模擬電子技術基礎(第2版) pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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楊拴科 著

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齣版社： 7-04

ISBN：9787040305838

商品編碼：29692536222

包裝：平裝

齣版時間：2010-11-01

基本信息

書名:模擬電子技術基礎(第2版)

：38.80元

售價：26.4元,便宜12.4元,摺扣68

作者:楊拴科

齣版社：7-04

齣版日期：2010-11-01

ISBN：9787040305838

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版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

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編輯推薦

內容提要

《模擬電子技術基礎(第2版)》是普通高等教育“十一五”規劃教材，是在2003年齣版的《模擬電子技術基礎》(普通高等教育“十五”規劃教材)的基礎上，參照“教育部電子電氣基礎課程教學指導分委員會”2005年頒布的“模擬電子技術基礎”課程基本要求，總結西安交通大學電子學教研組多年教學實踐經驗修訂而成的。本次修訂未改變原教材的體係，仍然遵循“器件”、“電路”、“應用”相結閤，以器件、電路工作原理及分析方法為基礎，電路及係統應用為目的的原則，體現“難點分散、引導入門、利於教學”的指導思想，保持我校電子技術基礎教學“保基礎、重實踐、少而精”的傳統。內容包括：緒言、半導體二極管及其應用、晶體管及放大電路基礎、場效應管及其放大電路、集成運算放大器、反饋和負反饋放大電路、集成運放組成的運算電路、信號檢測與處理電路、信號發生器、功率放大電路、直流穩壓電源、在係統可編程模擬器件原理及其應用、Pspice軟件及模擬電路仿真等。各章末有小結，並配有難易程度和數量都比較適當的思考題及習題。《模擬電子技術基礎(第2版)》可與西安交通大學張剋農主編的《數字電子技術基礎》(第2版)配套使用，作為高等學校電氣信息、儀器儀錶、電子信息科學類及其它相近專業本、專科生“電子技術基礎”課程的教材或教學參考書，也可供相關工程技術人員參考。本書由楊拴科擔任主編，負責提齣修訂大綱、組織修訂和定稿工作，趙進全擔任副主編。

目錄

緒言
0.1 什麼是電子技術
0.2 本課程的性質、任務和重點內容
0.3 本課程的特點和學習方法
章 半導體二極管及其應用
1.1 PN結
1.1.1 PN結的形成
1.1.2 PN結的單嚮導電性
1.1.3 PN結電壓與電流的關係
1.1.4 PN結的反嚮擊穿
1.1.5 PN結的電容效應
1.2 半導體二極管
1.2.1 半導體二極管的結構和類型
1.2.2 半導體二極管的伏安特性
1.2.3 溫度對半導體二極管特性的影響
1.2.4 半導體二極管的主要電參數
1.2.5 半導體二極管的模型
1.3 半導體二極管的應用
1.3.1 在整流電路中的應用
1.3.2 在檢波電路中的應用
1.3.3 限幅電路
1.4 特種二極管
1.4.1 矽穩壓二極管
1.4.2 變容二極管
本章小結
思考題及習題
第2章 晶體管及放大電路基礎
2.1 晶體管
2.1.1 晶體管的結構
2.1.2 晶體管的工作原理
2.1.3 晶體管共射極接法的伏安特性麯綫
2.1.4 晶體管的主要電參數
2.1.5 溫度對晶體管參數的影響
2.2 共射極放大電路的組成和工作原理
2.2.1 放大電路概述
2.2.2 共射極放大電路的組成及其工作原理
2.3 放大電路的靜態分析
2.3.1 圖解法在放大電路靜態分析中的應用
2.3.2 估算法在放大電路靜態分析中的應用
2.4 放大電路的動態分析
2.4.1 圖解法在放大電路動態分析中的應用
2.4.2 微變等效電路法在放大電路動態分析中的應用
2.5 靜態工作點的選擇和穩定
2.5.1 靜態工作點的選擇
2.5.2 靜態工作點的穩定
2.5.3 負反饋在靜態工作點穩定中的應用
2.6 共集電極放大電路和共基極放大電路
2.6.1 共集電極放大電路
2.6.2 共基極放大電路
2.6.3 三種基本放大電路性能比較
2.7 多級放大電路
2.7.1 多級放大電路的組成
2.7.2 多級放大電路中的耦閤方式
2.7.3 多級放大電路的計算
2.8 放大電路的頻率特性
2.8.1 頻率響應和頻率失真
2.8.2 放大電路的頻率響應和瞬態響應
2.8.3 晶體管的高頻特性
2.8.4 單管共射極放大電路的頻率響應
2.8.5 放大電路的增益帶寬積
2.8.6 多級放大電路的頻率響應
本章小結
思考題及習題
附錄2.1 密勒定理
第3章 場效應管及其放大電路
3.1 結型場效應管
3.1.1 結型場效應管的結構和類型
3.1.2 結型場效應管的工作原理
3.1.3 結型場效應管的伏安特性
3.2 絕緣柵型場效應管
3.2.1 增強型MOS管
3.2.2 耗盡型MOS管
3.2.3 MOs場效應管使用注意事項
3.3 場效應管的參數和小信號模型
3.3.1 場效應管的主要電參數
3.3.2 場效應管的小信號模型
3.3.3 場效應管與晶體管的比較
3.4 場效應管放大電路
3.4.1 場效應管偏置電路及其靜態分析
3.4.2 場效應管放大電路動態分析
本章小結
思考題及習題
第4章 集成運算放大器
4.1 集成運放概述
4.1.1 集成電路中元器件的特點
4.1.2 集成運放的典型結構
4.1.3 集成運放的符號及電壓傳輸特性
4.2 雙極型集成運放
4.2.1 典型差分放大電路
4.2.2 帶恒流源的差分放大電路
4.2.3 差分放大電路的傳輸特性
4.2.4 電流源電路
4.2.5 復閤管電路
4.2.6 互補推挽放大電路
4.2.7 雙極型通用運放簡化電路
4.3 CMOS集成運放
4.3.1 MCl4573電路結構
4.3.2 MCl4573電路原理分析
4.4 運放的主要參數及簡化低頻等效電路
4.4.1 交流參數
4.4.2 直流參數
4.4.3 簡化低頻等效電路
4.5 其它集成運放
4.5.1 幾種特殊用途的運放簡介
4.5.2 跨導運放
4.5.3 電流模運放
本章小結
思考題及習題
第5章 反饋和負反饋放大電路
5.1 反饋的基本概念及類型
5.1.1 反饋的基本概念
5.1.2 負反饋放大電路的四種基本類型
5.1.3 負反饋放大電路舉例
5.1.4 負反饋放大電路的一般錶達式
5.2 負反饋對放大電路性能的影響
5.2.1 提高放大倍數的穩定性
5.2.2 擴展通頻帶
5.2.3 減小非綫性失真
5.2.4 抑製反饋環內的乾擾和噪聲
5.2.5 對輸入電阻和輸齣電阻的影響
5.2.6 正確引入反饋
5.3 負反饋放大電路的分析及近似計算
5.3.1 深度負反饋放大電路近似計算的一般方法
5.3.2 電壓模運算放大器組成的反饋電路
5.3.3 分立元件組成的反饋電路
5.3.4 電流模運算放大器的閉環特性
5.4 負反饋放大電路的自激振蕩及消除
5.4.1 負反饋放大電路的自激振蕩條件
5.4.2 負反饋放大電路的穩定性
5.4.3 消除自激振蕩的方法
本章小結
思考題及習題
第6章 集成運放組成的運算電路
6.1 基本運算電路
6.1.1 加法運算
6.1.2 減法運算
6.1.3 積分運算
6.1.4 微分運算
6.2 對數和反對數運算電路
6.2.1 對數運算
6.2.2 反對數運算
6.3 模擬乘法器及其應用
6.3.1 乘法器的工作原理
6.3.2 乘法器應用電路
6.4 集成運放使用中的幾個問題
6.4.1 選型
6.4.2 調零
6.4.3 消振及供電電源的去耦
6.4.4 輸入及輸齣保護
6.4.5 運放單電源供電電路
6.4.6 運算電路的誤差分析
本章小結
思考題及習題
第7章 信號檢測與處理電路
7.1 電子係統概述
7.2 信號檢測係統中的放大電路
7.2.1 測量放大器
7.2.2 隔離放大器
7.2.3 程控增益放大器
7.3 有源濾波器
7.3.1 濾波器的基礎知識
7.3.2 低通有源濾波器
7.3.3 高通有源濾波器
7.3.4 帶通和帶阻有源濾波器
7.3.5 開關電容濾波器
7.4 綫性檢波與采樣-保持電路
7.4.1 綫性檢波電路
7.4.2 采樣-保持電路
7.5 電壓比較器
7.5.1 單門限電壓比較器
7.5.2 多門限電壓比較器
7.5.3 集成電壓比較器
本章小結
思考題及習題
第8章 信號發生器
8.1 正弦波信號發生器
8.1.1 正弦波自激振蕩的基本原理
8.1.2 RC型正弦波信號發生器
8.1.3 Lc型正弦波信號發生器
8.1.4 晶體振蕩器
8.2 非正弦信號發生器
8.2.1 方波發生器
8.2.2 三角波和鋸齒波發生器
8.2.3 脈寬調製波發生器
8.2.4 壓控振蕩器
8.3 鎖相環及其在頻率閤成器中的應用
8.3.1 鎖相環的基本結構
8.3.2 鎖相環的工作過程
8.3.3 鎖相環的特性及其應用
本章小結
思考題及習題
第9章 功率放大電路
9.1 功率放大電路的特點及分類
9.2 互補推挽功率放大電路
9.2.1 乙類互補推挽功率放大電路
9.2.2 甲乙類互補推挽功率放大電路
9.2.3 單電源功率放大電路
9.2.4 前置級為運放的功率放大電路
9.2.5 變壓器耦閤功率放大電路
9.3 集成功率放大器
9.4 功率器件與散熱
9.4.1 雙極型功率晶體管(BJT)
9.4.2 功率MOSFET
9.4.3 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)
9.4.4 功率器件的散熱
本章小結
思考題及習題
0章 直流穩壓電源
10.1 概述
10.2 單相整流及電容濾波電路
10.2.1 單相橋式整流電路的主要性能指標
10.2.2 電容濾波電路
10.3 倍壓整流電路
10.4 串聯反饋型綫性穩壓電路
10.4.1 穩壓電路的功能和性能指標
10.4.2 串聯反饋型綫性穩壓電路的工作原理
10.4.3 高精度基準電壓源
10.4.4 集成三端穩壓器
10.4.5 高效率低壓差綫性集成穩壓器
10.5 開關型穩壓電路
10.5.1 降壓型開關穩壓電路
10.5.2 開關穩壓電源實用電路
本章小結
思考題及習題
1章 在係統可編程模擬器件原理及其應用
11.1 概述
11.2 在係統可編程模擬器件的結構及原理
11.2.1 ispPAC10的結構和原理
11.2.2 ispPAC20的結構和原理
11.3 在係統可編程模擬器件的應用電路
11.3.1 放大電路設計
11.3.2 濾波電路設計
11.3.3 數據采集係統中的信號調理電路設計
本章小結
思考題及習題
2章 PSpice軟件及模擬電路仿真
12.1 Pspice軟件及其使用方法
12.1.1 Capture CIS軟件的電路及元器件描述
12.1.2 Pspice A/D軟件的分析功能簡介
12.1.3 Pspice A/D軟件的使用方法介紹
12.2 基本單元電路Pspice仿真
12.2.1 晶體管放大電路仿真
12.2.2 結型場效應管放大電路仿真
12.2.3 差分放大電路仿真
12.2.4 多級放大電路及負反饋電路仿真
12.2.5 互補推挽功率放大電路仿真
12.3 運算放大器應用電路Pspice仿真
12.3.1 混音電路仿真
12.3.2 遲滯比較器電路仿真
12.3.3 方波和三角波發生電路仿真
本章小結
思考題及習題
附錄 常用半導體器件的SPICE模型
F.1 二極管模型
F.2 晶體管模型
F.3 場效應管模型
參考文獻

作者介紹

文摘

序言

《微電子器件的物理原理與工藝》 前言 在當今科技飛速發展的時代，微電子技術作為信息技術的核心驅動力，其重要性不言而喻。從智能手機到超級計算機，從醫療設備到航空航天，微電子器件無處不在，深刻地改變著我們的生活和社會。而支撐起這些日新月異的電子設備，正是那些直徑以微米甚至納米計的微小半導體器件。理解這些器件的內在工作機製，掌握其製造工藝的精髓，是投身微電子領域、推動技術進步的關鍵。 本書旨在深入探討構成現代電子係統的基石——微電子器件的物理原理和製造工藝。我們將帶領讀者穿越微觀世界的奇妙之旅，揭示半導體材料的奧秘，剖析各種典型微電子器件（如二極管、晶體管）的內部結構和工作原理。同時，本書也將詳細介紹支撐這些器件生産的精密製造技術，從材料製備到最終封裝，勾勒齣一條完整的微電子製造鏈條。 本書的編寫風格力求嚴謹而清晰，理論分析與實際應用相結閤。在介紹物理原理時，我們會引用必要的量子力學和固體物理概念，但會盡量以易於理解的方式闡述，並輔以生動的比喻和圖示。在講述製造工藝時，我們會關注其背後的科學原理和工程挑戰，幫助讀者理解技術演進的邏輯。 本書適閤所有對微電子技術感興趣的讀者，包括電子科學與技術、微電子學、集成電路設計、材料科學等相關專業的學生，以及從事半導體研發、製造、封裝、測試等工作的工程師和技術人員。對於希望係統瞭解微電子器件從“原子”到“芯片”全過程的讀者，本書也將提供寶貴的參考。 希望本書能夠成為您探索微電子世界的一扇窗戶，激發您對半導體科學與技術的無限熱情，並在您的學習和工作中提供有力的支持。 第一章 半導體材料基礎 本章將為讀者打下堅實的理論基礎，深入探討微電子器件的核心——半導體材料。我們將從原子結構和電子的運動規律入手，解釋為什麼矽、鍺等材料能夠導電，並能通過摻雜等方式精確控製其導電性能。 1.1 原子結構與電子能級： 元素周期錶與原子組成：迴顧原子核、質子、中其中、電子的基本概念。 電子殼層與軌道：理解電子在原子核外不同能級和軌道上的分布。 能帶理論：這是理解半導體導電性的關鍵。我們將解釋晶體中原子相互作用形成的能帶（價帶、導帶）以及能隙（禁帶寬度）的概念。 導體、絕緣體與半導體的能帶結構區分：明確半導體在能帶結構上的獨特性質，即適中的禁帶寬度。 1.2 摻雜與載流子： 本徵半導體：介紹純淨半導體（如純矽）的導電性，及其在常溫下電子-空穴對的産生與復閤。 N型半導體：闡述加入五價雜質（如磷、砷）後，多餘電子成為自由載流子，以及其導電性主要由電子決定的原理。 P型半導體：講解加入三價雜質（如硼、鎵）後，形成空穴成為多數載流子，以及其導電性主要由空穴決定的原理。 摻雜濃度對載流子濃度的影響：理解摻雜濃度是控製半導體導電性能的關鍵參數。 費米能級：介紹摻雜後費米能級的位置變化，以及它在描述半導體導電性中的作用。 1.3 典型半導體材料及其特性： 矽（Si）：作為當前微電子産業的主流材料，詳細介紹其優勢（如儲量豐富、氧化層穩定性好、禁帶寬度適中）和一些局限性。 鍺（Ge）：介紹鍺作為早期半導體材料的應用，以及其在某些特定領域的優勢（如載流子遷移率高）。 化閤物半導體： 砷化鎵（GaAs）：講解GaAs的優越載流子遷移率和高頻特性，以及其在光電子器件和高速通信領域的應用。 氮化鎵（GaN）：介紹GaN的寬禁帶特性，以及其在高功率、高溫和高頻應用中的潛力，如LED、電力電子器件。 其他化閤物半導體：簡要提及如InP, SiC等材料及其特點。 材料的生長與提純：簡要介紹用於製造高純度半導體材料的技術，如直拉法（CZ法）、區熔法（FZ法）等，為後續工藝奠定基礎。 第二章 PN結的形成與特性 PN結是構成幾乎所有半導體器件的基本單元。本章將聚焦於PN結的形成機理、能帶圖、以及其在不同偏置下的電學特性。 2.1 PN結的形成： PN結的形成過程：詳細描述P型和N型半導體在接觸時，因載流子濃度差而産生的擴散和漂移過程，最終形成空間電荷區。 空間電荷區（耗盡層）：解釋空間電荷區的形成原因，其內部存在的內建電場。 內部電場與內建電勢：計算PN結內部電場強度和內建電勢，以及它們如何阻止進一步的載流子擴散。 2.2 PN結的能帶圖： 平衡狀態下的能帶圖：繪製PN結在無外加電壓時的能帶圖，展示價帶和導帶的彎麯，以及費米能級的平坦。 外加電壓對能帶圖的影響：理解正嚮偏置和反嚮偏置如何改變能帶圖的形狀，進而影響載流子的注入和耗盡。 2.3 PN結的電學特性： 零偏置下的特性：描述PN結在沒有外加電壓時的狀態。 正嚮偏置： 載流子注入：講解外加正嚮電壓如何降低內建電勢，使多數載流子能夠越過勢壘，並作為少數載流子注入對方區域。 正嚮電流：分析正嚮電流的主要來源（注入的少數載流子復閤）以及電流與電壓的關係（指數關係）。 導通電壓：定義並解釋PN結的導通電壓。 反嚮偏置： 載流子耗盡：講解外加反嚮電壓如何增大內建電勢，使耗盡層變寬，載流子被拉開。 反嚮飽和電流：分析由少數載流子産生的反嚮電流，及其幾乎不隨電壓變化的特點。 雪崩擊穿與齊納擊穿：深入剖析PN結在強反嚮偏置下發生擊穿的兩種主要機理，並介紹穩壓二極管的原理。 PN結的伏安特性麯綫：繪製並分析PN結的完整伏安特性麯綫，展示其非綫性特性。 2.4 PN結的應用： 二極管：介紹PN結如何構成各種類型的二極管，如整流二極管、發光二極管（LED）、光電二極管等。 晶體管的構建單元：說明PN結是構成BJT和MOSFET等復雜晶體管的基礎。 第三章 雙極型晶體管（BJT） 雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）是一種重要的三端半導體器件，通過控製基極電流來放大或開關信號。本章將深入探討BJT的結構、工作原理及其特性。 3.1 BJT的結構與類型： PNP型和NPN型BJT：介紹兩種類型的BJT，包括發射區、基區、集電區的摻雜類型和相對厚度。 BJT的結構示意圖：繪製BJT的截麵圖，展示各部分的物理結構。 發射結和集電結：明確BJT中兩個PN結的界定。 3.2 BJT的工作原理： 載流子在BJT中的輸運：以NPN型BJT為例，詳細分析電子和空穴在發射區、基區、集電區內的運動過程。 發射結正偏、集電結反偏（放大區）： 發射區載流子注入：描述發射結正偏時，發射區的多數載流子（電子）注入到基區。 基區載流子輸運：講解注入到基區的電子，由於基區薄且摻雜濃度低，大部分能夠不發生復閤而擴散到集電結附近。 集電區載流子收集：描述集電結反偏時，集電區能夠有效地收集這些穿過基區的電子，形成集電極電流。 基極電流的來源：分析基極電流主要由基區少數載流子（空穴）與發射區注入的電子在基區復閤産生，以及由集電結反嚮漏流産生。 電流放大作用：解釋集電極電流遠大於基極電流的現象，即電流放大作用。 其他工作區： 截止區：當發射結和集電結都反偏時，無電流導通。 飽和區：當發射結和集電結都正偏時，BJT工作在飽和狀態，集電極電流達到最大值。 反嚮放大區：當發射結反偏，集電結正偏時。 3.3 BJT的電學模型與特性麯綫： Ebers-Moll模型：介紹描述BJT電學特性的等效電路模型，理解其參數的物理意義。 輸齣特性麯綫（集電極電流Ic與集電極-發射極電壓Vce的關係，不同基極電流Ib）：繪製並分析輸齣特性麯綫，識彆放大區、飽和區和截止區。 輸入特性麯綫（基極電流Ib與基極-發射極電壓Vbe的關係，不同集電極-發射極電壓Vce）：繪製並分析輸入特性麯綫。 電流增益（β）：定義並計算直流電流增益β = ΔIc / ΔIb，理解其變化範圍。 跨導（gm）：定義並解釋跨導的概念，它描述瞭輸齣電流對輸入電壓的敏感程度。 3.4 BJT的應用： 放大器：介紹BJT作為基本放大單元在各種模擬電路中的應用。 開關電路：介紹BJT如何作為電子開關，在數字電路和功率電子器件中應用。 振蕩器、混頻器等。 第四章 場效應晶體管（FET） 場效應晶體管（Field-Effect Transistor, FET）是另一種重要的半導體器件，其工作原理是利用電場來控製溝道中的載流子濃度。本章將介紹FET的結構、工作原理及其分類。 4.1 FET的分類與結構： 結型場效應晶體管（JFET）： N溝道JFET與P溝道JFET：介紹其結構，包括源極、漏極、柵極和溝道。 柵極的PN結：理解柵極如何通過一個PN結來控製溝道的導電性。 絕緣柵場效應晶體管（IGFET），也稱為金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）： NMOS和PMOS：介紹N溝道MOSFET（NMOS）和P溝道MOSFET（PMOS）的結構，包括源極、漏極、柵極、體（襯底）和絕緣層（通常是二氧化矽）。 增強型和耗盡型：區分不同類型的MOSFET。 4.2 JFET的工作原理： 柵極反偏對溝道寬度的影響：講解當柵極施加反嚮電壓時，PN結的耗盡層會擴展，擠壓溝道，從而改變溝道的電阻。 漏極電流與柵極電壓的關係：描述漏極電流隨柵極電壓（Vgs）的變化規律，以及夾斷電壓（Vp）的概念。 輸齣特性麯綫：繪製JFET的輸齣特性麯綫，展示不同Vgs下的漏極電流Id與漏極-源極電壓Vds的關係。 4.3 MOSFET的工作原理： 通道的形成： 耗盡型MOSFET：講解在柵極電壓作用下，溝道中的載流子濃度可以被增強或減弱。 增強型MOSFET：在柵極電壓的作用下，在絕緣層與半導體錶麵之間感應齣與襯底相反類型載流子形成的導電溝道。 柵極電壓對溝道載流子密度的控製：理解柵極電壓通過電場效應改變溝道內的載流子濃度。 閾值電壓（Vt）：定義並解釋增強型MOSFET的閾值電壓，隻有當柵極電壓超過Vt時，溝道纔會形成。 漏極電流與柵極電壓的關係：描述MOSFET的漏極電流（Id）與柵極-源極電壓（Vgs）和漏極-源極電壓（Vds）的關係。 MOSFET的飽和區與綫性區：分析MOSFET在不同工作區下的特性。 體效應：介紹襯底電壓對MOSFET特性的影響。 4.4 MOSFET的優勢與應用： 輸入阻抗高。 功耗低，尤其適用於CMOS技術。 集成度高，是現代大規模集成電路（VLSI）的核心。 應用於數字邏輯電路、存儲器、放大器等。 第五章 微電子器件的製造工藝 本章將帶領讀者瞭解支撐上述半導體器件製造的精密工藝流程，揭示從矽片到功能芯片的演變過程。 5.1 晶圓製備： 矽提純與生長：介紹矽晶錠的生長（如直拉法、區熔法）以及切片、研磨、拋光等工藝，形成高質量的矽晶圓。 外延生長：講解在晶圓錶麵生長一層高質量的單晶矽層，以獲得所需的摻雜濃度和材料特性。 5.2 光刻（Photolithography）： 光刻的原理：介紹使用光刻膠、光罩和曝光設備，將電路圖形轉移到晶圓錶麵的過程。 光刻膠的塗布、曝光、顯影：詳細描述光刻過程的各個步驟。 光刻機的種類與精度：介紹不同類型的光刻機（如接觸式、接近式、步進式、掃描式）及其對器件尺寸的影響。 先進光刻技術：簡要提及如深紫外（DUV）、極紫外（EUV）光刻等技術在製造更小尺寸器件中的作用。 5.3 刻蝕（Etching）： 乾法刻蝕（等離子刻蝕）：介紹使用等離子體去除不需要的材料，具有各嚮異性，適用於製造精細圖形。 濕法刻蝕：介紹使用化學溶液去除材料，具有各嚮同性，適用於大麵積去除。 反應離子刻蝕（RIE）：結閤瞭乾法和濕法的優點，是現代集成電路製造中的重要工藝。 5.4 薄膜沉積（Thin Film Deposition）： 化學氣相沉積（CVD）：介紹通過化學反應在襯底錶麵形成薄膜，如二氧化矽（SiO2）、氮化矽（SiN）、多晶矽等。 物理氣相沉積（PVD）：如濺射（Sputtering）和蒸發（Evaporation），用於沉積金屬薄膜（如鋁、銅、鎢）。 原子層沉積（ALD）：一種超薄膜沉積技術，可實現原子級的精度控製。 5.5 摻雜與離子注入（Doping and Ion Implantation）： 擴散（Diffusion）：通過高溫處理，使摻雜原子從高濃度區域嚮低濃度區域擴散。 離子注入：使用高能離子束將摻雜原子直接注入到晶圓的特定區域，具有精確的摻雜濃度和深度控製。 退火（Annealing）：退火工藝用於激活注入的雜質，修復晶格損傷，並使摻雜原子達到穩定狀態。 5.6 金屬化與互連（Metallization and Interconnect）： 多層金屬互連：介紹在芯片內部創建多層金屬導綫，連接不同的器件和電路。 金屬材料的選擇：如鋁、銅、鎢等，及其優缺點。 阻擋層和擴散阻擋層：防止金屬原子擴散到半導體材料中。 通孔（Via）的形成：用於連接不同層級的金屬導綫。 5.7 封裝（Packaging）： 引綫鍵閤：將芯片上的引綫連接到封裝外部的引腳。 倒裝芯片（Flip-Chip）：將芯片直接翻轉，用焊球連接到基闆。 晶圓級封裝（WLP）：在晶圓階段完成封裝，提高效率。 封裝的功能：保護芯片免受環境影響，散熱，提供電連接。 結論 本書全麵闡述瞭微電子器件的核心物理原理和製造工藝。從半導體材料的微觀世界，到PN結的形成與特性，再到BJT和FET等關鍵器件的工作機製，以及支撐這一切的精密製造技術，我們力求為讀者呈現一個完整而深入的微電子器件圖景。 理解這些基礎知識，不僅有助於我們更好地掌握現有電子設備的工作原理，更能激發我們對未來技術發展的思考和探索。微電子技術的進步永無止境，新的材料、新的器件結構、新的製造工藝將不斷湧現，驅動著人類社會邁嚮更加智能、高效和互聯的未來。 希望本書能夠成為您在這個日新月異的科技領域中，學習、研究和創新的堅實起點。

評分☆☆☆☆☆

這本書的內容深度和廣度，對於想建立紮實基礎的工科學生來說，簡直是一劑強心劑。它沒有那種為瞭湊字數而堆砌的冗餘概念，每一章節的論述都緊密圍繞核心原理展開，邏輯鏈條清晰到令人贊嘆。我特彆喜歡它在講解放大電路時所采用的循序漸進的方法，從最基礎的PN結特性講起，逐步過渡到共射、共集、共基極組態的詳細分析，每一步都有詳細的數學推導和等效電路模型支撐，絕不含糊其辭。書中那些精選的例題設計得非常巧妙，它們並非僅僅是簡單套用公式，而是巧妙地引入瞭實際工程中可能遇到的非理想因素，比如溫漂、負載變化等，這使得讀者在解題過程中不僅掌握瞭理論計算，更培養瞭工程師的思維方式——即考慮現實約束。雖然有些地方的推導步驟略顯緊湊，比如在分析反饋網絡穩定性時，初學者可能需要多花點時間去理解背後的拉普拉斯變換的含義，但一旦打通瞭，那種豁然開朗的感覺，是看其他輕描淡寫書籍無法體會的。它真正做到瞭“授人以漁”，教會你如何思考而非僅僅是記住結論。

評分☆☆☆☆☆

從教學方法論的角度來看，這本書采取瞭一種非常現代且以學生為中心的敘事方式。它沒有采用那種高高在上、不容置疑的權威口吻，而是更像一位經驗豐富的導師在和你對話。每當引入一個新的復雜概念時，作者總會先用一個簡潔的類比或者一個直觀的物理模型來打底，比如用“水管的阻力”來解釋電阻對電流的限製，或者用“慣性”來描述電容對電壓變化的抵抗。這種“先形似後神似”的教學策略，極大地降低瞭初次接觸電子學概念時的心理門檻。在章節的末尾設置的“自檢思考題”也做得非常齣色，它們不像傳統的習題那樣隻關注計算結果，更多的是引導性的開放問題，要求讀者去解釋“為什麼”而不是簡單地求“多少”。例如，它會問“為什麼在輸入信號過大時，晶體管會進入飽和區，這對信號意味著什麼？”這種對現象背後原理的深挖，極大地促進瞭批判性思維的養成。這種教學設計，無疑是為那些不滿足於死記硬背、渴望真正理解電子世界運作規律的求知者量身定製的。

評分☆☆☆☆☆

閱讀體驗上，這本書給我最大的感受是它的“實用性導嚮”。很多教材在理論部分講得天花亂墜，但一到實際應用就顯得蒼白無力。然而，這本書的作者顯然是一位經驗豐富的實踐者。它在講解完理想化的運算放大器特性後，緊接著就引入瞭如何處理實際芯片（比如741係列）的輸入偏置電流、失調電壓等非理想參數的計算方法，這一點至關重要。書中的實驗設計部分也是亮點，那些推薦的驗證性實驗，雖然看起來簡單，但每一個都能精準地驗證前文所學的一個關鍵知識點。比如，通過搭建一個簡單的兩級耦閤放大器，並觀察不同頻率下的波形失真情況，就能深刻理解帶寬和相位裕度的重要性。更讓我驚喜的是，它在靠近尾聲的部分，竟然還加入瞭對一些基本集成電路模塊（如電壓跟隨器、有源濾波器）的初步介紹，這為後續學習更復雜的模擬係統設計埋下瞭很好的伏筆。這種理論與實踐的無縫銜接，讓這本書的價值遠超於一本普通的理論教材，更像是一本能指導你動手操作的工具書。

評分☆☆☆☆☆

這本書在對元件特性的深入剖析上，做到瞭令人肅然起敬的細緻。它不僅僅停留在對BJT或MOSFET的靜態工作點的分析上，而是深入到瞭半導體材料層麵，對載流子的輸運機製、禁帶能量等基礎物理概念進行瞭清晰的闡述。例如，在分析二極管的開關特性時，它詳盡地描繪瞭存儲電荷的建立和清除過程，這對於理解高速開關電路中的延遲問題至關重要。這種對“微觀世界”的深入探索，為讀者構建瞭一個堅不可摧的知識底層。此外，書中對新型器件的介紹也保持瞭與時俱進的水準，雖然主要篇幅集中在經典器件，但對於新興的功率半導體和特定用途的傳感器接口電路也有相當精煉的概述，顯示瞭編著者對學科前沿的關注。我尤其欣賞它對噪聲源的討論，沒有把它作為一個可有可無的“附加知識點”，而是將其係統地歸納為熱噪聲、散粒噪聲等，並分析瞭它們在不同電路配置下的影響，這對於設計高精度模擬前端電路的工程師來說，是無價的經驗總結。這本書真正做到瞭將基礎物理定律轉化為可操作的工程實踐指南。

評分☆☆☆☆☆

這本書的裝幀設計著實讓人眼前一亮，封麵那種略帶磨砂質感的處理，手感極佳，拿在手裏沉甸甸的，不像有些教材為瞭省成本做得輕飄飄的。我尤其欣賞它在色彩搭配上的剋製與專業，主色調是沉穩的深藍和科技感的灰白，沒有那些花裏鬍哨的圖案乾擾視綫。內頁的紙張質量也值得稱贊，那種微微泛黃的米白紙，長時間閱讀下來眼睛的疲勞感明顯減輕瞭不少，這對於需要長時間鑽研技術細節的讀者來說簡直是福音。排版布局上，作者和設計者的用心體現得淋灕盡緻，公式和圖錶的對齊堪稱教科書級彆，關鍵公式都用醒目的粗體或不同的顔色框選齣來，即便是初次接觸復雜電路圖的新手，也能迅速抓住重點。不過，如果非要雞蛋裏挑骨頭的話，我個人覺得書中某些章節的插圖，比如一些晶體管的工作原理示意圖，如果能再多一些三維剖麵圖的輔助說明，對於理解內部結構會更加直觀。總體來說，從拿到這本書的第一刻起，就能感受到它沉澱下來的厚重感和對知識傳遞的敬畏之心，這種對物理載體的重視，是很多電子資料所無法比擬的。