透明氧化物半導體 9787030416643 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

簡體網頁||繁體網頁

☆☆☆☆☆

馬洪磊，馬瑾 著

圖書標籤:

• 透明氧化物半導體
• 氧化物半導體
• 薄膜晶體管
• 新型半導體
• 材料科學
• 電子材料
• 器件物理
• 半導體物理
• 科學研究
• 學術著作

店鋪： 博學精華圖書專營店

齣版社： 科學齣版社

ISBN：9787030416643

商品編碼：29624793756

包裝：圓脊精裝

齣版時間：2017-02-01

基本信息

書名:透明氧化物半導體

定價：148.00元

售價：111.0元,便宜37.0元,摺扣75

作者:馬洪磊,馬瑾

齣版社：科學齣版社

齣版日期：2017-02-01

ISBN：9787030416643

字數：

頁碼：

版次：31

裝幀：圓脊精裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

---

《透明氧化物半導體》可作為大專院校凝聚態物理、微電子學與固體電子學、光電子學、電子材料與元器件、材料物理與化學等相關專業研究生的教材或參考書，也可供從事透明氧化物半導體教學、科研的教師、科學研究人員和工程技術人員參考。

內容提要

---

《透明氧化物半導體》重點闡述瞭已經得到廣泛應用或具有重要應用前景的8種氧化物半導體的製備技術、晶體結構、形貌、缺陷、電子結構、電學性質、磁學性質、壓電性質、光學性質和氣敏性質，既包含瞭作者近30年的研究成果，又反映瞭國內外透明氧化物半導體重要研究成果，既包含瞭早期透明氧化物半導體成熟理論，又反映瞭當前國際上透明氧化物半導體的*成果，重點突齣，內容係統、全麵、新穎，具有重要的科學意義和應用價值。

目錄

---

目錄 v
vi 透明氧化物半導體

目錄

前言

緒論1

章氧化物薄膜的製備技術5

1 1真空蒸發技術6

1 1 1金屬和化閤物蒸發6

1 1 2蒸發源的加熱裝置9

1 2MBE技術12

1 3濺射技術14

1 3 1雙極直流反應濺射15

1 3 2偏壓濺射16

1 3 3射頻濺射18

1 3 4磁控濺射19

1 3 5離子束濺射22

1 4離子鍍技術23

1 5CVD技術24

1 5 1APCVD和LPCVD技術25

1 5 2PECVD技術26

1 5 3MOCVD技術27

1 6溶液鍍膜技術30

1 6 1噴塗高溫分解30

1 6 2浸塗技術31

1 6 3化學溶解生長31

1 6 4sol gel技術32

1 7陽極氧化技術33

1 7 1陽極氧化技術33

1 7 2等離子體陽極氧化技術34

參考文獻36

第2章氧化物半導體基礎41

2 1金屬氧化物晶體結構41

2 1 1MO 型金屬氧化物的典型晶體結構41

2 1 2MO2型金屬氧化物晶體的典型晶體結構42

2 1 3M2O3型金屬氧化物的典型晶體結構43

2 2金屬氧化物的缺陷44

2 2 1金屬氧化物晶體缺陷類型44

2 2 2金屬氧化物晶體點缺陷理論基礎45

2 3金屬氧化物半導體的電學性質50

2 3 1金屬氧化物半導體的電子結構51

2 3 2金屬氧化物半導體的載流子濃度52

2 3 3金屬氧化物半導體載流子輸運散射機製54

2 4氧化物半導體的磁學性質57

2 4 1稀磁氧化物半導體的摻雜元素58

2 4 2氧化物半導體的鐵磁性起源60

2 5透明氧化物半導體的光學性質62

2 5 1透明氧化物半導體的光學常數62

2 5 2Burstein Moss移動67

2 5 3透明氧化物半導體薄膜的PL特性70

2 6金屬氧化物半導體的氣敏特性74

參考文獻76


目錄 vii
vi 透明氧化物半導體
第3章ZnO薄膜81

3 1ZnO薄膜的晶體結構82

3 1 1ZnO的晶體結構82

3 1 2ZnO薄膜的XRD譜84

3 1 3ZnO薄膜的Raman譜86

3 1 4ZnO薄膜的RHEED圖案88

3 1 5ZnO薄膜的HRTEM圖像90

3 2ZnO的電子結構90

3 3ZnO的本徵點缺陷92

3 4ZnO薄膜的電學性質94

3 4 1本徵ZnO的弱n型導電94

3 4 2ZnO的摻雜96

3 4 3ZnO薄膜載流子散射機製99

3 5ZnO薄膜的磁學性質和壓電性質100

3 5 1ZnO基稀磁半導體100

3 5 2ZnO薄膜的壓電性質 102

3 6ZnO薄膜的光學性質103

3 6 1ZnO薄膜的光透射譜103

3 6 2ZnO薄膜的PL特性105

3 6 3ZnO薄膜的激子受激發射特性108

參考文獻109

第4章SnO2薄膜114

4 1SnO2薄膜的晶體結構115

4 1 1SnO2的晶體結構115

4 1 2SnO2薄膜的XRD譜116

4 1 3SnO2薄膜的Raman譜120

4 1 4SnO2薄膜的TEM和HRTEM圖像123

4 1 5SnO2薄膜的XPS譜125

4 1 6SnO2薄膜的RBS譜127

4 2金紅石SnO2的電子結構127

4 3SnO2薄膜的電學性質129

4 3 1金紅石SnO2的本徵缺陷129

4 3 2金紅石SnO2薄膜的摻雜131

4 3 3金紅石SnO2薄膜載流子散射機製133

4 3 4鈮鐵礦SnO2薄膜的電學性質135

4 4SnO2薄膜的磁學性質136

4 5SnO2薄膜的光學特性137

4 5 1SnO2薄膜的光透射譜138

4 5 2SnO2薄膜的PL特性141

4 6金紅石SnO2薄膜的氣敏特性144

參考文獻145

第5章TiO2薄膜151

5 1TiO2薄膜的晶體結構152

5 1 1TiO2的晶體結構152

5.1.2TiO2薄膜的XRD譜153

5 1 3TiO2薄膜的Raman譜157

5 1 4TiO2薄膜的XPS譜159

5 1 5TiO2的RBS譜159

5 2TiO2的電子結構161

5 3TiO2的本徵點缺陷164

5 4TiO2薄膜的電學性質168

5 5TiO2薄膜的磁學性質173

5 6TiO2薄膜的光學性質175

5 6 1TiO2薄膜的光透射譜175

5 6 2TiO2薄膜的PL特性177

5 6 3TiO2薄膜的光學常數179

5 7TiO2薄膜的光催化特性181

參考文獻183

目錄 ix
viii 透明氧化物半導體
第6章In2O3薄膜190

6 1In2O3薄膜的晶體結構190

6 1 1In2O3薄膜的晶體結構190

6 1 2In2O3薄膜的XRD譜192

6 1 3In2O3薄膜的Raman譜195

6 1 4In2O3薄膜的HRTEM圖像197

6 1 5In2O3薄膜的XPS譜200

6 1 6In2O3薄膜的RBS譜201

6 2In2O3的電子結構203

6 3In2O3薄膜的電學性質205

6 3 1In2O3的本徵點缺陷205

6 3 2In2O3薄膜的電導特性207

6 3 3In2O3薄膜載流子散射機製211

6 4In2O3薄膜的磁學性質212

6 5In2O3薄膜的光學性質213

6 5 1In2O3薄膜的光透射譜214

6 5 2In2O3薄膜的PL特性216

6 5 3In2O3薄膜的光學常數217

6 6In2O3薄膜的氣敏特性220

參考文獻222

第7章Ga2O3薄膜227

7 1Ga2O3薄膜的晶體結構228

7 1 1Ga2O3的晶體結構228

7 1 2Ga2O3薄膜的XRD譜229

7 1 3β Ga2O3的薄膜HRTEM圖像232

7 1 4β Ga2O3薄膜的Raman譜235

7 1 5β Ga2O3的XPS譜237

7 1 6Ga2O3薄膜的RBS譜238

7 2Ga2O3的電子結構239

7 3Ga2O3薄膜的電學性質242

7 3 1Ga2O3的點缺陷242

7 3 2Ga2O3薄膜的電學性質244

7 4Ga2O3薄膜的光學性質246

7 4 1Ga2O3薄膜的光透射譜246

7 4 2Ga2O3薄膜的PL特性249

7 4 3Ga2O3的薄膜CL特性252

7 4 4Ga2O3薄膜的光學常數254

7 5β Ga2O3薄膜的氣敏特性256

參考文獻258


第8章MgZnO薄膜263

8 1MgZnO薄膜的晶體結構264

8 1 1MgZnO薄膜的晶體結構264

8 1 2MgZnO薄膜的XRD譜265

8 1 3MgZnO薄膜的Raman譜269

8 1 4MgZnO薄膜的AFM圖像270

8 1 5MgZnO薄膜的TEM和HRTEM圖像271

8 1 6MgZnO的XPS譜273

8 1 7MgZnO薄膜的RBS譜275

8 2MgZnO的電子結構276

8 3MgZnO薄膜的電學和磁學性質280

8 3 1MgZnO薄膜的電學性質280

8 3 2MgZnO薄膜的磁學性質282

8 4MgZnO的光學性質283

8 4 1MgZnO薄膜的光透射譜283

8 4 2MgZnO薄膜的PL特性286

8 4 3MgZnO薄膜的長波光學聲子性質290

8 4 4MgZnO薄膜的光學常數292

參考文獻296

第9章GaInO和InGaZnO薄膜299

9 1引言299

9 2GaInO薄膜299

9 2 1GaInO薄膜的晶體結構300

9 2 2GaInO薄膜的電學性質307

9 2 3GaInO薄膜的光學性質309

9 3InGaZnO薄膜311

9 3 1InGaZnO薄膜的晶體結構312

9 3 2InGaZnO薄膜的電學性質315

9 3 3InGaZnO薄膜的光學性質325

參考文獻326



目錄 ix
x 透明氧化物半導體

0章透明氧化物電子學330

10 1引言330

10 2透明氧化物薄場效應膜晶體管332

10 2 1c IGZO TFT333

10 2 2a IGZO TFT335

10 2 3ZnO TFT344

10 3紫外發光二極管和激光二極管349

10 3 1UV LED350

10 3 2UV LD356

10 4透明UV探測器359

參考文獻363

索引368

《半導體科學與技術叢書》已齣版書目376

彩圖377

作者介紹

---

文摘

---

序言

---

光與物質的對話：探索前沿功能材料的奧秘 在材料科學的廣袤領域中，有一類物質以其獨特的電子和光學特性，在現代科技發展中扮演著至關重要的角色。它們既能像金屬一樣導電，又能像絕緣體一樣透光，這種奇妙的“透明導電”特性，使得它們成為顯示技術、太陽能電池、觸摸屏、LED照明以及各種先進傳感器等領域不可或缺的核心材料。本書將帶領讀者深入探索這一引人入勝的領域，揭示這些材料的本質、製備方法、性能錶徵以及在未來科技中的無限潛力。 第一章：功能材料的基石——透明氧化物半導體概覽 本章我們將首先建立對透明氧化物半導體（Transparent Conducting Oxides, TCOs）的整體認識。我們將從基本概念入手，解釋為什麼某些氧化物能夠同時具備透明性（即可見光透過率高）和導電性（即載流子濃度足夠高且遷移率達到一定水平）。我們將深入剖析決定這些特性的關鍵物理原理，例如電子帶隙、載流子類型（電子型或空穴型）、以及影響導電和光學性質的微觀結構和缺陷。 我們將介紹TCOs傢族中的明星成員，如氧化銦锡（ITO）、氧化锡（SnO$_{2}$）、氧化鋅（ZnO）及其摻雜衍生物。對於每種材料，我們將簡要迴顧其發展曆史、主要的製備方法和最典型的應用領域，為後續章節的深入探討打下堅實的基礎。同時，我們將強調TCOs作為一種前沿功能材料，其研究的意義在於推動信息顯示、新能源、綠色照明等多個高科技産業的進步，並展望其在未來可能扮演的更重要角色。 第二章：材料的誕生——透明氧化物半導體的製備技術 任何材料的優異性能都離不開精湛的製備工藝。本章將聚焦於透明氧化物半導體的各種製備技術，從傳統的薄膜沉積方法到近年來興起的新型製備策略。 我們將詳細闡述物理氣相沉積（PVD）技術，包括濺射（Sputtering）和蒸發（Evaporation）。對於濺射，我們將討論射頻（RF）濺射、直流（DC）濺射、磁控濺射等不同方式的原理、優缺點，以及如何通過控製濺射參數（如功率、氣體壓力、基底溫度）來優化薄膜的緻密性、結晶度和導電性能。對於蒸發，我們將介紹電子束蒸發（E-beam Evaporation）等技術的應用。 化學氣相沉積（CVD）及其衍生的等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）也是重要的製備手段。我們將探討不同前驅體（Precursors）的選擇、反應機理以及工藝參數（如反應溫度、氣體流量、反應時間）對薄膜質量的影響。 除瞭成熟的薄膜製備技術，本章還將介紹溶膠-凝膠法（Sol-gel）、水熱/溶劑熱法（Hydrothermal/Solvothermal Methods）、噴霧熱解法（Spray Pyrolysis）等溶液法製備技術。這些方法通常成本較低，易於實現大麵積製備，尤其適用於製備納米結構和粉體材料。我們將分析這些方法的優勢，例如能夠實現復雜的形貌控製，以及在製備氧化鋅納米綫、納米棒等應用中的潛力。 最後，我們還將討論退火（Annealing）工藝在TCOs製備中的重要作用。退火處理可以有效提高薄膜的結晶度、降低缺陷密度、激活摻雜劑，從而顯著改善其導電和光學性能。我們將探討不同氣氛（如氧化性、還原性）、溫度和時間的退火條件對材料性能的影響。 第三章：性能的量化——透明氧化物半導體的錶徵方法 瞭解材料的性能至關重要，本章將係統介紹用於錶徵透明氧化物半導體的各種關鍵技術。 首先，我們將關注材料的結構和形貌錶徵。X射綫衍射（XRD）是確定材料晶體結構、晶粒尺寸和結晶度的最常用技術。掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）則能提供材料錶麵和內部形貌的直觀圖像，幫助我們理解材料的微觀結構特徵。原子力顯微鏡（AFM）可以提供更高分辨率的錶麵形貌信息，對於評估薄膜的錶麵粗糙度尤為重要。 其次，我們將深入探討導電性能的錶徵。四探針法（Four-point Probe Method）是測量薄膜電阻率和載流子濃度的標準技術。霍爾效應測量（Hall Effect Measurement）能夠精確確定載流子類型（電子或空穴）、載流子濃度和遷移率，這是理解材料導電機製的關鍵。 光學性能的錶徵同樣不可或缺。紫外-可見分光光度計（UV-Vis Spectrophotometer）用於測量材料的透射光譜和反射光譜，從而計算可見光透過率、吸收光譜以及估算材料的帶隙。電化學石英晶體微天平（EQCM）等技術也可用於研究材料的光電轉換過程。 此外，我們還將介紹X射綫光電子能譜（XPS）和俄歇電子能譜（AES）等錶麵分析技術，它們能夠提供材料錶麵元素組成、化學態和氧化態的信息，對於研究摻雜效果和錶麵缺陷至關重要。 第四章：性能的提升——摻雜與調控策略 透明氧化物半導體的許多優異性能都離不開巧妙的摻雜和精細的調控。本章將深入探討如何通過引入外來原子或優化材料內部結構來提升TCOs的性能。 我們將詳細分析不同元素的摻雜對主要TCOs材料（如ITO、ZnO）的影響。例如，在氧化銦（In$_{2}$O$_{3}$）中摻雜锡（Sn）如何增加自由電子濃度，從而提高導電性。我們將討論淺能級摻雜和深能級摻雜的區彆，以及摻雜劑的溶解度、有效摻雜濃度等關鍵因素。 除瞭單一元素的摻雜，本章還將介紹共摻雜（Co-doping）策略。通過引入兩種或兩種以上不同的摻雜劑，有時可以實現協同效應，進一步優化導電性和光學性能，甚至實現新型的功能。 材料的晶體結構、微觀缺陷以及晶界對載流子傳輸有著顯著影響。本章將探討如何通過控製生長條件、退火工藝等方式來優化晶界特性，減少載流子散射，提高載流子遷移率。我們將討論氧空位、金屬間隙原子等缺陷的形成機製及其對材料性能的影響，並介紹如何通過控製氧分壓等手段來調控這些缺陷。 對於ZnO基TCOs，我們還將討論Mg、Al、Ga等元素的摻雜方式，以及它們對ZnO薄膜的帶隙、透明性和導電性的影響。此外，我們還將涉及錶麵改性技術，例如等離子體處理或化學處理，以改善TCOs與其他功能層之間的界麵特性。 第五章：前沿應用——透明氧化物半導體驅動的科技變革 透明氧化物半導體並非實驗室中的“稀客”，它們早已深入到我們日常生活的方方麵麵，並不斷驅動著新技術的誕生和發展。本章將聚焦於TCOs在各個前沿領域的實際應用。 顯示技術： 作為平闆顯示器（LCD、OLED）的核心組件，TCOs薄膜在電極層中發揮著至關重要的作用，實現瞭像素的精準控製和圖像的清晰顯示。我們將探討TCOs在不同顯示技術中的具體角色，以及對顯示器亮度、對比度、響應速度等關鍵指標的影響。 太陽能電池： 在薄膜太陽能電池（如非晶矽、碲化鎘、CIGS、鈣鈦礦太陽能電池）中，TCOs不僅作為透明電極收集光生載流子，還常常充當窗口層，允許光綫穿透進入吸光層。我們將分析TCOs材料的透明度和導電性對太陽能電池能量轉換效率的關鍵影響，並介紹如何通過優化TCOs層來提高電池性能。 觸摸屏技術： 無論是智能手機、平闆電腦還是大型觸控顯示器，TCOs都是實現電容式觸摸傳感的核心材料。我們將解釋TCOs如何在觸摸屏中構建透明導電網絡，以及如何實現對用戶觸摸位置的精確感應。我們將討論對TCOs薄膜的柔韌性和耐用性要求，以適應日益增長的柔性顯示和可穿戴設備的應用。 LED照明與有機電子： 在發光二極管（LED）和有機發光二極管（OLED）中，TCOs作為空穴注入層或透明電極，為電荷注入和光綫齣射提供瞭高效的通道。我們將探討TCOs在提高LED的亮度和效率方麵的作用，以及在有機光電器件（如有機光伏電池、有機薄膜晶體管）中的應用潛力。 其他新興應用： 除瞭上述主流應用，本章還將介紹TCOs在電緻變色器件（可調節透光度的智能窗戶）、氣體傳感器、生物傳感器、以及作為催化劑或催化劑載體等新興領域的應用。我們將展望TCOs在未來科技發展中扮演的更多可能性。 結語 透明氧化物半導體憑藉其獨特的“光與電”雙重特性，已成為現代科技中不可或缺的材料。本書從基礎原理到前沿應用，係統地梳理瞭這一重要材料傢族的研究現狀和發展趨勢。希望本書能為廣大讀者，包括材料科學傢、工程師、研究生以及對功能材料感興趣的愛好者，提供一個深入瞭解透明氧化物半導體的寶貴視角，激發更多的創新和探索。隨著技術的不斷進步，我們有理由相信，透明氧化物半導體將在未來的科技革命中繼續發揮更加關鍵的作用，點亮我們的生活，驅動人類社會的持續進步。

評分☆☆☆☆☆

這本書給我最直觀的感受，就是它在學術嚴謹性和內容廣度上的平衡。我瞭解到，透明氧化物半導體是一個非常龐大且不斷發展的研究領域，涉及的材料種類繁多，應用場景也日益廣泛。我希望這本書能夠係統地梳理和介紹這些核心內容，為讀者構建一個清晰的知識框架。例如，對於不同類型的氧化物半導體，如AZO（氧化鋁摻雜氧化鋅）、ITO（氧化銦锡）、IGZO等，書中是否會詳細介紹它們的晶體結構、電子能帶結構、載流子類型與濃度、以及光學性能（透過率、吸收邊緣等）？對於製備方法，書中是否會涵蓋從實驗室研究到工業化生産的各種主流工藝，並分析它們的優缺點？在應用方麵，我特彆關注其在LED、OLED、LCD、光伏電池、傳感器以及透明導電薄膜等領域的最新進展和技術挑戰。這本書若能提供豐富的參考文獻和深入的理論分析，將極大地提升其學術價值，成為我進行相關領域學習和研究的寶貴參考資料。

評分☆☆☆☆☆

我對這本書的期待，更多地集中在它的理論深度和前沿性上。我是一名對材料科學有濃厚興趣的學生，平時也接觸一些相關的文獻，但往往發現很多細節難以完全掌握，尤其是關於不同製備工藝對材料性能的影響，以及各種缺陷如何調控其導電和光學特性的問題。這本書的書名“透明氧化物半導體”，本身就包含瞭“透明”和“導電”這兩個看似矛盾的特性，這本身就是一個非常引人入勝的研究方嚮。我希望書中能夠詳盡地闡述其物理基礎，比如能帶理論、載流子輸運機製、光學吸收與透射原理等。同時，我特彆關注書中是否會深入探討各種氧化物體係，例如IGZO（氧化銦鎵鋅）在TFT（薄膜晶體管）領域的技術突破，以及其在柔性電子中的應用前景。此外，對於新型透明氧化物半導體材料的開發和探索，以及相關的錶徵技術（如XPS、XRD、AFM等）的應用，我也充滿瞭期待。這本書若能提供一個全麵而深入的視角，將有助於我係統地理解這個領域的研究現狀和發展趨勢，為我未來的學術研究打下堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

作為一個電子工程師，我經常需要在實際工作中接觸到各種半導體材料。而透明氧化物半導體，尤其是在顯示技術和觸控屏領域，扮演著不可或缺的角色。我手中這本《透明氧化物半導體》，從書名上看，就充滿瞭實用性和前瞻性。我最希望瞭解的，是書中關於不同類型透明氧化物半導體材料的性能對比，比如在導電率、透過率、穩定性、成本以及可加工性等方麵的優劣勢分析。這對於我們進行器件設計和選材非常有指導意義。我還會關注書中關於薄膜製備技術，如濺射、化學氣相沉積（CVD）、原子層沉積（ALD）等，在實際應用中的具體參數設置和工藝優化。此外，我希望書中能提供一些關於器件失效分析的案例，以及如何通過材料優化來提高器件的可靠性和壽命。對於未來透明氧化物半導體在柔性顯示、低功耗電子設備、甚至生物傳感器等新興領域的應用，我也十分好奇，希望這本書能給我帶來一些啓發和新的思路。

評分☆☆☆☆☆

我購買這本《透明氧化物半導體》很大程度上是因為我對材料科學的個人興趣，而非齣於專業需求。我一直對能夠改變我們生活方式的“黑科技”著迷，而透明氧化物半導體無疑是其中之一。我常常會想，為什麼玻璃是透明的，而金屬通常是導電的，為什麼會有材料能夠同時具備這兩種看似難以調和的特性？這本書的齣現，給瞭我一個深入探究這個奧秘的機會。我希望書中能用通俗易懂的語言，解釋清楚透明氧化物半導體是如何實現“隱形”導電的，比如電子是如何在這些材料中自由移動，而光又是如何穿透它們的。我特彆期待書中能有一些生動的比喻或者形象的插圖，幫助我理解那些抽象的物理概念。此外，我很好奇這些材料的發現和發展曆程，以及那些為之做齣貢獻的科學傢們的故事。如果書中能穿插一些相關的曆史趣聞或者技術發展的小故事，那將大大提升閱讀的趣味性，讓我覺得這不僅僅是一本技術書籍，更是一部關於人類智慧和探索的精彩篇章。

評分☆☆☆☆☆

這本《透明氧化物半導體》的封麵設計就很有意思，一種純淨的淺藍色，點綴著一些抽象的幾何圖形，像是電子在晶格中穿梭的軌跡。我拿到這本書的時候，首先吸引我的就是它那種沉靜而充滿科技感的視覺語言。翻開目錄，看到“氧化鋅”、“氧化锡”、“氧化銦鎵鋅”這些熟悉又陌生的名詞，立刻勾起瞭我對這個領域的好奇心。我一直覺得半導體材料是現代科技的基石，而透明氧化物半導體更是賦予瞭它一種“隱形”的強大，能在我們日常接觸到的許多設備中發揮著至關重要的作用。例如，觸摸屏、OLED顯示器，甚至太陽能電池，這些令人驚嘆的技術背後，都有透明氧化物半導體的身影。我曾聽說過一些關於TCO（Transparent Conductive Oxide）的科普文章，但總是覺得淺嘗輒止，不夠深入。這本書的齣現，就像是為我打開瞭一扇通往更深層次理解的大門。我期待能在這本書中，不僅瞭解到這些材料的基本結構和性質，更能深入探究它們是如何被製備齣來，又如何在各種應用中展現齣卓越性能的。我希望作者能用清晰易懂的語言，結閤豐富的實例，為我們揭示這些“看不見的”半導體材料的神奇世界，讓普通讀者也能領略到其中的科學魅力。