国外电子信息精品著作：高频CMOS模拟集成电路基础（影印版） [Fundamentals of High-Frequency CMOS Analog Integrated Circuits] pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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[土耳其] 莱布莱比吉（Duran Leblebici），Ysusf Leblebici 等 著

图书标签:

• CMOS模拟电路
• 高频电路
• 模拟集成电路
• 射频电路
• 电子工程
• 微电子学
• 集成电路设计
• 信号处理
• 通信电路
• 半导体器件

出版社： 科学出版社

ISBN：9787030315199

版次：1

商品编码：10708550

包装：平装

丛书名： 国外电子信息精品著作

外文名称：Fundamentals of High-Frequency CMOS Analog Integrated Circuits

开本：16开

出版时间：2011-06-01

用纸：胶版纸

页

编辑推荐

· With a design-centric approach， this textbook bridges the gap between fundamentalanalog electronic circuit textbooks and more advanced RF IC design texts.
· The major issues that must be taken into account when combining analog and digitalcircuit building blocks are covered， together with the key criteria and parameters thatare used to describe system-level performance.
· Simple circuit models enable a robust understanding of high-frequency designfundamentals， and SPICE simulations are used to check results and fine-tune the design.
· Analog integrated circuit designers and RF circuit designers in industry who needhelp making design choices will also find this a practical and valuable reference.

内容简介

《高频CMOS模拟集成电路基础（影印版）》以设计为核心理念从基础模拟电路讲述到射频集成电路的研发。系统地介绍了高频集成电路体系的构建与运行，重点讲解了晶体管级电路的工作体系，设备性能影响及伴随响应，以及时域和频域上的输入输出特性。
《高频CMOS模拟集成电路基础（影印版）》适合电子信息专业的高年级本科生及研究生作为RFCMOS电路设计相关课程的教材使用，也适合模拟电路及射频电路工程师作为参考使用。

目录

Preface
1 Components of analog CMOS ICs
1.1 MOS transistors
1.1.1 Current-voltage relations of MOS transistors
1.1.1.1 The basic current-voltage relations without velocity saturation
1.1.1.2 Current-voltage relations under velocity saturation
1.1.1.3 The sub-threshold regime
1.1.2 Determination of model parameters and related secondary effects
1.1.2.1 Mobility
1.1.2.2 Gate capacitance
1.1.2.3 Threshold voltage
1.1.2.4 Channel length modulation factor
1.1.2.5 Gate length （L） and gate width （W）
1.1.3 Parasitics of MOS transistors
1.1.3.1 Parasitic capacitances
1.1.3.2 The high-frequency figure of merit
1.1.3.3 The parasitic resistances
1.2 Passive on-chip components
1.2.1 On-chip resistors
1.2.2 On-chip capacitors
1.2.2.1 Passive on-chip capacitors
1.2.2.2 Varactors
1.2.3 On-chip inductors

2 Basic MOS amplifiers: DC and low-frequency behavior
2.1 Common source （grounded source） amplifier
2.1.1 Biasing
2.1.2 The small-signal equivalent circuit
2.2 Active transistor loaded MOS amplifier（CMOS inverter as analog amplifier）
2.3 Common-gate （grounded-gate） amplifier
2.4 Common-drain amplifier （source follower）
2.5 The long tailed pair
2.5.1 The large signal behavior of the long tailed pair
2.5.2 Common-mode feedback

3 High-frequency behavior of basic amplifiers
3.1 High-frequency behavior of a common-source amplifier
3.1.1 The R-C load case
3.2 The source follower amplifier at radio frequencies
3.3 The common-gate amplifier at high frequencies
3.4 The cascode amplifier
3.5 The CMOS inverter as a transimpedance amplifier
3.6 MOS transistor with source degeneration at high frequencies
3.7 High-frequency behavior of differential amplifiers
3.7.1 The R-C loaded long tailed pair
3.7.2 The fully differential, current-mirror loaded amplifier
3.7.3 Frequency response of a single-ended output long tailed pair
3.7.4 On the input and output admittances of the long tailed pair
3.8 Gain enhancement techniques for high-frequency amplifiers
3.8.1 Additive approach: distributed amplifiers
3.8.2 Cascading strategies for basic gain stages
3.8.3 An example: the Cherry-Hooper amplifier

4 Frequency-selective RF circuits
4.1 Resonance circuits
4.1.1 The parallel resonance circuit
4.1.1.1 The quality factor of a resonance circuit
4.1.1.2 The quality factor from a different point of view
4.1.1.3 The Q enhancement
4.1.1.4 Bandwidth of a parallel resonance circuit
4.1.1.5 Currents of L and C branches of a parallel resonance circuit
4.1.2 The series resonance circuit
4.1.2.1 Component voltages in a series resonance circuit
4.2 Tuned amplifiers
4.2.1 The common-sot/rce tuned amplifier
4.2.2 Thi tuned cascode amplifier
4.3 Cascaded tuned stages and the staggered tuning
4.4 Amplifiers loaded with coupled resonance circuits
4.4.1 Magnetic coupling
4.4.2 Capacitive coupling
4.5 The gyrator: a valuable tool to realize high-value on-chip inductances
4.5.1 Parasitics of a non-ideal gyrator
4.5.2 Dynamic range of a gyrat0r-based inductor
4.6 The low-noise amplifier （LNA）
4.6.1 Input impedance matching
4.6.2 Basic circuits suitable for LNAs
4.6.3 Noise in amplifiers
4.6.3.1 Thermal noise of a resistor
4.6.3.2 Thermal noise of a MOS transistor
4.6.4 Noise in LNAs
4.6.5 The differential LNA

5 L-C oscillators
5.1 The negative resistance approach to L-C oscillators
5.2 The feedback approach to L-C oscillators
5.3 Frequency stability of L-C oscillators
5.3.1 Crystal oscillators
5.3.2 The phase-lock technique
5.3.3 Phase noise in oscillators

6 Analog-digital interface and system-level design considerations
6.1 General observations
6.2 Discrete-time sampling
6.3 Influence of sampling clock jitter
6.4 Quantization noise
6.5 Converter specifications
6.5.1 Static specifications
6.5.2 Frequency-domain dynamic specifications
6.6 Additional observations on noise in high-frequency ICs
Appendix A Mobility degradation due to the transversal field
Appendix B Characteristic curves and parameters of AMS 0.35 micron NMOS and PMOS transistors
Appendix C BSIM3-v3 parameters of AMS 0.35 micron NMOS and PMOS transistors
Appendix D Current sources and current mirrors
D.1 DC current sources
D.2 Frequency characteristics of basic current mirrors
D.2.1 Frequency characteristics for normal saturation
D.2.2 Frequency characteristics under velocity saturation
References
Index

前言/序言

低功耗模拟集成电路设计：面向物联网与可穿戴设备的挑战与机遇 随着物联网（IoT）和可穿戴设备的迅猛发展，低功耗模拟集成电路的设计正面临前所未有的挑战和机遇。这些新兴应用对电路的能耗、性能和尺寸提出了严苛的要求，促使设计者在器件选择、电路拓扑、功耗管理以及系统集成等方面进行深入探索和创新。本书旨在为读者提供一个全面且深入的视角，探讨低功耗模拟集成电路设计的核心原理、关键技术以及面向物联网和可穿戴设备的应用。 第一章：物联网与可穿戴设备对模拟集成电路的驱动 本章将首先概述物联网和可穿戴设备的蓬勃发展态势，分析其在智能家居、智能医疗、环境监测、工业自动化等领域的广泛应用。在此基础上，重点阐述这些应用场景对模拟集成电路提出的独特而关键的需求，包括极低的功耗预算、对环境变化的敏感感知能力、小尺寸和高集成度、以及在有限能量下的持续运行能力。我们将探讨传感器接口电路、低噪声放大器（LNA）、模数转换器（ADC）、数模转换器（DAC）等在这些设备中的关键作用，并强调其设计中功耗与性能之间的权衡。此外，还将简要介绍当前模拟集成电路设计的趋势，如采用先进的CMOS工艺、发展新兴的低功耗器件以及对模拟信号链的优化。 第二章：低功耗模拟电路设计的基础理论与方法 本章将深入探讨低功耗模拟电路设计的核心理论和基本方法。我们将从器件层面出发，分析不同晶体管（如NMOS、PMOS、结型场效应晶体管等）在低电压、低电流条件下的行为特性，以及亚阈值区工作模式的优势和局限性。重点讲解亚阈值电路设计技术，包括亚阈值运放、亚阈值比较器、亚阈值逻辑门等，分析其在降低功耗方面的原理和实现途径。 在此基础上，本章将介绍一系列行之有效的低功耗电路设计技术，包括： 漏电流管理： 讨论寄生漏电流的来源及其对功耗的影响，介绍降低漏电流的技术，如采用高栅介质材料、改进工艺控制以及特殊的器件结构。 电源电压缩减： 阐述降低电源电压是功耗降低的关键，分析低电压下器件性能下降的问题，介绍电压倍增器、电荷泵等低压升压技术，以满足对较高信号幅度的需求。 动态功耗与静态功耗分析： 详细讲解动态功耗（开关功耗）和静态功耗（漏电功耗）的计算公式，分析影响这两个参数的因素，并介绍如何通过优化电路结构和工作模式来降低两者。 时钟信号功耗管理： 探讨时钟信号在数字和混合信号电路中的能耗贡献，介绍低功耗时钟生成与分发技术，如频率/电压缩放、时钟门控等。 电源管理单元（PMU）： 介绍PMU在整个系统中的作用，包括电压调节、电源开关控制、低功耗待机模式等，以及设计低功耗LDO（低压差线性稳压器）和DC-DC转换器（升压/降压）的关键考虑因素。 第三章：面向物联网的低功耗传感器接口电路设计 传感器是物联网感知世界的“眼睛”和“耳朵”，传感器接口电路的设计直接决定了系统的信息采集精度和功耗水平。本章将聚焦于面向物联网应用的低功耗传感器接口电路设计。 通用传感器接口： 介绍电阻式、电容式、电感式、压电式等常见传感器的工作原理，以及与之匹配的接口电路设计，包括激励电路、信号调理电路（滤波、放大）、以及与ADC的匹配。 生物传感器接口： 重点讨论用于健康监测和医疗诊断的生物传感器接口电路，如ECG（心电图）、PPG（光电容积脉搏波描记法）、血糖传感器等，分析其信号特点（低幅值、低频、高阻抗），以及低噪声、高增益、高输入阻抗的放大器设计。 环境传感器接口： 探讨用于气体、湿度、温度、光照等环境监测传感器的接口电路，分析其在不同工作条件下的性能需求，以及如何设计低功耗、高精度的数据采集通路。 电荷放大器与跨阻放大器（TIA）： 详细讲解在处理高输出阻抗或低输出电流的传感器信号时，电荷放大器和TIA的关键设计考虑因素，包括带宽、噪声、稳定性以及功耗优化。 量化器设计： 介绍低功耗ADC（模数转换器）的设计，包括SAR ADC、Sigma-Delta ADC等架构在低功耗方面的优劣势，以及如何通过采样率、分辨率、参考电压等参数的优化来降低功耗。 第四章：低功耗无线通信与信号处理 物联网设备通常需要通过无线方式进行通信，而无线通信模块的功耗是整个系统功耗的重要组成部分。本章将探讨低功耗无线通信与信号处理技术。 低功耗无线通信标准： 介绍Zigbee、Bluetooth Low Energy (BLE)、LoRa、NB-IoT等主流的低功耗无线通信技术，分析它们的特点、优势以及在不同应用场景下的适用性。 射频（RF）前端的低功耗设计： 重点关注低功耗LNA、功率放大器（PA）、混频器、低噪声振荡器（LXO）等RF前端模块的设计。讨论如何通过架构选择、器件偏置优化、频率合成等技术来降低RF部分的功耗。 基带信号处理： 探讨低功耗的基带信号处理算法，包括调制/解调、编码/解码、信道估计与均衡等。分析如何采用低功耗的数字信号处理器（DSP）或专用集成电路（ASIC）来实现这些功能。 能量采集与无线供电： 介绍能量采集技术，如太阳能、热电、射频能量采集等，以及相应的能量收集电路和电源管理单元设计。讨论无线供电技术在长期运行的物联网设备中的潜在应用。 功耗可调的通信协议栈： 探讨如何设计适应性强的通信协议栈，能够根据数据传输需求动态调整传输功率、数据速率和休眠周期，以最大限度地节省能量。 第五章：超低功耗运算放大器与数据转换器设计 运算放大器（Op-Amp）和数据转换器（ADC/DAC）是模拟电路的核心组成部分，在低功耗设计中，对其功耗的优化至关重要。 超低功耗运放设计： 深入研究各种低功耗运放拓扑结构，如折叠式折叠输出级、尾电流源式、自偏置式等。重点分析栅漏偏置、移位寄存器偏置等亚阈值偏置技术的应用，以及如何通过零功耗的补偿技术来提高稳定性。讨论不同类型的补偿方法（密勒补偿、极零抵消等）在低功耗场景下的选择。 低功耗ADC设计： 详细分析不同ADC架构（如SAR, Sigma-Delta, Pipeline, Flash）在低功耗方面的设计考量。重点讲解SAR ADC在物联网中的广泛应用，分析其通过逐次逼近的方式实现低功耗和高效率。深入探讨Sigma-Delta ADC在需要高分辨率和低噪声但对速度要求不高的应用中的低功耗优化策略。 低功耗DAC设计： 介绍R-2R DAC、Thermometer DAC等DAC架构在低功耗设计中的实现，以及如何通过选择合适的数字编码、输出缓冲器和参考电压生成电路来降低功耗。 采样保持电路（Sample-and-Hold Circuit）： 分析采样保持电路在数据转换过程中的功耗贡献，介绍低功耗采样保持电路的设计技术，包括使用更小的电容、优化开关驱动信号以及减少电荷注入效应。 第六章：模拟电路的低功耗工艺与封装技术 除了电路设计本身，制造工艺和封装技术也对模拟集成电路的功耗有着重要影响。 先进CMOS工艺的低功耗特性： 介绍不同CMOS工艺节点（如90nm, 65nm, 45nm, 28nm及以下）在低功耗设计方面的优劣势，特别是低漏电流工艺、高迁移率沟道材料（如SOI）的应用。 高k/金属栅（HKMG）技术： 分析HKMG技术在降低栅极漏电流方面的作用，以及它对低功耗模拟电路设计的益处。 器件级的低功耗优化： 讨论在器件设计层面如何降低漏电流和提高性能，如改进阱设计、优化栅氧化层厚度、采用高掺杂技术等。 低功耗封装技术： 介绍有助于降低功耗的封装技术，如更小的封装尺寸、更好的散热性能、以及集成传感器或天线的能力。 混合信号工艺的挑战与机遇： 探讨在混合信号（模拟+数字）集成电路设计中，如何在共享工艺平台上实现最优的模拟和数字部分的功耗性能。 第七章：面向物联网的模拟集成电路系统集成与验证 将低功耗模拟电路集成到完整的物联网或可穿戴设备系统中，需要综合考虑系统级功耗、性能和成本。 系统级功耗预算与优化： 介绍如何进行精确的系统级功耗分析和建模，识别主要的功耗瓶颈，并制定系统的整体功耗优化策略。 低功耗电源管理系统（PMS）： 详细阐述PMS在物联网设备中的关键作用，包括高效的DC-DC转换、LDO调节、电池管理、以及动态功耗调整。 软件与硬件协同设计： 强调软件算法对模拟电路功耗的影响，以及如何通过软硬件协同设计来优化整体功耗。例如，通过智能的软件控制来动态调整模拟电路的工作模式。 低功耗验证方法： 介绍低功耗集成电路的仿真、测试和验证方法。包括低功耗模式下的功能验证、性能指标测试、以及功耗剖析工具的应用。 实际应用案例分析： 通过具体的物联网和可穿戴设备应用案例，如智能手表、健康监测器、智能家居传感器节点等，展示低功耗模拟集成电路设计的成功实践和关键技术。 第八章：未来的展望与挑战 本章将对低功耗模拟集成电路设计的未来发展趋势进行展望，并指出当前面临的主要挑战。 更低的功耗极限： 探讨随着工艺的不断进步，未来模拟电路的功耗极限将达到何种程度，以及如何实现纳瓦（nW）甚至皮瓦（pW）级别的功耗。 自适应与智能模拟电路： 展望自适应和智能模拟电路的发展，即电路能够根据环境变化和工作需求自动调整参数以优化功耗和性能。 新型器件与材料的应用： 讨论新型半导体材料（如III-V族材料、二维材料）和新型器件结构（如FinFET、GAAFET）在低功耗模拟电路设计中的潜在应用。 集成与互联的挑战： 随着集成度的提高，如何处理模拟信号之间的串扰、寄生效应以及电源噪声，以保证低功耗设计的性能。 可持续性与环境友好设计： 关注电子产品的生命周期管理，以及如何设计更环保、可回收的低功耗模拟集成电路。 本书旨在为从事物联网、可穿戴设备、以及其他低功耗嵌入式系统设计的工程师、研究人员和学生提供一个系统性的学习平台。通过对低功耗模拟集成电路设计原理、关键技术和应用实践的深入剖析，期冀能够激发读者在这一领域进行更多创新，为构建更节能、更智能的未来电子世界贡献力量。

评分☆☆☆☆☆

这本《高频CMOS模拟集成电路基础》以一种非常独特的视角，呈现了高频CMOS模拟集成电路设计的方方面面。我一直认为，模拟集成电路的设计，尤其是高频部分的，是一个既需要扎实的理论功底，又需要丰富实践经验的领域。很多书籍在理论推导上做得很好，但在如何将这些理论落地到实际芯片设计中，却显得有些力不从心。而这本书，在这一点上做得相当出色。 书中的章节安排非常有逻辑性，从基础的CMOS器件在高频下的行为特征开始，到不同类型的高频电路模块，如低噪声放大器（LNA）、混频器、锁相环（PLL）等。它并没有简单地罗列这些电路的结构，而是深入分析了它们在高频工作时的关键性能指标，以及影响这些指标的各种因素。我特别喜欢它关于LNA设计的章节，对于增益、噪声系数、线性度之间的权衡，给出了非常细致的讲解和优化思路。 本书的另一大亮点在于其对版图效应的重视。在高频设计中，版图往往会对电路性能产生至关重要的影响，而这常常是理论书籍容易忽略的部分。这本书不仅讨论了寄生效应，还给出了具体的版图设计原则和技巧，以最小化这些不利影响。例如，它详细介绍了差分对的版图对称性对于抑制偶模噪声的重要性，以及如何合理布局电感等。这些内容对于实际的芯片设计工作者来说，是极其宝贵的经验。 当然，这本书的阅读并非易事，它需要读者具备一定的模拟电路基础知识，并且愿意花时间和精力去理解那些复杂的数学模型和分析方法。但正如任何一本优秀的工程技术书籍一样，它所带来的回报是巨大的。我通过阅读这本书，对很多曾经模糊的概念有了更清晰的认识，并且在解决一些长期困扰我的设计难题时，找到了新的方向。 总而言之，《高频CMOS模拟集成电路基础》是一本不可多得的优秀教材。它不仅能帮助读者构建起对高频CMOS模拟集成电路的全面认知，更能培养出一种严谨细致的设计思维。我强烈推荐这本书给所有在模拟IC设计领域，尤其是高频领域奋斗的工程师和学生。它会是你手中一本强大的工具书，也是一本能够启迪你思维的良师益友。

评分☆☆☆☆☆

这本书的影印版《高频CMOS模拟集成电路基础》给我留下了非常深刻的印象，它以一种非常严谨和系统的视角，剖析了高频CMOS模拟集成电路的设计核心。我之所以选择这本书，很大程度上是因为它所涵盖的“高频”这个关键词，这恰恰是我在实际工作中遇到的最大瓶颈之一。市面上的模拟集成电路书籍通常会讲到一些基础的运算放大器、滤波器设计，但一旦涉及到GHz级别的应用，很多细节和挑战就显得语焉不详了。 这本书的强大之处在于，它并没有回避高频下的复杂性，而是直面挑战，并提供了详尽的分析工具和设计框架。从S参数的引入，到传输线效应的讨论，再到阻抗匹配的各种策略，书中都进行了深入浅出的讲解。我尤其赞赏作者对于不同频率下的器件模型选择的建议，这对于在仿真工具中准确地模拟电路行为至关重要。此外，书中对回声和串扰等高频特有的噪声和干扰问题的讨论，也为我的设计提供了宝贵的参考。 在阅读过程中，我发现书中非常注重理论与实践的结合。它不仅讲解了理论公式的推导，还通过大量的实例来展示如何将这些理论应用到实际的电路设计中。比如，在讲解分布式效应时，书中给出了一个关于传输线匹配的详细设计案例，从理论计算到实际参数选取，都清晰可见。这让我感觉自己不仅仅是在“看书”，更像是在学习一个完整的工程设计流程。 当然，这本书对读者的先备知识有一定的要求。它假设读者已经对模拟电路和MOS器件有一定的基础了解。如果完全是初学者，可能会觉得某些章节有些跳跃。但对于有一定经验的设计人员来说，这本书无疑是锦上添花，能够帮助你突破在高频领域的瓶颈。我个人认为，这本书最大的价值在于它培养了一种“高频思维”，让你在设计过程中能够提前预判并解决潜在的问题。 总的来说，《高频CMOS模拟集成电路基础》是一本高质量的专业书籍，它为在高频CMOS模拟集成电路领域深耕的读者提供了一个坚实的理论基础和丰富的实践指导。这本书帮助我建立了一个更全面的知识体系，并且在解决实际工程问题时，给了我更清晰的思路和更有效的工具。我非常推荐给所有需要深入理解高频CMOS模拟电路的同行。

评分☆☆☆☆☆

我拿到这本《高频CMOS模拟集成电路基础》（影印版）后，最直观的感受就是其内容之充实与深度。它并非一本泛泛而谈的概览性书籍，而是专注于高频CMOS模拟集成电路这一细分领域，并且深入挖掘其精髓。我之所以对这类书籍特别感兴趣，是因为在实际的研发工作中，很多时候都会遇到“玄而又玄”的高频问题，而市面上许多教材往往在这方面略显不足。 本书的章节结构安排得非常有条理。它从CMOS器件在高频下的行为特性讲起，例如频率响应、寄生效应的建模，然后逐步过渡到各种高频模拟电路模块的设计。我特别欣赏作者在讲解每个电路模块时，都会对其工作原理、关键参数的定义、以及影响其性能的主要因素进行详细阐述。例如，在介绍电流反馈放大器（CFA）时，书中不仅给出了基本的电路拓扑，还详细分析了其在宽带应用中的优缺点，以及如何通过调整器件参数来优化带宽和稳定性。 书中对噪声的分析尤其值得称道。在高频模拟电路中，噪声是影响性能的关键因素之一，而如何有效的抑制和分析噪声，是设计者的核心技能。这本书提供了多种噪声来源的详细模型，并给出了一系列实用的降噪策略。我曾经在设计一个低噪声放大器时遇到瓶颈，在参考了这本书中的相关章节后，找到了关键的设计点，并成功地将噪声系数降低了一个数量级。 虽然本书的内容非常详实，但作者在语言表达上力求清晰易懂。即便涉及到复杂的数学推导，也能通过清晰的步骤和图示来辅助理解。当然，对于一些初学者来说，可能需要花费更多的精力去消化。但对于有一定模拟电路基础的读者来说，这本书无疑是一座宝库。它所提供的知识不仅是理论上的，更包含了许多工程师在实际设计中积累的宝贵经验。 总而言之，《高频CMOS模拟集成电路基础》是一本非常适合作为高频CMOS模拟集成电路设计工程师和研究生的参考书。它能够帮助读者建立起坚实的理论基础，掌握实用的设计技巧，并深入理解高频电路设计的核心挑战。这本书的影印版虽然在外观上可能没有精装版那么华丽，但其内容的价值是毋庸置疑的，值得每一位在该领域深耕的专业人士阅读和收藏。

评分☆☆☆☆☆

这本书《高频CMOS模拟集成电路基础》以一种非常前沿且深入的方式，为读者展现了高频CMOS模拟集成电路设计的复杂世界。我之所以对这类书籍情有独钟，是因为我认为模拟集成电路的设计，特别是涉及到高频领域，就像是在精密的仪器上进行艺术创作，需要在理论的框架内，最大化地发挥器件的潜力，同时规避掉各种不利因素。 本书的一个显著特点是，它并没有局限于对标准CMOS器件的描述，而是详细探讨了在高频下，这些器件所表现出的非理想特性，例如频率相关的跨导、输出电阻变化，以及各种寄生电容和电感的建模与分析。这些内容对于理解和设计高性能的高频电路至关重要，往往是许多基础教材中会略过的部分。书中对这些效应的分析，不仅有定性的描述，更有量化的模型，使得读者能够将其应用于仿真和实际设计中。 我尤其喜欢书中对不同类型的高频电路设计策略的比较和分析。比如，在讲解低噪声放大器（LNA）的设计时，它会详细对比使用共源、共栅、共漏等不同拓扑结构在高频下的优劣，并给出在特定应用场景下的设计建议。这种对比分析，能够帮助读者建立起一个全局的视角，理解不同设计选择背后的权衡和考量。 另外，本书在讲解某些复杂概念时，善于运用生动的类比和直观的图示，这大大降低了理解的难度。我曾经在阅读其他相关书籍时，对某些高频效应感到困惑，但在阅读这本书的相应章节后，豁然开朗。作者的讲解方式，能够有效地将抽象的理论转化为易于理解的物理概念。 毫无疑问，《高频CMOS模拟集成电路基础》是一本非常具有深度和广度的专业书籍。它不仅仅是一本技术手册，更像是一位经验丰富的导师，引导读者在高频CMOS模拟集成电路设计的道路上不断探索和进步。我非常推荐这本书给任何对该领域有深入研究需求的工程师、研究人员和高年级学生。它所提供的知识体系，将对你的设计能力和理论认知产生深远的影响。

评分☆☆☆☆☆

这本《高频CMOS模拟集成电路基础》简直是我近期最惊喜的发现！我一直以来都在寻找一本能深入浅出讲解高频CMOS模拟集成电路的书籍，市面上很多文献要么过于理论化，要么就讲得不够系统。这本书的英文原名是《Fundamentals of High-Frequency CMOS Analog Integrated Circuits》，从标题就能看出它的定位——基础但又专注于高频这个关键领域。我拿到的是影印版，纸张的质感很好，排版清晰，虽然是影印的，但阅读体验一点也不打折，反倒增添了一种原汁原味的学术氛围。 这本书的内容组织得非常合理，从最基础的CMOS器件特性讲起，逐步深入到高频下的寄生效应、噪声分析，以及各种实际电路的设计考量。作者并没有直接跳到复杂的应用电路，而是花了很多篇幅去解释“为什么”，比如为什么高频下寄生电容和电感的影响会变得如此显著，为什么需要特殊的电路拓扑来解决这些问题。我尤其喜欢它在讲解某些概念时，会引用一些经典的文献和研究成果，这让我感觉阅读的不仅仅是一本书，更像是在跟进整个领域的发展脉络。 最让我印象深刻的是，书中对噪声的分析和抑制部分。在高频模拟电路设计中，噪声始终是一个棘手的问题，稍有不慎就会毁掉整个电路的性能。这本书的讲解非常透彻，不仅列出了各种噪声的来源，还提供了具体的分析模型和设计技巧来最小化其影响。我尝试着将书中的某些思路应用到我自己的项目设计中，发现效果非常明显，产品的信噪比得到了显著提升。这本书确实不是那种“看一遍就懂”的书，它需要反复阅读和思考，但每一次的深入都会有新的收获。 当然，这本书也并非完美无缺。对于一些非常前沿或者非常小众的CMOS工艺节点下的特殊设计，可能涉及的篇幅会少一些。毕竟，作为一本“基础”读物，它需要覆盖的范围很广，不可能面面俱到。但我认为，它所奠定的坚实基础，足以让读者在掌握了其中的原理之后，能够更快速地理解和学习那些更进阶的内容。而且，书中的许多概念和分析方法，是具有普适性的，即使工艺在不断发展，这些基本原理依然至关重要。 总的来说，如果你是一名正在学习或从事高频CMOS模拟集成电路设计的研究生、工程师，或者对这个领域充满兴趣的电子爱好者，强烈推荐你入手这本《高频CMOS模拟集成电路基础》。它提供的不仅仅是知识，更是一种解决问题的思路和方法。我个人觉得，这本书的价值远超其价格，是值得在书架上珍藏的良作。每次翻开它，都能从中学到一些新的东西，它就像一位经验丰富的导师，一直在引导我前进。

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