《模擬集成電路設計——以LDO設計為例》(原書第2版)進行瞭全麵修訂並擴充瞭大量內容,旨在滿足新興的混閤信號係統需求。本書講述瞭模擬集成電路設計的概念,並詳細闡述瞭如何用這些概念來指導低壓差綫性穩壓器(LDO)集成電路的設計、分析以及如何基於雙極、CMOS和BiCMOS半導體工藝技術來構建LDO電路係統。本書十分重視對電路洞察力的培養,對提齣的課題進行直觀分析並得齣結論。本書還展示瞭如何開發和評估針對當今日益增長的無綫和移動市場應用的模擬集成電路芯片。另外,書中大量的實例和章末復習思考題幫助讀者加深對這一前沿指導中所發展齣的重要概念和技術的理解。
通過本書的學習,讀者將學會如何:
1)評估供電電源係統;
2)預測並製定綫性穩壓器的性能指標以及其對電源、負載和工作條件變化的響應特性;
3)更好地利用半導體器件——電阻、電容、二極管和晶體管;
4)通過組閤微電子元件設計電流鏡、差動對、差動放大器、綫性穩壓器以及這些電路的變體;
5)閉閤和穩定調整電壓和電流的反饋控製環路;
6)設計可靠的偏置電流和電壓基準電路;
7)確定模擬集成電路和模擬係統的小信號動態響應;
8)建立獨立、穩定、無噪聲和可預測的供電電壓;
9)實現過電流保護、熱關斷、反嚮電池保護和ESD保護電路;
10)測試、測量和評估綫性穩壓器芯片。
模擬集成電路設計——以LDO設計為例(原書第2版)藉由集成綫性穩壓器的設計,全麵介紹瞭模擬集成電路的設計方法,包括固態半導體理論、電路設計理論、模擬電路基本單元分析、反饋和偏置電路、頻率響應、綫性穩壓器集成電路設計以及電路保護和特性等。模擬集成電路設計——以LDO設計為例(原書第2版)從麵嚮設計的角度來闡述模擬集成電路的設計,強調直覺和直觀、係統目標、可靠性和設計流程,藉助大量的實例,嚮初學者介紹整個模擬集成電路的設計流程,並引導其熟悉應用,同時本書也適用於有經驗的電源集成電路設計工程師,不僅能幫助他們對模擬電路和綫性穩壓器的理論有更深刻的理解,而且書中所呈現的綫性穩壓器的技術發展也可以給予他們很多啓發,是一本兼具實用性和學術價值的模擬集成電路和集成綫性穩壓器設計的優秀教科書和參考書。
GabrielAlfonsoRincón-Mora博士,1994~2003年供職於德州儀器公司,擔任一個高級集成電路設計團隊的領導。1999年Rincón-Mora博士受聘為佐治亞理工學院的兼職教授,並在2001年受聘為全職教授,自2011年起,受聘為颱灣成功大學的客座教授。他是IEEE和IET的院士,同時也是38項專利的發明人/共同發明人和超過160篇論文的作者/共同作者。Rincón-Mora博士已經寫過8本著作,成功設計26餘款商用電源芯片,並且獲得瞭多項奬勵,包括西班牙裔專業工程師協會(SHPE)頒發的全國西班牙裔技術奬,佛羅裏達國際大學頒發的CharlesE�盤erry遠見奬,加利福尼亞州副州長頒發的錶彰證書,IEEECASS頒發的IEEE服務奬,空軍基地頒發的西班牙裔驕傲和遺産奬。2000年,佐治亞理工學院邀請Rincón-Mora博士加入傑齣青年工程師校友理事會,同年西班牙商業雜誌將其列為“一百個具影響力的西班牙裔”之一。目前他主要緻力於利用微型電池和環境能量為無綫和移動設備供電的集成電路係統的研究。
譯者序
原書前言
作者簡介
第1章電源係統1
1.1電源管理中的穩壓器1
1.2綫性穩壓器和開關穩壓器的對比2
1.2.1響應時間的摺中3
1.2.2噪聲4
1.2.3功率轉換效率4
1.3市場需求5
1.3.1係統5
1.3.2集成6
1.3.3工作壽命6
1.3.4電源淨空7
1.4電源8
1.4.1早期電池8
1.4.2鋰離子電池9
1.4.3燃料電池9
1.4.4核能電池10
1.4.5能量收集器10
1.5計算機仿真11
1.6總結12
1.7復習題13
第2章綫性穩壓器14
2.1工作區域14
2.2性能指標15
2.2.1精度15
2.2.2功率轉換效率25
2.2.3工作要求27
2.2.4品質因子29
2.3工作環境30
2.3.1負載31
2.3.2穩壓點32
2.3.3寄生效應33
2.4分類34
2.4.1輸齣電流34
2.4.2壓差34
2.4.3補償34
2.4.4類彆35
2.5模塊級構成36
2.6總結37
2.7復習題38
第3章微電子器件39
3.1電阻39
3.1.1工作原理39
3.1.2寄生元件40
3.1.3版圖40
3.1.4絕對精度和相對精度42
3.2電容43
3.2.1工作原理43
3.2.2寄生元件44
3.2.3版圖45
3.2.4絕對精度和相對精度45
3.3PN結二極管46
3.3.1工作原理46
3.3.2寄生元件49
3.3.3版圖和匹配50
3.3.4小信號模型52
3.4雙極型晶體管(BJT)53
3.4.1工作原理53
3.4.2縱嚮BJT56
3.4.3橫嚮BJT57
3.4.4襯底BJT58
3.4.5小信號模型59
3.5金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)61
3.5.1工作原理61
3.5.2寄生電容66
3.5.3P溝道MOSFET67
3.5.4晶體管變化67
3.5.5版圖和匹配69
3.5.6小信號模型71
3.5.7MOS電容73
3.5.8溝道電阻73
3.6結型場效應晶體管(JFET)73
3.6.1工作原理73
3.6.2P溝道JFET75
3.6.3大信號模型75
3.6.4版圖和匹配76
3.6.5小信號模型76
3.6.6相對性能78
3.7絕對精度和相對精度78
3.8總結79
3.9復習題80
第4章單晶體管基本單元82
4.1二端口模型82
4.2頻率響應83
4.2.1極點84
4.2.2零點85
4.2.3米勒分裂87
4.2.4電容-分流-電阻法88
4.3信號流89
4.3.1輸入和輸齣89
4.3.2極性89
4.3.3單晶體管基本單元90
4.4共發射極/共源極跨導器90
4.4.1大信號工作90
4.4.2小信號模型91
4.4.3頻率響應93
4.4.4發射極/源極負反饋95
4.5共基極/共柵極電流緩衝器99
4.5.1大信號工作99
4.5.2小信號模型100
4.5.3頻率響應103
4.5.4基極負反饋104
4.6共集電極/共漏極電壓跟隨器104
4.6.1大信號工作104
4.6.2小信號模型105
4.6.3頻率響應108
4.7小信號概括和近似109
4.7.1功能109
4.7.2電阻110
4.7.3頻率響應112
4.8總結113
4.9復習題114
第5章模擬電路基本單元115
5.1電流鏡115
5.1.1工作原理115
5.1.2小信號模型118
5.1.3帶基極電流校正的電流鏡119
5.1.4電壓校正共源共柵/共射共基(Cascode)電流鏡120
5.1.5低電壓Cascode電流鏡121
5.2差動對123
5.2.1大信號工作124
5.2.2差分信號125
5.2.3共模信號127
5.2.4發射極/源極負反饋128
5.2.5CMOS差動對129
5.3基極/柵極耦閤對130
5.3.1大信號工作130
5.3.2小信號響應132
5.3.3輸入參考失調和噪聲134
5.4差動級136
5.4.1大信號工作137
5.4.2差分信號138
5.4.3共模信號140
5.4.4輸入參考失調和噪聲143
5.4.5電源抑製145
5.4.6摺疊式Cascode147
5.5總結151
5.6復習題152
第6章負反饋154
6.1反饋環路154
6.1.1環路構成154
6.1.2調整155
6.1.3輸齣轉化156
6.2反饋效應156
6.2.1靈敏度156
6.2.2阻抗157
6.2.3頻率響應160
6.2.4噪聲162
6.2.5綫性度163
6.3負反饋結構166
6.3.1跨導放大器166
6.3.2電壓放大器167
6.3.3電流放大器168
6.3.4跨阻放大器169
6.4分析170
6.4.1分析過程170
6.4.2疊加器173
6.4.3采樣器174
6.4.4跨導放大器175
6.4.5電壓放大器179
6.4.6電流放大器183
6.4.7跨阻放大器188
6.5穩定性193
6.5.1頻率響應193
6.5.2補償195
6.5.3反相零點200
6.5.4嵌入式環路202
6.6設計202
6.6.1設計概念202
6.6.2係統結構設計203
6.6.3頻率補償204
6.7總結204
6.8復習題205
第7章偏置電流和基準電路207
7.1電壓基元207
7.2PTAT電流208
7.2.1交叉耦閤四管單元209
7.2.2鎖存單元210
7.3CTAT電流213
7.3.1電流采樣BJT214
7.3.2電壓采樣二極管214
7.4溫度補償215
7.4.1帶誤差補償的BJT電流基準源216
7.4.2基於二極管的電流基準源217
7.4.3帶誤差補償的基於二極管的電流基準源218
7.5啓動電路218
7.5.1連續導通啓動電路219
7.5.2按需導通啓動電路220
7.6頻率補償222
7.7電源噪聲抑製223
7.8帶隙電流基準源224
7.8.1基於BJT的帶隙電流基準源224
7.8.2基於二極管的帶隙電流基準源225
7.9帶隙電壓基準源226
7.9.1電流-電壓轉換226
7.9.2輸齣電壓調整227
7.10精度230
7.11總結231
7.12復習題232
第8章小信號響應234
8.1小信號等效電路234
8.2無補償時的響應236
8.2.1相關電容和電阻236
8.2.2環路增益236
8.3頻率補償239
8.3.1輸齣端補償240
8.3.2內部補償242
8.4電源抑製245
8.4.1分壓器模型246
8.4.2饋通噪聲247
8.4.3米勒電容253
8.4.4分析255
8.4.5結論261
8.5補償策略對比261
8.6總結262
8.7復習題264
第9章集成電路設計265
9.1設計流程265
9.2功率晶體管266
9.2.1備選方案266
9.2.2版圖269
9.3緩衝器276
9.3.1驅動N型功率晶體管276
9.3.2驅動P型功率晶體管278
9.3.3版圖290
9.4誤差放大器290
9.4.1淨空291
9.4.2電源抑製294
9.4.3輸入參考失調296
9.4.4版圖299
9.5總結307
9.6復習題309
第10章綫性穩壓器310
10.1低壓差穩壓器310
10.1.1輸齣端補償的PMOS穩壓器310
10.1.2米勒補償的PMOS穩壓器314
10.2寬帶穩壓器318
10.2.1內部補償的NMOS穩壓器319
10.3自參考穩壓器322
10.3.1零階溫度無關性322
10.3.2溫度補償323
10.4性能增強330
10.4.1功率晶體管330
10.4.2緩衝器333
10.4.3環路增益335
10.4.4負載調整率336
10.4.5負載突變響應339
10.4.6電源抑製340
10.5電流調整343
10.5.1電流源343
10.5.2電流鏡344
10.6總結347
10.7復習題347
第11章保護與特性349
11.1保護349
11.1.1過電流保護349
11.1.2熱關斷353
11.1.3反嚮電池保護355
11.1.4靜電放電保護356
11.2特性358
11.2.1模擬負載359
11.2.2調整性能360
11.2.3功率性能366
11.2.4工作要求368
11.2.5啓動370
11.3總結371
11.4復習題
這本書的語言風格我非常喜歡,它既有學術的嚴謹性,又不失清晰易懂的錶達。作者在講解復雜的概念時,會盡量避免使用過於晦澀的術語,或者會在首次齣現時給予詳細的解釋。而且,書中大量的圖示和錶格,極大地增強瞭內容的直觀性。我尤其喜歡書中對各種波形圖和特性麯綫的解讀,它們能夠幫助我們直觀地理解電路的工作原理以及各種參數變化對性能的影響。此外,作者在引用參考資料時,也顯得非常嚴謹,這增加瞭書籍的可信度,也為讀者提供瞭進一步深入研究的途徑。這本書的邏輯結構也非常清晰,每個章節之間都有緊密的聯係,形成瞭一個完整的知識體係。整體而言,這本書不僅在技術內容上達到瞭高水準,在知識傳達和學習體驗上也做得非常齣色。它讓我對模擬集成電路設計,尤其是LDO設計,有瞭更深刻的理解和更濃厚的興趣。我相信,這本書將成為我未來職業生涯中,一本長期受益的參考資料。
評分這本書的封麵設計雖然樸實,但當我翻開第一頁,一股嚴謹而深入的學術氣息便撲麵而來。作為一名在模擬集成電路設計領域摸爬滾打多年的工程師,我一直在尋找一本能夠係統性梳理LDO設計脈絡,並提供紮實理論基礎和實踐指導的著作。這本書恰好滿足瞭我的需求。它不僅僅是停留在公式的堆砌,而是從最基本的器件模型齣發,層層遞進,將LDO的各種拓撲結構、穩定性分析、噪聲抑製、瞬態響應優化等關鍵技術講解得淋灕盡緻。尤其讓我印象深刻的是,作者在講解過程中,充分考慮到瞭實際設計中可能遇到的各種挑戰,例如寄生參數的影響、不同工藝下的設計權衡等等,這些細節的處理,無疑展現瞭作者深厚的理論功底和豐富的實踐經驗。我尤其喜歡其中關於穩定性分析的部分,作者引入瞭伯德圖、根軌跡等多種分析工具,並結閤實例進行講解,使得原本枯燥的理論變得生動易懂。對於那些希望深入理解LDO設計原理,而非僅僅停留在EDA工具操作層麵的工程師來說,這本書絕對是一本不可多得的寶藏。它能夠幫助你建立起紮實的理論框架,讓你在麵對復雜的設計問題時,能夠遊刃有餘,找到最根本的解決方案。
評分從工程實踐的角度來看,這本書最大的價值在於其“接地氣”。作者在理論推導的過程中,始終沒有脫離實際電路的限製。他會詳細分析各種非理想因素對電路性能的影響,例如管子的短溝道效應、襯底噪聲、工藝偏差等等,並給齣相應的處理方法。書中提供的設計流程和優化建議,非常具有指導意義,可以直接應用於實際的項目開發中。我特彆欣賞書中關於PCB布局和電源去耦的章節,這些看似“小”的問題,往往是影響LDO性能的關鍵。作者通過分析典型的PCB布局錯誤,並給齣正確的布局建議,幫助我們避免許多不必要的麻煩。而且,書中對不同LDO拓撲結構的權衡和選擇,給齣瞭非常清晰的指導原則,讓我們可以根據具體的應用場景,選擇最閤適的方案。這本書就像一位經驗豐富的老工程師,在旁邊手把手地教你如何進行實際的LDO設計,讓你少走彎路,快速上手。對於任何一名立誌成為優秀的模擬IC設計工程師的人來說,這本書都是一本必備的“工具書”。
評分我是一名剛入模擬IC設計行業不久的在校研究生,對於LDO的設計一直感到有些迷茫。市麵上相關的書籍和資料很多,但往往要麼過於理論化,讓人難以消化;要麼過於偏重實踐,缺乏深入的原理分析。這本書的齣現,就像是為我指明瞭方嚮。它以LDO設計為切入點,係統地介紹瞭模擬集成電路設計的核心概念和方法。從 MOS 管的各種模型,到運放的參數分析,再到反饋迴路的設計,作者都做瞭細緻入微的闡述。最讓我驚喜的是,書中的許多概念都用非常形象的比喻來解釋,例如將穩定性類比為“走路不摔跤”,將噪聲類比為“乾擾信號”,這些生動的比喻極大地降低瞭理解門檻,讓我在學習過程中少走瞭不少彎路。而且,書中還提供瞭大量的仿真實例,這對於我這種缺乏實際項目經驗的學生來說,簡直是福音。我可以在仿真軟件中一步步復現書中的設計,對照結果,加深理解。這本書不僅教授瞭我LDO的設計技巧,更重要的是,它培養瞭我解決問題的思路和方法,讓我對整個模擬IC設計流程有瞭更宏觀的認識。我深信,這本書將成為我未來學術研究和職業發展道路上的一塊重要基石。
評分讀完這本書,我最大的感受是其內容的深度和廣度都達到瞭一個令人驚嘆的水平。作者並沒有局限於LDO這一種電路,而是將LDO的設計置於更宏觀的模擬集成電路設計體係中進行闡述。書中對電流鏡、電壓基準源、誤差放大器等LDO設計中必不可少的關鍵模塊都進行瞭深入的剖析,並且這些剖析又是相互關聯,融會貫通的。例如,在講解電流鏡的設計時,作者不僅介紹瞭各種電流鏡的結構,還詳細討論瞭它們在匹配性、輸齣阻抗、共模抑製比等方麵的優劣,並進一步分析瞭這些參數如何影響LDO的整體性能。這種“由點及麵,以小見大”的講解方式,讓讀者能夠清晰地看到各個模塊之間的相互影響,從而構建起對整個係統更全麵的認識。此外,書中還涵蓋瞭許多高級主題,例如低功耗LDO的設計技巧、不同電源管理架構的比較,甚至對一些前沿的LDO技術也有所提及,這使得這本書不僅適閤初學者,對於有一定經驗的設計師也極具參考價值。它能夠幫助我們突破思維定勢,探索更高效、更創新的設計方案。
評分質量好,正版
評分很好,留著慢慢看
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評分挺專業的
評分希望有用吧,書還挺貴的!!!
評分東西不錯,送貨也快
評分還不錯,對最近對設計有實際的幫助~
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