氮化物宽禁带半导体材料与电子器件 pdf epub mobi txt 电子书下载 2025

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郝跃，张金风，张进成著

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出版社：科学出版社

ISBN：9787030367174

版次：1

商品编码：11197571

包装：精装

丛书名：半导体科学与技术丛书

开本：16开

出版时间：2013-01-01

用纸：胶版纸

页数：303

字数：390000

正文语种：中文

具体描述

内容简介

　　《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，Al CaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析，GaN增强型 HEMT器件和集成电路，GaN MOS-HEMT器件，最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。
　　《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》可供微电子、半导体器件和材料领域的研究生与科研人员阅读参考。

《半导体科学与技术丛书》出版说明
序言
第1章绪论
第2章 Ⅲ族氮化物半导体材料的性质
第3章氮化物材料的异质外延生长和缺陷性质
第4章 GaNHEMT材料的电学性质与机理
第5章 AIGaN/GaN异质结材料的生长与优化方法
第6章 AIGaN/GaN多异质结材料与电子器件
第7章脉冲MOCVD方法生长InAIN/GaN异质结材料
第8章 Ⅲ族氮化物电子材料的缺陷和物性分析
第9章 GaNHEMT器件的原理和优化
第10章 GaNHEMT器件的制备工艺和性能
第11章 GaNHEMT器件的电热退化与可靠性
第12章 GaN增强型HEMT器件和集成电路
第13章 GaNMOS—HEMT器件
第14章氮化物半导体材料和电子器件的发展
附录缩略语表
《半导体科学与技术丛书》已出版书目