基本信息
書名:用於惡劣環境的碳化矽微機電係統
定價:35.00元
作者:(英)張,王曉浩,唐飛,王文弢
齣版社:科學齣版社
齣版日期:2010-03-01
ISBN:9787030268624
字數:
頁碼:
版次:1
裝幀:平裝
開本:16開
商品重量:0.640kg
編輯推薦
內容提要
碳化矽以其優異的溫度特性、電遷移特性、機械特性等,越來越被微電子和微機電係統研究領域所關注,不斷有新的研究群體介入這一材料及其應用的研究。《用於惡劣環境的碳化矽微機電係統》是目前譯者見到的一本係統論述碳化矽微機電係統的著作,作者是來自英國、美國從事碳化矽微機電係統研究的幾位學者,他們係統綜述瞭碳化矽生長、加工、接觸、腐蝕和應用等環節的技術和現狀,匯聚瞭作者大量的經驗和智慧。
《用於惡劣環境的碳化矽微機電係統》可供從事微電子、微機械研究的科研人員參考閱讀,也可以作為研究生專業課程教材或參考書目。
目錄
作者介紹
文摘
序言
說實話,我初次拿起這本書時,對“微機電係統”和“碳化矽”的結閤感到有些望而生畏,擔心裏麵充斥著晦澀難懂的數學公式和物理定律。然而,這本書的敘事方式卻齣乎意料地流暢且富有啓發性。它並沒有簡單地羅列公式,而是巧妙地將復雜的電磁學、熱力學與MEMS器件的動態響應聯係起來。我尤其欣賞作者在闡述壓阻效應和壓電效應在SiC材料中實現傳感功能時的那種循序漸進的講解。它沒有直接給齣最終模型,而是從晶格結構的變化如何影響載流子遷移率開始講起,再到如何設計齣具有高靈敏度和低遲滯性的結構。這種由微觀到宏觀的解構方式,極大地幫助我理解瞭那些看似玄妙的性能指標背後的物理本質。對於初學者來說,這可能需要一定的耐心,但對於想要深入理解SiC MEMS器件可靠性和長期穩定性的研發人員來說,這種詳盡的底層邏輯梳理是無可替代的。讀完後,我對過去處理那些“溫度補償”問題時采取的經驗主義方法深感汗顔,這本書提供瞭一套更具科學基礎的解決框架。
評分這本《用於惡劣環境的碳化矽微機電係統》簡直是為我這種常年和高溫、高壓、高頻振動打交道的工程師量身定做的寶典!我印象最深的是它對SiC材料的本徵特性進行瞭極其深入的剖析,簡直是從原子層麵給你捋瞭一遍,讓你徹底明白為什麼它能在極端條件下錶現得如此“硬核”。書中詳細對比瞭傳統矽基MEMS在熱膨脹係數、擊穿場強以及化學惰性上的短闆,然後無縫對接到瞭碳化矽的優勢領域。尤其值得稱贊的是,作者沒有停留在理論層麵,而是提供瞭大量實際的工藝流程圖和失效分析案例。我記得有一章專門講瞭深反應離子刻蝕(DRIE)在製作高深寬比SiC結構時的工藝窗口優化,那些參數的敏感性和控製難點,讀起來簡直讓人感同身受,仿佛自己就在潔淨室裏操作顯微鏡。對於我正在開發的航空發動機狀態監測傳感器來說,這本書提供的思路——如何通過結構設計來耦閤材料優勢、有效規避機械共振峰和熱應力導緻的漂移——是具有極高的指導價值的。這本書的深度和廣度,遠超齣瞭市麵上那些隻停留在應用層麵的教材,更像是一部結閤瞭材料科學、半導體物理和精密機械工程的“武功秘籍”。
評分這本書的實踐指導意義,體現在它對異質集成的深刻洞察上。碳化矽本身性能優越,但在驅動電路和信號處理方麵,我們仍然離不開傳統的CMOS技術,如何讓SiC MEMS的苛刻工作條件與矽基ASIC的脆弱性共存,一直是工程上的老大難。書中專門介紹瞭幾種高低溫接口電路設計的策略,特彆是關於如何利用SiC的寬禁帶來實現高電壓驅動和低噪聲信號采集的隔離方案。我特彆關注瞭其中關於電荷泵和鎖相環(PLL)在強電磁乾擾環境下保持穩定性的章節,作者利用SiC的低寄生電容特性,提齣瞭幾套獨特的電路拓撲結構來提高抗乾擾能力。這套思路為我們解決下一代高精度慣性導航係統中的“零點漂移”問題提供瞭全新的硬件架構思路,而不是僅僅停留在軟件濾波上。這本書與其說是一本教科書,不如說是一部深入前沿的工程實踐報告集,其內容的“新”和“深”,讓人讀完後立刻有衝動想去實驗室驗證書中的每一個提議。
評分對於我們這種需要進行跨學科閤作的項目組來說,這本書的價值在於它提供瞭一套通用且嚴謹的語言體係。我的團隊裏有材料科學傢、電子工程師和結構設計師,過去我們常常因為對“可靠性”的定義不同而産生分歧。這本書在論述SiC的疲勞壽命預測模型時,清晰地區分瞭熱機械疲勞、電遷移和輻射損傷,並為每一種損傷機製提供瞭相應的威布爾分布或科爾莫戈洛夫-史米爾諾夫檢驗的應用示例。這不僅統一瞭我們的術語,更重要的是,它提供瞭一種量化評估不同設計選擇風險的共同框架。例如,當討論到封裝技術時,書中花瞭相當篇幅對比瞭共晶鍵閤和活性釺焊在應對SiC高工作溫度下的密封完整性問題上的優劣。這種跨越材料、器件和封裝的整體視角,避免瞭將任何一個環節視為孤島進行優化而導緻的係統性失敗。
評分這本書的排版和圖錶質量簡直是工業級水準,這對於一本技術專著來說至關重要。我拿到的精裝版本,紙張的質感很好,即便是打印在圖錶上那些密集的仿真結果麯綫和有限元分析(FEA)網格劃分圖,細節也清晰可辨,這在查閱關鍵數據時避免瞭很大的麻煩。有一部分內容專門討論瞭SiC基陀螺儀在高G環境下的抗衝擊設計。書中提供瞭一係列不同懸臂梁結構(如梁式、環形、雙質量塊)在瞬態載荷下的應力集中點分析圖,這些圖示直觀地展示瞭如何通過優化支撐點的幾何形狀來分散衝擊能量,避免應力梯度過大導緻的結構疲勞。更讓我驚喜的是,書中穿插瞭幾頁對當前前沿光刻技術在SiC晶圓上實現高精度圖案轉移的討論,包括激光直寫和離子束輔助刻蝕等,這錶明作者的視野緊跟行業最新進展,而不是僅僅停留在成熟工藝的介紹上。這種對“製造可行性”的同步考量,讓理論設計更具落地性。
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