半導體數據手冊 冊 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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德馬德朗 著

圖書標籤:

• 半導體
• 數據手冊
• 電子工程
• 電子元器件
• 集成電路
• 器件
• 參考手冊
• 技術手冊
• 電路設計
• 工程師

店鋪： 北京愛讀者圖書專營店

齣版社： 哈爾濱工業大學齣版社

ISBN：9787560345154

商品編碼：29729057063

包裝：平裝

齣版時間：2014-03-01

基本信息

書名：半導體數據手冊 冊

定價：128.00元

作者：(德)馬德朗

齣版社：哈爾濱工業大學齣版社

齣版日期：2014-03-01

ISBN：9787560345154

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

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內容提要

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馬德朗編著的《半導體數據手冊(附光盤下)/Springer手冊精選原版係列》內容涉及四麵體鍵的化閤物特性的實驗數據，三、四、五、六族元素特性的實驗數據，各族元素的二元化閤物特性的實驗數據，各族元素的三元化閤物特性的實驗數據以及硼，過渡金屬和稀土化閤物半導體特性的實驗數據等主要方麵，以及相關材料的晶體結構、電學特性、晶格屬性、傳輸特性、光學特性、雜誌和缺陷等。對於必要的背景知識和近期的發展均有較為完整和詳細的闡述，適閤不同層次的群體用於學習和研究。本冊23章包括更多元素，更多二元化閤物，更多三元化閤物。

目錄

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C Further elements
11 Group III elements
　11.0 Crystal structure and electronic structure of boron
　1 1.1 Physical properties of boron
12 Group V elements
　12.0 Crystal structure and electronic structure
　12.1 Phosphorus (P)
　12.2 Arsenic (As)
　12.3 Antimony (Sb)
　12.4 Bismuth (Bi)
13 Group VI elements
　13.0 Crystal structure and electronic structure
　13.1 Sulfur (S)
　13.2 Selenium (Se)
　1 3.3 Tellurium (Te)
D Further binary pounds
14 IAx-IBy pounds
　14.0 Crystal structure and electronic structure
　14.1 CsAu
　14.2 RbAu
15 Ix-Vy pounds
　15.0 Crystal structure and electronic structure
　15.1 I-V pounds (NaSb, KSb, RbSb, CsSb)
　15.2 I3-Vpounds
　15.2.1 Lattice parameters and melting temperatures
　15.2.2 Li3Sb, Li3Bi
　15.2.3 Na3Sb
　15.2.4 K3Sb
　15.2.5 Rb3Sb
　15.2.6 Cs3Sb
　15.2.7 Rb3Bi, Cs3Bi
　15.3 I2-I-V pounds
　15.3.1 Na2KSb
　15.3.2 K2CsSb
　15.3.3 Na2RbSb, Na2CsSb, K2RbSb, Rb2CsSb
16 Ix-VIy pounds
　16.0 Crystal structure and electronic structure
　16.1 Cupric oxide (Cu0)
　16.2 Cuprous oxide (Cu20)
　16.3 Copper sulfides (Cu2S, Cu2_xS)
　16.4 Copper selenides (Cu2Se, Cu2_xSe)
　16.5 Copper tellurides (Cu2Te, Cu2_xTe)
　16.6 Silver oxides (A9xOy)
　16.7 Silver sulfide (Ag2S)
　16.8 Silver selenide (Ag2Se)
　16.9 Silver telluride (Ag2Te)
17 Ⅱx-Ⅳy pounds
　17.0 Crystal structure and electronic structure
　17.1 Magnesium silicide (Mg2Si)
　17.2 Magnesium germanide (Mg2Ge)
　17.3 Magnesium stannide (Mg2Sn)
　17.4 Magnesium plumbide (Mg2Pb)
　17.5 Ca2Si, Ca2Sn, Ca2Pb
　17.6 BaSi2, BaGe2, SrGe2
18 Ⅱx-Vy pounds
　18.0 Crystal structure and electronic structure
　18.1 Magnesium arsenide (Mg3As2)
　18.2 Zinc phosphide (2n3P2)
　18.3 Zinc arsenide (2n3As2)
　18.4 Cadmium phosphide (Cd3P2)
　18.5 Cadmium arsenide (Cd3As2)
　18.6 Zinc phosphide (ZnP2)
　18.7 Zinc arsenide (ZnAs2)
　18.8 Cadmium phosphide (CdP2)
　18.9 Cadmium arsenide (CdAs2)
　18.10 Cadmium tetraphosphide (CdP4)
　18.11 Zinc antimonide (ZnSb)
19 Ⅱ-Ⅶ2 pounds
20 Ⅲx-Ⅵy pounds
21 Ⅲ-Ⅶ pounds
22 Ⅳ-V pounds
23 Ⅳx-Ⅵv pounds
24 Ⅳ-Ⅶ2 pounds
25 Ⅴx-Ⅵy pounds
E Further Ternary Compounds
F Boron, Transition Metal and Rare Earth Compounds with Semiconducting Properties
G Ternary rare earth pounds

作者介紹

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文摘

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序言

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《電子元件應用指南》 概述 《電子元件應用指南》是一本麵嚮廣大電子愛好者、在校學生、工程師以及相關技術從業人員的實用型參考書籍。本書聚焦於電子世界中最基本、最核心的組成單元——電子元件，旨在提供一個全麵、深入且易於理解的知識體係，幫助讀者掌握各類電子元件的原理、特性、選型、應用以及故障排除技巧。本書不對任何特定行業的“數據手冊”內容進行詳述，而是從更普適、更基礎的層麵，構建讀者對電子元件的認知框架。 內容結構與詳述 本書共分為六個主要章節，每個章節都圍繞電子元件的某一重要方麵展開，力求做到內容詳實、條理清晰、圖文並茂。 第一章：電子元件基礎理論與分類 本章將從最基礎的概念入手，為讀者打下堅實的理論基礎。 電子元件的定義與作用： 闡述電子元件作為構成電子電路的基本單元，其在信號處理、能量轉換、信息存儲等方麵所起到的關鍵作用。 基本物理原理迴顧： 簡要迴顧與電子元件工作原理相關的基本物理學概念，如電荷、電流、電壓、電阻、電容、電感、半導體能帶理論（僅為概念性介紹，不涉及具體半導體器件數據）、磁場等，幫助讀者理解元件背後的物理機製。 電子元件的分類體係： 按功能分類： 如電阻元件、電容元件、電感元件、半導體元件、集成電路、真空管（作為曆史和特殊應用的補充）、傳感器、執行器等。 按材料分類： 如金屬、陶瓷、半導體材料（矽、鍺、砷化鎵等）、絕緣材料等。 按結構分類： 如分立元件、集成元件等。 按工作原理分類： 如綫性元件、非綫性元件等。 通用參數與術語： 介紹在描述和比較電子元件時常用的關鍵參數，如額定值、容差、頻率響應、溫度係數、功率損耗、漏電流、擊穿電壓、阻抗、阻抗匹配等，並進行詳細解釋。 第二章：無源電子元件詳解 本章著重介紹不具備能量再生能力的電子元件，它們在電路中主要起到限流、濾波、儲能、匹配等作用。 電阻元件： 原理與特性： 歐姆定律、焦耳定律、電阻率、溫度效應、功率限製。 分類與結構： 固定電阻（碳膜、金屬膜、氧化膜、綫繞電阻）、可變電阻（電位器、可調電阻）、特殊電阻（熱敏電阻、壓敏電阻、光敏電阻）。 選型原則： 考慮精度、功率、穩定性、阻值範圍、工作電壓、溫度特性。 常見應用： 分壓、限流、上拉/下拉、濾波、偏置。 電容元件： 原理與特性： 電容定義、介質材料、電容量、耐壓、等效串聯電阻（ESR）、漏電流、頻率特性。 分類與結構： 固定電容： 陶瓷電容（C0G/NP0, X7R, Y5V等）、電解電容（鋁電解、鉭電解）、薄膜電容（聚酯、聚丙烯）、雲母電容。 可變電容： 調諧電容、微調電容。 選型原則： 考慮電容量、耐壓、容差、ESR、工作溫度、頻率響應、體積、極性。 常見應用： 濾波（旁路、去耦）、耦閤、隔直、儲能、定時、振蕩。 電感元件： 原理與特性： 電感定義、自感、互感、感抗、儲能、磁芯材料、品質因數（Q值）、直流電阻（DCR）、飽和電流。 分類與結構： 空心電感、鐵氧體磁芯電感（功率電感、射頻電感）、疊層電感、繞綫電感。 選型原則： 考慮電感量、額定電流、Q值、DCR、飽和特性、頻率特性、安裝方式。 常見應用： 濾波（EMI濾波、低通濾波）、儲能（開關電源）、振蕩、匹配、隔離。 其他無源元件： 濾波器： 介紹LC濾波器、RC濾波器等基本結構和應用。 變壓器與電感器（變壓器部分）： 簡要介紹變壓器的原理（電磁感應）、變比、耦閤、隔離作用，以及不同類型的變壓器（音頻、電源、RF）。 第三章：半導體元件基礎原理與常用器件 本章將深入淺齣地介紹半導體材料的特性及其衍生齣的各類基本電子元件。本書將側重於器件的通用工作原理和應用，而非提供特定型號的詳細規格參數。 半導體基礎： 本徵半導體與雜質半導體： 介紹N型和P型半導體的形成機理，載流子（電子和空穴）的概念。 PN結： 重點講解PN結的形成、單嚮導電性、勢壘、空乏區、正嚮偏置和反嚮偏置特性。 二極管： 通用二極管： 工作原理、特性麯綫（伏安特性）、擊穿電壓、反嚮漏電流、正嚮壓降。 主要類型與應用： 整流二極管： 用於將交流電轉換為直流電。 穩壓二極管（齊納二極管）： 利用反嚮擊穿特性實現穩壓。 發光二極管（LED）： 電緻發光原理，顔色、亮度、正嚮壓降、封裝。 光電二極管： 光電效應，將光信號轉換為電信號。 肖特基二極管： 具有低正嚮壓降和快速開關速度的特點。 選型考慮： 最大整流電流、峰值反嚮電壓、反嚮漏電流、正嚮壓降、工作頻率。 三極管（BJT - 結型雙極晶體管）： 工作原理： NPN型和PNP型三極管，基區、集電區、發射區，電流放大作用（電流增益β）。 三種工作狀態： 放大區、飽和區、截止區。 基本電路應用： 共發射、共集電、共基極放大電路。 選型考慮： 最大集電極電流、集電極-發射極擊穿電壓、直流電流增益、最大功耗。 場效應管（FET - 場效應晶體管）： 工作原理： 電場效應，柵極、漏極、源極，電壓控製電流。 主要類型： 結型場效應管（JFET）： N溝道和P溝道。 絕緣柵場效應管（MOSFET）： N溝道和P溝道，增強型和耗盡型。 優勢與應用： 高輸入阻抗、低開關損耗（MOSFET）。 選型考慮： 漏-源導通電壓（Vds）、柵-源導通電壓（Vgs）、漏極電流（Id）、閾值電壓、導通電阻（MOSFET）。 其他半導體器件（簡述）： 可控矽（SCR）： 觸發導通，廣泛用於功率控製。 晶閘管係列（TRIAC, DIAC）： 用於交流控製。 光耦（光電耦閤器）： 光電隔離，實現輸入輸齣的安全隔離。 第四章：集成電路（IC）基礎與應用 本章將介紹集成電路的基本概念、分類以及其在現代電子係統中的重要作用。本書不展開對特定集成電路數據手冊的解讀，而是側重於理解IC的通用功能和選擇方法。 集成電路的優勢： 體積小、功耗低、可靠性高、成本低、性能優越。 集成電路的分類： 按功能分類： 模擬集成電路： 運算放大器、濾波器、定時器、穩壓器、音頻功放、射頻IC等。 數字集成電路： 邏輯門、觸發器、計數器、寄存器、微處理器、微控製器（MCU）、存儲器（RAM, ROM, Flash）等。 混閤信號集成電路： 結閤模擬和數字功能的IC。 按製造工藝分類： 單元件集成、多芯片集成。 常用模擬集成電路介紹： 運算放大器（Op-Amp）： 基本原理、理想運放模型、同相/反相輸入、電壓跟隨、加法器、減法器、積分器、微分器。 定時器IC（如555）： 介紹其單穩態、多諧振蕩、雙穩態工作模式。 穩壓器IC： 綫性和開關穩壓器。 常用數字集成電路介紹： 基本邏輯門： 與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門。 微控製器（MCU）： 介紹其集成的CPU、存儲器、I/O接口等核心功能。 集成電路的封裝與引腳： DIP, SOP, QFP, BGA等常見封裝形式，以及識彆和理解引腳功能的重要性。 選型與應用考量： 根據係統需求選擇功能、工作電壓、功耗、接口類型、性能指標等。 第五章：傳感器與執行器 本章介紹將物理量轉換為電信號的傳感器，以及將電信號轉換為物理動作的執行器，它們是實現電子係統與現實世界交互的關鍵。 傳感器基礎： 工作原理： 基於不同物理效應（電阻、電容、電感、壓電、熱電、光電、磁電等）。 關鍵參數： 靈敏度、量程、精度、響應時間、工作溫度範圍、輸齣信號類型（模擬/數字）。 常見傳感器類型： 溫度傳感器： 熱敏電阻、熱電偶、集成溫度傳感器。 壓力傳感器： 壓阻式、電容式。 位移/接近傳感器： 光電、霍爾效應、超聲波、電感式、電容式。 力/加速度傳感器： 壓電式、MEMS。 光傳感器： 光敏電阻、光電二極管、光電晶體管。 氣體/濕度傳感器。 執行器基礎： 工作原理： 將電能轉換為機械能、熱能、光能等。 常見執行器類型： 電機： 直流電機、交流電機、步進電機、伺服電機。 繼電器： 電磁式、固態繼電器。 電磁閥。 加熱元件。 LED、顯示屏（作為輸齣設備）。 傳感器與執行器的接口： 如何將傳感器信號接入微控製器或處理電路，以及如何驅動執行器。 第六章：電子元件選型、應用與故障排除 本章將理論聯係實際，指導讀者如何根據具體應用場景選擇閤適的電子元件，並提供解決實際問題的思路。 電子元件的選型策略： 明確需求： 功能、性能指標（精度、速度、功率、電壓、電流等）、工作環境（溫度、濕度、震動）、成本、壽命、尺寸等。 查閱資料： 理解規格書（Datasheet）的重要性，但本書不提供具體規格。 考慮兼容性： 元件之間的接口匹配、信號電平兼容。 預留餘量： 留有一定的工作裕度，提高係統的可靠性。 替代元件的評估： 在原元件停産或成本過高時，如何尋找和評估替代元件。 典型應用電路分析（通用電路）： 電源電路： 整流、濾波、穩壓。 信號放大電路： 跨阻放大、跨壓放大。 振蕩器電路。 濾波器電路。 開關控製電路。 電子元件的常見故障分析與排除： 觀察法： 外觀檢查（燒焦、爆裂、漏液）。 測量法： 使用萬用錶進行電阻、電壓、電流、通斷等基本測量。 替換法： 懷疑某個元件損壞時，用已知良好的元件進行替換。 電路分析法： 結閤電路原理，分析可能導緻故障的環節。 常見故障原因： 過載、過壓、過熱、靜電放電（ESD）、製造缺陷、設計錯誤、老化。 電子元件的存儲與防護： 防潮、防靜電、避免高溫等。 本書特色 普適性強： 本書聚焦於電子元件的通用原理和應用，不拘泥於特定係列或型號，適閤不同背景的讀者。 理論與實踐結閤： 在講解基礎理論的同時，強調實際應用中的選型和故障排除技巧。 圖文並茂： 大量插圖、圖錶和典型電路圖，幫助讀者更直觀地理解抽象概念。 易於理解： 語言通俗易懂，避免過多的專業術語堆砌，循序漸進地引導讀者掌握知識。 實用價值高： 旨在成為讀者在學習、設計和維修過程中不可或缺的實用參考工具。 《電子元件應用指南》將帶領您走進豐富多彩的電子世界，從最基本的組成單元齣發，構建起堅實的電子知識體係，賦能您的創新與實踐。

評分☆☆☆☆☆

這本書的語言風格，用一個詞來形容，就是“精準到近乎冷酷的嚴謹”。它幾乎沒有任何多餘的敘事性或解釋性的鋪陳，開篇即直入主題，每一個技術術語的引入都遵循著最嚴格的定義，仿佛作者深知每一句話都可能成為工程師進行嚴謹設計和調試的基石。這種毫不妥協的精確性，對於資深研發人員來說，無疑是極大的福音，因為它省去瞭反復揣摩作者意圖的時間，可以直接提取所需的數據和模型。舉個例子，在描述某一特定材料的遷移率時，它提供的不僅是一個數值，還附帶著溫度依賴關係麯綫的擬閤公式，甚至連誤差範圍都標注得清清楚楚，這種層層遞進的深度挖掘，讓人對信息的可靠性深信不疑。盡管初次接觸可能會覺得有些晦澀難懂，但這正說明瞭其麵嚮的專業深度——它不是一本科普讀物，而是一本旨在成為“唯一參考標準”的技術聖經。對我個人而言，它就像一把極其鋒利的手術刀，直接切入問題的核心，毫不拖泥帶水，是進行高精度工程計算時不可或缺的參照物。

評分☆☆☆☆☆

這本書的實用性體現得淋灕盡緻，它絕對不是那種停留在理論象牙塔裏的學術著作。我尤其欣賞其中穿插的那些大量、詳盡的實驗數據和典型應用案例。這些案例並非虛構的理想化場景，而是非常貼近實際晶圓製造和封裝測試環節中可能遇到的具體問題。比如，在某個章節中，作者詳細列舉瞭一組因不同摻雜濃度梯度導緻的閾值電壓不匹配的真實數據錶，並配以麯綫圖展示瞭這種不匹配如何影響電路的功耗和速度指標。這種“用數據說話”的敘事方式，極大地增強瞭書籍的說服力和操作指導性。我嘗試根據書中提供的一個小型衰減器的設計流程進行推演，發現其步驟邏輯嚴密，每一步的參數選擇都有明確的理論依據和曆史數據支撐，驗證瞭其在實際工程應用中的強大生命力。對於一綫工程師來說，這本書的價值不在於它能幫你通過考試，而在於它能幫你解決明天早會上級拋齣的那個棘手的技術難題。

評分☆☆☆☆☆

這本書的裝幀設計頗具匠心，封麵采用瞭略帶磨砂質感的深藍色調，中央印著燙金的書名，顯得既專業又不失穩重。初次翻閱時，那種紙張特有的微澀觸感，讓人感覺手裏拿的確實是一本沉甸甸的知識寶庫。內容編排上，結構清晰得令人稱道，目錄部分詳盡到每一章、每一節的小標題都標注得清清楚楚，即便是首次接觸這個領域的新手，也能迅速定位到自己感興趣或需要查閱的部分。整體排版布局非常閤理，字體大小適中，行距疏密得當，即便是長時間閱讀也不會感到眼睛疲勞。而且，書中大量的圖錶和示意圖，製作精良，綫條清晰，色彩搭配也十分剋製和專業，沒有絲毫花哨感，完全聚焦於信息傳達的效率。這些圖錶往往能將復雜的物理原理或器件特性直觀地展現齣來，極大地降低瞭理解的門檻。可以感覺到，編者在細節處理上花費瞭巨大的心力，比如頁眉頁腳的精心設計，以及書簽頁的處理，都體現齣一種對讀者體驗的尊重。這本書的物理質感和視覺呈現，讓人在學習之餘，也獲得瞭一種閱讀的愉悅感，非常適閤作為案頭工具書長期擺放和使用。

評分☆☆☆☆☆

從知識體係構建的角度來看，這本書的處理邏輯極為齣色，它采用瞭自底嚮上、層層遞進的構建方式，堪稱典範。它沒有一開始就拋齣復雜的半導體物理方程，而是先從最基本的能帶結構和載流子輸運現象入手，逐步引入結區特性、MOSFET的I-V特性，最後再過渡到更復雜的混閤信號器件模型。這種循序漸進的教學法，確保瞭讀者在接觸高階內容時，所有的基礎知識點都已經牢固掌握，減少瞭“知識斷層”的風險。我發現，作者在解釋如“溝道長度調製效應”這類經典現象時，不僅給齣瞭數學推導，還巧妙地結閤瞭晶體管的物理尺寸變化圖示，使得抽象的數學符號瞬間可視化。這種將理論模型與實際物理結構緊密結閤的教學策略，極大地提高瞭學習的效率和記憶的深度。它真正做到瞭將復雜的科學轉化為清晰的工程語言，是一本能夠真正幫助構建起紮實、全麵且相互關聯的半導體知識體係的權威著作。

評分☆☆☆☆☆

這本書的知識覆蓋麵廣度令人印象深刻，它像是一張巨大的、編織得密不透風的知識網。我驚喜地發現，它不僅係統性地梳理瞭基礎器件的工作原理，還非常及時地涵蓋瞭當前行業熱點的一些新興技術分支。例如，在處理高頻器件的寄生效應建模時，它沒有滿足於經典的等效電路模型，而是深入探討瞭基於三維電磁場仿真結果的修正方法，這一點在市麵上大多數同類教材中是鮮少被如此深入探討的。更值得稱道的是，書中對於不同工藝節點下的器件性能演變趨勢，進行瞭跨越式的比較分析，這對於進行前瞻性技術選型和IP復用決策至關重要。閱讀過程中，我感覺自己仿佛在進行一次跨越不同技術世代的“時光旅行”，從幾十年前的經典PN結到最新的FinFET結構，每一個關鍵技術轉摺點都被清晰地標注和解析。這種宏大的視野，使得讀者不隻是學會瞭“如何做”，更能理解“為什麼會這樣發展”，極大地拓寬瞭技術認知的邊界。