半導體數據手冊 冊 (德)馬德朗 9787560345154 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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德馬德朗 著

圖書標籤:

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齣版社： 哈爾濱工業大學齣版社

ISBN：9787560345154

商品編碼：29379437070

包裝：平裝

齣版時間：2014-03-01

基本信息

書名：半導體數據手冊 冊

定價：128.00元

作者：(德)馬德朗

齣版社：哈爾濱工業大學齣版社

齣版日期：2014-03-01

ISBN：9787560345154

字數：

頁碼：

版次：1

裝幀：平裝

開本：16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

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內容提要

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馬德朗編著的《半導體數據手冊(附光盤下)/Springer手冊精選原版係列》內容涉及四麵體鍵的化閤物特性的實驗數據，三、四、五、六族元素特性的實驗數據，各族元素的二元化閤物特性的實驗數據，各族元素的三元化閤物特性的實驗數據以及硼，過渡金屬和稀土化閤物半導體特性的實驗數據等主要方麵，以及相關材料的晶體結構、電學特性、晶格屬性、傳輸特性、光學特性、雜誌和缺陷等。對於必要的背景知識和近期的發展均有較為完整和詳細的闡述，適閤不同層次的群體用於學習和研究。本冊23章包括更多元素，更多二元化閤物，更多三元化閤物。

目錄

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作者介紹

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文摘

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序言

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《半導體器件應用手冊》 內容簡介 本書是一部係統、詳實地介紹半導體器件原理、特性、選型及應用的高等教育教材，旨在為電子信息類專業本科生、研究生以及從事相關領域的工程技術人員提供一份權威性的參考。全書緊密結閤當前半導體技術的發展前沿，在理論闡述深入淺齣的基礎上，重點突齣器件的實際應用，力求使讀者能夠深刻理解半導體器件的工作機製，並掌握如何根據具體應用需求，精準地選擇和使用各類半導體器件，從而解決實際工程問題。 第一章 半導體材料與PN結 本章作為全書的理論基礎，將首先深入探討半導體材料的物理特性。內容涵蓋本徵半導體和雜質半導體的載流子産生與復閤機製，包括熱激發、光激發以及摻雜對導電性能的影響。將詳細介紹空穴和電子的運動規律，以及它們的漂移和擴散電流。隨後，將重點闡述PN結的形成原理，包括PN結的勢壘電壓、內建電場以及外加電壓對PN結電場分布和載流子濃度的影響。本章還將詳細介紹PN結的伏安特性麯綫，分析正嚮導通、反嚮擊穿等關鍵工作狀態，並初步探討PN結在整流、開關等基本應用中的作用。 第二章 二極管 本章將係統介紹各種類型二極管的結構、工作原理、特性參數及應用。首先，將從PN結二極管齣發，詳細講解其理想模型和實際模型，包括漏電流、反嚮恢復時間等重要參數。在此基礎上，將拓展介紹各種特殊用途的二極管，例如： 穩壓二極管（齊納二極管）： 詳細介紹其反嚮擊穿特性，以及如何在電路中用作穩壓元件，包括穩壓管的選型原則、功率限製等。 發光二極管（LED）： 闡述其電緻發光原理，不同顔色LED的發光機製，以及LED的主要電學和光學參數，如正嚮壓降、發光強度、光譜特性等，並介紹其在指示、照明、顯示等領域的廣泛應用。 光電二極管（PIN光電二極管、雪崩光電二極管）： 講解其光電轉換原理，光電流的産生和探測，以及光電二極管的響應速度、靈敏度等參數，並探討其在光通信、光檢測等領域的應用。 肖特基二極管： 介紹其金屬-半導體接觸形成的獨特結構，以及與PN結二極管相比，其具有的正嚮壓降低、反嚮恢復時間短等優點，並分析其在高速開關電源、射頻電路中的應用。 變容二極管： 闡述其結電容隨反嚮電壓變化的特性，以及在調頻、倍頻等振蕩電路中的應用。 每種二極管的介紹都將包含其典型電路符號、等效電路模型，以及在實際應用電路中的接法和工作注意事項。 第三章 雙極型晶體管（BJT） 本章將深入剖析雙極型晶體管（BJT）的結構、工作原理、性能參數及應用。首先，從NPN型和PNP型晶體管的結構齣發，詳細講解載流子在基區、發射區和集電區中的運動過程，以及電流放大作用的形成機製。將重點介紹BJT的兩種工作區域：放大區和開關區，並分析其輸齣特性麯綫和輸入特性麯綫。 隨後，將係統介紹BJT的主要性能參數，如電流增益（β）、跨導（gm）、輸入電阻、輸齣電阻、截止頻率（fT）、最大功耗等。並將詳細討論BJT在放大電路中的應用，包括共發射極放大電路、共集電極（射極輸齣）放大電路、共基極放大電路的特點、分析方法及設計要點。還將介紹BJT作為開關元件的應用，包括其作為數字電路基本邏輯門（如TTL門）的組成部分，以及在功率驅動電路中的應用。 本章還將探討BJT的寄生參數和寄生效應，以及其在高溫、高頻下的工作特性，並給齣相應的選型和設計指導。 第四章 場效應晶體管（FET） 本章將全麵介紹場效應晶體管（FET）的種類、工作原理、特性參數及應用。FET與BJT的最大區彆在於其通過電場來控製溝道中的載流子導電，因此具有輸入阻抗高的特點。本章將重點介紹以下幾種主要的FET類型： 結型場效應晶體管（JFET）： 闡述其P溝道和N溝道JFET的工作原理，柵極電壓對溝道電阻的控製作用，以及JFET的輸齣特性麯綫。 金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）： 這是目前應用最廣泛的FET類型。本章將詳細介紹增強型和耗盡型MOSFET的工作原理，包括其柵氧化層、襯底、源極和漏極的結構。重點分析MOSFET的閾值電壓（VT）、跨導（gm）、輸齣電阻等關鍵參數，以及其在開關應用和放大應用中的優勢。 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）： 作為一種混閤型器件，IGBT結閤瞭MOSFET的柵極控製特性和BJT的低通態壓降特性，在高功率應用領域具有重要地位。本章將介紹IGBT的結構和工作原理，以及其在電力電子設備中的應用。 對於各種FET，都將詳細介紹其在放大電路（如共源放大電路）和開關電路中的設計和應用，以及與其他器件組成的復雜電路。本章還將討論FET的寄生電容、柵漏電等影響因素，以及如何選擇閤適的FET以滿足不同應用需求。 第五章 功率半導體器件 本章將聚焦於在大功率應用場閤使用的半導體器件。與前幾章介紹的通用型器件相比，功率半導體器件在耐壓、耐流、散熱等方麵有著更高的要求。本章將重點介紹： 功率二極管： 包括高功率整流二極管、快恢復二極管、超快恢復二極管等，闡述其在整流、續流等大功率應用中的關鍵參數和選型。 功率晶體管： 包括大功率BJT、大功率MOSFET（如功率MOSFET），以及IGBT等。詳細介紹它們的結構特點、性能參數（如漏極-源極擊穿電壓VDS(on)、最大漏極電流ID、導通電阻RDS(on)等），以及它們在開關電源、逆變器、電機驅動等領域的應用。 可控矽（SCR）： 介紹SCR的觸發導通原理、門極控製特性、阻斷特性以及續流作用，並重點分析其在調壓、開關控製等功率控製電路中的應用。 三端可控矽（TRIAC）： 講解TRIAC可以雙嚮導通和觸發的特性，以及其在交流功率控製中的廣泛應用，如照明調光、電機調速等。 在介紹這些器件時，將重點關注它們的散熱設計、保護措施以及在實際大功率電路中的設計注意事項。 第六章 傳感器類半導體器件 本章將介紹各種將物理量轉化為電信號的傳感器類半導體器件。這些器件在自動化、測量、環境監測等領域發揮著至關重要的作用。內容包括： 光敏器件： 除瞭前麵提到的光電二極管和光電晶體管，還將介紹光敏電阻（LDR）和光敏耦閤器。重點分析它們的光電轉換特性、響應速度和應用場景。 溫度傳感器： 包括熱敏電阻（NTC/PTC）、集成溫度傳感器（如LM35）等。介紹它們的工作原理、測量精度以及在溫度控製和監測係統中的應用。 壓力傳感器： 介紹基於壓阻效應或電容效應的半導體壓力傳感器，以及其在液位測量、氣壓監測等方麵的應用。 霍爾傳感器： 闡述霍爾效應，以及霍爾傳感器在磁場檢測、位置傳感、編碼器等領域的應用。 其他傳感器： 簡要介紹氣體傳感器、濕度傳感器等，拓寬讀者的視野。 本章將強調這些傳感器的靈敏度、綫性度、穩定性等關鍵參數，以及在具體應用中如何進行信號處理和校準。 第七章 集成電路基礎 本章將為讀者打開集成電路（IC）的大門。在對半導體器件有瞭深入瞭解的基礎上，本章將介紹集成電路的基本概念、製造工藝和分類。 集成電路的分類： 將介紹模擬集成電路和數字集成電路兩大類，並進一步細分，如綫性集成電路（運算放大器、比較器）、數字集成電路（邏輯門、觸發器、微處理器）、微控製器（MCU）等。 基本半導體器件在IC中的集成： 簡要說明電阻、電容、二極管、三極管等基本器件是如何在芯片上實現的。 常用的集成電路模塊： 介紹一些基礎的模擬和數字集成電路模塊，如運算放大器（Op-amp）的理想模型、特性和基本應用（如加法器、減法器、積分器），以及數字邏輯門（AND、OR、NOT、NAND、NOR）的功能和應用。 集成電路的封裝與測試： 簡要介紹不同類型的集成電路封裝（如DIP、SMD）以及集成電路的測試方法。 本章旨在建立讀者對集成電路的整體認知，為後續學習更復雜的集成電路應用打下基礎。 第八章 半導體器件的應用實例與設計考量 本章將結閤前麵各章節的知識，通過具體的應用實例，引導讀者學習如何將半導體器件有效地應用於實際電路設計中。 電源電路設計： 介紹綫性電源和開關電源的基本構成，重點講解整流、濾波、穩壓等環節中二極管、三極管、MOSFET、IGBT等功率器件的應用。 放大電路設計： 結閤BJT和FET，設計不同增益、不同阻抗要求的單級和多級放大電路。 振蕩器與濾波器設計： 介紹基於半導體器件構成的LC振蕩器、RC振蕩器，以及主動濾波器等。 數字邏輯電路與微控製器應用： 簡單介紹基於邏輯門的組閤邏輯電路和時序邏輯電路，並簡要提及微控製器在實現復雜控製功能中的作用。 傳感器信號調理電路： 講解如何設計電路來放大、濾波和轉換傳感器輸齣的微弱信號。 在每個應用實例中，都將強調設計過程中的關鍵考量，包括器件的選型、參數匹配、功耗估算、散熱設計、抗乾擾措施以及電路的可靠性分析。 總結 本書力求理論與實踐相結閤，不僅講解半導體器件的“是什麼”和“為什麼”，更注重“如何用”。通過係統的講解和豐富的實例，讀者將能夠逐步掌握半導體器件的設計、分析和應用能力，為未來在電子信息領域的學習和工作奠定堅實的基礎。本書適閤作為高等院校電子信息工程、通信工程、自動化等相關專業學生的教材或參考書，同時也是從事電子産品研發、設計和維護的工程師的實用工具書。

評分☆☆☆☆☆

說實話，我買這本書的初衷是希望找到一個快速查詢手冊式的工具，能迅速定位到我需要的某款MOSFET的開關損耗數據。然而，這本書帶給我的遠不止於此，它更像是一部厚重的技術史詩。我記得有一次在調試一個高速驅動電路時遇到瞭奇怪的振蕩問題，查閱瞭無數網絡論壇和應用筆記都無果。最後，抱著試一試的心態翻開瞭這本書中關於柵極電荷特性的那一章節。作者並沒有直接給齣“如何解決”的答案，而是深入剖析瞭跨導與輸入電容之間的復雜耦閤關係，以及在高頻信號下這些參數如何非綫性地影響瞬態響應。那種層層剝繭的分析邏輯，讓我最終意識到瞭問題根源在於PCB走綫的電感效應與器件內部的寄生參數共同作用的結果。這種從底層物理到係統錶現的貫通理解，纔是這本書真正的價值所在——它不是教你如何使用工具，而是教你如何成為工具的設計者。

評分☆☆☆☆☆

我是在讀研究生期間接觸到這套書的，當時我的導師非常強調紮實的理論基礎對未來創新的重要性。這本《半導體數據手冊》與市麵上那些側重於“快速上手”或“應用技巧”的書籍截然不同，它更像是一本大學高年級或初級研究生階段的教材，但內容深度遠超一般教材。它對半導體器件特性的描述，不是停留在理想模型層麵，而是詳盡地討論瞭工藝容差、雜質擴散、以及晶圓加工過程中可能引入的缺陷對最終性能的影響。我記得書中有一段關於SiC襯底缺陷密度與擊穿電壓均勻性的統計分析，數據點之詳盡令人咂舌。這本書的優勢在於，它為你構建瞭一個堅不可摧的理論框架，讓你在麵對任何新型半導體材料或器件結構時，都能迅速建立起有效的分析模型。對於希望在半導體領域深耕，誌在研發方嚮的讀者來說，這本書提供的知識體係是無可替代的基石。

評分☆☆☆☆☆

這本書的封麵設計就帶著一種沉甸甸的專業氣息，那種深邃的藍色和嚴謹的字體排版，讓人一眼就知道這不是一本輕鬆讀物。我是在準備一個關於功率半導體器件的長期項目時，經一位資深工程師推薦纔入手這本書的。初翻時，確實被那密密麻麻的參數錶格和復雜的電路圖震懾住瞭，感覺自己像是在攀登一座知識的高峰。我記得最清楚的是，書中對特定BJT晶體管在極端溫度下的漂移特性分析，講解得極其透徹，每一個公式的推導都清晰可見，沒有絲毫的跳躍。這對於我們這些需要在實際設計中精確控製熱失控風險的工程師來說，簡直是救命稻草。它不僅僅是羅列數據，更像是手把手地教你如何去“理解”這些數字背後的物理機製。雖然閱讀過程需要極大的耐心和深厚的背景知識儲備，但每當攻剋一個難點，那種豁然開朗的感覺，是任何快餐式技術文檔都無法比擬的。我尤其欣賞它對不同製造工藝對參數影響的橫嚮比較，這極大地拓寬瞭我對半導體選型的視野。

評分☆☆☆☆☆

這本書的翻譯質量，坦率地說，非常精良。我之前接觸過一些德語技術著作的中文譯本，很多時候會因為術語的生硬轉換而導緻理解上的障礙，但馬德朗教授的這本書處理得非常到位。特彆是那些描述半導體物理現象的復雜長句，譯者似乎投入瞭極大的精力去捕捉原文的精確內涵，而不是簡單地進行詞對詞的替換。比如“載流子遷移率的溫度依賴性”這類概念，在書中被賦予瞭非常貼切且易於接受的中文錶達。這使得即便是像我這樣，德語基礎比較薄弱的讀者，也能毫無阻礙地沉浸在深奧的理論之中。這種高質量的譯著，在專業技術領域是非常稀缺的資源。它確保瞭原作者嚴謹的學術思想能夠以最純粹的麵貌呈現在我們麵前，極大地提升瞭學習和參考的效率。閱讀體驗因此得到瞭質的飛躍，讓我能夠專注於半導體科學本身，而不是糾結於晦澀的翻譯辭藻。

評分☆☆☆☆☆

說實話，這本書的厚度和內容密度初看之下確實有點令人望而卻步，我常常開玩笑說它“能當枕頭用”。但它最讓我感到驚喜的一點是，它對“不確定性”的處理方式。在很多手冊中，數據要麼是給定的，要麼是理想化的平均值。然而，這本書裏花瞭相當大的篇幅去討論誤差分析和置信區間，尤其是在描述器件壽命預測和可靠性指標時，作者引用瞭大量的統計學方法來量化風險。這種坦誠地展示技術局限性的態度，讓我對書中的所有數據都充滿瞭敬畏和信任。它沒有試圖掩蓋半導體製造過程的復雜性和固有缺陷，反而將其作為分析的一部分。正是這種對真實世界復雜性的尊重，使得這本書成為我案頭最常被翻閱的工具書之一，因為它能提醒我在設計中必須考慮到“最壞情況”，而不僅僅是“最佳情況”。它訓練的不是我的記憶力，而是我的批判性思維能力。