出版社： 科学出版社
ISBN：9787030367174
版次：1
商品编码：11197571
包装：精装
丛书名： 半导体科学与技术丛书
开本：16开
出版时间：2013-01-01
用纸：胶版纸
页数：303
字数：390000
正文语种：中文
具体描述
内容简介
《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al CaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型 HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》可供微电子、半导体器件和材料领域的研究生与科研人员阅读参考。
目录
《半导体科学与技术丛书》出版说明序言
第1章 绪论
第2章 Ⅲ族氮化物半导体材料的性质
第3章 氮化物材料的异质外延生长和缺陷性质
第4章 GaNHEMT材料的电学性质与机理
第5章 AIGaN/GaN异质结材料的生长与优化方法
第6章 AIGaN/GaN多异质结材料与电子器件
第7章 脉冲MOCVD方法生长InAIN/GaN异质结材料
第8章 Ⅲ族氮化物电子材料的缺陷和物性分析
第9章 GaNHEMT器件的原理和优化
第10章 GaNHEMT器件的制备工艺和性能
第11章 GaNHEMT器件的电热退化与可靠性
第12章 GaN增强型HEMT器件和集成电路
第13章 GaNMOS—HEMT器件
第14章 氮化物半导体材料和电子器件的发展
附录 缩略语表
《半导体科学与技术丛书》已出版书目
前言/序言
用户评价
评分
不错的书，很有帮助！
评分很快很好，很快很好很快很好，很快很好，很快很好
评分很好的一本书，虽然看到这本书有点晚，很不错................
评分学习所需，书是正版的，质量很好
评分第三代半导体国内有人研究但专著极少，这本书在国内也是仅此一本。且著录较系统，应为经典
评分一直想买的书，包装精美干净
评分GaN很少有中文书籍，这本书写的很好！
评分这件商品的质量看起来还不错。。。
评分买的有点晚了，非常好的专业书籍。
相关图书
![脉冲多普勒雷达 原理、技术与应用 [Pulse Doppler Radar: Principles, Technology, Appli] pdf epub mobi 电子书 下载](https://pic.qciss.net/11894624/56f0d330Ne64fd877.jpg)
本站所有内容均为互联网搜索引擎提供的公开搜索信息，本站不存储任何数据与内容，任何内容与数据均与本站无关，如有需要请联系相关搜索引擎包括但不限于百度，google,bing,sogou 等
© 2025 book.cndgn.com All Rights Reserved. 新城书站 版权所有