Springer手册精选系列·晶体生长手册（第2册）：熔体法晶体生长技术（影印版） [SpringerHandbook Grystal Growth] 下载 mobi epub pdf 电子书 2024

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内容简介

　　《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第2册）：熔体法晶体生长技术（影印版）》介绍体材料晶体的熔体生长，一种生长大尺寸晶体的关键方法。这一部分阐述了直拉单晶工艺、泡生法、布里兹曼法、浮区熔融等工艺，以及这些方法的最新进展，例如应用磁场的晶体生长、生长轴的取向、增加底基和形状控制。本部分涉及材料从硅和Ⅲ-V族化合物到氧化物和氟化物的广泛内容。

作者简介

　　Govindhan Dhanaraj is the Manager of Crystal Growth Technologies at Advanced Renewable Energy Company （ARC Energy） at Nashua， New Hampshire （USA） focusing on the growth of large size sapphire crystals for LED lighting applications， characterization and related crystal growth furnace development. He received his PhD from the Indian Institute of Science， Bangalore and his Master of Science from Anna University （India）. Immediately after his doctoral degree， Dr. Dhanaraj joined a National Laboratory， presently known as Rajaramanna Center for Advanced Technology in India， where he established an advanced Crystal Growth Laboratory for the growth of optical and laser crystals. Prior to joining ARC Energy， Dr. Dhanaraj served as a Research Professor at the Department of Materials Science and Engineering， Stony Brook University， NY， and also held a position of Research Assistant Professor at Hampton University， VA. During his 25 years of focused expertise in crystal growth research， he has developed optical， laser and semiconductor bulk crystals and SiC epitaxial films using solution， flux， Czochralski， Bridgeman， gel and vapor methods， and characterized them using x-ray topography， synchrotron topography， chemical etching and optical and atomic force microscopic techniques. He co-organized a symposium on Industrial Crystal Growth under the 17th American Conference on Crystal Growth and Epitaxy in conjunction with the 14th US Biennial Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy held at Lake Geneva， WIin 2009. Dr. Dhanaraj has delivered invited lectures and also served as session chairman in many crystal growth and materials science meetings. He has published over 100 papers and his research articles have attracted over 250 rich citations.

内页插图

精彩书评

　　施普林格的手册，一贯全面阐述基础理论，提供可靠的研究方法和关键知识皮及大量的参考文献，介绍最新的应用实例，前瞻学科的发展方向。手册作者多为世界首席专家或知名学者。手册具有极大的实用性，其表格、图标、索引等更增加了它的使用价值。
　　——《Springer手册精选系列》推荐委员会

目录

缩略语
PartB 熔体生长晶体技术
7.磷化铟：用稳定的磁场生长晶体及缺陷控制
7.1 历史综述
7.2 磁场下液体封盖生长法
7.3 熔体的磁场接触面
7.4 位错密度
7.5 磁流量对杂质隔离的影响
7.6 InP:Fe的光学特征
7.7 总结
参考文献

8.半导体直拉硅单晶和太阳能电池应用
8.1 激光扫描光散射技术生长硅单晶和太阳能电池应用
8.2 直拉硅单晶的晶体缺陷的控制
8.3 太阳能电池应用的多晶硅的生长和特征
8.4 总结
参考文献

9.氧化物光折变单晶的直拉生长法
9.1 背景
9.2 晶体生长
9.3 直拉生长系统的设计和发展
9.4 铌酸锂晶体的生长及其特性
9.5 其他氧化物光折变晶体
9.6 软铋矿晶体的生长及其特性
9.7 结论
参考文献

10.三元化合物Ⅲ-V族半导体体材料晶体生长
10.1 Ⅲ-V族三元化合物半导体
10.2 三元化合物衬底的需求
10.3 器件级三元化合物衬底标准
10.4 布里兹曼晶体生长技术介绍
10.5 Ⅲ-V族的二元化合物晶体生长技术综述
10.6 三元化合物相平衡
10.7 三元化合物半导体合金偏析
10.8 三元化合物晶体裂纹的形成
10.9 单晶三元化合物籽晶生产工艺
10.10 均质合金生长的溶质配备过程
10.11 熔体-固体界面形状的作用
10.12 结论
参考文献

11.用于红外线探测器的锑基窄禁带Ⅲ-V族半导体晶体的生长与特性
11.1 锑基半导体的重要性
11.2 相图
11.3 晶体结构和成键
11.4 材料合成和提纯
11.5 体材料InSb的生长
11.6 InSb、InAsxSbl-x.InBixSbl-x的结构特性
11.7 InSb、InAsxSb1_x.InBixSb1_x的物理性质
11.8 应用
11.9 结语与展望
参考文献

12.光学浮区技术用于氧化物晶体生长
12.1 历史
12.2 光学浮区技术——氧化物的应用
12.3 光学浮区及溶区移动晶体生长技术
12.4 浮区技术的优势和局限
12.5 光学浮区炉
12.6 OFZT的陶瓷和晶棒生长的实验细节
12.7 同成分和不同成分熔融氧化物的稳定生长
12.8 结构过冷和结晶前的稳定性
12.9 晶体生长的终止和冷却
12.10 0FZ技术的晶体生长特点
12.11 晶体缺陷测定——实验方法
12.12 0FZ和TSFZ方法选定氧化物单晶生长的具体条件
……
13.激光加热基座生长氧化物纤维
14.采用壳融技术合成高熔点材料
15.激光基质氟化物和氧化物品体生长
16.晶体生长的成型
参考文献

前言/序言

　　多年以来，有很多探索研究已经成功地描述了晶体生长的生长工艺和科学，有许多文章、专著、会议文集和手册对这一领域的前沿成果做了综合评述。这些出版物反映了人们对体材料晶体和薄膜晶体的兴趣日益增长，这是由于它们的电子、光学、机械、微结构以及不同的科学和技术应用引起的。实际上，大部分半导体和光器件的现代成果，如果没有基本的、二元的、三元的及其他不同特性和大尺寸的化合物晶体的发展则是不可能的。这些文章致力于生长机制的基本理解、缺陷形成、生长工艺和生长系统的设计，因此数量是庞大的。
　　本手册针对目前备受关注的体材料晶体和薄膜晶体的生长技术水平进行阐述。我们的目的是使读者了解经常使用的生长工艺、材料生产和缺陷产生的基本知识。为完成这一任务，我们精选了50多位顶尖科学家、学者和工程师，他们的合作者来自于22个不同国家。这些作者根据他们的专业所长，编写了关于晶体生长和缺陷形成共计52章内容：从熔体、溶液到气相体材料生长；外延生长；生长工艺和缺陷的模型；缺陷特性的技术以及一些现代的特别课题。
　　本手册分为七部分。PartA介绍基础理论：生长和表征技术综述，表面成核工艺，溶液生长晶体的形态，生长过程中成核的层错，缺陷形成的形态。
　　PartB介绍体材料晶体的熔体生长，一种生长大尺寸晶体的关键方法。这一部分阐述了直拉单晶工艺、泡生法、布里兹曼法、浮区熔融等工艺，以及这些方法的最新进展，例如应用磁场的晶体生长、生长轴的取向、增加底基和形状控制。本部分涉及材料从硅和Ⅲ-V族化合物到氧化物和氟化物的广泛内容。
　　第三部分，本书的PartC关注了溶液生长法。在前两章里讨论了水热生长法的不同方面，随后的三章介绍了非线性和激光晶体、KTP和KDP。通过在地球上和微重力环境下生长的比较给出了重力对溶液生长法的影响的知识。
　　PartD的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。
　　PartF介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计和控制方面是非常好用的。
　　最后的PartH致力于精选这一领域的部分现代课题，例如蛋白质晶体生长、凝胶结晶、原位结构、单晶闪烁材料的生长、光电材料和线切割大晶体薄膜。
　　我们希望这本施普林格手册对那些学习晶体生长的研究生，那些从事或即将从事这一领域研究的来自学术界和工业领域的研究人员、科学家和工程师以及那些制备晶体的人是有帮助的。

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