維定勢。