基本信息
書名:微電子學導論(英文版)
定價:69.00元
售價:44.9元,便宜24.1元,摺扣65
作者:趙策洲,方舟,陸騏峰
齣版社:科學齣版社
齣版日期:2014-01-01
ISBN:9787030397751
字數:
頁碼:
版次:1
裝幀:平裝
開本:16開
商品重量:0.4kg
編輯推薦
內容提要
《微電子學導論(英文版)》講述瞭半導體材料、半導體器件、微電子工藝及製造、以及IC設計等的基礎和基本知識。《微電子學導論(英文版)》力圖以比較淺顯易懂的方式來介紹半導體物理和器件的基礎知識,介紹瞭微電子製造的基本工藝知識和半導體器件,如IC電阻、二極管、MOSFETs和雙極晶體管的工藝流程,也介紹瞭簡單MOS數字集成電路和模擬集成電路的概論、電路分析和版圖設計。
目錄
PrefaceChapter 1 Introduction 1.1 History of semiconductor devices and ICs 1.2 Moore's Law--transistor scaling 1.3 Die yield and die cost ReferencesChapter 2 Semiconductor material fundamentals 2.1 Atomic structures 2.1.1 Elements and element periodic table 2.1.2 Bohr's theory--orbits 2.1.3 Distribution of electrons--valence electrons 2.1.4 Chemical bonds 2.2 Crystal structures 2.2.1 General material structures 2.2.2 Crystallography--diamond structure and zinc blende structure 2.2.3 Crystallographic notation 2.2.4 Bohr's theory--energy level and energy band 2.3 Energy band theory 2.3.1 Insulator, semiconductor and conductor 2.3.2 Electrons and holes 2.3.3 Generation and rebination 2.4 Doping of semiconductors 2.4.1 Doping elements 2.4.2 Doping: n-type 2.4.3 Doping: p-type 2.4.4 Counter doping 2.5 Carriers distribution 2.5.1 Fermi function and Fermi level 2.5.2 Density of states 2.5.3 Electron and hole concentrations 2.6 Carrier drift and diffusion 2.6.1 Carrier scattering 2.6.2 Carrier drift--drift currents and mobility 2.6.3 Electric field and energy band bending 2.6.4 Carrier diffusion--diffusion currents and Einstein relation ReferencesChapter 3 Semiconductor device fundamentals 3.1 PN junction 3.1.1 Formation of depletion region 3.1.2 Built-in potential 3.1.3 Distribution of electric field and electric potential 3.1.4 Effect of applied voltage 3.1.5 Depletion capacitance 3.2 Metal-semiconductor contacts and MOS capacitors 3.2.1 Schottky diode and Ohmic contact 3.2.2 MOS capacitance and measurement 3.2.3 MOS energy band diagram 3.2.4 Capacitance--voltage characteristics 3.3 MOSFETs 3.3.1 Current--voltage characteristics 3.3.2 Types and circuit symbols of MOSFETs 3.3.3 Switch model of MOSFETs 3.4 Bipolar junction transistors 3.4.1 PN junction--a brief review 3.4.2 BJT structure and circuit symbols 3.4.3 NPN BJT operation--a qualitative analysis 3.4.4 NPN BJT operation--a quantitative analysis ReferencesChapter 4 Semiconductor fabrication fundamentals 4.1 IC fabrication techniques 4.1.1 Thin film formation 4.1.2 Photolithography and etching 4.1.3 Doping 4.2 IC resistor and diode process 4.2.1 IC resistor--masks and process steps 4.2.2 Design rules 4.2.3 Sheet resistance 4.2.4 Layout design of an IC resistor 4.2.5 Diode--masks and process steps 4.3 MOSFET process 4.3.1 NMOSFET process flow and layout 4.3.2 Local oxidation of silicon 4.3.3 CMOS n well process flow 4.4 BJT process 4.4.1 BJT process steps 4.4.2 Layout of an NPN BJT IC ReferencesChapter 5 Integrated circuits--concepts and design 5.1 NMOS digital circuits 5.1.1 NMOS digital circuits analysis--logic and calculation 5.1.2 MOSIS design rules for NMOS ICs 5.1.3 Layouts of NMOS logic families 5.2 CMOS digital circuits 5.2.1 CMOS digital circuits analysis 5.2.2 MOSIS design rules for CMOS ICs 5.2.3 MOS transistors in series/parallel connection 5.2.4 CMOS inverter, NOR gates and NAND gates 5.2.5 Ratioed logic and binational equivalent circuit 5.2.6 Dynamic circuits 5.3 MOS analog circuits 5.3.1 MOSFET active resistors and potential dividers 5.3.2 MOSFET mon-source stages 5.3.3 CMOS push-pull amplifiers 5.3.4 MOSFET current mirrors 5.3.5 MOSFET differential amplifiers ReferencesAppendix I Properties of semiconductor materialsAppendix II Symbols and constantAppendix III L-Edit Quick Guide
作者介紹
文摘
序言
一本好書,就像一位循循善誘的導師,它不一定非要以最前沿、最晦澀的術語開場,而是以一種平和、引人入勝的方式,將你帶入一個全新的領域。我拿到這本《微電子學導論》(英文版)時,就被它那種紮實的基石感所吸引。雖然我還沒來得及深入研究每一個公式和定理,但從目錄和前幾章的瀏覽來看,這本書顯然不是那種淺嘗輒止的入門讀物。它似乎很注重基礎概念的建立,從最基本的半導體物理原理講起,一點點地構建起一個完整的微電子學知識體係。這一點對於我這樣初次接觸這個領域的學習者來說至關重要。我特彆期待它在講解MOSFET、BJT等核心器件時,能用清晰易懂的語言和圖示,避免一開始就拋齣過於抽象的數學模型。如果它能像一位經驗豐富的工程師那樣,解釋這些器件的工作原理,它們的優缺點,以及在實際電路設計中的應用場景,那無疑會大大提升我的學習效率和興趣。我希望這本書能夠循序漸進,一步一步地引導我理解微電子世界的奧秘,而不是讓我望而卻步。
評分說實話,我對於一些高度理論化的技術書籍,常常感到力不從心。但是,這本《微電子學導論》(英文版)卻給瞭我一種截然不同的閱讀體驗。從封麵到目錄,再到初步翻閱的幾章,我感受到的不是壓迫感,而是邀請感。它似乎在用一種友好的姿態,邀請我走進微電子學的殿堂。我注意到它在介紹集成電路的基本構成模塊,比如運算放大器(Op-amp)和濾波器時,並沒有一開始就陷入復雜的電路分析,而是先從它們的功能入手,解釋它們在各類電子設備中扮演的角色。這種“由果溯因”的講解方式,對於我這樣更關注實際應用的學習者來說,非常有吸引力。我非常希望它在後續的章節中,能繼續保持這種以應用驅動的風格,通過介紹一些實際的電路設計案例,來講解相關的理論知識。例如,如果它能解釋如何利用運算放大器構建一個音頻放大電路,或者如何用濾波器去除信號中的噪聲,那將大大增強我學習的動力和成就感。
評分這本《微電子學導論》(英文版)給我的第一印象是它在學術嚴謹性和教學實用性之間找到瞭一個微妙的平衡點。它沒有為瞭追求“高大上”而故作高深,而是選擇瞭一種相對平實的語言風格。我瀏覽瞭關於邏輯門、組閤邏輯和序邏輯電路的章節,發現作者在闡述這些基本數字邏輯概念時,采用瞭大量的實例和圖示,這對於理解抽象的邏輯關係非常有幫助。我尤其欣賞它在講解時,不僅僅停留在理論層麵,而是開始觸及一些實際的電路設計流程和考慮因素。例如,它可能會提到門電路的延遲、功耗等實際參數對電路性能的影響,以及在設計時如何進行權衡。這種將理論與實踐相結閤的做法,讓我覺得這本書不僅是一本教材,更像是一本指導如何進行實際微電子設計入門的書籍。我非常期待後續章節能更深入地探討集成電路的製造工藝、時序分析、以及一些基礎的版圖設計概念。如果它能提供一些簡單的設計練習或案例分析,那就更完美瞭。
評分這本書給我帶來的最大驚喜,在於它似乎不僅僅滿足於教授“是什麼”,更著力於解釋“為什麼”和“如何”。我在初步瀏覽時,注意到作者在講解基本半導體材料的摻雜對導電性的影響時,不僅僅給齣瞭摻雜的定義和結果,還試圖解釋其背後的物理機製,比如自由載流子和空穴的産生與遷移。這種對原理的深入挖掘,讓我感覺這本書是有深度、有靈魂的。它不是那種死記硬背的教科書,而是鼓勵你去思考和理解。我特彆期待它在講解CMOS工藝的基本步驟時,能詳細闡述每一步的目的和對最終器件特性的影響,而不是簡單羅列。如果它能解釋為何要進行光刻、刻蝕、離子注入等操作,以及這些操作如何塑造齣我們熟悉的晶體管,那我將對其心生敬意。這本書似乎在試圖培養讀者的批判性思維和解決問題的能力,這正是學習工程技術所不可或缺的。
評分我必須承認,當我拿到這本《微電子學導論》(英文版)時,我懷揣著一份既期待又忐忑的心情。畢竟,“微電子學”這個詞聽起來就充滿瞭復雜性和技術性。然而,翻開書本,我立刻感受到瞭一種齣乎意料的親切感。作者似乎非常理解初學者的睏惑,用一種非常“接地氣”的方式來解釋那些聽起來頗為高深的理論。我注意到它在介紹信號的模擬和數字錶示時,用瞭非常形象的比喻,比如將模擬信號比作波浪,將數字信號比作開關的開閤。這種生動有趣的類比,讓我在短時間內就對基本概念有瞭初步的認識。我特彆期待它在講解數模轉換器(DAC)和模數轉換器(ADC)時,能繼續保持這種風格,用直觀的方式展示它們的工作原理和在實際中的應用,而不是直接拋齣復雜的公式。如果這本書能引導我理解如何將現實世界中的連續信號轉化為數字係統可以處理的信息,再將數字信號轉化為可操作的物理量,那我真的會覺得不虛此行。
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