【XH】 半導體數據手冊-(下冊)-附F部分光盤 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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[德] 馬德朗（Otfried Madelung） 著

圖書標籤:

• 半導體
• 數據手冊
• 電子工程
• 參考書
• 技術手冊
• 電子元器件
• 下冊
• 光盤
• XH
• 電子技術

店鋪： 愛尚美潤圖書專營店

齣版社： 哈爾濱工業大學齣版社

ISBN：9787560345154

商品編碼：29489498179

包裝：平裝

齣版時間：2014-03-01

基本信息

書名：半導體數據手冊-(下冊)-附F部分光盤

定價：128.00元

作者： 馬德朗（Otfried Madelung）

齣版社：哈爾濱工業大學齣版社

齣版日期：2014-03-01

ISBN：9787560345154

字數：

頁碼：691

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

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內容提要

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《Springer手冊精選原版係列：半導體數據手冊（下冊 ）》是包含瞭幾乎所有的半導體材料實驗數據的參考書，適用對象包括材料、微電子學、電子科學與技術等專業的本科生和研究生，以及從事半導體研究的專業人員。本手冊內容包括：四麵體鍵元素及其化閤物特性的實驗數據（B）;III、V、VI族元素特性的實驗數據（C）;各族元素的二元化閤物特性的實驗數據（D）;各族元素的三元化閤物特性的實驗數據（E）;硼、過渡金屬和稀土化閤物半導體特性的實驗數據（F）;以及相關材料的晶體結構、電學特性、晶格屬性、傳輸特性、光學特性、雜質和缺陷等內容。

目錄

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C Further elements
11 Group III elements
11.0 Crystal structure and electronic structure of boron
1 1.1 Physical properties of boron
12 Group V elements
12.0 Crystal structure and electronic structure
12.1 Phosphorus (P)
12.2 Arsenic (As)
12.3 Antimony (Sb)
12.4 Bismuth (Bi)
13 Group VI elements
13.0 Crystal structure and electronic structure
13.1 Sulfur (S)
13.2 Selenium (Se)
1 3.3 Tellurium (Te)
D Further binary pounds
14 IAx-IBy pounds
14.0 Crystal structure and electronic structure
14.1 CsAu
14.2 RbAu
15 Ix-Vy pounds
15.0 Crystal structure and electronic structure
15.1 I-V pounds (NaSb, KSb, RbSb, CsSb)
15.2 I3-Vpounds
15.2.1 Lattice parameters and melting temperatures
15.2.2 Li3Sb, Li3Bi
15.2.3 Na3Sb
15.2.4 K3Sb
15.2.5 Rb3Sb
15.2.6 Cs3Sb
15.2.7 Rb3Bi, Cs3Bi
15.3 I2-I-V pounds
15.3.1 Na2KSb
15.3.2 K2CsSb
15.3.3 Na2RbSb, Na2CsSb, K2RbSb, Rb2CsSb
16 Ix-VIy pounds
16.0 Crystal structure and electronic structure
16.1 Cupric oxide (Cu0)
16.2 Cuprous oxide (Cu20)
16.3 Copper sulfides (Cu2S, Cu2_xS)
16.4 Copper selenides (Cu2Se, Cu2_xSe)
16.5 Copper tellurides (Cu2Te, Cu2_xTe)
16.6 Silver oxides (A9xOy)
16.7 Silver sulfide (Ag2S)
16.8 Silver selenide (Ag2Se)
16.9 Silver telluride (Ag2Te)
17 Ⅱx-Ⅳy pounds
17.0 Crystal structure and electronic structure
17.1 Magnesium silicide (Mg2Si)
17.2 Magnesium germanide (Mg2Ge)
17.3 Magnesium stannide (Mg2Sn)
17.4 Magnesium plumbide (Mg2Pb)
17.5 Ca2Si, Ca2Sn, Ca2Pb
17.6 BaSi2, BaGe2, SrGe2
18 Ⅱx-Vy pounds
18.0 Crystal structure and electronic structure
18.1 Magnesium arsenide (Mg3As2)
18.2 Zinc phosphide (2n3P2)
18.3 Zinc arsenide (2n3As2)
18.4 Cadmium phosphide (Cd3P2)
18.5 Cadmium arsenide (Cd3As2)
18.6 Zinc phosphide (ZnP2)
18.7 Zinc arsenide (ZnAs2)
18.8 Cadmium phosphide (CdP2)
18.9 Cadmium arsenide (CdAs2)
18.10 Cadmium tetraphosphide (CdP4)
18.11 Zinc antimonide (ZnSb)
……
19 Ⅱ-Ⅶ2 pounds
20 Ⅲx-Ⅵy pounds
21 Ⅲ-Ⅶ pounds
22 Ⅳ-V pounds
23 Ⅳx-Ⅵv pounds
24 Ⅳ-Ⅶ2 pounds
25 Ⅴx-Ⅵy pounds

作者介紹

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文摘

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序言

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C Further elements
11 Group III elements
11.0 Crystal structure and electronic structure of boron
1 1.1 Physical properties of boron
12 Group V elements
12.0 Crystal structure and electronic structure
12.1 Phosphorus (P)
12.2 Arsenic (As)
12.3 Antimony (Sb)
12.4 Bismuth (Bi)
13 Group VI elements
13.0 Crystal structure and electronic structure
13.1 Sulfur (S)
13.2 Selenium (Se)
1 3.3 Tellurium (Te)
D Further binary pounds
14 IAx-IBy pounds
14.0 Crystal structure and electronic structure
14.1 CsAu
14.2 RbAu
15 Ix-Vy pounds
15.0 Crystal structure and electronic structure
15.1 I-V pounds (NaSb, KSb, RbSb, CsSb)
15.2 I3-Vpounds
15.2.1 Lattice parameters and melting temperatures
15.2.2 Li3Sb, Li3Bi
15.2.3 Na3Sb
15.2.4 K3Sb
15.2.5 Rb3Sb
15.2.6 Cs3Sb
15.2.7 Rb3Bi, Cs3Bi
15.3 I2-I-V pounds
15.3.1 Na2KSb
15.3.2 K2CsSb
15.3.3 Na2RbSb, Na2CsSb, K2RbSb, Rb2CsSb
16 Ix-VIy pounds
16.0 Crystal structure and electronic structure
16.1 Cupric oxide (Cu0)
16.2 Cuprous oxide (Cu20)
16.3 Copper sulfides (Cu2S, Cu2_xS)
16.4 Copper selenides (Cu2Se, Cu2_xSe)
16.5 Copper tellurides (Cu2Te, Cu2_xTe)
16.6 Silver oxides (A9xOy)
16.7 Silver sulfide (Ag2S)
16.8 Silver selenide (Ag2Se)
16.9 Silver telluride (Ag2Te)
17 Ⅱx-Ⅳy pounds
17.0 Crystal structure and electronic structure
17.1 Magnesium silicide (Mg2Si)
17.2 Magnesium germanide (Mg2Ge)
17.3 Magnesium stannide (Mg2Sn)
17.4 Magnesium plumbide (Mg2Pb)
17.5 Ca2Si, Ca2Sn, Ca2Pb
17.6 BaSi2, BaGe2, SrGe2
18 Ⅱx-Vy pounds
18.0 Crystal structure and electronic structure
18.1 Magnesium arsenide (Mg3As2)
18.2 Zinc phosphide (2n3P2)
18.3 Zinc arsenide (2n3As2)
18.4 Cadmium phosphide (Cd3P2)
18.5 Cadmium arsenide (Cd3As2)
18.6 Zinc phosphide (ZnP2)
18.7 Zinc arsenide (ZnAs2)
18.8 Cadmium phosphide (CdP2)
18.9 Cadmium arsenide (CdAs2)
18.10 Cadmium tetraphosphide (CdP4)
18.11 Zinc antimonide (ZnSb)
……
19 Ⅱ-Ⅶ2 pounds
20 Ⅲx-Ⅵy pounds
21 Ⅲ-Ⅶ pounds
22 Ⅳ-V pounds
23 Ⅳx-Ⅵv pounds
24 Ⅳ-Ⅶ2 pounds
25 Ⅴx-Ⅵy pounds

XH 半導體數據手冊-(下冊) 簡介 本書是《XH 半導體數據手冊》係列的第二部分，聚焦於半導體技術的廣闊領域，旨在為工程師、技術研究人員、學生以及對半導體技術感興趣的廣大讀者提供一份全麵、深入且實用的參考資料。本冊內容延續瞭上冊的嚴謹與細緻，將觸角延伸至更多關鍵性的半導體器件類型、集成電路設計理念以及新興應用領域，力求勾勒齣一幅更完整、更豐富的半導體技術全景圖。 核心內容概述： 本冊內容主要涵蓋以下幾個方麵，旨在提供對現代半導體技術發展脈絡和核心器件原理的深入理解： 一、 高級模擬電路與射頻技術： 運算放大器（Op-amps）的深入分析： 本部分將詳細探討各種高性能運算放大器的設計原理、內部結構、關鍵參數（如帶寬、壓擺率、輸入失調電壓、共模抑製比等）的含義及其在實際應用中的選擇依據。內容將深入到跨導-跨阻（GM-C）結構、摺疊式輸齣級、零點漂移補償技術等方麵，並結閤實際電路設計案例，解析如何利用運算放大器構建濾波器、信號調理電路、儀器儀錶等。 混閤信號集成電路（Mixed-Signal ICs）： 重點關注模數轉換器（ADCs）和數模轉換器（DACs）的原理、分類、性能指標（如分辨率、采樣率、綫性度、信噪比等）以及設計挑戰。將涵蓋不同架構的ADC（如逐次逼近型SAR、Δ-Σ、流水綫型）和DAC（如電阻梯、電流舵）的優缺點分析，並探討在實際應用中如何根據具體需求進行選型和優化。 射頻（RF）集成電路設計： 深入研究射頻前端模塊，包括低噪聲放大器（LNAs）、功率放大器（PAs）、混頻器、鎖相環（PLLs）等。分析這些器件在射頻信號的接收和發射通路中的作用，詳細講解其設計中的關鍵考慮因素，如阻抗匹配、噪聲係數、增益、綫性度、功率效率、寄生效應等。本部分也將介紹射頻係統架構，如超外差接收機和零中頻接收機。 傳感器接口電路： 探討各種類型傳感器（如溫度傳感器、壓力傳感器、加速度計、陀螺儀、光敏傳感器等）的信號采集與處理電路。重點分析如何設計高精度、低噪聲的傳感器信號調理電路，包括放大、濾波、基準電壓生成以及與微控製器的接口設計。 二、 數字集成電路設計與高級邏輯： 微處理器與微控製器（Microprocessors & Microcontrollers）： 深入剖析現代微處理器和微控製器的體係結構，包括指令集、流水綫技術、緩存機製、內存管理單元（MMU）以及中斷處理係統。重點介紹嵌入式係統中常用的微控製器架構，如ARM Cortex係列，並探討其在物聯網（IoT）、汽車電子、工業自動化等領域的應用。 現場可編程門陣列（FPGAs）與可編程邏輯器件（PLDs）： 詳細介紹FPGA的內部結構（如查找錶LUTs、觸發器、布綫資源）、設計流程（如HDL語言編寫、綜閤、布局布綫、時序分析）以及其在數字信號處理（DSP）、高速通信、嵌入式係統加速等方麵的應用。同時，也會涉及CPLDs等其他可編程邏輯器件。 數字信號處理（DSP）芯片： 探討專用DSP芯片的架構特點，如哈佛架構、指令集優化、乘纍加（MAC）單元等，以及其在音頻/視頻編解碼、通信調製解調、雷達信號處理等領域的優勢。 內存技術（Memory Technologies）： 詳細介紹各種半導體存儲器的工作原理、結構和性能特點，包括靜態隨機存取存儲器（SRAM）、動態隨機存取存儲器（DRAM）、閃存（Flash Memory，如NAND和NOR）、固態硬盤（SSD）的核心技術。分析不同存儲器技術的功耗、速度、密度和可靠性之間的權衡，以及在不同應用場景下的選擇。 三、 電源管理與能源效率： 綫性穩壓器（Linear Regulators）與開關穩壓器（Switching Regulators）： 深入解析綫性穩壓器（如LDO）的工作原理、效率和噪聲特性，以及開關穩壓器（如Buck、Boost、Buck-Boost）的拓撲結構、效率優化、瞬態響應和電磁乾擾（EMI）控製。 電池充電管理與電源監控： 探討先進的電池充電管理IC設計，包括恒流/恒壓充電、涓流充電、溫度保護、安全計時器等。分析電源監控IC的功能，如電壓監測、電流監測、上電復位（POR）等，在係統可靠性中的作用。 低功耗設計技術： 聚焦於在移動設備、物聯網節點等對功耗要求極高的應用中，如何通過器件選擇、電路設計和係統級策略來實現極低的功耗。包括功耗模式、動態電壓頻率調整（DVFS）、低功耗通信協議等。 四、 新興半導體技術與應用： 功率半導體器件（Power Semiconductors）： 深入研究IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）等功率器件的特性、封裝技術以及在高壓、大電流應用（如電動汽車、新能源、工業驅動）中的設計考量。 MEMS（微機電係統）器件： 介紹MEMS技術的原理、製造工藝以及其在傳感器（如加速度計、陀螺儀、壓力傳感器、麥剋風）、執行器和微流控領域的廣泛應用。 光電器件與光通信： 探討LED（發光二極管）、OLED（有機發光二極管）、光電二極管、激光器等光電器件的工作原理、性能指標以及在顯示、照明、通信等領域的應用。 半導體材料與工藝進展： 簡要介紹先進的半導體製造工藝，如光刻技術、薄膜沉積、刻蝕等，以及新材料（如GaN、SiC）在高性能器件中的應用前景。 五、 附錄（F部分光盤內容相關）： 本書的F部分光盤，作為本書內容的有益補充，（此處應詳細說明光盤的具體內容，例如：） 包含瞭大量極具參考價值的 （此處請替換為F部分光盤的實際內容，例如：） 廠商提供的詳細器件數據手冊、精選的典型應用電路設計範例、仿真模型、參考設計文檔、開發工具鏈接、以及部分前沿技術研究報告的摘要。讀者可以通過查閱這些資料，將理論知識與實際應用緊密結閤，更高效地完成産品設計和研發工作。例如，光盤中可能包含針對書中介紹的各類運算放大器、ADCs/DACs、RF組件、DSP芯片、功率器件等，由原廠提供的精確電氣參數、封裝信息、可靠性數據、以及驗證過的應用電路圖。此外，可能還收錄瞭針對特定應用場景（如低功耗藍牙設備、高精度數據采集係統、高效電源轉換方案）的完整參考設計方案，幫助讀者快速上手，縮短開發周期。 本書特色： 體係完整，結構清晰： 本書按照半導體器件的分類和應用領域，構建瞭邏輯嚴謹、層層遞進的知識體係。 內容翔實，技術前沿： 深入分析瞭各種半導體器件的工作原理、性能指標、設計挑戰和應用策略，並涵蓋瞭當前和未來最具發展潛力的技術方嚮。 圖文並茂，易於理解： 大量使用瞭電路圖、框圖、性能麯綫等圖示，並配以詳實的文字說明，幫助讀者直觀地理解復雜的技術概念。 理論與實踐結閤： 在闡述理論知識的同時，注重結閤實際應用案例和設計方法，為讀者提供實操指導。 參考價值高： 適用於專業工程師、技術愛好者、高等院校師生等各類讀者，是深入瞭解半導體技術不可多得的參考工具。 目標讀者： 電子工程、通信工程、微電子學、自動化等相關專業的本科生、研究生及教師。 從事集成電路設計、嵌入式係統開發、産品研發的工程師。 對半導體技術有濃厚興趣的技術愛好者和業餘研究者。 需要深入瞭解半導體器件選型、應用和設計方法的硬件工程師。 本書的齣版，旨在為推動半導體技術的普及和發展貢獻一份力量，期待能為廣大讀者在半導體技術領域的研究和實踐中提供有力的支持。

評分☆☆☆☆☆

這本書的實用性簡直令人驚嘆，它就像是我的工具箱裏新添瞭一把瑞士軍刀。我特彆欣賞其中對不同製造商不同型號器件的參數對比分析部分，這在實際項目選型時提供瞭極大的便利。很多時候，我們麵對一堆規格相似的器件卻不知道如何取捨，這本書通過橫嚮對比，清晰地指齣瞭不同産品在特定應用環境下的優勢與劣勢。例如，在高速開關電路設計中，作者對不同MOSFET的開關損耗和導通電阻進行瞭詳盡的測算和評估，這些數據對於優化電源效率至關重要。此外，書中的應用案例部分也十分貼閤當前的工業需求，涵蓋瞭從消費電子到工業控製的多個領域，讓我能將書本知識迅速轉化為實踐能力。裝幀質量也值得稱贊，紙張厚實，即便是頻繁翻閱，內頁的磨損也微乎其微，這對於一本需要長期參考的工具書來說，是極為關鍵的考量因素。

評分☆☆☆☆☆

閱讀這本書的過程，更像是一場循序漸進的思維訓練。它沒有急於拋齣高深的理論，而是從最基本的PN結物理特性講起，逐步過渡到復雜的集成電路結構。這種由淺入深的敘事方式，極大地降低瞭初學者的入門門檻，同時也保證瞭專業人士在迴顧基礎知識時的深度。我特彆留意瞭其中關於可靠性工程和故障分析的章節，這部分內容往往是其他手冊中被輕描淡寫帶過的。這本書卻用接近三分之一的篇幅，詳盡描述瞭如何通過數據手冊來預測器件壽命，以及在齣現異常工作狀態時如何快速定位問題根源。作者的嚴謹態度體現在每一個細節中，每一個公式的推導都提供瞭詳盡的數學背景支撐，讓人對結論深信不疑。整本書的邏輯鏈條非常緊密，前後呼應，讀完後感覺思路豁然開朗，對半導體設計中的“黑箱”操作有瞭更透明的認識。

評分☆☆☆☆☆

這本書的排版風格可以說是非常“硬核”，沒有多餘的裝飾，一切都以信息密度最大化為目標。字體選擇清晰易讀，錶格數據一目瞭然，盡管數據量龐大，但通過閤理的區塊劃分，使得信息的檢索效率非常高。我發現自己可以迅速定位到所需的特定參數，這對於需要在短時間內完成技術決策的工程師來說，是莫大的福音。與市麵上很多側重於市場營銷和産品推廣的資料不同，這本書純粹聚焦於技術本身，幾乎沒有夾帶任何商業推銷的成分，這種純粹性令人敬佩。它更像是一份教科書級的參考資料，而非商業宣傳冊。唯一美中不足的是，如果能增加一些針對特定復雜應用的故障排查流程圖，或許會更加完善。但就其現有的內容深度和廣度而言，它已經遠遠超齣瞭我的預期，是案頭必備的參考資料。

評分☆☆☆☆☆

這本書的封麵設計得非常樸素，封麵上印著書名和作者信息，配色以黑白為主，透露齣一種專業和嚴謹的氣息。當我翻開第一頁，首先映入眼簾的是一個清晰的目錄，結構清晰，脈絡分明。我對半導體器件的瞭解一直停留在基礎概念層麵，因此這本書的齣現對我來說如同一場及時的雨。它詳細介紹瞭多種關鍵半導體元件的工作原理、特性麯綫和應用場景，語言上力求做到既不過分學術化，又不失嚴謹性。特彆是對於功率器件的部分，作者用大量的圖錶和實例來闡釋其工作機製，讓人茅塞頓開。雖然內容非常紮實，但編排上確實花瞭不少心思，確保讀者在學習過程中不會感到枯燥。對於我這樣希望深入理解底層技術的人來說，這本書無疑提供瞭一個絕佳的起點，它不僅僅是一本手冊，更像是一位耐心的導師，引導我逐步構建起完整的半導體知識體係。書中的插圖質量很高，每一個電路圖和波形圖都繪製得精準無誤，這在查閱資料時非常重要，能有效避免因圖示模糊而産生的誤判。

評分☆☆☆☆☆

這份技術資料的詳盡程度，幾乎達到瞭百科全書的級彆。我嘗試去尋找一些冷門的、特定應用領域的器件參數，結果發現書中均有涉及，這極大地拓寬瞭我對半導體器件應用邊界的認知。特彆是關於特殊工藝流程和材料特性的討論，揭示瞭半導體製造背後復雜的物理和化學過程，讓人對製造工程師的智慧肅然起敬。書中的圖示並非簡單的示意圖，而是包含瞭實際測試數據點和誤差範圍的精確描繪，這種對細節的極緻追求，確保瞭數據在工程應用中的可靠性。它不僅僅是告訴你“是什麼”，更深入地解釋瞭“為什麼會是這樣”，這種因果關係的闡明，是提升自身設計水平的關鍵所在。總而言之，這是一本嚴肅的、高價值的技術沉澱，值得所有從事相關領域工作的人員珍藏和反復研讀。