半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

简体网页||繁体网页

☆☆☆☆☆

全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料 著

图书标签:

• 半导体材料
• 标准
• 汇编
• 2014
• 方法标准
• 国标
• 分册
• 工业标准
• 技术标准
• 材料科学

店铺： 夜语笙箫图书专营店

出版社： 中国标准出版社

ISBN：9787506677523

商品编码：29621216034

包装：平装

出版时间：2014-11-01

基本信息

书名：半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册

定价：230.00元

作者：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料

出版社：中国标准出版社

出版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677523

字数：

页码：

版次：1

装帧：平装

开本：大16开

商品重量：0.4kg

编辑推荐

---

内容提要

---

半导体材料是指介于金属和绝缘体之间的电导率为10-3Ω·cm～108Ω·cm的一种具有极大影响力的功能材料，广泛应用于制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件等领域，支撑着通信、计算机、信息家电、网络技术、国防军工以及近年来兴起的光伏、LED等行业的发展。半导体材料及其应用已成为现代社会各个领域的核心和基础。

目录

---

GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 4058-2009 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T 4059-2007 硅多晶气氛区熔基磷检验方法
GB/T 4060-2007 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T 4298-1984 半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 5252-2006 锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法-
GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法-
GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 8757-2006 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
GB/T 8758-2006 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法
GB/T 8760-2006 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 11068-2006 砷化镓外延层载流子浓度 电容-电压测量方法
GB/T 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 13387-2009 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13388-2009 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
GB/T 14142-1993 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T 14146-2009 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法
GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法-
GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定——间隙氧含量减少法
GB/T 19921-2005 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
GB/T 23513.1-2009 锗精矿化学分析方法 部分：锗量的测定 碘酸钾滴定法
GB/T 23513.2-2009 锗精矿化学分析方法 第2部分：砷量的测定 亚铁铵滴定法
GB/T 23513.3-2009 锗精矿化学分析方法 第3部分：硫量的测定 钡重量法
GB/T 23513.4-2009 锗精矿化学分析方法 第4部分：氟量的测定 离子选择电极法
GB/T 23513.5-2009 锗精矿化学分析方法 第5部分：二氧化硅量的测定 重量法
GB/T 24574-2009 硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24575-2009 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AIGaAs中Al成分的试验方法
GB/T 24577-2009 热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
GB/T 24578-2009 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光谱法测定多晶硅表面金属污染物
GB/T 24580-2009 重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
GB/T 24581-2009 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质
GB/T 26066-2010 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
GB/T 26067-2010 硅片切口尺寸测试方法
GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
GB/T 26074-2010 锗单晶电阻率直流四探针测量方法
GB/T 26289-2010 高纯硒化学分析方法 硼、铝、铁、锌、砷、银、锡、锑、碲、汞、镁、钛、镍、铜、镓、镉、铟、铅、铋量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29056-2012 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法
GB/T 29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程
GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
GB/T 29849-2013 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法
GB/T 29850-2013 光伏电池用硅材料补偿度测量方法
GB/T 29851-2013 光伏电池用硅材料中B、A1受主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 29852-2013 光伏电池用硅材料中P、As、Sb施主杂质含量的二次离子质谱测量方法
GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法
GB/T 30859-2014 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法
GB/T 30860-2014 太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法
GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法
GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
GB/T 30869-2014 太阳能电池用硅片厚度及总厚度变化测试方法

作者介绍

---

文摘

---

序言

---

《半导体材料标准汇编（2014版）方法标准 国标分册》内容概述 本分册精选了2014年中国国家标准中与半导体材料检测与分析方法相关的核心内容，旨在为半导体行业的研究、生产、质量控制及学术交流提供全面、权威的参考依据。收录的标准涵盖了半导体材料的物理、化学、电学性能等多个关键维度，是理解和掌握半导体材料质量评价体系不可或缺的工具书。 核心内容概览 本分册的编制遵循了国家标准化工作的严谨性和系统性原则，所收录的标准均经过严格的立项、起草、审查、批准和发布流程。其内容设计兼顾了基础性与应用性，力求反映当时半导体材料检测技术的前沿水平和产业发展需求。 一、 材料纯度与杂质分析 半导体材料的纯度直接关系到其器件性能，痕量杂质的存在可能导致严重的性能衰减甚至失效。本分册重点收录了针对硅、锗、砷化镓等主流半导体材料的纯度测定方法，以及对各种金属、非金属杂质的检测标准。 痕量金属杂质分析： 包含了利用电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-AES）、电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）、原子吸收光谱法（AAS）等先进的痕量金属分析技术标准。这些标准详细规定了样品前处理、仪器参数设置、标准曲线建立、检出限和定量限要求，能够有效地检测出ppb甚至ppt级别的金属杂质。例如，针对硅晶圆中常见的铜、铁、镍、铬等金属杂质，提供了具体的检测流程和判定依据。 非金属杂质分析： 关注碳、氧、氮等非金属元素在半导体材料中的含量测定。标准中可能涉及红外光谱法（IR）、拉曼光谱法等，用于分析晶格中的氧和碳含量，以及它们的分布状态。这些非金属元素的存在，尤其是在硅晶体中，会显著影响材料的电学性能，例如引入深能级缺陷，降低载流子寿命。 气体杂质分析： 对于某些半导体材料（如III-V族化合物半导体），气体杂质的存在也至关重要。本分册可能包含用于检测材料中氢、氧、氮等气体的标准，例如采用气相色谱-质谱联用技术（GC-MS）等。 二、 晶体结构与缺陷表征 晶体的完整性、晶格缺陷类型和密度是衡量半导体材料质量的重要指标。本分册汇集了多种表征材料晶体结构的标准方法。 X射线衍射（XRD）法： 包含了利用XRD技术测定材料晶格常数、晶面取向、结晶度以及衍射峰宽度的标准。通过分析衍射峰的强度、位置和形状，可以评估材料的结晶质量，识别多晶、单晶以及孪晶等结构特征。 电子显微学（SEM/TEM）法： 提供了利用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）进行材料微观形貌观察、晶粒尺寸测量、表面形貌分析的标准。SEM可用于观察材料的表面形貌、颗粒大小和分布；TEM则能深入到原子尺度，揭示材料的晶格结构、位错、晶界、析出物等微观缺陷。 金属夹杂物和颗粒检测： 针对某些工艺环节可能引入的金属夹杂物或颗粒，标准中可能涵盖显微镜法、颗粒计数法等，用于识别和定量这些影响器件可靠性的缺陷。 晶向标定： 对于单晶材料，精确标定晶向是后续加工的关键。本分册可能收录了如劳埃图法、X射线衍射法等用于晶向标定的标准。 三、 电学性能测试 电学性能是半导体材料的根本属性，直接决定了其在电子器件中的应用潜力。本分册详细规定了各种电学参数的测试方法。 电阻率及载流子浓度测试： 包含了四探针法、范德堡法等用于测量材料电阻率和载流子浓度的标准。这些方法能够精确地确定材料的导电类型（N型或P型）以及载流子浓度，这是计算迁移率、掺杂均匀性等其他重要参数的基础。 载流子迁移率测试： 提供了霍尔效应测试标准，用于测量材料的载流子迁移率。迁移率是衡量载流子在电场作用下移动快慢的物理量，对半导体器件的速度和性能至关重要。 掺杂均匀性评估： 针对不同尺寸的半导体材料，收录了用于评估掺杂均匀性的方法，例如扫描电阻率测量、深层电阻率测量等。 表面电学特性测试： 对于晶圆等表面材料，本分册可能包含对表面电阻、表面电势等进行测试的标准，这些参数对于后续的器件制作工艺至关重要。 击穿电压和漏电流测试： 针对绝缘材料或特定区域的电学性能，标准中可能涵盖击穿电压和漏电流的测试方法，用于评估材料的绝缘性能和器件的可靠性。 四、 尺寸与形貌测量 半导体材料的尺寸精度和表面形貌直接影响到器件的制造精度和性能。本分册提供了相关的尺寸和形貌测量标准。 厚度测量： 针对薄膜、晶片等，收录了如台阶仪法、光学干涉仪法、扫描电子显微镜法等多种厚度测量标准，以满足不同精度和应用需求。 表面粗糙度测量： 提供了利用原子力显微镜（AFM）、白光干涉仪等精密测量仪器来表征材料表面粗糙度的标准。表面粗糙度对光刻、刻蚀等工艺过程以及器件的电学性能有显著影响。 平面度与翘曲度测量： 对于晶圆等大尺寸材料，平面度和翘曲度是关键参数。本分册可能收录了光学测量法、接触式测量法等用于评价晶圆平面度和翘曲度的标准。 颗粒计数与尺寸测量： 针对生产过程中产生的微小颗粒，标准中包含了用于计数和测量颗粒尺寸的方法，以控制产品质量。 五、 其他关键性能测试 除了上述核心内容，本分册还可能涵盖了其他与半导体材料性能息息相关的测试方法。 光学性能测试： 例如，针对光电器件材料，可能包含光谱透射率、反射率、吸收率的测量标准。 热学性能测试： 如热导率、热膨胀系数等，这些参数对于器件的散热和稳定性至关重要。 可靠性测试： 针对特定应用场景，可能收录一些基础的可靠性测试方法，例如对材料在特定环境下的稳定性进行初步评估。 总结 《半导体材料标准汇编（2014版）方法标准 国标分册》集成了当时中国国家在半导体材料检测与分析领域的重要标准。其内容条理清晰，方法严谨，数据可靠，为半导体材料的研发、生产、质量控制以及相关技术的进步提供了坚实的基础和重要的指导。本分册是半导体领域从业人员、科研人员、工程师以及相关管理部门必备的参考资料。通过深入理解和应用这些标准，可以有效提升半导体材料的质量水平，推动中国半导体产业的持续发展。

评分☆☆☆☆☆

评价五： 坦白说，在购买这本《半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册》之前，我对它能带来多大的实际价值是有些疑虑的。毕竟，标准化有时显得滞后于技术发展的步伐。然而，深入阅读后，我发现我的担忧是多余的。这本书中的“方法标准”部分，对于一些关键的检测和分析技术，提供了非常详细的操作规程和质量控制要求。我特意查阅了关于表面形貌分析的部分，书中不仅列举了原子力显微镜（AFM）和扫描电子显微镜（SEM）等常用技术的检测标准，还对样品制备、图像采集以及数据分析的细节做了明确的规定。这对于保证我们在进行表面形貌研究时，能够获得可重复、可比对的结果至关重要。此外，书中还涉及了一些关于材料可靠性测试的标准，例如加速老化测试、应力测试等，这些对于评估材料在实际应用中的长期稳定性非常有价值。总而言之，这本书的价值在于它能够为半导体材料的研发、生产和质量控制提供一套统一、科学的评价体系，帮助我们建立起可靠的质量管理流程，确保产品的性能和可靠性达到行业最高标准。

评分☆☆☆☆☆

评价三： 这本《半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册》给我的感觉是，它非常“接地气”。书中涵盖的许多方法标准，都是我们日常工作中经常会用到的。比如，对于材料的纯度检测，书中详细列举了多种元素分析的方法，并给出了相应的仪器型号和检测限要求。这对于我们选择合适的分析设备、优化检测流程非常有参考价值。另外，关于材料的机械性能测试，例如弯曲强度、杨氏模量等，书中也给出了非常详尽的测试步骤和数据处理公式，这对于确保产品的稳定性和可靠性，避免潜在的失效风险至关重要。我还注意到，书中在一些标准中，特别强调了环境因素对测试结果的影响，比如温度、湿度等，并给出了相应的控制建议，这一点做得非常到位。对于我们这些需要在严格控制的实验室环境中工作的技术人员来说，这些细节的提示能够极大地减少实验误差，提高数据的准确性。整体而言，这本书的实用性非常强，能够直接指导我们的日常生产和研发工作，帮助我们提高效率，规避风险，是一本值得反复研读的工具书。

评分☆☆☆☆☆

评价四： 我曾一度觉得，半导体材料的标准化是一个枯燥乏味的领域，充斥着各种复杂的公式和冗长的文字。然而，当我拿到这本《半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册》时，我的看法彻底改变了。这本书的语言风格虽然严谨，但却不失清晰和条理。它将各种测试和分析方法分解成一步步的操作指示，并配以大量的图示和表格，使得即使是复杂的技术也能被理解。我特别欣赏的是，书中对一些关键参数的选取和优化给出了详细的解释，这不仅仅是告诉我们“怎么做”，更是让我们理解“为什么这么做”。比如，在电学性能测试部分，关于接触电阻的测量方法，书中不仅提供了几种不同的测试方案，还分析了它们的优缺点以及适用的场景。这种深入的讲解，对于我们理解不同测试方法的局限性，选择最适合的测试手段，从而更准确地评估材料的性能，非常有帮助。这本书不仅仅是一本标准汇编，更像是一本兼具理论深度和实践指导的教科书，能够帮助我们建立起对半导体材料的系统性认知。

评分☆☆☆☆☆

评价二： 作为一名长期在半导体材料行业摸爬滚打的老兵，我可以说，标准的重要性不言而喻。而这本《半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册》，绝对是市场上少有的良心之作。它的分册结构清晰，按照“方法标准”这个大类，将各种实操性强的检测和表征方法进行了归类整理，极大地提高了查找效率。我翻阅了几篇关于光学性能测试的部分，里面的标准不仅详细规定了测试波长、入射角度等关键参数，还对数据解读提出了明确的要求，这对于保证不同实验室、不同批次产品之间的数据一致性有着至关重要的作用。书中还涉及到了一些比较冷门但却非常关键的分析技术，比如X射线衍射（XRD）在晶格常数和取向测定方面的应用，以及拉曼光谱在成分和应力分析上的原理和标准。这些内容对于深入理解材料内部结构和物理性质非常有帮助。我个人认为，这本书最大的价值在于它将前沿的学术研究成果和工业界的实际需求巧妙地结合起来，提供的不仅仅是理论上的指导，更是实践中可量化的操作流程。对于那些希望提升产品质量、确保产品可靠性的企业而言，这本书绝对是明智的投资。

评分☆☆☆☆☆

评价一： 拿到这本《半导体材料标准汇编(2014版) 方法标准 国标分册》，我首先被它厚重的质感和严谨的排版所吸引。翻开目录，里面的条目细致入微，涵盖了从晶体生长、晶圆加工到器件测试等半导体材料制备和性能表征的方方面面。特别是那些关于特定杂质含量的检测方法，例如痕量金属的ppb级别分析，还有关于晶体缺陷的分类和量化标准，都写得十分具体，充满了可操作性。对于我这种身处研发一线、需要严格遵循行业规范的工程师来说，这简直就是一本案头必备的宝典。书中对不同测量仪器和实验条件的详细描述，以及相关的误差分析和数据处理方法，都为我们提供了坚实的理论基础和实践指导。我尤其关注了几种关键半导体材料（如硅、砷化镓）的最新标准，发现里面不仅更新了测试精度，还考虑了新兴的制备工艺对材料性能的影响，这对于我们紧跟技术前沿至关重要。虽然部分内容涉及复杂的化学和物理原理，但书中提供的公式推导和图表说明都相当清晰，即使是初次接触相关标准的同行，也能较快理解和掌握。总的来说，这本书的实用性和权威性都毋庸置疑，是半导体材料领域研究人员和技术人员不可或缺的参考工具。