几类半导体模型的理论分析 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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董建伟 著

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• 高等教育
• 学术研究

出版社： 西南交大出版社

ISBN：9787564352974

版次：1

商品编码：12082263

包装：平装

开本：16开

出版时间：2017-03-01

用纸：胶版纸

字数：164000

正文语种：中文

内容简介

本书为专著共分五章，前四章研究四类常见的半导体宏观量子模型：量子漂移-扩散模型、量子能量输运模型、量子Navier-Stokes方程组和双极量子流体动力学模型。我们在一维有界区间上证明了量子漂移-扩散稳态模型、量子能量输运稳态模型、量子Navier-Stokes稳态方程组古典解的存在性以及双极等温量子流体动力学稳态模型弱解的存在性，另外我们在一维有界区间上研究了量子Navier-Stokes方程组瞬态解的指数衰减性和爆破。第五章研究经典的能量输运模型，介绍其稳态方程组解的存在性和独有性。

作者简介

董建伟，汉族，山东菏泽人，硕士，副教授，主要从事偏微分方程方向的研究工作。自2005年4月东南大学数学系硕士研究生毕业以来，一直在郑州航空工业管理学院理学院从事教学工作。自参加工作以来，在国内外核心期刊上共发表学术论文20余篇，其中被SCI检索5篇，主持过2项省级科研项目，3项厅级科研项目，获得河南省自然科学优秀论文一等奖1篇，二等奖3篇。

前言/序言

《几类半导体模型的理论分析》图书简介 本书深入探究了半导体物理领域中几个关键模型的理论框架与数学分析。聚焦于那些能够精准描述半导体材料独特电学和光学性质的理论模型，旨在为读者提供一个全面而严谨的学术视角。我们不触及任何具体器件的设计、制造工艺、实验测量方法，亦不包含材料的制备过程、性能测试的细节。本书的内容完全集中于模型的推导、证明、内在逻辑以及它们所揭示的物理原理。 第一章：晶体结构与能带理论基础 本章是理解后续半导体模型的基础。我们将从晶体结构的描述出发，介绍布拉维晶格、晶胞、倒格子等概念。随后，重点阐述周期性势场中电子的运动，这是量子力学在固体物理中的核心应用。我们将详细推导薛定谔方程在周期性势场下的解，即布洛赫定理。基于布洛赫定理，我们深入分析能带的形成机制，区分绝缘体、半导体和导体的能带结构特征。我们将详述布里渊区的概念及其在描述电子动量空间中的重要性。费米-狄拉克统计在描述半导体中载流子的分布方面扮演着关键角色，本章也将对其进行详尽的推导和阐述，包括费米能级、导带、价带、以及禁带宽度等基本概念的定义和理论渊源。对于本征半导体，我们将通过理论模型分析载流子浓度与温度的关系，深入理解其内在物理机制。 第二章：经典近似模型与基本载流子动力学 在建立完坚实的能带理论基础后，本章将引入一些重要的近似模型，以简化半导体材料中载流子的行为描述。首先，我们将详细阐述德鲁德模型（Drude Model），尽管它是一个经典模型，但在理解电导率、弛豫时间等基本概念方面仍具有重要的启示作用。我们将推导其在均匀电场和磁场作用下的载流子漂移方程，并讨论欧姆定律的理论基础。 随后，我们将深入探讨霍尔效应的理论解释。基于德鲁德模型和电磁感应原理，我们将推导出霍尔系数的表达式，并分析其与载流子浓度、载流子类型之间的理论联系。我们将讨论如何在理论层面区分N型和P型半导体，仅仅通过载流子统计的差异，而无需任何实验手段。 本章还将引入了自由电子模型（Free Electron Model）的某些方面，尽管它在描述实际半导体时存在局限性，但其关于能量均分和态密度的一些初步思想，为后续更复杂的模型奠定了基础。我们将从数学上推导态密度函数的概念，以及它在不同能量范围内的分布情况。 第三章：基于有效质量近似的载流子行为分析 本章的核心在于引入“有效质量”这一至关重要的概念。我们将从晶格振动和电子-声子相互作用的理论角度出发，推导有效质量的定义，并解释为何电子在晶格中的运动表现出不同于自由电子的惯性。我们将详述有效质量张量的概念，以及在各向异性晶体中如何处理。 基于有效质量近似，我们将重新审视载流子在电场和磁场中的运动。我们将推导运动方程，并分析载流子在不同能带形状下（例如抛物线能带）的漂移和扩散行为。本章将严格推导费米-狄拉克分布函数在温度非零时的具体形式，并应用于计算不同温度下导带和价带的载流子浓度。我们将讨论简并半导体和非简并半导体的理论区分，以及其在费米能级位置上的差异。 我们还将深入探讨载流子的输运现象。在本章的理论框架下，我们将严格推导出电导率和扩散系数的表达式，并分析它们与材料参数（如有效质量、弛豫时间、温度）之间的理论关系。通过数学推导，我们将展示这些参数如何影响半导体的宏观电学特性。 第四章：空穴理论的数学构建 空穴理论是理解P型半导体以及许多半导体器件工作原理的关键。本章将专注于空穴概念的理论构建。我们将从价带的电子填充状态出发，通过数学推导，引入“空穴”作为一种准粒子。我们将证明，一个缺失电子的价带态，其行为与一个带正电荷、具有特定有效质量的粒子相似。 本章将严格推导空穴的有效质量，并解释其与电子有效质量的关系。我们将阐述空穴的统计分布，并将其纳入费米-狄拉克统计框架中。通过理论分析，我们将证明在P型半导体中，空穴是主要的载流子，并推导出其浓度与受主杂质浓度的理论联系。 我们还将分析空穴在电场和磁场中的运动，并证明其遵循与电子相似的运动方程，只是电荷和有效质量符号有所不同。本章将通过数学建模，解释空穴在电导中的贡献，以及如何通过空穴浓度来理论地表征P型半导体的导电性能。 第五章：杂质半导体的理论模型 本章将聚焦于杂质对半导体能带结构和载流子性质的影响。我们将详细分析施主（donor）和受主（acceptor）杂质在半导体晶格中的作用。通过量子力学理论，我们将推导出施主能级和受主能级在禁带中的位置，并解释它们如何“贡献”自由电子（施主）或空穴（受主）。 我们将深入分析杂质的电离过程。在本章的理论框架下，我们将推导出杂质电离能的理论计算方法，以及温度如何影响杂质的电离程度。我们将基于杂质的电离状态，构建杂质半导体的载流子浓度理论模型。对于N型半导体，我们将严格推导在不同温度下导带电子浓度和施主离化率的表达式。对于P型半导体，我们将推导出价带空穴浓度和受主电离率的表达式。 本章还将讨论杂质对半导体导电性的影响。通过理论计算，我们将展示杂质浓度、温度等因素如何影响材料的电导率。我们将分析杂质能级对载流子浓度的理论贡献，以及杂质在不同浓度下的行为差异，例如简并等现象的理论描述。 第六章：载流子复合与产生理论 本章将深入探讨半导体中载流子的产生和湮灭过程，这是理解非平衡载流子行为和光电器件理论基础的关键。我们将详细介绍辐射复合（radiative recombination）和非辐射复合（non-radiative recombination）的理论机制。 对于辐射复合，我们将从量子力学出发，推导其发生概率和速率。我们将分析直接带隙半导体和间接带隙半导体在辐射复合上的理论差异。我们将证明，辐射复合是光生载流子转化为光子的理论基础。 对于非辐射复合，我们将重点阐述俄歇复合（Auger recombination）和陷阱辅助复合（trap-assisted recombination，或称Shockley-Read-Hall (SRH) recombination）的理论模型。我们将从能量守恒和动量守恒的角度，推导不同非辐射复合机制的速率方程。我们将详细分析陷阱能级在非辐射复合中的作用，以及其对载流子寿命的理论影响。 本章还将讨论载流子的产生过程，例如热激产生（thermal generation）和光生载流子产生（photogeneration）。我们将从能量角度，推导出载流子在特定能量激发下被产生成为自由载流子的理论概率。通过这些理论模型，我们将阐释在非平衡条件下，载流子浓度如何随时间和空间发生变化。 第七章：动量空间中的载流子输运理论（更高级模型） 本章将进一步深化对载流子输运现象的理论理解，引入更高级的数学模型。我们将不再局限于简化的有效质量近似，而是从玻尔兹曼输运方程（Boltzmann Transport Equation, BTE）出发，进行更严谨的理论推导。我们将详细阐述BTE的数学形式，以及其在描述半导体中载流子统计分布演化中的作用。 本章将重点分析不同散射机制对载流子输运的影响，包括晶格散射（声学声子散射、光学声子散射）、杂质散射（电离杂质散射、中性杂质散射）以及缺陷散射。我们将从统计力学的角度，推导各种散射过程的散射率（scattering rate），并分析它们如何影响载流子弛豫时间。 我们将展示如何从BTE出发，通过特定的近似（例如松弛时间近似）推导出宏观输运系数，如电导率、扩散系数、以及霍尔系数。我们将分析在不同散射机制占主导地位的情况下，这些输运系数与温度、杂质浓度等参数的理论依赖关系。 本章还将引入蒙特卡洛模拟（Monte Carlo simulation）的理论基础，虽然不涉及具体的模拟实现，但我们将阐述其核心思想，即通过随机抽样来模拟载流子的运动轨迹和散射过程，从而获得宏观输运性质的统计结果。 结论 本书旨在提供一个纯粹的理论分析视角，深入剖析几类重要的半导体模型。通过严谨的数学推导和逻辑论证，我们期望读者能够深刻理解这些模型背后的物理原理，以及它们如何精妙地解释半导体材料的内在性质。本书不涉及任何实验数据、工程应用或器件设计，其价值在于为深入研究半导体物理理论奠定坚实的数学和概念基础。

评分☆☆☆☆☆

刚拿到《几类半导体模型的理论分析》这本书，我脑海中立刻浮现出那些关于半导体器件物理机制的图像：从原子层面的电子跃迁，到宏观层面的电流电压特性，我期待着能够在这个领域找到更深层次的理论支撑。然而，这本书的内容却让我大失所望，它与我所理解的半导体模型有着天壤之别。书中并没有详细探讨硅、锗等典型半导体材料的能带结构、载流子产生与复合机制，也没有对pn结、MOSFET等基本器件的电荷分布、电场分布以及电流输运过程进行细致的数学建模和推导。我期望看到的，是那些能够解释器件工作原理、指导器件设计的经典理论，但这些在书中几乎付之阙如。 取而代之的是，书中引入了大量与半导体领域看似关联不大的抽象数学概念。我看到的是关于非线性动力学系统、混沌理论、分岔分析的复杂论述，以及对一些统计物理学模型的探讨。书中反复出现的“吸引子”、“相空间”、“分岔图”等名词，虽然在数学领域可能具有重要的意义，但在我试图将其应用于理解半导体器件的实际工作时，却感到无从下手。我无法理解这些抽象的数学工具是如何被用来描述半导体材料中载流子的运动，或是如何解释器件的电学特性的。书中的数学公式密密麻麻，但其物理意义却模糊不清，让我难以建立起理论与实际之间的桥梁。 这本书的写作风格也非常学术化，语言晦涩难懂，而且大量地使用了非半导体领域的专业术语。我尝试着去理解那些复杂的数学符号和方程组，但它们似乎更多地是在描述一个通用的数学模型，而不是聚焦于半导体这一特定领域。书中似乎将“半导体模型”的概念进行了极度的泛化，将其看作是任何能够被数学化描述的复杂系统的一种表现形式。这使得我很难找到与我熟悉的半导体器件物理和工程相关的具体内容，也无法从中获得关于半导体器件设计和优化的实际指导。 更令我感到不解的是，书名中的“几类半导体模型”在正文中并没有得到明确的定义和分类。我没有看到作者对不同种类的半导体材料（如III-V族半导体、II-VI族半导体、宽禁带半导体等）的特性差异及其建模方法进行系统性的阐述，也没有对不同类型的半导体器件（如二极管、晶体管、光电器件等）的建模策略进行详细的比较和分析。书中更多的是在构建一个高度抽象的理论框架，然后笼统地提及这个框架可以应用于“几类”系统，但具体的“几类半导体模型”到底是什么，以及它们是如何与半导体器件的物理特性相关联的，书中并没有给出令人满意的解答。 总而言之，这本书给我留下的印象是一本内容与书名严重不符的著作。它更像是一本关于“复杂系统数学建模”的理论性探讨，而对半导体领域具体的模型分析和理论推导却极其有限。对于一个希望深入学习半导体器件理论的读者来说，这本书提供的理论内容过于抽象，与实际应用联系薄弱，无法满足对半导体物理和工程的求知欲。我在这本书中看到的，更多的是数学的精巧，而非半导体的奥秘。

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面上印着《几类半导体模型的理论分析》，我好奇地翻开它，却发现里面几乎没有我期望看到的关于半导体器件物理机制的深入探讨。我原以为会看到诸如MOSFET、BJT等经典模型的详细推导，理解其工作原理背后的数学模型，以及这些模型如何随着工艺进步而演变。然而，书中更多的是对一些抽象的数学框架的介绍，比如非线性动力学系统、混沌理论在分析复杂系统中的应用，以及一些统计物理学的概念。虽然这些理论本身可能具有一定的深度和广度，但它们与我理解的半导体模型之间的联系却显得十分牵强。 我尝试着去寻找书中与半导体相关的例子，希望能将这些抽象理论与实际应用联系起来，但收效甚微。书中似乎将“半导体模型”的定义泛化到了任何可以被建模的复杂系统，而不仅仅局限于我们传统意义上理解的电子器件的物理模型。它更多地是在探讨如何用数学工具去描述和预测系统的行为，而不是深入研究半导体材料的能带结构、载流子输运机制、pn结的形成与特性等核心问题。对于一个期待学习半导体器件工作原理的读者来说，这本书的内容与我的学习目标似乎南辕北辙，让我感到有些失望。 书中的语言风格也相当晦涩，充斥着大量的数学公式和专业术语，这些术语并非我所熟悉的半导体领域，而是来自数学、物理学等其他学科。例如，书中反复出现的“吸引子”、“分岔”、“相空间”等概念，虽然我能从字面上理解它们是数学名词，但它们在书中是如何与半导体模型建立联系的，我却百思不得其解。如果这本书的读者群是数学或理论物理背景的研究者，或许能从中找到一些共鸣。但对于我这样一个主要关注半导体工程和器件设计的读者而言，这本书更像是一本“天书”，让我难以窥其全貌。 令我感到困惑的是，书名中所提及的“几类半导体模型”，在正文中并没有得到清晰的界定和具体阐述。我没有看到对不同类型半导体材料（如硅、砷化镓、宽禁带半导体等）的特性差异及其对应模型的分析，也没有看到不同器件结构（如二极管、晶体管、集成电路等）的建模方法。书中更像是提供了一个通用的分析框架，可以应用于“任何”可以被模型化的“几类”系统，而“半导体”似乎只是其中一个可能的应用场景，而且这个应用场景的论述极其有限。 总而言之，这本书给我带来的体验是，它更像是一本关于“复杂系统建模理论”的教材，而非一本关于“半导体模型理论分析”的专著。它所提供的理论工具固然有其价值，但它未能满足我对于深入理解半导体器件物理模型和实际应用的期望。我希望未来能找到一本更能直接解答我疑问的书籍，它能够提供清晰的半导体模型构建思路、详细的数学推导过程，以及与实际器件性能相关的深入分析。这本书的泛泛而谈，让我对“几类半导体模型的理论分析”这个主题的理解，并未得到实质性的提升。

评分☆☆☆☆☆

当我决定购买《几类半导体模型的理论分析》这本书时，我怀揣着对半导体物理世界的好奇与求知欲，期待着能够在这本书中找到对半导体模型进行深入剖析的理论基石。然而，当我真正翻阅这本书的内容时，却发现它与我最初的设想相去甚远，其核心内容几乎完全偏离了半导体物理和器件工程领域。书中并没有详细阐述半导体材料的基本性质，例如其能带结构、载流子迁移率、载流子浓度等关键参数，也没有深入探讨p-n结、MOS电容、MESFET等基本半导体器件的工作原理及其数学模型。我原以为会看到关于这些器件的伏安特性曲线的推导，以及各种简化的模型（如肖克利模型、Ebers-Moll模型等）的详细讲解，但这些基础性的内容在书中却显得微乎其微。 取而代之的是，本书大量地引入了来自数学、物理学等其他学科的高深理论。书中充斥着关于非线性系统、混沌动力学、分岔理论、随机过程等抽象的概念和数学工具。我看到了大量复杂的数学公式和符号，例如关于吸引子、李雅普诺夫指数、马尔可夫链的论述，这些理论本身可能具有一定的深度，但它们与半导体器件的实际物理过程之间却缺乏清晰的、易于理解的联系。我试图将这些抽象的数学语言与半导体器件的电荷输运、能带隙变化等物理现象关联起来，但始终觉得难以捕捉到两者之间的内在逻辑，感觉书中更多的是在探讨如何建立和分析“模型”本身，而不是聚焦于“半导体”这一特定对象。 该书的写作风格极其学术化，语言晦涩难懂，而且使用了大量非半导体领域的专业术语，这让我在阅读过程中感到非常吃力。书中似乎预设了读者已经拥有相当扎实的数学和物理学背景，能够轻松理解那些高度抽象的数学推导。这种密集的、高度理论化的表达方式，使得我很难从书中获得对半导体模型构建思路的启发，也无法从中找到对实际半导体器件性能进行分析和优化的实用方法。我感觉自己像是在一个理论的迷宫中徘徊，而没有找到通往半导体世界核心的钥匙。 尤为令人费解的是，书名中明确提到了“几类半导体模型”，但在正文中，我并没有看到作者对这些“几类”模型进行清晰的界定和详细的分类。我没有看到对不同种类的半导体材料（例如，硅、锗、砷化镓、氮化镓等）在模型构建上的差异性进行深入的分析，也没有对不同类型的半导体器件（如二极管、晶体管、集成电路等）的建模方法进行系统的介绍。书中更多的是提供了一个通用的、抽象的分析框架，然后笼统地提及这个框架可以应用于“几类”系统，但具体的“几类半导体模型”到底是指什么，以及它们与半导体器件的物理特性是如何相关联的，书中并没有给出令人满意的、具体的阐述。 总之，《几类半导体模型的理论分析》这本书，未能满足我对半导体模型理论分析的期望。它更像是一本关于“复杂系统建模理论”的抽象探讨，而非一本关于半导体领域具体模型构建和分析的书籍。它所提供的理论工具固然有其价值，但与我所关心的半导体器件物理和工程的实际应用之间，存在着巨大的鸿沟。我在这本书中找不到对半导体世界奥秘的解答，只看到了一套高深的数学理论，这让我感到有些失望和迷茫。

评分☆☆☆☆☆

在我眼中，《几类半导体模型的理论分析》这本书，更像是一本理论物理领域的“思想实验集”，而非我期待的半导体器件的“操作手册”。当我满怀期待地翻开它，期望看到关于MOSFET、BJT等经典器件的详细物理模型推导，理解其工作原理背后的数学公式是如何从第一性原理出发构建的，却发现内容几乎完全偏离了我的预设。书中没有对半导体材料的能带理论进行深入的剖析，没有详细阐述载流子在电场和磁场中的输运行为，也没有对p-n结的载流子扩散和漂移过程进行精细的数学建模。取而代之的是，书中充斥着大量与半导体物理看似毫不相干的数学概念，诸如非线性动力学、混沌理论、分岔现象、吸引子等，这些名词的出现频率之高，让我不禁怀疑作者是否真的将目光聚焦在半导体领域。 阅读这本书的过程，与其说是学习半导体模型，不如说是在进行一场高难度的数学解谜。书中充满了复杂的微分方程、积分方程以及各种抽象的数学符号，这些公式的推导过程艰涩难懂，其背后的物理意义也显得模糊不清。我尝试着去理解这些数学工具是如何被应用于描述“几类半导体模型”的，但始终难以找到一个清晰的脉络。书中对于“半导体模型”的定义似乎非常宽泛，将其视为一个可以被泛化的数学框架，而忽略了半导体器件本身所特有的物理特性。这种“泛化”的处理方式，使得这本书的内容与我对半导体工程和器件物理学的认知产生了巨大的断层。 这本书的语言风格也相当“硬核”，它似乎是为那些已经拥有深厚数学功底的研究者量身定做的。书中充斥着大量非半导体领域的专业术语，这些术语的引入，并未伴随清晰的解释，使得我在阅读过程中常常感到吃力，需要花费大量精力去查阅相关的背景知识。这种过于抽象和专业的表达方式，无疑增加了普通读者理解的门槛，也使得这本书更像是一篇高深的学术论文，而非一本能够普及半导体理论知识的书籍。我无法从中获得对半导体模型构建思路的启发，也难以找到对实际器件性能进行分析的有效工具。 让我感到特别困惑的是，书名中赫然写着“几类半导体模型”，但在书中，我对“几类”究竟是指哪几类，以及“半导体模型”到底涉及哪些具体模型，并没有得到明确的答案。我没有看到对不同半导体材料（如硅、砷化镓、氮化镓等）的特性差异及其建模方法的对比，也没有对不同器件结构（如MOSFET、IGBT、二极管等）的建模策略进行深入的阐述。书中更像是在构建一个通用性的建模理论，然后随意地将“半导体”作为一个应用场景提及，但对其具体模型的论述却非常有限，这让我感觉这本书更像是“半导体”这个词被用来包装一个数学理论。 总而言之，《几类半导体模型的理论分析》这本书，在内容上与我的预期存在巨大的落差。它并没有提供我对半导体模型深入的理论分析，而是侧重于抽象的数学建模理论。虽然这些理论可能在某些领域有其价值，但对于希望了解半导体器件工作原理的我而言，它提供的内容显得过于晦涩和脱离实际。我在这本书中找不到对半导体领域核心问题的解答，只看到了一套复杂而抽象的数学分析工具，这让我感到有些不知所措，也无法从中获得对半导体知识的实质性提升。

评分☆☆☆☆☆

当我拿到《几类半导体模型的理论分析》这本书时，我满怀期待地认为它会为我打开一扇深入理解半导体世界的窗户。然而，翻阅之后，我却发现书中对半导体物理基础的阐述非常有限，甚至可以说几乎没有涉及。它并没有详细解释不同半导体材料的能带理论，没有深入分析载流子在材料中的输运机制，也没有对pn结、MOS结构等核心器件的形成原理和电学特性进行细致的建模推导。我原以为会看到关于霍尔效应、二极管方程、三极管特性曲线等经典内容的详尽讲解，但这些在书中几乎找不到踪影，取而代之的是一系列抽象的数学方程和理论框架。 这本书的重点似乎放在了如何运用一种“普适性”的数学方法来分析“模型”本身，而“半导体”这个词，更像是一个附加的标签，而非核心的研究对象。我读到的内容更多是关于如何构建和分析数学模型，如何理解模型的行为，例如它如何表现出混沌、分岔等复杂特性。书中引用了大量来自非线性动力学、统计物理学等领域的概念和工具，如相空间、吸引子、李雅普诺夫指数等等。尽管这些理论本身可能具有重要的科学价值，但它们与半导体器件的实际物理过程之间缺乏明确的、易于理解的联系。我试图将这些抽象的数学概念与半导体器件的实际性能关联起来，但始终感觉隔靴搔痒，不得要领。 该书的叙事方式也让我感到有些吃力。它似乎假设读者已经具备了相当深厚的数学和物理学背景，能够轻松理解那些高度抽象的数学推导和符号表示。书中充斥着复杂的积分、微分方程，以及一些我从未见过的符号和术语。这种密集而抽象的表达方式，使得我在阅读过程中常常感到迷失，难以抓住作者想要传达的核心思想。我期望的是一种能够循序渐进、深入浅出的讲解，能够帮助我逐步建立对半导体模型各个层面的理解，而不是直接将我置于一个高深的理论迷宫之中。 此外，书名中提到的“几类半导体模型”，在书中并没有得到清晰的界定和详细的分类。我没有看到作者对不同类型的半导体材料（例如，硅、锗、砷化镓、碳化硅等）在建模上的差异性进行深入分析，也没有对不同种类的半导体器件（如MOSFET、BJT、IGBT、二极管等）的模型构建方法进行系统的介绍。它更多地是提供了一个通用的分析框架，然后泛泛地提及这些框架可以应用于“几类”系统，但具体的“几类半导体模型”到底是指什么，书中并没有给出明确的答案，这让我感到非常困惑。 总的来说，这本书的内容与我最初的预期存在较大的偏差。它更像是一本关于“复杂系统建模理论”的学术论文集，而非一本面向半导体从业者或学生的“半导体模型理论分析”的科普或教材。对于我这个希望深入了解半导体器件工作原理及其理论模型的人来说，这本书提供的理论深度远超我的需求，而与我所关心的具体半导体模型和物理机制的联系则显得非常薄弱。我在这本书中找不到对半导体领域具体问题的解答，只看到了一系列高屋建瓴的数学理论。