具体描述
基本信息
书名：中国军工电子工艺技术体系
定价：198.00元
作者：张为民
出版社：电子工业出版社
出版日期：2017-01-01
ISBN：9787121303883
字数：
页码：968
版次：1
装帧：平装
开本：16开
商品重量：0.4kg
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内容提要
本书针对当前军工电子工艺技术中存在的问题，以科技创新为切入点，按照工艺技术体系框架展开，清晰地论述了军工电子各工艺之间的关系和与武器装备研制的关联。本书涵盖了系统、整机、元器件、信息功能材料工艺及相应的工艺设备，科学总结了军事电子装备研制生产有关的专业工艺技术和工艺管理方法，全面反映了军事电子工业工艺技术的现状、水平和成就。该书图文并茂，数据准确，既有机理方法的描述，又有可操作的工艺技术；既包括了现今应用的工艺技术，又面向了工艺技术的未来发展，实用性很强。该书的发行，正处于“中国制造2025”全面实施的历史进程中，对落实制造强国战略、提高电子信息工艺水平有重要意义。
目录
篇 概 论n
章 军用电子产品及其工艺技术 2n
1．1 军用电子产品 2n
1．1．1 综合电子信息系统 2n
1．1．2 军事电子装备 2n
1．1．3 电子元器件及信息功能材料 3n
1．2 军工电子工艺技术的内涵与特点 5n
1．2．1 军工电子工艺技术的内涵 5n
1．2．2 军工电子工艺技术的特点 5n
1．3 军工电子工艺技术的地位和作用 7n
1．3．1 军工电子工艺技术的地位 7n
1．3．2 军工电子工艺技术的作用 8n
1．4 军工电子工艺技术的发展历程 10n
参考文献 12n
第2章 军工电子工艺技术体系 13n
2．1 概述 13n
2．1．1 军工电子工艺技术体系图 13n
2．1．2 军工电子工艺技术关系 13n
2．2 军工电子工艺技术体系构成 13n
2．2．1 信息功能材料制造工艺技术 16n
2．2．2 电子元器件制造工艺技术 16n
2．2．3 电气互联技术 17n
2．2．4 电子整机制造工艺技术 19n
2．2．5 共用技术 22n
参考文献 22n
第二篇 工艺技术在军事电子典型装备中的应用n
第3章 典型电子装备制造工艺应用 24n
3．1 雷达制造工艺 24n
3．1．1 雷达及其基本组成 24n
3．1．2 雷达装备工艺技术体系 25n
3．1．3 雷达关键工艺 27n
3．2 电子战装备制造工艺 32n
3．2．1 电子战装备及其基本组成 32n
3．2．2 电子战装备工艺技术体系 33n
3．2．3 电子战装备关键工艺 35n
3．3 通信装备制造工艺 43n
3．3．1 通信装备及其基本组成 43n
3．3．2 通信装备工艺技术体系 44n
3．3．3 通信装备关键工艺 44n
3．4 导航装备制造工艺 50n
3．4．1 导航装备及其基本组成 50n
3．4．2 导航装备工艺技术体系 52n
3．4．3 导航装备关键工艺 54n
3．5 数据链装备制造工艺 57n
3．5．1 数据链装备及其基本组成 57n
3．5．2 数据链装备工艺技术体系 58n
3．5．3 数据链装备关键工艺 60n
3．6 综合电子信息系统制造工艺 61n
3．6．1 综合电子信息系统及其基本组成 61n
3．6．2 综合电子信息系统工艺技术体系 62n
3．6．3 综合电子信息系统关键工艺 64n
参考文献 68n
第4章 典型电子元器件制造工艺应用 70n
4．1 微电子器件制造工艺 70n
4．1．1 微电子器件及其特点 70n
4．1．2 微电子器件制造工艺流程 76n
4．1．3 微电子器件制造工艺技术体系 78n
4．1．4 微电子器件制造关键工艺 78n
4．2 光电子器件制造工艺 85n
4．2．1 光电子器件及其特点 85n
4．2．2 光电子器件制造工艺流程 89n
4．2．3 光电子器件制造工艺技术体系 95n
4．2．4 光电子器件制造关键工艺 97n
4．3 真空电子器件制造工艺 100n
4．3．1 真空电子器件及其特点 100n
4．3．2 真空电子器件制造工艺流程 102n
4．3．3 真空电子器件制造工艺技术体系 104n
4．3．4 真空电子器件制造关键工艺 106n
4．4 MEMS器件制造工艺 107n
4．4．1 MEMS器件及其特点 107n
4．4．2 MEMS器件制造工艺流程 110n
4．4．3 MEMS器件制造工艺技术体系 113n
4．4．4 MEMS器件制造关键工艺 114n
4．5 物理电源制造工艺 115n
4．5．1 物理电源及其特点 115n
4．5．2 物理电源制造工艺流程 116n
4．5．3 物理电源制造工艺技术体系 117n
4．5．4 物理电源制造关键工艺 118n
4．6 传感器制造工艺 118n
4．6．1 传感器及其特点 118n
4．6．2 传感器制造工艺流程 121n
4．6．3 传感器制造工艺技术体系 123n
4．6．4 传感器制造关键工艺 123n
4．7 微系统集成制造工艺 124n
4．7．1 微系统集成制造及其特点 124n
4．7．2 微系统集成制造工艺流程 127n
4．7．3 微系统集成制造工艺技术体系 129n
4．7．4 微系统集成制造关键工艺 130n
参考文献 132n
第三篇 信息功能材料制造工艺技术n
第5章 信息功能材料制造工艺技术概述 134n
5．1 信息功能材料的内涵及特点 134n
5．2 信息功能材料制造工艺的地位及作用 134n
5．3 信息功能材料工艺体系框架 135n
第6章 晶体材料生长技术 136n
6．1 概述 136n
6．1．1 晶体材料生长技术体系 136n
6．1．2 晶体材料生长技术的应用现状 137n
6．2 熔体法晶体生长工艺 137n
6．2．1 直拉法晶体生长工艺 137n
6．2．2 区熔法晶体生长工艺 140n
6．2．3 LEC晶体生长工艺 142n
6．2．4 VB/VGF法晶体生长工艺 144n
6．3 气相法晶体生长工艺 146n
6．3．1 PVT法晶体生长工艺 146n
6．3．2 HVPE法晶体生长工艺 148n
6．4 晶体生长设备 149n
6．4．1 直拉单晶生长炉 150n
6．4．2 区熔单晶生长炉 150n
6．4．3 LEC单晶生长炉 150n
6．4．4 VB/VGF单晶生长炉 151n
6．4．5 PVT法单晶生长炉 152n
6．4．6 HVPE法单晶生长炉 153n
6．5 晶体材料生长技术发展趋势 154n
参考文献 154n
第7章 晶体材料加工技术 155n
7．1 概述 155n
7．1．1 晶体材料加工技术体系 155n
7．1．2 晶体材料加工技术的应用现状 156n
7．2 晶体材料加工技术 156n
7．2．1 断棒 156n
7．2．2 单晶棒外圆滚磨和定位面的制作 156n
7．2．3 切片 159n
7．2．4 倒角 160n
7．2．5 倒角后晶圆的厚度分选 160n
7．2．6 晶圆的双面研磨或表面磨削 161n
7．2．7 化学腐蚀 162n
7．2．8 腐蚀后晶圆的厚度分选 163n
7．2．9 抛光 163n
7．2．10 晶圆清洗 165n
7．2．11 晶圆测量与包装 165n
7．3 晶体加工设备 166n
7．3．1 切片机 166n
7．3．2 倒角机 166n
7．3．3 磨抛设备 167n
7．3．4 清洗设备 168n
7．4 晶体材料加工技术发展趋势 168n
参考文献 169n
第8章 粉体材料制备技术 170n
8．1 概述 170n
8．1．1 粉体材料制备技术体系 170n
8．1．2 粉体材料制备技术的应用现状 170n
8．2 固相法粉体制备工艺 170n
8．2．1 配料、混料 171n
8．2．2 预烧 171n
8．2．3 磨料 172n
8．3 液相法粉体制备工艺 172n
8．3．1 溶胶凝胶法 172n
8．3．2 水热合成法 173n
8．3．3 共沉淀法 173n
8．4 粉体制备工艺设备 174n
8．4．1 固相法粉体制备工艺设备 174n
8．4．2 液相法粉体制备工艺设备 176n
8．5 粉体材料制备技术发展趋势 176n
参考文献 176n
第9章 粉体材料成型技术 177n
9．1 概述 177n
9．1．1 粉体材料成型技术体系 177n
9．1．2 粉体材料成型技术的应用现状 177n
9．2 粉体材料成型工艺 177n
9．2．1 成型工艺 177n
9．2．2 烧结工艺 179n
9．2．3 磨加工工艺 180n
9．2．4 清洗检验 181n
9．3 粉体材料加工工艺设备 181n
9．3．1 成型设备 181n
9．3．2 烧结设备 182n
9．3．3 磨加工设备 183n
9．4 粉体材料加工工艺发展趋势 183n
参考文献 184n
第四篇 电子元器件制造工艺技术n
0章 外延工艺 186n
10．1 概述 186n
10．1．1 外延工艺技术体系 186n
10．1．2 外延工艺的应用现状 187n
10．2 气相外延（VPE）工艺 187n
10．2．1 Si气相外延 188n
10．2．2 SiGe气相外延 189n
10．2．3 GaAs气相外延 190n
10．2．4 SiC气相外延 192n
10．3 液相外延（LPE）工艺 192n
10．3．1 GaAs系液相外延 193n
10．3．2 InP系液相外延 194n
10．3．3 HgCdTe系液相外延 194n
10．4 分子束外延（MBE）工艺 195n
10．4．1 固态源分子束外延（SSMBE） 195n
10．4．2 气态源分子束外延（GSMBE） 197n
10．4．3 有机源分子束外延（MOMBE） 197n
10．5 金属有机物化学气相淀积外延（MOCVD）工艺 198n
10．5．1 GaAs/InP系MOCVD 198n
10．5．2 GaN系MOCVD 200n
10．6 外延设备 201n
10．6．1 气相外延（VPE）炉 201n
10．6．2 液相外延炉 201n
10．6．3 分子束外延设备 202n
10．6．4 金属有机物化学气相淀积外延设备 202n
10．7 外延工艺发展趋势 204n
参考文献 204n
1章 掩模制造与光刻工艺 205n
11．1 概述 205n
11．1．1 掩模制造与光刻工艺技术体系 205n
11．1．2 掩模制造与光刻工艺的应用现状 206n
11．2 掩模制造工艺 206n
11．2．1 数据处理 206n
11．2．2 曝光 207n
11．2．3 掩模的基板 207n
11．2．4 掩模制造工艺分类 207n
11．2．5 掩模质量控制 208n
11．3 光刻工艺 209n
11．3．1 预处理 209n
11．3．2 涂胶 210n
11．3．3 曝光 210n
11．3．4 显影 214n
11．3．5 光刻质量控制 215n
11．4 掩模和光刻设备 217n
11．4．1 涂胶显影轨道 217n
11．4．2 光刻机 217n
11．4．3 电子束曝光系统 217n
11．5 掩模制造与光刻工艺发展趋势 218n
参考文献 219n
2章 掺杂工艺 220n
12．1 概述 220n
12．1．1 掺杂工艺技术体系 220n
12．1．2 掺杂工艺的应用现状 220n
12．2 扩散工艺 221n
12．2．1 扩散 221n
12．2．2 常用扩散工艺 223n
12．2．3 扩散层质量的检验 227n
12．3 离子注入工艺 229n
12．3．1 离子注入 229n
12．3．2 离子注入系统 231n
12．3．3 离子注入参数 233n
12．3．4 离子注入工艺与应用 233n
12．4 掺杂设备 235n
12．4．1 扩散氧化炉 235n
12．4．2 离子注入机 236n
12．4．3 退火炉 236n
12．5 掺杂工艺发展趋势 236n
参考文献 237n
3章 刻蚀工艺 238n
13．1 概述 238n
13．1．1 刻蚀工艺技术体系 238n
13．1．2 刻蚀工艺的应用现状 239n
13．2 湿法刻蚀工艺 239n
13．2．1 硅的刻蚀 239n
13．2．2 GaAs和InP的各向异性刻蚀 242n
13．2．3 非半导体薄膜材料的刻蚀 244n
13．3 干法刻蚀工艺 246n
13．3．1 干法刻蚀 246n
13．3．2 等离子刻蚀的工艺参数 247n
13．3．3 等离子体刻蚀方法 249n
13．4 刻蚀设备 252n
13．4．1 等离子刻蚀设备 253n
13．4．2 离子束刻蚀设备 253n
13．4．3 反应离子刻蚀机 253n
13．5 刻蚀工艺发展趋势 254n
参考文献 254n
4章 薄膜生长工艺 255n
14．1 概述 255n
14．1．1 薄膜生长工艺技术体系 255n
14．1．2 薄膜淀积工艺应用现状 256n
14．2 金属薄膜生长工艺 256n
14．2．1 真空镀膜 256n
14．2．2 电镀法 261n
14．2．3 CVD法 262n
14．3 介质薄膜生长工艺 262n
14．3．1 化学气相淀积 262n
14．3．2 射频溅射 270n
14．3．3 热氧化生长介质膜 270n
14．4 薄膜生长设备 270n
14．4．1 等离子体增强化学气相淀积设备（PECVD） 270n
14．4．2 低压化学气相淀积设备（LPCVD） 271n
14．4．3 氧化炉 272n
14．5 薄膜生长工艺发展趋势 272n
参考文献 272n
5章 清洗工艺 273n
15．1 概述 273n
15．1．1 半导体清洗工艺技术体系 273n
15．1．2 半导体清洗工艺的应用现状 273n
15．2 微粒清洗工艺 274n
15．2．1 清洗的一般流程 274n
15．2．2 各类杂质的清洗方法 274n
15．2．3 清洗后的处理 278n
15．2．4 其他清洗方式 279n
15．3 膜层清洗工艺 280n
15．4 清洗设备 282n
15．4．1 槽式清洗设备 282n
15．4．2 旋转冲洗甩干设备 283n
15．4．3 单片腐蚀清洗设备 283n
15．5 清洗工艺发展趋势 283n
参考文献 284n
6章 电子元器件封装工艺 285n
16．1 概述 285n
16．1．1 电子元器件封装工艺技术体系 285n
16．1．2 电子元器件封装工艺的应用现状 286n
16．2 电子元器件封装陶瓷外壳 286n
16．3 IC封装工艺 299n
16．3．1 工艺流程 299n
16．3．2 封装工艺可靠性控制 310n
16．4 红外探测器封装工艺 311n
16．4．1 红外探测器封装 311n
16．4．2 红外焦平面探测器封装结构 311n
16．4．3 红外焦平面探测器封装工艺 312n
16．5 MEMS封装工艺 317n
16．5．1 MEMS 封装 317n
16．5．2 MEMS常规封装形式 317n
16．5．3 MEMS封装密封要求 318n
16．5．4 晶圆级封装和芯片级MEMS封装 319n
16．5．5 MEMS与系统集成 320n
16．6 封装工艺发展趋势 320n
参考文献 322n
7章 微波真空电子器件制造工艺 323n
17．1 概述 323n
17．1．1 微波真空电子器件制造工艺技术体系 323n
17．1．2 微波真空电子器件制造工艺的应用现状 324n
17．2 微波真空电子器件制造工艺 324n
17．2．1 阴极制造工艺 324n
17．2．2 陶瓷金属化与封接工艺 328n
17．2．3 先进连接工艺 328n
17．2．4 排气工艺 331n
17．2．5 在线检漏工艺 332n
17．2．6 老炼工艺 332n
17．3 微波真空电子器件制造工艺发展趋势 333n
17．3．1 毫米波亚毫米波微细加工工艺 333n
17．3．2 未来功能陶瓷 333n
17．3．3 新型微波吸收、衰减陶瓷 333n
参考文献 334n
8章 物理与化学电源制造工艺 335n
18．1 概述 335n
18．1．1 物理与化学电源制造工艺技术体系 335n
18．1．2 物理与化学电源制造工艺技术应用现状 336n
18．2 电极制备工艺 336n
18．2．1 涂布工艺 337n
18．2．2 极板压制工艺 338n
18．2．3 烧结与浸渍工艺 338n
18．3 隔膜制备与处理工艺 339n
18．4 单体电池极组装配工艺 340n
18．4．1 卷绕工艺 340n
18．4．2 叠片工艺 341n
18．5 电池装配工艺 342n
18．5．1 焊接工艺 342n
18．5．2 铆接工艺 342n
18．5．3 注液工艺 342n
18．6 化成工艺 343n
18．6．1 极板化成工艺 343n
18．6．2 单体电池化成工艺 343n
18．7 电池组合装配工艺 344n
18．7．1 储液器装配工艺 344n
18．7．2 化学加热器装配工艺 345n
18．8 电池封装工艺 345n
18．8．1 陶瓷金属密封极柱制造工艺 345n
18．8．2 焊接封装工艺 346n
18．9 物理与化学电源工艺发展趋势 346n
18．9．1 化学电源工艺技术发展趋势 346n
18．9．2 物理电源工艺技术发展趋势 347n
参考文献 347n
9章 微系统集成制造工艺 348n
19．1 概述 348n
19．1．1 微系统集成制造工艺体系 348n
19．1．2 微系统集成制造工艺的应用现状 349n
19．2 异质集成工艺 349n
19．2．1 异质材料制备工艺 349n
19．2．2 异质器件集成工艺 354n
19．2．3 异质互联工艺 357n
19．2．4 异质集成微系统测试工艺 358n
19．3 异构集成工艺 362n
19．3．1 薄晶圆工艺 362n
19．3．2 垂直互联工艺 366n
19．3．3 晶圆键合工艺 380n
19．3．4 异构集成微系统测试工艺 385n
19．4 微系统集成制造工艺发展趋势 388n
参考文献 389n
第五篇 电气互联技术n
第20章 电气互联技术体系 392n
20．1 电气互联技术的内涵 392n
20．2 电气互联技术的体系 393n
20．2．1 电气互联技术体系的框图 393n
20．2．2 电气互联技术的构成 394n
20．3 电气互联技术的地位与作用 396n
20．3．1 电气互联技术的地位 396n
20．3．2 电气互联技术的作用 397n
20．4 电气互联技术的发展特点 398n
参考文献 398n
第21章 互联基板制造技术 399n
21．1 概述 399n
21．1．1 互联基板制造技术体系 399n
21．1．2 互联基板制造技术的应用现状 400n
21．2 PCB电路基板制造工艺 403n
21．2．1 单面印制板制造工艺 403n
21．2．2 双面印制板制造工艺 404n
21．2．3 多层印制板制造工艺 407n
21．2．4 挠性及刚挠印制板制造工艺 410n
21．2．5 金属芯印制板制造工艺 412n
21．3 陶瓷电路基板制造工艺 416n
21．3．1 厚膜多层互联基板制造工艺 416n
21．3．2 薄膜多层互联基板制造工艺 417n
21．3．3 多层共烧陶瓷互联基板制造工艺 418n
21．3．4 混合多层陶瓷互联基板制造工艺 419n
21．4 微波复合介质电路基板制造工艺 420n
21．4．1 金属铝基印制电路基板制造工艺 420n
21．4．2 陶瓷介质印制电路基板制造工艺 422n
参考文献 424n
第22章 通孔插装技术 425n
22．1 概述 425n
22．1．1 通孔插装技术体系 425n
22．1．2 通孔插装技术的应用现状 425n
22．2 通孔插装工艺技术 425n
22．2．1 典型工艺流程 425n
22．2．2 插装元器件和基板可焊性确认 426n
22．2．3 元器件引线预处理和成形 426n
22．2．4 元器件插装工艺 426n
22．2．5 元器件焊接工艺 428n
22．3 通孔插装技术的发展趋势 438n
参考文献 439n
第23章 表面组装技术 440n
23．1 概述 440n
23．1．1 表面组装技术体系 440n
23．1．2 表面组装技术的应用现状 441n
23．2 表面组装工艺技术 441n
23．2．1 表面组装技术构成 441n
23．2．2 SMT典型工艺流程 442n
23．2．3 SMT检测工艺设备 481n
23．3 表面贴装技术的发展趋势 484n
参考文献 485n
第24章 立体组装技术 486n
24．1 概述 486n
24．1．1 立体组装技术体系 486n
24．1．2 立体组装技术的应用现状 489n
24．2 立体组装工艺技术 489n
24．2．1 微波垂直互联工艺 489n
24．2．2 板级立体组装技术 491n
24．2．3 3D-MCM工艺 493n
24．3 立体组装技术的主要应用 495n
24．3．1 应用于制作大容量存储器 495n
24．3．2 应用于计算机系统 496n
24．3．3 应用于军事电子领域 496n
24．4 立体组装技术的发展趋势 497n
24．4．1 芯片堆叠立体组装技术的发展 497n
24．4．2 封装器件立体组装技术的发展 498n
24．4．3 柔性堆叠立体组装技术的发展 499n
24．4．4 智能堆叠三维立体组装技术的发展 499n
24．4．5 三维立体埋置型组装技术的发展 500n
参考文献 500n
第25章 微组装技术 501n
25．1 概述 501n
25．1．1 微组装技术体系 501n
25．1．2 微组装技术的应用现状 502n
25．2 元器件粘接工艺 502n
25．2．1 粘接材料 502n
25．2．2 元器件与基板粘接工艺 503n
25．3 元器件焊接工艺 504n
25．3．1 焊接材料 504n
25．3．2 元器件与基板焊接工艺 504n
25．3．3 管芯共晶机 505n
25．3．4 真空/可控气氛共晶炉 506n
25．4 基板焊接工艺 507n
25．5 芯片互联工艺 507n
25．5．1 丝焊键合 508n
25．5．2 TAB技术 509n
25．5．3 倒装焊 510n
25．6 金属密封工艺 512n
25．7 密封性检测 514n
25．8 多芯片组件（MCM）工艺 515n
25．9 系统级微组装（SOP）工艺 517n
25．10 微组装技术的发展趋势 519n
参考文献 520n
第26章 光电互联技术 521n
26．1 概述 521n
26．1．1 光电互联技术的体系 521n
26．1．2 光电互联技术的发展现状 522n
26．2 光纤互联工艺 525n
26．3 光波导互联工艺 526n
26．4 光镜互联工艺 529n
26．5 光电互联技术的发展趋势 530n
26．5．1 三维多层光电基板 530n
26．5．2 光电子封装 531n
26．5．3 光电子器件 532n
26．5．4 光电子组件和模块 532n
26．6 光电互联技术的应用 533n
参考文献 534n
第27章 整机线缆互联技术 535n
27．1 概述 535n
27．1．1 整机线缆互联技术体系 535n
27．1．2 整机线缆互联技术的应用现状 535n
27．2 整机布线技术 536n
27．2．1 线缆准备 536n
27．2．2 线缆布线设计 538n
27．2．3 线缆互联工艺 538n
27．2．4 整机布线检测技术 540n
27．2．5 整机布线数字化 541n
27．3 基于母板的三维无线缆互联技术 542n
27．3．1 概述 542n
27．3．2 基于母板的三维无线缆互联技术的特点和作用 543n
27．3．3 基于母板的三维无线缆互联技术的实现 544n
27．4 整机布线的发展趋势 546n
参考文献 547n
第28章 电气互联质量保障技术 548n
28．1 概述 548n
28．1．1 电气互联质量保障技术体系 548n
28．1．2 电气互联质量保障技术的应用现状 549n
28．2 可生产性设计评定 549n
28．3 组件可靠性设计 550n
28．3．1 可靠性设计的原则 550n
28．3．2 可靠性设计方法 551n
28．3．3 各类产品的可靠性设计 552n
28．3．4 可靠性管理技术 553n
28．3．5 可靠性技术及其发展趋势的探讨 553n
28．4 防静电技术和环境保障 554n
28．4．1 静电放电（ESD） 554n
28．4．2 静电产生 554n
28．4．3 静电对电子生产制造业的危害 554n
28．4．4 静电防护原理 555n
28．4．5 防静电环境的建设和保障措施 555n
28．5 生产质量过程控制 556n
28．5．1 质量过程控制点的设置 556n
28．5．2 质量点的检测方法 556n
28．5．3 检测标准的制订 556n
28．5．4 质量缺陷数统计 556n
28．6 质量检测技术 556n
28．6．1 材料、元器件检测技术 556n
28．6．2 焊后检测技术 557n
28．6．3 力学检测技术 557n
28．6．4 电性能检测技术 557n
28．6．5 筛选和例试 558n
参考文献 558n
第六篇 军用电子整机制造工艺技术n
第29章 精密成型技术 560n
29．1 概述 560n
29．1．1 精密成型技术的体系 560n
29．1．2 精密成型技术的应用现状 560n
29．2 精密铸造工艺 561n
29．2．1 精密铸造工艺的内涵和特点 561n
29．2．2 电子产品主要铸造技术 563n
29．3 超塑成型工艺 567n
29．3．1 超塑成型工艺特点 567n
29．3．2 超塑成型工艺技术 568n
29．4 电子产品精密成型技术发展趋势 571n
参考文献 572n
第30章 钣金成形技术 573n
30．1 概述 573n
30．1．1 电子产品钣金成形技术的体系 573n
30．1．2 电子行业钣金成形技术的应用现状 574n
30．2 电子钣金加工工艺技术 574n
30．2．1 切割工艺 574n
30．2．2 成形工艺 575n
30．3 钣金计算机辅助设计及工艺 579n
30．4 数控钣金加工设备 579n
30．5 钣金柔性制造技术 580n
30．6 典型电子产品钣金成形技术工艺应用 581n
30．6．1 机柜、显控台主要结构件的成形 581n
30．6．2 插箱的成形 581n
30．6．3 可移动便携式箱体的成形 582n
30．6．4 方舱的制造工艺 583n
30．6．5 旋转抛物面天线的成形 586n
30．7 钣金零件成形质量的控制 587n
30．7．1 质量要求 587n
30．7．2 外在质量的控制 588n
30．7．3 内在质量的控制 589n
30．8 电子产品钣金成形技术发展趋势 589n
参考文献 590n
第31章 精密切削加工技术 591n
31．1 概述 591n
31．1．1 精密切削加工技术的体系 591n
31．1．2 精密切削加工技术的应用现状 592n
31．2 精密铣削加工工艺 592n
31．2．1 精密铣削加工工艺的特点 592n
31．2．2 T/R组件壳体精密铣削 593n
31．2．3 平板裂缝天线精密铣削 594n
31．3 精密车削加工工艺 596n
31．3．1 精密车削加工工艺的特点 596n
31．3．2 汇流环组件导电环的精密车削 596n
31．3．3 双片消隙齿坯精密车削 598n
31．3．4 细长空心内导体精密车削 600n
31．4 精密镗削加工工艺 602n
31．4．1 精密镗削加工工艺的特点 602n
31．4．2 铸造铝合金天线座精密镗削 602n
31．4．3 铸造铝合金万向支架精密镗削 604n
31．4．4 天线座支臂精密镗削 606n
31．4．5 减速箱铝合金壳体精密镗削 608n
31．5 精密磨削加工工艺 610n
31．5．1 精密磨削加工工艺的特点 610n
31．5．2 薄环精密件的精密磨削 610n
31．5．3 轴套精密磨削 612n
31．6 精密切削加工技术发展趋势 613n
参考文献 615n
第32章 特种加工技术 616n
32．1 概述 616n
32．1．1 特种加工技术的体系 616n
32．1．2 特种加工技术的应用现状 617n
32．2 电加工工艺 617n
32．2．1 线切割加工工艺的特点 617n
32．2．2 馈源线切割加工工艺 618n
32．2．3 波导裂缝线切割加工工艺 619n
32．3 激光加工工艺 620n
32．3．1 激光技工工艺的特点 620n
32．3．2 陶瓷基板激光切割工艺 620n
32．3．3 殷钢管壳激光切割工艺 621n
32．4 电子产品特种加工技术发展趋势 622n
参考文献 623n
第33章 连接技术 624n
33．1 概述 624n
33．1．1 连接技术的体系 624n
33．1．2 连接技术的应用现状 625n
33．2 焊接工艺 625n
33．2．1 焊接工艺的内涵 625n
33．2．2 真空钎焊工艺 625n
33．2．3 盐浴焊工艺 628n
33．2．4 扩散焊接工艺 629n
33．2．5 电子束焊接工艺 631n
33．2．6 激光焊接工艺 632n
33．3 胶接工艺 634n
33．3．1 胶接工艺的内涵和特点 634n
33．3．2 胶接接头的设计 634n
33．3．3 特殊的胶接表面前处理 634n
33．3．4 胶粘剂选择、工艺和应用 635n
33．3．5 胶接质量控制及检测技术 636n
33．4 铆接工艺 637n
33．4．1 铆接工艺的内涵和特点 637n
33．4．2 铆接工艺过程及要求 637n
33．4．3 特种铆接工艺 639n
33．5 连接技术发展趋势 640n
参考文献 641n
第34章 表面工程技术 642n
34．1 概述 642n
34．1．1 表面工程技术的体系 642n
34．1．2 表面工程技术的应用现状 643n
34．2 镀层工艺 643n
34．2．1 镀覆层的分类 644n
34．2．2 波导镀银工艺 644n
34．2．3 屏蔽盒腔体镀银工艺 645n
34．2．4 钣金机箱机柜镀锌工艺 646n
34．2．5 天线铝合金构件转化膜 646n
34．3 涂层工艺 648n
34．3．1 天线钢质结构件金属热喷涂工艺 648n
34．3．2 天线系统涂层防护工艺 649n
34．3．3 机载天线罩抗雨蚀防静电涂层工艺 650n
34．3．4 印制板组件涂层工艺 651n
34．3．5 微波组件真空化学淀积涂层工艺 652n
34．4 绝缘密封工艺 652n
34．4．1 防蚀密封工艺 653n
34．4．2 高压部件灌封工艺 653n
34．5 电子设备耐空间环境防护 654n
34．5．1 空间环境的特殊性 654n
34．5．2 电子设备在航天器上的分布特点 655n
34．5．3 电子设备耐空间环境防护设计的原则 655n
34．5．4 元器件的选用、组件级和系统级的防护 655n
34．6 电子设备储存防护工艺 656n
34．6．1 气相防锈包装 656n
34．6．2 密封干燥包装 657n
34．7 表面质量检测 658n
34．7．1 金属镀层和化学覆盖层质量检测 658n
34．7．2 有机涂层质量检测 658n
34．7．3 防护性能试验与评定方法 659n
34．8 表面工程技术的发展趋势 661n
参考文献 662n
第35章 复合材料成型技术 663n
35．1 概述 663n
35．1．1 复合材料成型技术的体系 663n
35．1．2 复合材料成型技术的应用现状 665n
35．2 复合材料低压成型工艺 665n
35．2．1 复合材料低压成型工艺与特点 665n
35．2．2 天线罩低压成型工艺 666n
35．3 复合材料模压成型工艺 667n
35．3．1 复合材料模压成型工艺与特点 667n
35．3．2 碳纤维复合材料波导模压成型工艺 668n
35．4 复合材料热压罐成型工艺 669n
35．4．1 复合材料热压罐成型工艺与特点 669n
35．4．2 碳纤维复合材料天线热压罐成型工艺 670n
35．5 复合材料连接技术 671n
35．5．1 复合材料连接技术与特点 671n
35．5．2 复合材料连接技术的应用 671n
35．6 复合材料成型技术发展趋势 673n
参考文献 673n
第36章 3D打印工艺技术 674n
36．1 概述 674n
36．1．1 3D打印工艺技术的体系 674n
36．1．2 3D打印工艺技术的应用现状 676n
36．2 3D打印工艺技术的材料 677n
36．2．1 3D打印技术的材料分类 678n
36．2．2 3D打印技术的材料应用对比 681n
36．3 军工电子装备的3D打印工艺技术 683n
36．3．1 三维粉末粘接技术（3DP） 683n
36．3．2 熔融层积成型技术（FDM） 685n
36．3．3 选区激光烧结技术（SLS） 688n
36．4 3D打印电子电路基板的工艺技术 691n
36．4．1 模型设计技术 691n
36．4．2 文件生成技术 691n
36．4．3 模型切片技术 692n
36．4．4 数据建立技术 692n
36．4．5 加工路径生成技术 693n
36．4．6 打印组装技术 693n
36．5 3D打印工艺技术的设备 694n
36．6 3D打印工艺技术的发展趋势 694n
参考文献 695n
第37章 电子整机装配技术 697n
37．1 概述 697n
37．1．1 电子整机装配技术的体系 697n
37．1．2 电子整机装配技术的应用现状 698n
37．2 电子整机装配内容及技术要求 698n
37．2．1 电子整机装配内容 698n
37．2．2 电子整机装配的原则 698n
37．2．3 电子整机装配的通用技术要求 698n
37．2．4 电子整机多余物的预防与控制 700n
37．3 装配工艺准备 700n
37．3．1 元器件装配准备 700n
37．3．2 导线加工 701n
37．3．3 线扎制作 701n
37．3．4 辅助材料 704n
37．3．5 电子整机装配对厂房的要求 706n
37．4 模块、分机的装配工艺 706n
37．4．1 模块、分机的装配 706n
37．4．2 模块、分机的装配工艺流程 707n
37．4．3 模块、分机装配的一般要求 708n
37．5 机柜的装配工艺 708n
37．5．1 机械结构件装配特殊工艺要求 708n
37．5．2 机柜电气装配工艺 709n
37．6 天线的装配工艺 709n
37．6．1 天线装配 709n
37．6．2 天线的装配要求 710n
37．6．3 反射面天线装配 710n
37．6．4 偶极子天线装配 711n
37．6．5 螺旋天线装配 712n
37．6．6 喇叭天线装配 713n
37．6．7 相控阵天线装配 713n
37．7 整机（系统）的装配工艺 718n
37．7．1 机械结构件装配特殊工艺要求 718n
37．7．2 接线工艺要求 718n
37．7．3 车载产品的整机装配工艺 719n
37．7．4 机载产品整机装配工艺 720n
37．7．5 舰载产品整机装配工艺 720n
37．8 电子整机装配检测 720n
37．9 电子整机装配技术发展趋势 720n
参考文献 721n
第38章 电子整机调试技术 722n
38．1 概述 722n
38．1．1 电子整机调试技术的体系 722n
38．1．2 电子整机调试技术的应用现状 723n
38．2 调试仪器与调试线 723n
38．2．1 调试仪器选配原则 723n
38．2．2 调试仪器的组成与使用 723n
38．2．3 电子设备自动测试技术 724n
38．2．4 调试线 725n
38．3 调试工艺 726n
38．3．1 调试前准备 726n
38．3．2 调试 727n
38．3．3 故障排查 730n
38．3．4 调试安全措施 732n
38．4 整机检验 732n
38．4．1 外观检验 732n
38．4．2 性能测试 733n
38．5 电子整机调试技术发展趋势 733n
参考文献 734n
第七篇 共 用 技 术n
第39章 数字化制造技术 736n
39．1 概述 736n
39．1．1 电子装备数字化制造技术体系 736n
39．1．2 电子装备数字化制造技术的应用现状 737n
39．2 数字化工艺设计技术 738n
39．2．1 基于EBOMPBOMMBOM的工艺设计技术 738n
39．2．2 三维工艺设计技术 741n
39．2．3 工艺设计集成管理平台技术 742n
39．3 数字化工艺仿真技术 743n
39．3．1 产品装配工艺仿真技术 743n
39．3．2 电子电路装配仿真技术 744n
39．3．3 生产线设计仿真技术 745n
39．3．4 数控加工仿真技术 747n
39．4 数字化生产管理技术 749n
39．4．1 项目型制造的数字化生产管理技术 749n
39．4．2 多品种变批量生产的MES技术 750n
39．4．3 电子电路变批量柔性制造的MES技术 752n
39．5 数字化生产控制技术 753n
39．5．1 电子电路生产线控制技术 753n
39．5．2 DNC系统技术 755n
39．5．3 数字化整机调试技术 758n
39．6 工艺数据库技术 762n
39．6．1 电子电路工艺数据库技术 762n
39．6．2 机械加工工艺数据库技术 763n
39．6．3 制造资源数据库技术 764n
39．7 系统集成与应用技术 765n
39．7．1 CAPP与PDM的集成应用技术 766n
39．7．2 电子装备的设计/制造/测试/验证一体化技术 766n
39．7．3 天线结构综合设计平台系统 768n
39．7．4 网络化制造技术 769n
39．8 军事电子装备数字化制造技术发展趋势 769n
参考文献 770n
第40章 电子行业绿色制造技术 771n
40．1 概述 771n
40．1．1 电子行业绿色制造技术的体系 771n
40．1．2 电子行业绿色制造技术的应用现状 772n
40．2 无铅焊接工艺 772n
40．2．1 无铅焊接的重要性 773n
40．2．2 无铅焊料 773n
40．2．3 无铅印刷工艺 775n
40．2．4 印制板无铅焊接工艺 775n
40．2．5 无铅返修技术 776n
40．2．6 无铅检测 776n
40．3 电子电路绿色清洗工艺 779n
40．3．1 离心清洗工艺 779n
40．3．2 等离子体清洗工艺 780n
40．3．3 紫外光清洗工艺 780n
40．3．4 超临界二氧化碳清洗工艺 780n
40．3．5 洁净度检测和标准 781n
40．4 绿色设计与加工工艺 781n
40．4．1 军事电子产品绿色设计的内涵 781n
40．4．2 绿色设计方法 782n
40．4．3 绿色数控加工工艺 784n
40．4．4 绿色快速成型工艺 785n
40．4．5 绿色支撑技术 785n
40．5 电子行业绿色制造技术发展趋势 786n
参考文献 787n
第41章 电子工艺设备制造技术 788n
41．1 概述 788n
41．1．1 电子工艺设备制造技术体系 788n
41．1．2 电子工艺设备制造技术应用现状 789n
41．2 电子工艺设备及关键制造技术 789n
41．2．1 化学机械抛光（CMP）设备 789n
41．2．2 离子注入设备 790n
41．2．3 光刻设备 792n
41．2．4 等离子体刻蚀设备 796n
41．2．5 生瓷带打孔设备 798n
41．2．6 倒装焊接设备 799n
41．3 电子工艺设备制造技术发展趋势 801n
41．3．1 CMP制造技术发展趋势 801n
41．3．2 离子注入设备制造发展趋势 801n
41．3．3 光刻设备制造发展趋势 801n
41．3．4 等离子体刻蚀设备制造发展趋势 801n
41．3．5 打孔设备制造发展趋势 801n
41．3．6 倒装焊接设备制造发展趋势 802n
第八篇 工 艺 管 理n
第42
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