书名:用于恶劣环境的碳化硅微机电系统
定价:35.00元
售价:24.5元,便宜10.5元,折扣70
作者:(英)张,王晓浩,唐飞,王文弢
出版社:科学出版社
出版日期:2010-03-01
ISBN:9787030268624
字数:
页码:
版次:1
装帧:平装
开本:16开
商品重量:0.640kg
碳化硅以其优异的温度特性、电迁移特性、机械特性等,越来越被微电子和微机电系统研究领域所关注,不断有新的研究群体介入这一材料及其应用的研究。《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》是目前译者见到的一本系统论述碳化硅微机电系统的著作,作者是来自英国、美国从事碳化硅微机电系统研究的几位学者,他们系统综述了碳化硅生长、加工、接触、腐蚀和应用等环节的技术和现状,汇聚了作者大量的经验和智慧。
《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》可供从事微电子、微机械研究的科研人员参考阅读,也可以作为研究生专业课程教材或参考书目。
这本《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》的问世,无疑为我们这些长期在极端条件下摸索前行的工程师们带来了一线曙光。我记得我们团队前段时间为了应对深空探测器上微型传感器的热稳定性和抗辐射性问题,简直是焦头烂额。传统的硅基MEMS在超过200摄氏度后性能就开始急剧下降,而且对高能粒子束的耐受性也令人堪忧。所以,当看到这本书的摘要中明确提到了SiC在高温、高压、强辐射环境下的独特优势时,我几乎是立刻就下单了。书中对碳化硅晶圆制备过程中的缺陷控制,特别是如何通过优化外延生长技术来提高器件的可靠性和一致性,进行了非常详尽的论述。我特别关注了其中关于压阻式传感器在1000K以上工作温度下的漂移补偿模型,那套基于物理化学耦合的半经验公式,为我们后续的建模工作指明了方向,比我们过去依赖的那些通用热力学模型要精确得多。这本书不仅仅是理论的堆砌,它更像是一本实战手册,对各种关键工艺步骤——比如深反应离子刻蚀(DRIE)的参数优化、金属化层的选择和钝化层的设计——都给出了基于实际案例的深入分析,读来让人感到踏实和振奋。
评分这本书的排版和插图质量也值得称赞,这对于理解复杂的微纳结构至关重要。很多技术书籍的图示往往模糊不清,让人需要花费大量时间去猜测结构细节。然而,在这本《用于恶劣环境的碳化硅微机电系统》中,几乎所有的扫描电镜(SEM)照片都锐利清晰,而且关键的应力分布图和能带结构示意图都采用了高质量的彩色渲染。我特别喜欢其中对“Piezoresistive Sensing Mechanism in Wide Bandgap Materials”的阐述部分,作者通过详尽的应变与能带弯曲的耦合图解,直观地展示了为何在高温下,SiC的载流子迁移率变化仍然能带来可预测的电阻变化。这种深入浅出的图文结合,极大地降低了理解高阶半导体物理的门槛。对于那些希望从传统硅基MEMS领域转型,但对SiC材料科学基础不够扎实的工程师或高年级学生来说,这本书不仅提供了知识,更提供了一种直观的、可视化的学习路径,绝对是物超所值的一笔投资。
评分我是一位专注于微流控芯片和生物传感器集成的研究者,对于如何将MEMS技术集成到生物相容性更高的介质中一直非常头疼。这本书虽然主题是恶劣环境,但它关于碳化硅的表面处理和生物钝化技术的部分,却为我打开了全新的思路。特别是关于“类金刚石碳膜(DLC)在SiC表面作为超疏水屏障”的应用探讨,这在传统的半导体文献中鲜有提及。作者详细介绍了通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)实现高硬度、低摩擦系数的DLC涂层,这不仅能保护内部结构免受腐蚀性化学试剂的侵蚀,还能有效降低生物大分子在芯片表面的非特异性吸附。我过去一直依赖于PDMS封装,但PDMS在有机溶剂和长时间的温度梯度下稳定性太差。书中展示的SiC-on-SiC的结构稳定性,让我看到了开发真正可用于活体监测和长期化学分析的微型分析仪器的可能性。这本书的广度令人惊叹,它成功地将材料物理、微纳加工和特定应用场景(如石油天然气勘探、航空发动机状态监控)紧密地联系了起来。
评分坦白说,我最初翻开这本书时,是抱着一种审慎的怀疑态度的。市面上关于“下一代半导体材料”的书籍汗牛充栋,但真正能深入到材料科学前沿并提供可落地解决方案的却凤毛麟角。然而,这本书的第三章关于SiC基体与功能层界面的热机械耦合效应的讨论,彻底颠覆了我的看法。作者并没有停留在宏观的器件性能描述上,而是深入到了原子尺度的相互作用。他们用先进的分子动力学模拟结果来解释为什么在剧烈的温度循环下,SiC/SiN/金属层之间的应力集中会导致早期失效,并提出了一套创新的应力梯度缓冲层设计。这种对失效机理的深刻洞察力,远超我预期的教材水平。更难得的是,书中对制造工艺流程的描述极其细致,几乎复现了一个完整的、符合工业标准的SiC-MEMS制造流片过程。从湿法清洗液的配方选择,到PECVD薄膜的应力控制,每一个环节的工艺窗口都被标注得清清楚楚,这对于我们正在尝试从研发转向小批量试产的团队来说,价值是无法估量的。
评分从一个偏向系统工程和可靠性分析的角度来看,这本书提供了一个极为宝贵的数据集和评估框架。在对高可靠性系统进行设计时,最令人头疼的就是缺乏长期运行的统计学数据。这本书在最后几个章节,详细列举了不同批次、不同工艺条件下制造出的SiC-MEMS器件在加速老化测试中的寿命分布图和失效模式分析。它不仅仅是给出了MTTF(平均故障前时间)的数字,更重要的是,它展示了如何通过修改设计参数——比如通过增加梁的厚度或者改变应力集中点的几何形状——来系统性地提高寿命分布的尾部特性。我尤其欣赏作者在“不确定性量化”上下的功夫,他们使用了贝叶斯方法来处理小样本测试数据,这对于我们进行关键任务系统(如核反应堆内部传感器)的认证至关重要。这本书的数据严谨性,使得它超越了一般的科普读物,真正成为了一个可靠性工程师案头的必备参考书。
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