書名:用於惡劣環境的碳化矽微機電係統
定價:35.00元
售價:24.5元,便宜10.5元,摺扣70
作者:(英)張,王曉浩,唐飛,王文弢
齣版社:科學齣版社
齣版日期:2010-03-01
ISBN:9787030268624
字數:
頁碼:
版次:1
裝幀:平裝
開本:16開
商品重量:0.640kg
碳化矽以其優異的溫度特性、電遷移特性、機械特性等,越來越被微電子和微機電係統研究領域所關注,不斷有新的研究群體介入這一材料及其應用的研究。《用於惡劣環境的碳化矽微機電係統》是目前譯者見到的一本係統論述碳化矽微機電係統的著作,作者是來自英國、美國從事碳化矽微機電係統研究的幾位學者,他們係統綜述瞭碳化矽生長、加工、接觸、腐蝕和應用等環節的技術和現狀,匯聚瞭作者大量的經驗和智慧。
《用於惡劣環境的碳化矽微機電係統》可供從事微電子、微機械研究的科研人員參考閱讀,也可以作為研究生專業課程教材或參考書目。
我是一位專注於微流控芯片和生物傳感器集成的研究者,對於如何將MEMS技術集成到生物相容性更高的介質中一直非常頭疼。這本書雖然主題是惡劣環境,但它關於碳化矽的錶麵處理和生物鈍化技術的部分,卻為我打開瞭全新的思路。特彆是關於“類金剛石碳膜(DLC)在SiC錶麵作為超疏水屏障”的應用探討,這在傳統的半導體文獻中鮮有提及。作者詳細介紹瞭通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)實現高硬度、低摩擦係數的DLC塗層,這不僅能保護內部結構免受腐蝕性化學試劑的侵蝕,還能有效降低生物大分子在芯片錶麵的非特異性吸附。我過去一直依賴於PDMS封裝,但PDMS在有機溶劑和長時間的溫度梯度下穩定性太差。書中展示的SiC-on-SiC的結構穩定性,讓我看到瞭開發真正可用於活體監測和長期化學分析的微型分析儀器的可能性。這本書的廣度令人驚嘆,它成功地將材料物理、微納加工和特定應用場景(如石油天然氣勘探、航空發動機狀態監控)緊密地聯係瞭起來。
評分這本書的排版和插圖質量也值得稱贊,這對於理解復雜的微納結構至關重要。很多技術書籍的圖示往往模糊不清,讓人需要花費大量時間去猜測結構細節。然而,在這本《用於惡劣環境的碳化矽微機電係統》中,幾乎所有的掃描電鏡(SEM)照片都銳利清晰,而且關鍵的應力分布圖和能帶結構示意圖都采用瞭高質量的彩色渲染。我特彆喜歡其中對“Piezoresistive Sensing Mechanism in Wide Bandgap Materials”的闡述部分,作者通過詳盡的應變與能帶彎麯的耦閤圖解,直觀地展示瞭為何在高溫下,SiC的載流子遷移率變化仍然能帶來可預測的電阻變化。這種深入淺齣的圖文結閤,極大地降低瞭理解高階半導體物理的門檻。對於那些希望從傳統矽基MEMS領域轉型,但對SiC材料科學基礎不夠紮實的工程師或高年級學生來說,這本書不僅提供瞭知識,更提供瞭一種直觀的、可視化的學習路徑,絕對是物超所值的一筆投資。
評分坦白說,我最初翻開這本書時,是抱著一種審慎的懷疑態度的。市麵上關於“下一代半導體材料”的書籍汗牛充棟,但真正能深入到材料科學前沿並提供可落地解決方案的卻鳳毛麟角。然而,這本書的第三章關於SiC基體與功能層界麵的熱機械耦閤效應的討論,徹底顛覆瞭我的看法。作者並沒有停留在宏觀的器件性能描述上,而是深入到瞭原子尺度的相互作用。他們用先進的分子動力學模擬結果來解釋為什麼在劇烈的溫度循環下,SiC/SiN/金屬層之間的應力集中會導緻早期失效,並提齣瞭一套創新的應力梯度緩衝層設計。這種對失效機理的深刻洞察力,遠超我預期的教材水平。更難得的是,書中對製造工藝流程的描述極其細緻,幾乎復現瞭一個完整的、符閤工業標準的SiC-MEMS製造流片過程。從濕法清洗液的配方選擇,到PECVD薄膜的應力控製,每一個環節的工藝窗口都被標注得清清楚楚,這對於我們正在嘗試從研發轉嚮小批量試産的團隊來說,價值是無法估量的。
評分這本《用於惡劣環境的碳化矽微機電係統》的問世,無疑為我們這些長期在極端條件下摸索前行的工程師們帶來瞭一綫曙光。我記得我們團隊前段時間為瞭應對深空探測器上微型傳感器的熱穩定性和抗輻射性問題,簡直是焦頭爛額。傳統的矽基MEMS在超過200攝氏度後性能就開始急劇下降,而且對高能粒子束的耐受性也令人堪憂。所以,當看到這本書的摘要中明確提到瞭SiC在高溫、高壓、強輻射環境下的獨特優勢時,我幾乎是立刻就下單瞭。書中對碳化矽晶圓製備過程中的缺陷控製,特彆是如何通過優化外延生長技術來提高器件的可靠性和一緻性,進行瞭非常詳盡的論述。我特彆關注瞭其中關於壓阻式傳感器在1000K以上工作溫度下的漂移補償模型,那套基於物理化學耦閤的半經驗公式,為我們後續的建模工作指明瞭方嚮,比我們過去依賴的那些通用熱力學模型要精確得多。這本書不僅僅是理論的堆砌,它更像是一本實戰手冊,對各種關鍵工藝步驟——比如深反應離子刻蝕(DRIE)的參數優化、金屬化層的選擇和鈍化層的設計——都給齣瞭基於實際案例的深入分析,讀來讓人感到踏實和振奮。
評分從一個偏嚮係統工程和可靠性分析的角度來看,這本書提供瞭一個極為寶貴的數據集和評估框架。在對高可靠性係統進行設計時,最令人頭疼的就是缺乏長期運行的統計學數據。這本書在最後幾個章節,詳細列舉瞭不同批次、不同工藝條件下製造齣的SiC-MEMS器件在加速老化測試中的壽命分布圖和失效模式分析。它不僅僅是給齣瞭MTTF(平均故障前時間)的數字,更重要的是,它展示瞭如何通過修改設計參數——比如通過增加梁的厚度或者改變應力集中點的幾何形狀——來係統性地提高壽命分布的尾部特性。我尤其欣賞作者在“不確定性量化”上下的功夫,他們使用瞭貝葉斯方法來處理小樣本測試數據,這對於我們進行關鍵任務係統(如核反應堆內部傳感器)的認證至關重要。這本書的數據嚴謹性,使得它超越瞭一般的科普讀物,真正成為瞭一個可靠性工程師案頭的必備參考書。
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