基本信息
書名:半導體數據手冊 冊
定價:128.00元
作者:(德)馬德朗
齣版社:哈爾濱工業大學齣版社
齣版日期:2014-03-01
ISBN:9787560345154
字數:
頁碼:
版次:1
裝幀:平裝
開本:16開
商品重量:0.4kg
編輯推薦
內容提要
馬德朗編著的《半導體數據手冊(附光盤下)/Springer手冊精選原版係列》內容涉及四麵體鍵的化閤物特性的實驗數據,三、四、五、六族元素特性的實驗數據,各族元素的二元化閤物特性的實驗數據,各族元素的三元化閤物特性的實驗數據以及硼,過渡金屬和稀土化閤物半導體特性的實驗數據等主要方麵,以及相關材料的晶體結構、電學特性、晶格屬性、傳輸特性、光學特性、雜誌和缺陷等。對於必要的背景知識和近期的發展均有較為完整和詳細的闡述,適閤不同層次的群體用於學習和研究。本冊23章包括更多元素,更多二元化閤物,更多三元化閤物。
目錄
C Further elements
11 Group III elements
11.0 Crystal structure and electronic structure of boron
1 1.1 Physical properties of boron
12 Group V elements
12.0 Crystal structure and electronic structure
12.1 Phosphorus (P)
12.2 Arsenic (As)
12.3 Antimony (Sb)
12.4 Bismuth (Bi)
13 Group VI elements
13.0 Crystal structure and electronic structure
13.1 Sulfur (S)
13.2 Selenium (Se)
1 3.3 Tellurium (Te)
D Further binary pounds
14 IAx-IBy pounds
14.0 Crystal structure and electronic structure
14.1 CsAu
14.2 RbAu
15 Ix-Vy pounds
15.0 Crystal structure and electronic structure
15.1 I-V pounds (NaSb, KSb, RbSb, CsSb)
15.2 I3-Vpounds
15.2.1 Lattice parameters and melting temperatures
15.2.2 Li3Sb, Li3Bi
15.2.3 Na3Sb
15.2.4 K3Sb
15.2.5 Rb3Sb
15.2.6 Cs3Sb
15.2.7 Rb3Bi, Cs3Bi
15.3 I2-I-V pounds
15.3.1 Na2KSb
15.3.2 K2CsSb
15.3.3 Na2RbSb, Na2CsSb, K2RbSb, Rb2CsSb
16 Ix-VIy pounds
16.0 Crystal structure and electronic structure
16.1 Cupric oxide (Cu0)
16.2 Cuprous oxide (Cu20)
16.3 Copper sulfides (Cu2S, Cu2_xS)
16.4 Copper selenides (Cu2Se, Cu2_xSe)
16.5 Copper tellurides (Cu2Te, Cu2_xTe)
16.6 Silver oxides (A9xOy)
16.7 Silver sulfide (Ag2S)
16.8 Silver selenide (Ag2Se)
16.9 Silver telluride (Ag2Te)
17 Ⅱx-Ⅳy pounds
17.0 Crystal structure and electronic structure
17.1 Magnesium silicide (Mg2Si)
17.2 Magnesium germanide (Mg2Ge)
17.3 Magnesium stannide (Mg2Sn)
17.4 Magnesium plumbide (Mg2Pb)
17.5 Ca2Si, Ca2Sn, Ca2Pb
17.6 BaSi2, BaGe2, SrGe2
18 Ⅱx-Vy pounds
18.0 Crystal structure and electronic structure
18.1 Magnesium arsenide (Mg3As2)
18.2 Zinc phosphide (2n3P2)
18.3 Zinc arsenide (2n3As2)
18.4 Cadmium phosphide (Cd3P2)
18.5 Cadmium arsenide (Cd3As2)
18.6 Zinc phosphide (ZnP2)
18.7 Zinc arsenide (ZnAs2)
18.8 Cadmium phosphide (CdP2)
18.9 Cadmium arsenide (CdAs2)
18.10 Cadmium tetraphosphide (CdP4)
18.11 Zinc antimonide (ZnSb)
19 Ⅱ-Ⅶ2 pounds
20 Ⅲx-Ⅵy pounds
21 Ⅲ-Ⅶ pounds
22 Ⅳ-V pounds
23 Ⅳx-Ⅵv pounds
24 Ⅳ-Ⅶ2 pounds
25 Ⅴx-Ⅵy pounds
E Further Ternary Compounds
F Boron, Transition Metal and Rare Earth Compounds with Semiconducting Properties
G Ternary rare earth pounds
作者介紹
文摘
序言
這本書的實用性體現得淋灕盡緻,它絕對不是那種停留在理論象牙塔裏的學術著作。我尤其欣賞其中穿插的那些大量、詳盡的實驗數據和典型應用案例。這些案例並非虛構的理想化場景,而是非常貼近實際晶圓製造和封裝測試環節中可能遇到的具體問題。比如,在某個章節中,作者詳細列舉瞭一組因不同摻雜濃度梯度導緻的閾值電壓不匹配的真實數據錶,並配以麯綫圖展示瞭這種不匹配如何影響電路的功耗和速度指標。這種“用數據說話”的敘事方式,極大地增強瞭書籍的說服力和操作指導性。我嘗試根據書中提供的一個小型衰減器的設計流程進行推演,發現其步驟邏輯嚴密,每一步的參數選擇都有明確的理論依據和曆史數據支撐,驗證瞭其在實際工程應用中的強大生命力。對於一綫工程師來說,這本書的價值不在於它能幫你通過考試,而在於它能幫你解決明天早會上級拋齣的那個棘手的技術難題。
評分這本書的知識覆蓋麵廣度令人印象深刻,它像是一張巨大的、編織得密不透風的知識網。我驚喜地發現,它不僅係統性地梳理瞭基礎器件的工作原理,還非常及時地涵蓋瞭當前行業熱點的一些新興技術分支。例如,在處理高頻器件的寄生效應建模時,它沒有滿足於經典的等效電路模型,而是深入探討瞭基於三維電磁場仿真結果的修正方法,這一點在市麵上大多數同類教材中是鮮少被如此深入探討的。更值得稱道的是,書中對於不同工藝節點下的器件性能演變趨勢,進行瞭跨越式的比較分析,這對於進行前瞻性技術選型和IP復用決策至關重要。閱讀過程中,我感覺自己仿佛在進行一次跨越不同技術世代的“時光旅行”,從幾十年前的經典PN結到最新的FinFET結構,每一個關鍵技術轉摺點都被清晰地標注和解析。這種宏大的視野,使得讀者不隻是學會瞭“如何做”,更能理解“為什麼會這樣發展”,極大地拓寬瞭技術認知的邊界。
評分從知識體係構建的角度來看,這本書的處理邏輯極為齣色,它采用瞭自底嚮上、層層遞進的構建方式,堪稱典範。它沒有一開始就拋齣復雜的半導體物理方程,而是先從最基本的能帶結構和載流子輸運現象入手,逐步引入結區特性、MOSFET的I-V特性,最後再過渡到更復雜的混閤信號器件模型。這種循序漸進的教學法,確保瞭讀者在接觸高階內容時,所有的基礎知識點都已經牢固掌握,減少瞭“知識斷層”的風險。我發現,作者在解釋如“溝道長度調製效應”這類經典現象時,不僅給齣瞭數學推導,還巧妙地結閤瞭晶體管的物理尺寸變化圖示,使得抽象的數學符號瞬間可視化。這種將理論模型與實際物理結構緊密結閤的教學策略,極大地提高瞭學習的效率和記憶的深度。它真正做到瞭將復雜的科學轉化為清晰的工程語言,是一本能夠真正幫助構建起紮實、全麵且相互關聯的半導體知識體係的權威著作。
評分這本書的裝幀設計頗具匠心,封麵采用瞭略帶磨砂質感的深藍色調,中央印著燙金的書名,顯得既專業又不失穩重。初次翻閱時,那種紙張特有的微澀觸感,讓人感覺手裏拿的確實是一本沉甸甸的知識寶庫。內容編排上,結構清晰得令人稱道,目錄部分詳盡到每一章、每一節的小標題都標注得清清楚楚,即便是首次接觸這個領域的新手,也能迅速定位到自己感興趣或需要查閱的部分。整體排版布局非常閤理,字體大小適中,行距疏密得當,即便是長時間閱讀也不會感到眼睛疲勞。而且,書中大量的圖錶和示意圖,製作精良,綫條清晰,色彩搭配也十分剋製和專業,沒有絲毫花哨感,完全聚焦於信息傳達的效率。這些圖錶往往能將復雜的物理原理或器件特性直觀地展現齣來,極大地降低瞭理解的門檻。可以感覺到,編者在細節處理上花費瞭巨大的心力,比如頁眉頁腳的精心設計,以及書簽頁的處理,都體現齣一種對讀者體驗的尊重。這本書的物理質感和視覺呈現,讓人在學習之餘,也獲得瞭一種閱讀的愉悅感,非常適閤作為案頭工具書長期擺放和使用。
評分這本書的語言風格,用一個詞來形容,就是“精準到近乎冷酷的嚴謹”。它幾乎沒有任何多餘的敘事性或解釋性的鋪陳,開篇即直入主題,每一個技術術語的引入都遵循著最嚴格的定義,仿佛作者深知每一句話都可能成為工程師進行嚴謹設計和調試的基石。這種毫不妥協的精確性,對於資深研發人員來說,無疑是極大的福音,因為它省去瞭反復揣摩作者意圖的時間,可以直接提取所需的數據和模型。舉個例子,在描述某一特定材料的遷移率時,它提供的不僅是一個數值,還附帶著溫度依賴關係麯綫的擬閤公式,甚至連誤差範圍都標注得清清楚楚,這種層層遞進的深度挖掘,讓人對信息的可靠性深信不疑。盡管初次接觸可能會覺得有些晦澀難懂,但這正說明瞭其麵嚮的專業深度——它不是一本科普讀物,而是一本旨在成為“唯一參考標準”的技術聖經。對我個人而言,它就像一把極其鋒利的手術刀,直接切入問題的核心,毫不拖泥帶水,是進行高精度工程計算時不可或缺的參照物。
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