集成电路制造技术 杜中一 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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杜中一 著

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出版社： 化学工业出版社

ISBN：9787122262844

商品编码：29792674033

包装：平装

出版时间：2016-04-01

图书基本信息,请以下列介绍为准
书名	集成电路制造技术
作者	杜中一
定价	35.00元
ISBN号	9787122262844
出版社	化学工业出版社
出版日期	2016-04-01
版次	1

其他参考信息（以实物为准）
装帧：平装	开本：16开	重量：0.4
版次：1	字数：	页码：

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目录

内容提要

《集成电路制造技术》全面系统地介绍了集成电路制造技术，内容包括集成电路制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀及掺杂。《集成电路制造技术》简要介绍了集成电路制造的基本理论基础，系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备，详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展，对于化合物半导体的使用越来越多，《集成电路制造技术》以半导体硅材料集成电路制造为主，兼顾化合物半导体材料集成电路制造，比如在介绍薄膜制备工艺中，《集成电路制造技术》用单独的一章介绍了如何通过金属有机物化学气相沉积来制备化合物半导体材料薄膜。《集成电路制造技术》可供集成电路制造行业从业人员学习参考，也可作为微电子、光电子等相关专业教材。

编辑推荐

《集成电路制造技术》全面系统地介绍了集成电路制造技术，内容包括集成电路制造概述、多晶半导体的制备、单晶半导体的制备、晶圆制备、薄膜制备、金属有机物化学气相沉积、光刻、刻蚀及掺杂。《集成电路制造技术》简要介绍了集成电路制造的基本理论基础，系统介绍了多晶半导体、单晶半导体与晶圆的制备，详细介绍了薄膜制备、光刻与刻蚀及掺杂等工艺。由于目前光电产业的不断发展，对于化合物半导体的使用越来越多，《集成电路制造技术》以半导体硅材料集成电路制造为主，兼顾化合物半导体材料集成电路制造，比如在介绍薄膜制备工艺中，《集成电路制造技术》用单独的一章介绍了如何通过金属有机物化学气相沉积来制备化合物半导体材料薄膜。《集成电路制造技术》可供集成电路制造行业从业人员学习参考，也可作为微电子、光电子等相关专业教材。

作者介绍

杜中一，大连职业技术学院，副院长，副教授研究方向：电子科学与技术一．.教育背景 1997.9—2001.7 辽宁石油化工大学计算机科学专业，获理工学士学位。 2003.9—2006.7 大连理工大学机电专业，获工学硕士学位。二．著译作品(1)主编《SMT表面组装技术》电子工业出版社 2009年1月(2)主编《电子制造与封装》电子工业出版社 2010年3月(3)主编《半导体技术基础》化学工业出版社 2011年1月(4)主编《电类专业英语》电子工业出版社 2012年11月三．业务成果 主持完成省级及以上科研课题5项。 在全性刊物发表学术论文26篇，其中ISTP收录1篇，北大核心2篇。4项。横向课题3项。

序言

《集成电路制造技术》 一、 工业革命的基石：集成电路的时代浪潮 人类文明的进步，总与技术的飞跃紧密相连。从蒸汽机的轰鸣到电力的普及，每一次工业革命都极大地改变了世界的面貌。而在我们所处的21世纪，信息技术以前所未有的速度和广度渗透到生活的每一个角落，构建起一个高度互联的数字社会。这一切的核心，正是那微小却强大的集成电路。它如同一颗颗精密运转的“大脑”，驱动着我们手中的智能手机、高效的计算机、智能化的汽车，甚至是探测宇宙奥秘的航天器。集成电路的出现，标志着人类进入了以信息处理和智能化为核心的第三次工业革命，其重要性不言而喻。 集成电路，又称芯片，是将众多电子元器件（如晶体管、电阻、电容等）及其它们之间的连接线，制作在半导体材料（通常是硅）的基片上，从而实现特定电子功能的微电子器件。它的出现，克服了早期分立元器件体积大、功耗高、可靠性差等诸多缺点，使得电子设备向小型化、高性能化、低功耗化和高可靠性方向发展成为可能。从最初简单的逻辑门到如今包含数十亿晶体管的复杂处理器，集成电路的设计和制造技术不断突破极限，引领着科技发展的潮流。 二、 窥探硅晶的神奇之旅：集成电路制造的核心流程 集成电路的制造，是一个极其复杂且精密的工艺过程，它融合了化学、物理、材料科学、光学、电子学等多学科的尖端技术，并依赖于高度自动化的生产设备。整个制造过程大致可以分为前道工艺（Wafer Fabrication）和后道工艺（Assembly and Test）两大阶段。 前道工艺：硅片上的微观雕刻艺术 前道工艺是集成电路制造的核心，它直接在硅片上构建出电路结构。这是一个层层叠加、逐层图案化的过程，每一步都必须在洁净度极高的环境中进行，以避免任何微小的灰尘颗粒对器件性能造成影响。 1. 硅片制备（Wafer Preparation）： 一切始于一块高纯度的硅晶圆。从石英砂中提炼出多晶硅，再经过区域熔炼提纯，最终通过直拉法或区熔法生长出单晶硅棒。然后，将硅棒切割成薄薄的圆片，经过研磨、抛光等工艺，得到表面光滑、平整的硅片，作为后续工艺的载体。 2. 氧化（Oxidation）： 在高温环境下，让硅片与氧气或水蒸气发生反应，在硅片表面形成一层二氧化硅（SiO2）薄膜。这层氧化膜起着绝缘、保护以及作为后续工艺中掩膜的作用。 3. 光刻（Photolithography）： 这是集成电路制造中最关键也是最具挑战性的步骤之一，它决定了电路的图形尺寸和密度。通过紫外光穿透一个带有电路图案的“掩膜版”（Mask），将图案转移到涂覆在硅片上的光刻胶（Photoresist）上。光刻胶在曝光区域发生化学变化，从而形成预定的图形。这是一个不断追求更高分辨率、更精细线条的过程，直接关系到芯片的集成度和性能。 4. 刻蚀（Etching）： 光刻后，未被保护或被曝光的光刻胶会受到腐蚀，从而将掩膜版上的图案精确地“雕刻”到硅片表面或其上的其他薄膜层上。刻蚀工艺可分为干法刻蚀（使用等离子体）和湿法刻蚀（使用化学液体），干法刻蚀以其高精度和各向同性控制能力而成为现代工艺的主流。 5. 掺杂（Doping）： 为了改变硅的导电性能，需要向硅片中引入少量特定杂质原子（如磷、砷、硼等）。通过离子注入（Ion Implantation）或扩散（Diffusion）的方式，将这些杂质原子精确地植入到硅片设计的特定区域，形成P型区和N型区，这是构成晶体管等器件的基础。 6. 薄膜沉积（Thin Film Deposition）： 在硅片表面形成各种功能性薄膜，如金属导电层（用于连接器件）、介质层（用于绝缘）以及其他半导体材料层。常用的薄膜沉积技术包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等，它们能在极低的厚度范围内精确控制薄膜的成分和结构。 7. 金属化（Metallization）： 在电路的各个器件之间，需要用金属导线进行连接，形成完整的电路。这通常涉及沉积一层金属薄膜（如铝、铜），然后通过光刻和刻蚀技术将其图案化，形成互联线。多层金属互联是现代复杂芯片的关键技术。 后道工艺：从硅片到独立芯片的蜕变 前道工艺完成后，一张硅片上会同时制造出成百上千个甚至上万个相同的集成电路芯片。后道工艺则负责将这些芯片从硅片上分离出来，并进行封装，使其能够正常工作并保护起来。 1. 测试（Wafer Test）： 在硅片状态下，对每个独立的芯片进行初步的功能和性能测试，以剔除有缺陷的芯片，避免后续不必要的加工成本。 2. 切割（Dicing）： 使用精密的金刚石锯或激光，将带有多个芯片的硅片切割成独立的芯片（Die）。 3. 封装（Packaging）： 将切割好的芯片安装到载体上，并使用导线（Bonding Wires）将其与载体的引脚连接起来。最后，用塑料、陶瓷等材料将整个芯片封装起来，形成我们所熟悉的芯片外形。封装不仅保护了芯片免受机械损伤和环境影响，还提供了与外部电路连接的接口。 4. 最终测试（Final Test）： 封装完成后，对每个独立的芯片进行最终的功能、性能和可靠性测试，确保其符合设计规格。 三、 驱动未来的核心引擎：集成电路的广泛应用与发展趋势 集成电路作为信息时代的“心脏”，其应用已经渗透到国民经济的各个领域。 消费电子： 智能手机、平板电脑、电视、游戏机等，无一不依赖于强大的集成电路提供计算、存储和通信能力。 通信领域： 移动通信基站、路由器、交换机等网络设备，以及各种通信芯片，是构建现代通信网络的基石。 汽车工业： 现代汽车集成了大量的电子控制单元（ECU），负责发动机管理、安全系统、娱乐系统、自动驾驶等，集成电路是其核心。 工业自动化： 工业机器人、智能传感器、PLC（可编程逻辑控制器）等，都离不开高性能的集成电路来提升生产效率和智能化水平。 医疗健康： 医疗器械、诊断设备、可穿戴健康监测设备等，集成电路的微型化和高集成度为医疗技术的进步提供了可能。 航空航天： 卫星、雷达、飞行控制系统等，对集成电路的可靠性和性能要求极高。 展望未来，集成电路技术仍将是驱动科技进步的核心动力，其发展趋势主要体现在： 摩尔定律的延续与挑战： 尽管传统意义上的摩尔定律（集成电路上可容纳的晶体管数目约每18个月翻一番）面临物理极限的挑战，但通过新的材料（如三维堆叠、二维材料）、新的器件结构（如GAAFET）以及新的设计方法（如Chiplet），集成电路的性能仍在不断提升。 人工智能（AI）芯片的崛起： 随着AI应用的爆发，专门为AI计算设计的芯片（如GPU、NPU、TPU）成为新的研发热点，它们在并行计算、矩阵运算等方面具有显著优势。 异构集成与先进封装： 将不同功能、不同工艺的芯片（如CPU、GPU、存储器）集成到同一个封装中，实现更高集成度和更优性能，是未来集成电路发展的重要方向。 低功耗与可持续性： 随着数据量的爆炸式增长和应用场景的多元化，对集成电路的功耗控制提出了更高的要求，绿色低功耗设计将成为关键。 安全与可靠性： 在日益复杂的网络环境中，集成电路的安全性和可靠性变得尤为重要，从设计到制造，都需要加强安全防护。 集成电路制造技术，正是这场科技革命的幕后英雄。它代表着人类在微观世界进行精雕细琢的极致追求，是支撑现代文明不可或缺的物质基础。理解其复杂而精密的制造过程，有助于我们更深刻地认识到现代科技的魅力与挑战，以及其对我们生活产生的深远影响。

评分☆☆☆☆☆

坦白说，这本书的专业术语和公式推导量是相当大的，初次接触可能会觉得有些吃力。但如果能坚持下来，你会发现它提供了一个无与伦比的全局观。与其他侧重于单个设备或软件仿真的书籍不同，杜中一的《集成电路制造技术》更注重“系统工程”的角度。比如，在讨论先进封装技术（如Chiplet、2.5D/3D集成）时，作者将制造的视角从传统的平面扩展到了空间维度，探讨了TSV（硅通孔）的制造难度、热管理问题以及如何通过先进的引线键合技术实现高密度互连。这让我意识到，现代半导体制造早已超越了单纯的“制程微缩”，而是转向了“异构集成”的新范式。书中对这些前沿趋势的把握精准且富有洞察力，使得这本书不仅是一本回顾历史和现状的教材，更是一份指引未来技术发展方向的路线图。

评分☆☆☆☆☆

这本书的结构编排展现了作者深厚的教学经验。它不是按照时间顺序堆砌技术演进，而是紧密围绕“如何将硅片转化为功能性电路”这一主线展开。比如，在讨论掺杂技术时，作者没有仅仅介绍离子注入，而是细致地对比了扩散和注入在深度控制、激活效率上的差异，并结合后退火工艺来优化载流子浓度分布。这种从原理出发，再落脚到工艺控制的叙述方式，使得知识点之间形成了强大的内在联系。我特别喜欢书中对清洗和钝化工艺的描述，这些看似“简单”的步骤，实际上是决定最终器件性能和寿命的无名英雄。书中对超净室环境控制的侧重，也从侧面反映了集成电路制造对环境洁净度的极端要求。总的来说，这本书的知识体系非常完整，层次分明，适合系统性学习半导体制造的专业人士。

评分☆☆☆☆☆

阅读这本书的过程，就像是进行了一次精密的“微观世界探险”。杜中一教授的叙述风格非常严谨，逻辑链条清晰得令人赞叹。我感觉这本书的价值在于它对“良率”（Yield）这个核心概念的反复强调和深入剖析。在实际的晶圆制造中，良率是商业成败的关键，而影响良率的因素错综复杂，涉及到前道工序（FEOL）到后道工序（BEOL）的每一步。书中详细分析了金属互连技术的发展，从传统的铝布线到现在的铜互连，以及应力梯度对电迁移的影响，这部分内容对我理解芯片可靠性至关重要。更让我佩服的是，作者在讨论新工艺节点时，总是能敏锐地指出当前技术面临的瓶颈，比如FinFET到GAA（Gate-All-Around）的过渡中，静电控制的挑战和材料选择的权衡。这本书的知识点密度非常高，我不得不时常停下来，查阅一些相关的材料科学背景知识，但这种“带着问题去学习”的过程，反而加深了对内容本身的理解。

评分☆☆☆☆☆

这本书的价值还在于它对细节的苛求和对误差的敏感性。在读取关于CMP（化学机械抛光）的章节时，我被深深震撼了。CMP远非简单的“打磨”，它涉及到复杂的化学反应、磨料的粒径分布、抛光液的配方，以及对表面应力的精确控制，以确保在去除多余材料的同时，保持极高的平坦度（几埃的误差都是不能接受的）。作者用生动的语言描述了如何通过控制这些变量来实现纳米级的精度，这让我对人类工程能力的边界有了更深刻的认识。这本书的阅读体验是挑战与回报并存的——它要求读者投入大量精力去理解那些隐藏在材料表象之下的物理化学本质，但一旦理解，任何关于芯片制造的新闻或进展在你眼中都将不再神秘，而是可以被追溯到书中的某个基本原理。

评分☆☆☆☆☆

这本《集成电路制造技术》的作者杜中一，从我个人的阅读体验来说，这本书的深度和广度都让人印象深刻。它不仅仅是简单地罗列一些工艺流程，而是深入探讨了半导体制造背后的物理原理和化学反应。比如，在光刻环节，作者对EUV（极紫外光刻）技术的讲解就非常到位，不仅描述了设备的工作原理，更重要的是分析了不同波长光刻胶的特性以及它们在纳米尺度下面临的挑战，比如散射、套刻精度等。我尤其欣赏的是，书中对薄膜沉积和刻蚀技术（特别是反应离子刻蚀RIE和深反应离子刻蚀DRIE）的系统性阐述。这些技术是决定芯片性能的关键所在，书中通过大量的图表和公式推导，将原本抽象的微观过程变得具体可感。对于我这种希望深入理解半导体器件物理基础的读者来说，这本书无疑提供了一个坚实的理论框架。它不是那种浮于表面的科普读物，而是需要读者具备一定基础知识才能完全吸收的专业教材，但一旦掌握，对整个IC设计和制造链条的理解都会提升到一个新的高度。