正版新書--功率半導體器件--原理、特性和可靠性 (德)盧茨,等 機械工業齣版社 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

簡體網頁||繁體網頁

☆☆☆☆☆

德盧茨 等 著

圖書標籤:

• 功率半導體
• 半導體器件
• 電力電子
• 可靠性
• 開關器件
• IGBT
• MOSFET
• 二極管
• 機械工業齣版社
• 盧茨

店鋪： 麥點文化圖書專營店

齣版社： 機械工業齣版社

ISBN：9787111417279

商品編碼：29476637275

包裝：平裝

齣版時間：2013-06-01

基本信息

書名：功率半導體器件--原理、特性和可靠性

定價：98.00元

作者：(德)盧茨,等

齣版社：機械工業齣版社

齣版日期：2013-06-01

ISBN：9787111417279

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：大16開

商品重量：0.599kg

編輯推薦

---

精選推薦： 活動說明：活動期間凡購買《裝備製造業節能減排技術手冊》上、下冊各一本的讀者，請您將購書小票的照片、及地址發送至dgdzcmp@sina.，齣版社會按地址給您寄送價值88元的8G優盤一個，數量有限，先買先得！點擊查看：

內容提要

---

　　《國際電氣工程先進技術譯叢·功率半導體器件：原理、特性和可靠性》介紹瞭功率半導體器件的原理、結構、特性和可靠性技術，器件部分涵蓋瞭當前電力電子技術中使用的各種類型功率半導體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，還包含瞭製造工藝、測試技術和損壞機理分析。就其內容的全麵性和結構的完整性來說，在同類專業書籍中是不多見的。
　　《國際電氣工程先進技術譯叢·功率半導體器件：原理、特性和可靠性》內容新穎，緊跟時代發展，除瞭介紹經典的功率二極管、晶閘管外，還重點介紹瞭MOSFET、IGBT等現代功率器件，頗為難得的是收入瞭近年來有關功率半導體器件的*的成果。本書是一本精心編著，並根據作者多年教學經驗和工程實踐不斷補充更新的好書，相信它的翻譯齣版，必將有助於我國電力電子事業的發展。
　　《國際電氣工程先進技術譯叢·功率半導體器件：原理、特性和可靠性》的讀者對象包括在校學生、功率器件設計製造和電力電子應用領域的工程技術人員及其他相關專業人員。本書適閤高等院校有關專業用作教材或專業參考書，亦可被電力電子學界和廣大的功率器件和裝置生産企業的工程技術人員作為參考書之用。

目錄

---

前言
章 功率半導體器件——高效電能變換裝置中的關鍵器件
1.1 裝置、電力變流器和功率半導體器件
1.1.1 電力變流器的基本原理
1.1.2 電力變流器的類型和功率器件的選擇
1.2 使用和選擇功率半導體
1.3 功率半導體的應用
參考文獻

第2章 半導體的性質
2.1 引言
2.2 晶體結構
2.3 禁帶和本徵濃度
2.4 能帶結構和載流子的粒子性質
2.5 摻雜的半導體
2.6 電流的輸運
2.6.1 載流子的遷移率和場電流
2.6.2 強電場下的漂移速度
2.6.3 載流子的擴散和電流輸運方程式
2.7 復閤産生和非平衡載流子的壽命
2.7.1 本徵復閤機理
2.7.2 復閤中心上的復閤和産生
2.8 碰撞電離
2.9 半導體器件的基本公式
2.10簡單的結論
參考文獻

第3章 pn結
3.1 熱平衡狀態下的pn結
3.1.1 突變結
3.1.2 緩變結
3.2 pn結的IV特性
3.3 pn結的阻斷特性和擊穿
3.3.1 阻斷電流
3.3.2 雪崩倍增和擊穿電壓
3.3.3 寬禁帶半導體的阻斷能力
3.4 發射區的注入效率
3.5 pn結的電容
參考文獻

第4章 功率器件工藝的簡介
4.1 晶體生長
4.2 通過中子嬗變來調整晶片的摻雜
4.3 外延生長
4.4 擴散
4.5 離子注入
4.6 氧化和掩蔽
4.7 邊緣終端
4.7.1 斜麵終端結構
4.7.2 平麵結終端結構
4.7.3 雙嚮阻斷器件的結終端
4.8 鈍化
4.9 復閤中心
4.9.1 用金和鉑作為復閤中心
4.9.2 輻射引入的復閤中心
4.9.3 Pt和Pd的輻射增強擴散
參考文獻
功率半導體器件——原理、特性和可靠性目錄

第5章 pin二極管
5.1 pin二極管的結構
5.2 pin二極管的IV特性
5.3 pin二極管的設計和阻斷電壓
5.4 正嚮導通特性
5.4.1 載流子的分布
5.4.2 結電壓
5.4.3 中間區域兩端之間的電壓降
5.4.4 在霍爾近似中的電壓降
5.4.5 發射極復閤、有效載流子壽命和正嚮特性
5.4.6 正嚮特性和溫度的關係
5.5 儲存電荷和正嚮電壓之間的關係
5.6 功率二極管的開通特性
5.7 功率二極管的反嚮恢復
5.7.1 定義
5.7.2 與反嚮恢復有關的功率損耗
5.7.3 反嚮恢復：二極管中電荷的動態
5.7.4 具有佳反嚮恢復特性的快速二極管
5.8 展望
參考文獻

第6章 肖特基二極管
6.1 金屬半導體結的原理
6.2 肖特基結的IV特性
6.3 肖特基二極管的結構
6.4 單極型器件的歐姆電壓降
6.5 SiC肖特基二極管
參考文獻

第7章 雙極型晶體管
7.1 雙極型晶體管的工作原理
7.2 功率雙極型晶體管的結構
7.3 功率晶體管的IV特性
7.4 雙極型晶體管的阻斷特性
7.5 雙極型晶體管的電流增益
7.6 基區展寬、電場再分布和二次擊穿
7.7 矽雙極型晶體管的局限性
7.8 SiC雙極型晶體管
參考文獻

第8章 晶閘管
8.1 結構與功能模型
8.2 晶閘管的IV特性
8.3 晶閘管的阻斷特性
8.4 發射極短路點的作用
8.5 晶閘管的觸發方式
8.6 觸發前沿擴展
8.7 隨動觸發與放大門極
8.8 晶閘管關斷和恢復時間
8.9 雙嚮晶閘管
8.10 門極關斷（GTO）晶閘管
8.11 門極換流晶閘管（GCT）
參考文獻

第9章 MOS晶體管
9.1 MOSFET的基本工作原理
9.2 功率MOSFET的結構
9.3 MOS晶體管的IV特性
9.4 MOSFET溝道的特性
9.5 歐姆區域
9.6 現代MOSFET的補償結構
9.7 MOSFET的開關特性
9.8 MOSFET的開關損耗
9.9 MOSFET的安全工作區
9.10 MOSFET的反並聯二極管
9.11 SiC場效應器件
9.12 展望
參考文獻

0章 IGBT
10.1 功能模式
10.2 IGBT的IV特性
10.3 IGBT的開關特性
10.4 基本類型：PTIGBT和NPTIGBT
10.5 IGBT中的等離子體分布
10.6 提高載流子濃度的現代IGBT
10.6.1 高n發射極注入比的等離子增強
10.6.2 無閂鎖元胞幾何圖形
10.6.3 '空勢壘'效應
10.6.4 集電的緩衝層
10.7 具有雙嚮阻斷能力的IGBT
10.8 逆導型IGBT
10.9 展望
參考文獻

1章 功率器件的封裝和可靠性
11.1 封裝技術麵臨的挑戰
11.2 封裝類型
11.2.1 餅形封裝
11.2.2 TO係列及其派生
11.2.3 模塊
11.3 材料的物理特性
11.4 熱仿真和熱等效電路
11.4.1 熱力學參數和電參數之間的轉換
11.4.2 一維等效網絡
11.4.3 三維熱網絡
11.4.4 瞬態熱阻
11.5 功率模塊內的寄生電學元件
11.5.1 寄生電阻
11.5.2 寄生電感
11.5.3 寄生電容
11.6 可靠性
11.6.1 提高可靠性的要求
11.6.2 高溫反嚮偏置試驗
11.6.3 高溫柵極應力試驗
11.6.4 溫度濕度偏置試驗
11.6.5 高溫和低溫存儲試驗
11.6.6 溫度循環和溫度衝擊試驗
11.6.7 功率循環試驗
11.6.8 其他的可靠性試驗
11.6.9 提高可靠性的策略
11.7 未來的挑戰
參考文獻

2章 功率器件的損壞機理
12.1 熱擊穿——溫度過高引起的失效
12.2 浪湧電流
12.3 過電壓——電壓高於阻斷能力
12.4 動態雪崩
12.4.1 雙極型器件中的動態雪崩
12.4.2 快速二極管中的動態雪崩
12.4.3 具有高動態雪崩能力的二極管結構
12.4.4 動態雪崩：進一步的任務
12.5 超過GTO的大關斷電流
12.6 IGBT的短路和過電流
12.6.1 短路類型Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ
12.6.2 短路的熱、電應力
12.6.3 過電流的關斷和動態雪崩
12.7 宇宙射綫造成的失效
12.8 失效分析
參考文獻

3章 功率器件的感應振蕩和電磁乾擾
13.1 電磁乾擾的頻率範圍
13.2 LC振蕩
13.2.1 並聯IGBT的關斷振蕩
13.2.2 階躍二極管的關斷振蕩
13.3 渡越時間振蕩
13.3.1 等離子體抽取渡越時間（PETT）振蕩
13.3.2 動態碰撞電離渡越時間（IMPATT）振蕩
參考文獻

4章 電力電子係統
14.1 定義和基本特徵
14.2 單片集成係統——功率IC
14.3 印刷電路闆上的係統集成
14.4 混閤集成
參考文獻

附錄A Si與4HSiC中載流子遷移率的建模參數
附錄B 雪崩倍增因子與有效電離率
附錄C 封裝技術中重要材料的熱參數
附錄D 封裝技術中重要材料的電參數
附錄E 常用符號

作者介紹

---

文摘

---

序言

---

《現代電力電子係統設計與優化》 內容簡介 本書深入探討瞭現代電力電子係統的設計、分析與優化，涵蓋瞭從基礎理論到前沿技術的廣泛內容，旨在為讀者提供一套係統、全麵的知識體係。本書適用於從事電力電子設備研發、係統集成、電力係統運行與維護的工程師，以及相關專業的在校學生和研究人員。 第一部分：電力電子器件與基礎理論 本部分將首先迴顧電力電子技術的核心——電力電子器件。雖然本書的重點在於係統層麵，但對關鍵器件的深刻理解是有效設計的基礎。我們將簡要介紹不同類型功率半導體器件（如MOSFET、IGBT、SiC、GaN器件）的工作原理、關鍵參數（如導通損耗、開關損耗、耐壓、電流能力）以及它們在不同應用場景下的優劣勢。著重強調器件的可靠性、熱管理和集成化趨勢，為後續係統設計提供器件選型的指導。 在此基礎上，本書將詳細闡述電力電子變換器（如DC-DC、DC-AC、AC-DC、AC-AC變換器）的基本拓撲結構、工作模式、穩態分析和動態響應。我們將通過豐富的實例，講解如何利用半導體器件實現電壓、電流、頻率的有效變換。重點關注這些變換器在不同應用領域（如電動汽車充電樁、光伏逆變器、工業驅動、開關電源）中的核心功能和設計挑戰。 第二部分：電力電子係統的建模與仿真 有效的係統設計離不開精確的建模與仿真。本部分將引導讀者掌握多種電力電子係統建模方法，包括基於基爾霍夫定律的解析模型、平均模型、狀態空間模型以及更復雜的詳細模型。我們將介紹常用的仿真軟件（如MATLAB/Simulink, PSIM, PLECS）及其在電力電子係統分析中的應用，演示如何利用這些工具進行瞬態分析、穩態分析、諧波分析和可靠性仿真。 重點將放在如何根據具體設計需求選擇閤適的建模方法和仿真工具，以及如何通過仿真來預測係統性能、優化控製策略、驗證設計可行性並發現潛在問題。我們將深入探討模型參數的選取、仿真精度的控製以及仿真結果的解讀，幫助讀者建立科學的仿真設計流程。 第三部分：電力電子係統的控製策略與算法 控製係統是電力電子係統的“大腦”，直接決定瞭係統的性能、效率和穩定性。本部分將係統地介紹各種先進的控製策略和算法，從傳統的PID控製，到更高級的電流模式控製（如滯環控製、固定頻率PWM）、電壓模式控製，再到針對特定應用場景的優化控製方法。 我們將重點講解以下內容： PWM（脈衝寬度調製）技術： 詳細介紹不同類型的PWM技術（如雙極性SPWM、單極性SPWM、空間矢量PWM），分析它們對輸齣波形質量、諧波抑製和器件損耗的影響。 反饋控製理論： 迴顧現代控製理論在電力電子係統中的應用，包括穩定性分析（如奈奎斯特判據、根軌跡法）、魯棒性設計以及模型預測控製（MPC）等。 軟開關技術： 深入分析各種軟開關技術（如ZVS, ZCS）的原理、實現方式及其在提高效率、降低EMI方麵的優勢，並探討不同軟開關拓撲的適用性。 數字控製與DSP應用： 闡述數字控製器在電力電子係統中的作用，介紹常用的數字控製算法，以及如何利用DSP（數字信號處理器）實現復雜的控製邏輯和高速響應。 麵嚮應用的先進控製： 針對具體應用，介紹如並網控製（同步鎖相環PLL、功率注入控製）、無傳感器控製、自適應控製、故障診斷與容錯控製等。 第四部分：電力電子係統的效率優化與功率密度提升 在現代電力電子係統中，效率和功率密度是衡量産品性能的關鍵指標。本部分將集中探討如何通過各種技術手段來優化係統的效率並提升功率密度。 損耗分析與降低： 詳細分析功率器件的導通損耗、開關損耗，電感、變壓器的磁芯損耗和銅損，以及電容的ESR損耗等。介紹如何通過器件選型、拓撲選擇、優化PWM策略、采用軟開關技術以及改進電路布局來有效降低各項損耗。 功率密度提升策略： 探討如何通過提高工作頻率、采用集成化技術（如功率模塊、SiC/GaN器件）、優化磁性元件設計（如采用高頻磁芯材料、集成電感）、改進散熱設計（如液冷、熱管）以及采用先進的封裝技術來減小係統體積，實現更高的功率密度。 EMC/EMI設計： 深入講解電磁兼容性（EMC）與電磁乾擾（EMI）的産生機理，以及如何在設計階段采取有效措施來抑製EMI，滿足相關標準要求。包括濾波器設計、屏蔽技術、接地設計以及PCB布局優化等。 第五部分：電力電子係統的可靠性與熱管理 係統可靠性是電力電子産品生命周期和運行安全的關鍵。本部分將重點關注係統的可靠性設計和有效的熱管理。 可靠性基礎理論： 介紹可靠性的基本概念，如失效率、平均無故障時間（MTBF），以及可靠性評估方法（如FMEA、FTA）。 影響可靠性的因素： 分析電壓應力、電流應力、溫度應力、開關次數以及環境因素（如濕度、振動）對功率器件和無源元件壽命的影響。 可靠性設計原則： 提齣提高係統可靠性的設計方法，包括留有足夠裕量、選擇高可靠性器件、優化電路拓撲、考慮故障模式以及冗餘設計等。 熱管理技術： 詳細介紹電力電子係統的熱傳導、熱對流和熱輻射原理。分析各種散熱技術（如自然對流、強製風冷、液冷、相變散熱）的優缺點及其應用場景。重點講解如何進行熱仿真分析，優化散熱器設計，選擇閤適的導熱材料，並實現有效的溫度監控和保護。 驅動與保護電路設計： 強調門極驅動電路在IGBT和MOSFET應用中的重要性，介紹驅動電路的設計原則，以及如何實現過流保護、過壓保護、欠壓保護、過溫保護等關鍵的保護功能，確保係統在異常情況下的安全運行。 第六部分：現代電力電子係統的發展趨勢與前沿技術 本部分將展望電力電子技術的發展方嚮，介紹一些當前和未來的前沿技術。 寬禁帶半導體器件（SiC, GaN）： 詳細介紹SiC和GaN器件相比於傳統矽器件在耐高壓、高頻、高溫方麵的優勢，以及它們在電動汽車、可再生能源、航空航天等領域的應用前景。 集成化與模塊化技術： 探討功率模塊（IPM, PIM）、三電平/多電平拓撲的優勢，以及如何實現功率器件、控製電路、傳感器的集成，提高功率密度和可靠性。 智能電力電子： 討論如何將人工智能、大數據分析技術應用於電力電子係統的設計、運行和維護，實現預測性維護、自優化控製和故障診斷。 新能源與儲能係統集成： 介紹電力電子在光伏發電、風力發電、電動汽車充電、儲能係統等關鍵領域的應用，以及如何實現多能源協同與並網優化。 高頻化與小型化： 分析高頻化趨勢對磁性元件、無源器件帶來的挑戰，以及新的材料和設計方法。 本書力求理論與實踐相結閤，通過豐富的圖錶、算例和仿真演示，幫助讀者深入理解電力電子係統的設計原理和優化方法，掌握實際應用中的關鍵技術，為讀者在快速發展的電力電子領域取得成功奠定堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

我是一名電子産品開發工程師，之前接觸過不少半導體器件相關的資料，但總覺得在功率半導體器件這一塊，總是有很多細節上的睏惑，尤其是在保證産品長期穩定運行方麵，常常會遇到一些意想不到的問題。這次偶然看到這本《功率半導體器件——原理、特性和可靠性》，從書名上看就非常有針對性，特彆是“可靠性”這三個字，正是我目前最迫切需要瞭解和掌握的。我之所以對這本書抱有很高的期待，是因為我經常在産品測試和維護過程中遇到一些由功率器件本身引起的故障，比如過熱、擊穿、性能衰減等。這些問題的原因往往不是因為設計思路錯誤，而是對器件在實際工作環境下的各種細微錶現瞭解不夠深入。這本書聲稱能夠從原理層麵深入剖析器件的特性，並將其與可靠性問題掛鈎，這正是我一直以來尋找的。我希望通過閱讀這本書，能夠更清晰地理解不同類型功率器件（例如IGBT、MOSFET、SiC等）在不同工作狀態下的損耗、溫升、電應力、熱應力等關鍵參數是如何影響其壽命的。同時，我也期望書中能提供一些關於如何評估和提高器件可靠性的實用方法和案例。如果這本書能幫助我建立起一套係統性的器件可靠性分析框架，那將對我未來的工作帶來巨大的價值。

評分☆☆☆☆☆

收到一本期待已久的書，封皮的“正版新書”四個字讓人安心，扉頁上赫然印著“（德）盧茨，等”的字樣，再往下便是“機械工業齣版社”的招牌。這本書的書名直截瞭當：《功率半導體器件——原理、特性和可靠性》。光是這幾個詞，就足以讓任何在電子工程領域摸爬滾打的從業者或學生心頭一震。我是在一個論壇上偶然看到有人推薦這本書的，當時就被其中“原理、特性和可靠性”這幾個關鍵詞給吸引住瞭。我一直在尋找一本能夠係統梳理功率半導體器件基礎知識，並且深入探討其應用和可靠性問題的書籍。市麵上確實有不少關於半導體器件的書籍，但很多要麼過於理論化，要麼過於偏重某個細分領域，很難找到一本能夠兼顧廣度和深度的。特彆是“可靠性”這個部分，在實際工程應用中至關重要，但很多教材往往一帶而過，或者停留在一知半解的層麵。盧茨教授的名字我有所耳聞，知道他在這個領域有很高的造詣，所以看到這本書的時候，幾乎沒有猶豫就下單瞭。拿到書的那一刻，厚實的紙張和清晰的排版就給瞭我很好的第一印象。我迫不及待地翻看瞭目錄，看到瞭諸如“二極管”、“三極管”、“晶閘管”、“MOSFET”、“IGBT”等經典器件的章節，更讓我驚喜的是，還有關於“功率器件的封裝”、“熱管理”、“故障分析”以及“壽命預測”等深入的內容。這些都是我在實際工作中經常會遇到的問題，也是我一直希望能夠係統學習和理解的部分。初步翻閱下來，感覺這本書的理論體係非常完整，從最基本的pn結原理講起，逐步深入到各種功率器件的結構、工作機理、電學特性、熱學特性，以及最重要的可靠性問題。這本書的齣版，無疑為我們提供瞭一個絕佳的學習平颱。

評分☆☆☆☆☆

我是一名電力電子工程師，日常工作中經常需要接觸和設計各種功率變換器。近年來，隨著新能源和電動汽車産業的飛速發展，對功率半導體器件的性能要求越來越高，同時也對器件的可靠性提齣瞭嚴峻的挑戰。在過去的幾年裏，我嘗試閱讀過不少相關的文獻和書籍，但總感覺缺乏一本能夠係統性地、深入淺齣地講解功率半導體器件原理、特性以及可靠性之間相互影響的書籍。很多文獻在介紹器件原理時，側重點不同，導緻我理解起來有些碎片化；而談到可靠性時，則往往是局限於某個特定的失效機製，難以形成一個全麵的認識。這次入手這本（德）盧茨的《功率半導體器件——原理、特性和可靠性》，最大的感受是它的內容非常紮實。書中不僅詳細闡述瞭各種主流功率半導體器件（如IGBT、MOSFET、SiC器件等）的基本工作原理和關鍵電學特性，更重要的是，它將這些特性與器件的長期可靠性緊密地聯係起來。例如，在講解器件的開關損耗和導通損耗時，書中會深入分析這些損耗在實際工作過程中對器件溫度的影響，進而探討溫度如何加速器件的老化和失效。此外，書中對熱管理、過電壓、過電流等應力對器件可靠性的影響進行瞭詳盡的論述，並提齣瞭一些有效的抑製和緩解措施。這些內容對於我這樣的實踐者來說，具有極強的指導意義，能夠幫助我更好地理解器件的局限性，並在設計中規避潛在的風險，從而提高産品的整體可靠性。

評分☆☆☆☆☆

這次入手瞭這本《功率半導體器件——原理、特性和可靠性》，可以說是一次非常驚喜的體驗。我是一名在電力電子領域摸爬滾打多年的技術人員，深知功率半導體器件在現代電力係統中的核心地位，也體會過因對其特性理解不夠深入而帶來的各種挑戰。市麵上關於功率半導體器件的書籍不少，但真正能夠將“原理”、“特性”和“可靠性”這三個維度完美結閤，並且講解得深入透徹的，確實不多。我尤其看重的是書中對“可靠性”的關注。在實際工程應用中，器件的性能固然重要，但其長期穩定運行的能力，也就是可靠性，纔是決定産品成敗的關鍵。很多時候，我們雖然能夠讓器件在實驗室環境下工作得很好，但一旦投入到復雜的實際工況中，各種意想不到的失效就可能齣現。這本書的作者（德）盧茨，在業界享有盛譽，我對他的專業能力有著高度的信任。從初步翻閱的感受來看，這本書的內容非常有條理，從器件的基本物理原理齣發，逐步深入到各種復雜器件的結構、工作特性，以及它們在各種應力條件下的錶現。我非常期待書中關於器件熱管理、過應力保護、以及失效機理分析等部分的詳細論述。相信通過閱讀這本書，能夠幫助我更係統、更全麵地理解功率半導體器件的本質，從而在未來的設計和應用中，能夠做齣更明智的決策，提高産品的整體性能和可靠性，避免不必要的返工和損失。

評分☆☆☆☆☆

作為一個對半導體技術充滿好奇的學生，我最近在學習電力電子方嚮的知識。在老師的推薦下，我得知瞭這本《功率半導體器件——原理、特性和可靠性》的書。雖然我還沒有深入研讀，但僅僅是目錄和前幾章的初步瀏覽，就已經讓我感受到這本書的深度和廣度。我特彆期待其中關於“原理”的部分，因為我知道，要真正理解一個器件，就必須從最基礎的物理原理入手。書中對二極管、三極管等基礎器件的講解，據說非常細緻，並且能夠清晰地解釋它們在功率應用中的特性。更吸引我的是“特性”和“可靠性”這兩個章節。我知道功率半導體器件的工作環境往往非常惡劣，高電壓、大電流、高溫等等，這些因素都會對器件的性能産生影響，甚至導緻器件的損壞。所以，瞭解這些特性以及它們與可靠性之間的關係，對於我未來的學習和研究至關重要。我希望通過閱讀這本書，能夠建立起一個完整的知識體係，從微觀的器件結構到宏觀的應用係統，都能有更深入的理解。特彆是一些關於器件的失效模式和可靠性評估方法，是我非常感興趣的部分，因為這直接關係到設計的成功與否。這本書給我一種非常權威的感覺，感覺作者在這些領域有著非常豐富的經驗和深刻的見解，能夠引導我從一個初學者走嚮更專業的領域。