【XH】 半导体数据手册-(下册)-附F部分光盘 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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[德] 马德朗（Otfried Madelung） 著

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出版社： 哈尔滨工业大学出版社

ISBN：9787560345154

商品编码：29489498179

包装：平装

出版时间：2014-03-01

基本信息

书名：半导体数据手册-(下册)-附F部分光盘

定价：128.00元

作者： 马德朗（Otfried Madelung）

出版社：哈尔滨工业大学出版社

出版日期：2014-03-01

ISBN：9787560345154

字数：

页码：691

版次：1

装帧：平装

开本：16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

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内容提要

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《Springer手册精选原版系列：半导体数据手册（下册 ）》是包含了几乎所有的半导体材料实验数据的参考书，适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。本手册内容包括：四面体键元素及其化合物特性的实验数据（B）;III、V、VI族元素特性的实验数据（C）;各族元素的二元化合物特性的实验数据（D）;各族元素的三元化合物特性的实验数据（E）;硼、过渡金属和稀土化合物半导体特性的实验数据（F）;以及相关材料的晶体结构、电学特性、晶格属性、传输特性、光学特性、杂质和缺陷等内容。

目录

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C Further elements
11 Group III elements
11.0 Crystal structure and electronic structure of boron
1 1.1 Physical properties of boron
12 Group V elements
12.0 Crystal structure and electronic structure
12.1 Phosphorus (P)
12.2 Arsenic (As)
12.3 Antimony (Sb)
12.4 Bismuth (Bi)
13 Group VI elements
13.0 Crystal structure and electronic structure
13.1 Sulfur (S)
13.2 Selenium (Se)
1 3.3 Tellurium (Te)
D Further binary pounds
14 IAx-IBy pounds
14.0 Crystal structure and electronic structure
14.1 CsAu
14.2 RbAu
15 Ix-Vy pounds
15.0 Crystal structure and electronic structure
15.1 I-V pounds (NaSb, KSb, RbSb, CsSb)
15.2 I3-Vpounds
15.2.1 Lattice parameters and melting temperatures
15.2.2 Li3Sb, Li3Bi
15.2.3 Na3Sb
15.2.4 K3Sb
15.2.5 Rb3Sb
15.2.6 Cs3Sb
15.2.7 Rb3Bi, Cs3Bi
15.3 I2-I-V pounds
15.3.1 Na2KSb
15.3.2 K2CsSb
15.3.3 Na2RbSb, Na2CsSb, K2RbSb, Rb2CsSb
16 Ix-VIy pounds
16.0 Crystal structure and electronic structure
16.1 Cupric oxide (Cu0)
16.2 Cuprous oxide (Cu20)
16.3 Copper sulfides (Cu2S, Cu2_xS)
16.4 Copper selenides (Cu2Se, Cu2_xSe)
16.5 Copper tellurides (Cu2Te, Cu2_xTe)
16.6 Silver oxides (A9xOy)
16.7 Silver sulfide (Ag2S)
16.8 Silver selenide (Ag2Se)
16.9 Silver telluride (Ag2Te)
17 Ⅱx-Ⅳy pounds
17.0 Crystal structure and electronic structure
17.1 Magnesium silicide (Mg2Si)
17.2 Magnesium germanide (Mg2Ge)
17.3 Magnesium stannide (Mg2Sn)
17.4 Magnesium plumbide (Mg2Pb)
17.5 Ca2Si, Ca2Sn, Ca2Pb
17.6 BaSi2, BaGe2, SrGe2
18 Ⅱx-Vy pounds
18.0 Crystal structure and electronic structure
18.1 Magnesium arsenide (Mg3As2)
18.2 Zinc phosphide (2n3P2)
18.3 Zinc arsenide (2n3As2)
18.4 Cadmium phosphide (Cd3P2)
18.5 Cadmium arsenide (Cd3As2)
18.6 Zinc phosphide (ZnP2)
18.7 Zinc arsenide (ZnAs2)
18.8 Cadmium phosphide (CdP2)
18.9 Cadmium arsenide (CdAs2)
18.10 Cadmium tetraphosphide (CdP4)
18.11 Zinc antimonide (ZnSb)
……
19 Ⅱ-Ⅶ2 pounds
20 Ⅲx-Ⅵy pounds
21 Ⅲ-Ⅶ pounds
22 Ⅳ-V pounds
23 Ⅳx-Ⅵv pounds
24 Ⅳ-Ⅶ2 pounds
25 Ⅴx-Ⅵy pounds

作者介绍

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文摘

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序言

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C Further elements
11 Group III elements
11.0 Crystal structure and electronic structure of boron
1 1.1 Physical properties of boron
12 Group V elements
12.0 Crystal structure and electronic structure
12.1 Phosphorus (P)
12.2 Arsenic (As)
12.3 Antimony (Sb)
12.4 Bismuth (Bi)
13 Group VI elements
13.0 Crystal structure and electronic structure
13.1 Sulfur (S)
13.2 Selenium (Se)
1 3.3 Tellurium (Te)
D Further binary pounds
14 IAx-IBy pounds
14.0 Crystal structure and electronic structure
14.1 CsAu
14.2 RbAu
15 Ix-Vy pounds
15.0 Crystal structure and electronic structure
15.1 I-V pounds (NaSb, KSb, RbSb, CsSb)
15.2 I3-Vpounds
15.2.1 Lattice parameters and melting temperatures
15.2.2 Li3Sb, Li3Bi
15.2.3 Na3Sb
15.2.4 K3Sb
15.2.5 Rb3Sb
15.2.6 Cs3Sb
15.2.7 Rb3Bi, Cs3Bi
15.3 I2-I-V pounds
15.3.1 Na2KSb
15.3.2 K2CsSb
15.3.3 Na2RbSb, Na2CsSb, K2RbSb, Rb2CsSb
16 Ix-VIy pounds
16.0 Crystal structure and electronic structure
16.1 Cupric oxide (Cu0)
16.2 Cuprous oxide (Cu20)
16.3 Copper sulfides (Cu2S, Cu2_xS)
16.4 Copper selenides (Cu2Se, Cu2_xSe)
16.5 Copper tellurides (Cu2Te, Cu2_xTe)
16.6 Silver oxides (A9xOy)
16.7 Silver sulfide (Ag2S)
16.8 Silver selenide (Ag2Se)
16.9 Silver telluride (Ag2Te)
17 Ⅱx-Ⅳy pounds
17.0 Crystal structure and electronic structure
17.1 Magnesium silicide (Mg2Si)
17.2 Magnesium germanide (Mg2Ge)
17.3 Magnesium stannide (Mg2Sn)
17.4 Magnesium plumbide (Mg2Pb)
17.5 Ca2Si, Ca2Sn, Ca2Pb
17.6 BaSi2, BaGe2, SrGe2
18 Ⅱx-Vy pounds
18.0 Crystal structure and electronic structure
18.1 Magnesium arsenide (Mg3As2)
18.2 Zinc phosphide (2n3P2)
18.3 Zinc arsenide (2n3As2)
18.4 Cadmium phosphide (Cd3P2)
18.5 Cadmium arsenide (Cd3As2)
18.6 Zinc phosphide (ZnP2)
18.7 Zinc arsenide (ZnAs2)
18.8 Cadmium phosphide (CdP2)
18.9 Cadmium arsenide (CdAs2)
18.10 Cadmium tetraphosphide (CdP4)
18.11 Zinc antimonide (ZnSb)
……
19 Ⅱ-Ⅶ2 pounds
20 Ⅲx-Ⅵy pounds
21 Ⅲ-Ⅶ pounds
22 Ⅳ-V pounds
23 Ⅳx-Ⅵv pounds
24 Ⅳ-Ⅶ2 pounds
25 Ⅴx-Ⅵy pounds

XH 半导体数据手册-(下册) 简介 本书是《XH 半导体数据手册》系列的第二部分，聚焦于半导体技术的广阔领域，旨在为工程师、技术研究人员、学生以及对半导体技术感兴趣的广大读者提供一份全面、深入且实用的参考资料。本册内容延续了上册的严谨与细致，将触角延伸至更多关键性的半导体器件类型、集成电路设计理念以及新兴应用领域，力求勾勒出一幅更完整、更丰富的半导体技术全景图。 核心内容概述： 本册内容主要涵盖以下几个方面，旨在提供对现代半导体技术发展脉络和核心器件原理的深入理解： 一、 高级模拟电路与射频技术： 运算放大器（Op-amps）的深入分析： 本部分将详细探讨各种高性能运算放大器的设计原理、内部结构、关键参数（如带宽、压摆率、输入失调电压、共模抑制比等）的含义及其在实际应用中的选择依据。内容将深入到跨导-跨阻（GM-C）结构、折叠式输出级、零点漂移补偿技术等方面，并结合实际电路设计案例，解析如何利用运算放大器构建滤波器、信号调理电路、仪器仪表等。 混合信号集成电路（Mixed-Signal ICs）： 重点关注模数转换器（ADCs）和数模转换器（DACs）的原理、分类、性能指标（如分辨率、采样率、线性度、信噪比等）以及设计挑战。将涵盖不同架构的ADC（如逐次逼近型SAR、Δ-Σ、流水线型）和DAC（如电阻梯、电流舵）的优缺点分析，并探讨在实际应用中如何根据具体需求进行选型和优化。 射频（RF）集成电路设计： 深入研究射频前端模块，包括低噪声放大器（LNAs）、功率放大器（PAs）、混频器、锁相环（PLLs）等。分析这些器件在射频信号的接收和发射通路中的作用，详细讲解其设计中的关键考虑因素，如阻抗匹配、噪声系数、增益、线性度、功率效率、寄生效应等。本部分也将介绍射频系统架构，如超外差接收机和零中频接收机。 传感器接口电路： 探讨各种类型传感器（如温度传感器、压力传感器、加速度计、陀螺仪、光敏传感器等）的信号采集与处理电路。重点分析如何设计高精度、低噪声的传感器信号调理电路，包括放大、滤波、基准电压生成以及与微控制器的接口设计。 二、 数字集成电路设计与高级逻辑： 微处理器与微控制器（Microprocessors & Microcontrollers）： 深入剖析现代微处理器和微控制器的体系结构，包括指令集、流水线技术、缓存机制、内存管理单元（MMU）以及中断处理系统。重点介绍嵌入式系统中常用的微控制器架构，如ARM Cortex系列，并探讨其在物联网（IoT）、汽车电子、工业自动化等领域的应用。 现场可编程门阵列（FPGAs）与可编程逻辑器件（PLDs）： 详细介绍FPGA的内部结构（如查找表LUTs、触发器、布线资源）、设计流程（如HDL语言编写、综合、布局布线、时序分析）以及其在数字信号处理（DSP）、高速通信、嵌入式系统加速等方面的应用。同时，也会涉及CPLDs等其他可编程逻辑器件。 数字信号处理（DSP）芯片： 探讨专用DSP芯片的架构特点，如哈佛架构、指令集优化、乘累加（MAC）单元等，以及其在音频/视频编解码、通信调制解调、雷达信号处理等领域的优势。 内存技术（Memory Technologies）： 详细介绍各种半导体存储器的工作原理、结构和性能特点，包括静态随机存取存储器（SRAM）、动态随机存取存储器（DRAM）、闪存（Flash Memory，如NAND和NOR）、固态硬盘（SSD）的核心技术。分析不同存储器技术的功耗、速度、密度和可靠性之间的权衡，以及在不同应用场景下的选择。 三、 电源管理与能源效率： 线性稳压器（Linear Regulators）与开关稳压器（Switching Regulators）： 深入解析线性稳压器（如LDO）的工作原理、效率和噪声特性，以及开关稳压器（如Buck、Boost、Buck-Boost）的拓扑结构、效率优化、瞬态响应和电磁干扰（EMI）控制。 电池充电管理与电源监控： 探讨先进的电池充电管理IC设计，包括恒流/恒压充电、涓流充电、温度保护、安全计时器等。分析电源监控IC的功能，如电压监测、电流监测、上电复位（POR）等，在系统可靠性中的作用。 低功耗设计技术： 聚焦于在移动设备、物联网节点等对功耗要求极高的应用中，如何通过器件选择、电路设计和系统级策略来实现极低的功耗。包括功耗模式、动态电压频率调整（DVFS）、低功耗通信协议等。 四、 新兴半导体技术与应用： 功率半导体器件（Power Semiconductors）： 深入研究IGBT（绝缘栅双极晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率器件的特性、封装技术以及在高压、大电流应用（如电动汽车、新能源、工业驱动）中的设计考量。 MEMS（微机电系统）器件： 介绍MEMS技术的原理、制造工艺以及其在传感器（如加速度计、陀螺仪、压力传感器、麦克风）、执行器和微流控领域的广泛应用。 光电器件与光通信： 探讨LED（发光二极管）、OLED（有机发光二极管）、光电二极管、激光器等光电器件的工作原理、性能指标以及在显示、照明、通信等领域的应用。 半导体材料与工艺进展： 简要介绍先进的半导体制造工艺，如光刻技术、薄膜沉积、刻蚀等，以及新材料（如GaN、SiC）在高性能器件中的应用前景。 五、 附录（F部分光盘内容相关）： 本书的F部分光盘，作为本书内容的有益补充，（此处应详细说明光盘的具体内容，例如：） 包含了大量极具参考价值的 （此处请替换为F部分光盘的实际内容，例如：） 厂商提供的详细器件数据手册、精选的典型应用电路设计范例、仿真模型、参考设计文档、开发工具链接、以及部分前沿技术研究报告的摘要。读者可以通过查阅这些资料，将理论知识与实际应用紧密结合，更高效地完成产品设计和研发工作。例如，光盘中可能包含针对书中介绍的各类运算放大器、ADCs/DACs、RF组件、DSP芯片、功率器件等，由原厂提供的精确电气参数、封装信息、可靠性数据、以及验证过的应用电路图。此外，可能还收录了针对特定应用场景（如低功耗蓝牙设备、高精度数据采集系统、高效电源转换方案）的完整参考设计方案，帮助读者快速上手，缩短开发周期。 本书特色： 体系完整，结构清晰： 本书按照半导体器件的分类和应用领域，构建了逻辑严谨、层层递进的知识体系。 内容翔实，技术前沿： 深入分析了各种半导体器件的工作原理、性能指标、设计挑战和应用策略，并涵盖了当前和未来最具发展潜力的技术方向。 图文并茂，易于理解： 大量使用了电路图、框图、性能曲线等图示，并配以详实的文字说明，帮助读者直观地理解复杂的技术概念。 理论与实践结合： 在阐述理论知识的同时，注重结合实际应用案例和设计方法，为读者提供实操指导。 参考价值高： 适用于专业工程师、技术爱好者、高等院校师生等各类读者，是深入了解半导体技术不可多得的参考工具。 目标读者： 电子工程、通信工程、微电子学、自动化等相关专业的本科生、研究生及教师。 从事集成电路设计、嵌入式系统开发、产品研发的工程师。 对半导体技术有浓厚兴趣的技术爱好者和业余研究者。 需要深入了解半导体器件选型、应用和设计方法的硬件工程师。 本书的出版，旨在为推动半导体技术的普及和发展贡献一份力量，期待能为广大读者在半导体技术领域的研究和实践中提供有力的支持。

评分☆☆☆☆☆

这本书的排版风格可以说是非常“硬核”，没有多余的装饰，一切都以信息密度最大化为目标。字体选择清晰易读，表格数据一目了然，尽管数据量庞大，但通过合理的区块划分，使得信息的检索效率非常高。我发现自己可以迅速定位到所需的特定参数，这对于需要在短时间内完成技术决策的工程师来说，是莫大的福音。与市面上很多侧重于市场营销和产品推广的资料不同，这本书纯粹聚焦于技术本身，几乎没有夹带任何商业推销的成分，这种纯粹性令人敬佩。它更像是一份教科书级的参考资料，而非商业宣传册。唯一美中不足的是，如果能增加一些针对特定复杂应用的故障排查流程图，或许会更加完善。但就其现有的内容深度和广度而言，它已经远远超出了我的预期，是案头必备的参考资料。

评分☆☆☆☆☆

这本书的实用性简直令人惊叹，它就像是我的工具箱里新添了一把瑞士军刀。我特别欣赏其中对不同制造商不同型号器件的参数对比分析部分，这在实际项目选型时提供了极大的便利。很多时候，我们面对一堆规格相似的器件却不知道如何取舍，这本书通过横向对比，清晰地指出了不同产品在特定应用环境下的优势与劣势。例如，在高速开关电路设计中，作者对不同MOSFET的开关损耗和导通电阻进行了详尽的测算和评估，这些数据对于优化电源效率至关重要。此外，书中的应用案例部分也十分贴合当前的工业需求，涵盖了从消费电子到工业控制的多个领域，让我能将书本知识迅速转化为实践能力。装帧质量也值得称赞，纸张厚实，即便是频繁翻阅，内页的磨损也微乎其微，这对于一本需要长期参考的工具书来说，是极为关键的考量因素。

评分☆☆☆☆☆

阅读这本书的过程，更像是一场循序渐进的思维训练。它没有急于抛出高深的理论，而是从最基本的PN结物理特性讲起，逐步过渡到复杂的集成电路结构。这种由浅入深的叙事方式，极大地降低了初学者的入门门槛，同时也保证了专业人士在回顾基础知识时的深度。我特别留意了其中关于可靠性工程和故障分析的章节，这部分内容往往是其他手册中被轻描淡写带过的。这本书却用接近三分之一的篇幅，详尽描述了如何通过数据手册来预测器件寿命，以及在出现异常工作状态时如何快速定位问题根源。作者的严谨态度体现在每一个细节中，每一个公式的推导都提供了详尽的数学背景支撑，让人对结论深信不疑。整本书的逻辑链条非常紧密，前后呼应，读完后感觉思路豁然开朗，对半导体设计中的“黑箱”操作有了更透明的认识。

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计得非常朴素，封面上印着书名和作者信息，配色以黑白为主，透露出一种专业和严谨的气息。当我翻开第一页，首先映入眼帘的是一个清晰的目录，结构清晰，脉络分明。我对半导体器件的了解一直停留在基础概念层面，因此这本书的出现对我来说如同一场及时的雨。它详细介绍了多种关键半导体元件的工作原理、特性曲线和应用场景，语言上力求做到既不过分学术化，又不失严谨性。特别是对于功率器件的部分，作者用大量的图表和实例来阐释其工作机制，让人茅塞顿开。虽然内容非常扎实，但编排上确实花了不少心思，确保读者在学习过程中不会感到枯燥。对于我这样希望深入理解底层技术的人来说，这本书无疑提供了一个绝佳的起点，它不仅仅是一本手册，更像是一位耐心的导师，引导我逐步构建起完整的半导体知识体系。书中的插图质量很高，每一个电路图和波形图都绘制得精准无误，这在查阅资料时非常重要，能有效避免因图示模糊而产生的误判。

评分☆☆☆☆☆

这份技术资料的详尽程度，几乎达到了百科全书的级别。我尝试去寻找一些冷门的、特定应用领域的器件参数，结果发现书中均有涉及，这极大地拓宽了我对半导体器件应用边界的认知。特别是关于特殊工艺流程和材料特性的讨论，揭示了半导体制造背后复杂的物理和化学过程，让人对制造工程师的智慧肃然起敬。书中的图示并非简单的示意图，而是包含了实际测试数据点和误差范围的精确描绘，这种对细节的极致追求，确保了数据在工程应用中的可靠性。它不仅仅是告诉你“是什么”，更深入地解释了“为什么会是这样”，这种因果关系的阐明，是提升自身设计水平的关键所在。总而言之，这是一本严肃的、高价值的技术沉淀，值得所有从事相关领域工作的人员珍藏和反复研读。