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章晓文 著

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• 半导体
• 集成电路
• 可靠性
• 失效分析
• 寿命预测
• 质量评估
• 电子元件
• 测试技术
• 材料科学
• 电路设计

出版社： 电子工业出版社

ISBN：9787121271601

版次：01

商品编码：11789658

包装：平装

丛书名： 可靠性技术丛书

开本：16开

出版时间：2015-10-01

页数：412

正文语种：中文

内容简介

本书共11章，以硅集成电路为中心，重点介绍了半导体集成电路及其可靠性的发展演变过程、集成电路制造的基本工艺、半导体集成电路的主要失效机理、可靠性数学、可靠性测试结构的设计、MOS场效应管的特性、失效机理的可靠性仿真和评价。随着集成电路设计规模越来越大，设计可靠性越来越重要，在设计阶段借助可靠性仿真技术，评价设计出的集成电路可靠性能力，针对电路设计中的可靠性薄弱环节，通过设计加固，可以有效提高产品的可靠性水平，提高产品的竞争力。

作者简介

章晓文，工业和信息化部电子第五研究所高级工程师，长期从事电子元器件可靠性工作，在电子元器件可靠性物理、评价及试验方法等方面取得显著研究成果，先后获省部级科技奖励3项，发表学术论文40余篇，实用新型专利授权一项，申请国家发明专利4项。

目录

第1章 绪论 （1）
1．1 半导体集成电路的发展过程 （1）
1．2 半导体集成电路的分类 （4）
1．2．1 按半导体集成电路规模分类 （4）
1．2．2 按电路功能分类 （5）
1．2．3 按有源器件的类型分类 （6）
1．2．4 按应用性质分类 （6）
1．3 半导体集成电路的发展特点 （6）
1．3．1 集成度不断提高 （7）
1．3．2 器件的特征尺寸不断缩小 （7）
1．3．3 专业化分工发展成熟 （8）
1．3．4 系统集成芯片的发展 （9）
1．3．5 半导体集成电路带动其他学科的发展 （9）
1．4 半导体集成电路可靠性评估体系 （10）
1．4．1 工艺可靠性评估 （10）
1．4．2 集成电路的主要失效模式 （11）
1．4．3 集成电路的主要失效机理 （15）
1．4．4 集成电路可靠性面临的挑战 （16）
参考文献 （20）
第2章 半导体集成电路的基本工艺 （21）
2．1 氧化工艺 （23）
2．1．1 SiO2的性质 （23）
2．1．2 SiO2的作用 （24）
2．1．3 SiO2膜的制备 （25）
2．1．4 SiO2膜的检测 （27）
2．1．5 SiO2膜的主要缺陷 （29）
2．2 化学气相沉积法制备薄膜 （30）
2．2．1 化学气相沉积概述 （30）
2．2．2 化学气相沉积的主要反应类型 （31）
2．2．3 CVD制备薄膜 （33）
2．2．4 CVD掺杂SiO2 （36）
2．3 扩散掺杂工艺 （38）
2．3．1 扩散形式 （39）
2．3．2 常用杂质的扩散方法 （40）
2．3．3 扩散分布的分析 （41）
2．4 离子注入工艺 （45）
2．4．1 离子注入技术概述 （45）
2．4．2 离子注入的浓度分布与退火 （47）
2．5 光刻工艺 （49）
2．5．1 光刻工艺流程 （49）
2．5．2 光刻胶的曝光 （51）
2．5．3 光刻胶的曝光方式 （53）
2．5．4 32nm和22nm的光刻 （54）
2．5．5 光刻工艺产生的微缺陷 （55）
2．6 金属化工艺 （57）
2．6．1 金属化概述 （57）
2．6．2 金属膜的沉积方法 （58）
2．6．3 金属化工艺 （59）
2．6．4 Al/Si接触及其改进 （62）
2．6．5 阻挡层金属 （63）
2．6．6 Al膜的电迁移 （65）
2．6．7 金属硅化物 （65）
2．6．8 金属钨 （70）
2．6．9 铜互连工艺 （71）
参考文献 （75）
第3章 缺陷的来源和控制 （76）
3．1 缺陷的基本概念 （76）
3．1．1 缺陷的分类 （76）
3．1．2 前端和后端引入的缺陷 （78）
3．2 引起缺陷的污染物 （80）
3．2．1 颗粒污染物 （81）
3．2．2 金属离子 （82）
3．2．3 有机物沾污 （82）
3．2．4 细菌 （83）
3．2．5 自然氧化层 （83）
3．2．6 污染物引起的问题 （83）
3．3 引起缺陷的污染源 （83）
3．3．1 空气 （84）
3．3．2 温度、湿度及烟雾控制 （85）
3．4 缺陷管理 （85）
3．4．1 超净间的污染控制 （86）
3．4．2 工作人员防护措施 （87）
3．4．3 工艺制造过程管理 （88）
3．4．4 超净间的等级划分 （91）
3．4．5 超净间的维护 （92）
3．5 降低外来污染物的措施 （94）
3．5．1 颗粒去除 （95）
3．5．2 化学清洗方案 （97）
3．5．3 氧化层的去除 （98）
3．5．4 水的冲洗 （101）
3．6 工艺成品率 （101）
3．6．1 累积晶圆生产成品率 （101）
3．6．2 晶圆生产成品率的制约因素 （102）
3．6．3 晶圆电测成品率要素 （105）
参考文献 （113）
第4章 半导体集成电路制造工艺 （115）
4．1 半导体集成电路制造的环境要求 （115）
4．1．1 沾污对器件可靠性的影响 （115）
4．1．2 净化间的环境控制 （116）
4．2 CMOS集成电路的基本制造工艺 （119）
4．2．1 CMOS工艺的发展 （119）
4．2．2 CMOS集成电路的基本制造工艺 （120）
4．3 Bi-CMOS工艺 （132）
4．3．1 低成本、中速数字Bi-CMOS工艺 （132）
4．3．2 高成本、高性能数字Bi-CMOS工艺 （133）
4．3．3 数模混合Bi-CMOS工艺 （137）
参考文献 （141）

第5章 半导体集成电路的主要失效机理 （142）
5．1 与芯片有关的失效机理 （142）
5．1．1 热载流子注入效应（Hot Carrier Injection，HCI） （142）
5．1．2 与时间有关的栅介质击穿（Time Dependant Dielectric Breakdown，
TDDB） （153）
5．1．3 金属化电迁移（Electromigration，EM） （157）
5．1．4 PMOSFET负偏置温度不稳定性 （164）
5．1．5 CMOS电路的闩锁效应（Latch―up） （178）
5．2 与封装有关的失效机理 （180）
5．2．1 封装材料?射线引起的软误差 （180）
5．2．2 水汽引起的分层效应 （181）
5．2．3 金属化腐蚀 （182）
5．3 与应用有关的失效机理 （185）
5．3．1 辐射引起的失效 （185）
5．3．2 与铝有关的界面效应 （186）
5．3．3 静电放电损伤（ElectroStatic Discharge，ESD） （189）
参考文献 （193）
第6章 可靠性数据的统计分析基础 （195）
6．1 可靠性的定量表征 （195）
6．2 寿命试验数据的统计分析 （197）
6．2．1 寿命试验概述 （197）
6．2．2 指数分布场合的统计分析 （198）
6．2．3 威布尔分布场合的统计分析 （201）
6．2．4 对数正态分布场合的统计分析 （205）
6．3 恒定加速寿命试验数据的统计分析 （211）
6．3．1 加速寿命试验概述 （211）
6．3．2 指数分布场合的统计分析 （214）
6．3．3 威布尔分布场合的统计分析 （215）
6．3．4 对数正态分布场合的统计分析 （217）
参考文献 （218）
第7章 半导体集成电路的可靠性评价 （220）
7．1 可靠性评价技术 （220）
7．1．1 可靠性评价的技术特点 （220）
7．1．2 可靠性评价的测试结构 （221）
7．1．3 可靠性评价技术的作用 （224）
7．1．4 可靠性评价技术的应用 （225）
7．2 PCM（Process Control Monitor，工艺控制监测）技术 （227）
7．2．1 PCM技术特点 （228）
7．2．2 PCM的作用 （229）
7．3 交流波形的可靠性评价技术 （231）
7．3．1 交流波形的电迁移可靠性评价技术 （231）
7．3．2 交流波形的热载流子注入效应可靠性评价技术 （232）
7．4 圆片级可靠性评价技术 （232）
7．4．1 圆片级电迁移可靠性评价技术 （234）
7．4．2 圆片级热载流子注入效应可靠性评价技术 （240）
7．4．3 圆片级栅氧的可靠性评价技术 （241）
7．5 生产线的质量管理体系 （249）
7．5．1 影响Foundry线质量与可靠性的技术要素 （250）
7．5．2 影响Foundry线质量与可靠性的管理要素 （251）
7．5．3 Foundry线质量管理体系的评价 （252）
参考文献 （253）
第8章 可靠性测试结构的设计 （256）
8．1 版图的几何设计规则 （256）
8．1．1 几何图形之间的距离定义 （257）
8．1．2 设计规则举例 （258）
8．1．3 版图设计概述及软件工具介绍 （260）
8．1．4 多项目晶圆MPW（Multi-Project Wafer）的流片方式 （262）
8．2 层次化版图设计 （266）
8．2．1 器件制造中的影响因素 （266）
8．2．2 版图验证和后仿真 （276）
8．3 等比例缩小规则 （277）
8．3．1 等比例缩小的3个规则 （277）
8．3．2 VLSI突出的可靠性问题 （280）
8．4 测试结构的设计 （282）
8．4．1 MOS管的设计 （282）
8．4．2 天线效应 （283）
8．4．3 MOS电容的设计 （285）
8．4．4 金属化电迁移测试结构设计 （288）
参考文献 （291）

第9章 MOS场效应晶体管的特性 （292）
9．1 MOS场效应晶体管的基本特性 （292）
9．1．1 MOSFET的伏安特性 （293）
9．1．2 MOSFET的阈值电压 （296）
9．1．3 MOSFET的电容结构 （299）
9．1．4 MOSFET的界面态测量 （300）
9．2 MOS电容的高频特性 （302）
9．2．1 MOS电容的能带和电荷分布 （302）
9．2．2 理想MOS电容的C-V特性 （304）
9．2．3 影响MOS电容C-V特性的因素 （306）
9．2．4 离子沾污的可靠性评价 （310）
9．2．5 MOS电容的高频特性分析 （311）
9．3 MOSFET的温度特性 （316）
9．3．1 环境温度对器件参数的影响综述 （316）
9．3．2 环境温度对器件参数的具体影响 （318）
参考文献 （325）
第10章 集成电路的可靠性仿真 （326）
10．1 BTABERT的仿真过程及原理 （327）
10．1．1 BERT的结构及模型参数说明 （328）
10．1．2 MOS热载流子可靠性模拟 （335）
10．2 门电路的HCI效应测量 （338）
10．2．1 应力电压测量 （338）
10．2．2 数据测量及处理 （340）
10．3 门电路的模拟仿真 （344）
10．3．1 门电路的模拟和测试 （344）
10．3．2 门电路的失效时间计算 （346）
10．4 基于MEDICI的热载流子效应仿真 （348）
10．4．1 MEDICI软件简介 （348）
10．4．2 数据处理及结果分析 （350）
参考文献 （353）
第11章 集成电路工艺失效机理的可靠性评价 （354）
11．1 可靠性评价试验要求和接收目标 （354）
11．1．1 可靠性试验要求 （354）
11．1．2 接收目标 （356）
11．2 热载流子注入效应 （357）
11．2．1 测试要求 （358）
11．2．2 实验方法 （359）
11．2．3 注意事项 （362）
11．2．4 验证实例 （363）
11．3 与时间有关的栅介质击穿 （364）
11．3．1 试验要求 （365）
11．3．2 试验方法 （367）
11．3．3 注意事项 （369）
11．3．4 验证实例 （370）
11．4 金属互连线的电迁移 （371）
11．4．1 试验要求 （371）
11．4．2 实验方法 （373）
11．4．3 注意事项 （374）
11．4．4 验证实例 （375）
11．5 PMOSFET负偏置温度不稳定性 （376）
11．5．1 试验要求 （377）
11．5．2 试验方法 （378）
11．5．3 注意事项 （381）
11．5．4 验证实例 （381）
参考文献 （383）
主要符号表 （385）
英文缩略词及术语 （391）

精彩书摘

　　《半导体集成电路的可靠性及评价方法》：
　　（3）工艺过程变异。在晶圆通过生产的各个工艺过程时，会有多次的掺杂及光刻工艺，每一步都必须达到极其严格的物理特性和洁净度的要求。但是，即使是最成熟的工艺过程也存在不同晶圆之间，不同工艺之间，以及不同天之间的变化。偶尔某个工艺过程还会超出它的工艺界限并生产出不符合工艺标准的晶圆。工艺过程的自动化所带来的最大好处就是将这种工艺过程变异减至最小。
　　工艺过程和工艺控制程序的目标不仅仅是保持每一个工艺操作在控制界限范围之内，更重要的是维持相应的工艺参数稳定不变的分布。大多数的工艺过程都呈现为数学上称为正态分布（Normal distribution）的参数分布，也称为中心极限分布（Central theorem distribution）。它的特点是大部分的数据点处于均值附近，距离均值越远，数据点越少。有时一个工艺过程的数据点都落在指定的界限内，但是大部分的数据都偏向一端。表面上看这个工艺还是符合工艺界限的，但是数据分布已经改变了，很可能会导致最终形成的电路在性能上发生变化，导致达不到标准要求。晶圆生产的挑战性也就在于要保持各道工艺过程数据分布的持续稳定。
　　在整个晶圆生产工艺流程中，设有许多用来发现有害变异的检查和测试，以及针对工艺标准的周期性设备的参数校准。这些检测一部分由生产部门人员来执行，一部分山质量控制部门来执行。所有的这些检测及工艺过程标准允许一定程度的变异。
　　（4）工艺过程缺陷。工艺过程缺陷被定义为晶圆表面受到污染或不规则的孤立区域（或点）。这些缺陷经常被称作点缺陷（Spot defect）。在一个电路中，仅仅一个非常小的缺陷就致使整个电路失效。
　　……

前言/序言

《电子设备可靠性设计与实践》 一、 核心理念与价值 在当今科技飞速发展的时代，电子设备的普及程度和重要性日益凸显。从日常消费品到尖端军事装备，稳定可靠的性能已经成为衡量产品价值和用户满意度的关键指标。任何一个微小的失效都可能导致巨大的经济损失、安全隐患，甚至影响社会功能的正常运转。因此，理解并掌握电子设备可靠性设计与实践的原理和方法，不仅是工程师必备的核心技能，更是企业在激烈市场竞争中脱颖而出的基石。 本书旨在为读者提供一套系统、全面且极具实践指导意义的电子设备可靠性工程解决方案。我们不局限于某个特定组件或技术的可靠性，而是着眼于整个电子设备的生命周期，从设计之初的理念植入，到制造过程的质量控制，再到使用维护的持续优化，全方位剖析影响可靠性的关键因素，并提供行之有效的对策。本书强调的是“预防为主，管理为辅”的可靠性工程思想，即通过在设计阶段就充分考虑潜在的失效模式，并采取相应的预防措施，从源头上降低设备发生故障的概率，从而显著提升设备的整体可靠性水平。 本书的价值在于，它能够帮助读者： 建立正确的可靠性思维模式： 理解可靠性并非偶然，而是工程设计和管理的结果。 掌握系统的可靠性分析工具： 学习和运用各种统计方法、模型和测试手段，对设备进行可靠性评估。 提升可靠性设计能力： 掌握在产品设计中融入可靠性考量的技巧，选择合适的材料、工艺和元器件，优化结构设计。 优化制造与质量控制： 理解制造过程中的关键控制点，以及如何通过严格的质量管理体系来保障产品可靠性。 掌握失效分析与改进方法： 学习如何有效地进行失效分析，找出失效根源，并实施有效的改进措施。 应对复杂环境下的可靠性挑战： 了解各种环境因素（温度、湿度、振动、电磁兼容等）对设备可靠性的影响，并掌握相应的防护策略。 缩短产品开发周期，降低生命周期成本： 通过早期介入可靠性工程，避免因设计缺陷导致后期高昂的返工、维修和召回成本。 二、 内容体系概述 本书的内容体系构建在一个严谨的逻辑框架下，围绕电子设备的生命周期展开，层层递进，相互关联。 第一部分：可靠性工程基础 本部分为读者打下坚实的理论基础。我们将从可靠性的基本概念出发，深入探讨其定义、度量指标（如MTBF、MTTF、失效率、可靠度函数等）以及可靠性在整个产品开发流程中的重要性。在此基础上，我们将介绍可靠性工程的学科体系、发展历程以及其在现代工程领域的地位。我们还将详细讲解可靠性理论中的概率论和数理统计基础，这是进行一切可靠性分析的基石。读者将学习到各种常用的概率分布（如指数分布、威布尔分布、正态分布等）及其在可靠性分析中的应用，以及如何进行数据分析和参数估计。 第二部分：电子设备可靠性设计 可靠性设计是实现高可靠性产品的关键。本部分将聚焦于如何在产品设计阶段将可靠性理念融入其中。我们将详细介绍多种可靠性设计方法，包括： 冗余设计： 深入分析串联、并联、混合冗余等不同冗余结构的工作原理，以及如何根据系统功能和失效模式选择最优的冗余策略。我们将通过具体的案例分析，阐述冗余设计在提升系统可用性和容错能力方面的显著优势。 应力-强度模型： 讲解如何通过分析元器件和系统的承受能力（强度）与工作环境和外部因素（应力）之间的关系，来预测和设计产品的可靠性。我们将介绍常用的应力分析方法，以及如何通过优化设计参数来减小应力，提升强度。 可靠性分配： 阐述如何将总的可靠性目标合理地分配给系统的各个子系统和元器件，以及如何考虑不同部件的重要性和复杂性。我们将介绍常用的可靠性分配方法，如等概率分配法、基于功率分配法等。 故障模式与影响及危害性分析 (FMECA)： 作为一种系统性的风险评估技术，FMECA旨在识别所有可能的失效模式、分析其对系统功能的影响，并评估其危害程度。我们将详细介绍FMECA的实施步骤，如何进行失效模式识别、影响分析和危害性排序，并在此基础上提出相应的预防和缓解措施。 设计 for Reliability (DFR) 原则： 总结并阐述贯穿整个设计过程的设计可靠性原则，包括选择高可靠性元器件、优化结构布局、考虑热管理、电磁兼容（EMC）等，以及如何避免设计中的潜在陷阱。 第三部分：电子元器件与材料的可靠性 电子设备的可靠性在很大程度上取决于其组成元器件和所用材料的可靠性。本部分将对电子元器件和材料的可靠性进行深入探讨。 常用电子元器件可靠性： 重点分析电阻、电容、电感、半导体器件（如二极管、三极管、集成电路等）、连接器、PCB等关键电子元器件的典型失效模式、影响因素（如工作电流、电压、温度、湿度、振动等）及其可靠性预测方法。 材料可靠性： 探讨材料的物理、化学和机械特性如何影响电子设备的可靠性。我们将分析金属、陶瓷、聚合物等材料在不同环境下的老化机制和失效行为，以及如何选择耐候性强、稳定性好的材料。 封装与互连可靠性： 深入研究电子元器件的封装技术和互连方式对可靠性的影响，如焊点可靠性、引线键合可靠性、PCB走线可靠性等，以及如何通过优化工艺和设计来提高封装和互连的可靠性。 第四部分：电子设备可靠性测试与评价 本部分将介绍各种用于评估和验证电子设备可靠性的测试方法和技术。 加速寿命试验 (ALT)： 详细阐述加速试验的原理，如何通过提高应力水平来缩短测试时间，并利用加速模型（如Arrhenius模型、Eyring模型、Weibull模型等）将加速试验结果外推到正常工作条件下的寿命。我们将介绍不同类型的加速试验，如恒定应力加速试验、步进应力加速试验等。 环境应力筛选 (ESS) / 寿命预置试验 (LPT)： 讲解ESS/LPT的目的、方法和实施步骤。我们将重点分析温度循环试验、高低温储存试验、湿热试验、振动试验、冲击试验、盐雾试验等典型环境试验，以及它们如何暴露和剔除早期失效的产品。 可靠性增长试验： 介绍在产品研发过程中，通过不断地试验、发现失效、进行改进，从而逐步提升产品可靠性的方法。我们将讲解可靠性增长模型的应用，如何量化可靠性增长的效果。 可靠性数据的分析与推断： 结合实际试验数据，介绍如何使用统计学方法进行可靠性数据的分析，包括数据拟合、参数估计、置信区间计算、假设检验等，以获得对产品可靠性的准确评估。 可靠性鉴定试验： 讲解如何根据相关标准和合同要求，设计和执行可靠性鉴定试验，以验证产品是否满足规定的可靠性指标。 第五部分：电子设备可靠性管理与维护 除了设计和测试，有效的可靠性管理和维护策略对于保障设备长期可靠运行同样至关重要。 可靠性管理体系： 介绍建立和实施有效的可靠性管理体系的重要性，包括可靠性目标的设定、可靠性计划的制定、可靠性资源的分配、可靠性指标的监控和汇报等。 失效模式与影响分析 (FMEA) 的持续改进： 强调FMEA不是一次性的工作，而是一个持续改进的过程，如何在产品生命周期的不同阶段更新和完善FMEA，并将其作为产品改进的依据。 维护与保障： 探讨预防性维护、预测性维护等维护策略在提高设备可用性和延长设备寿命方面的作用。我们将介绍一些先进的预测性维护技术，如基于状态监测和数据分析的维护方式。 可靠性数据收集与应用： 讲解如何建立有效的现场可靠性数据收集机制，并如何利用这些数据来评估产品在实际使用中的可靠性表现，为产品改进和设计优化提供宝贵的输入。 可靠性工程在产品全生命周期中的角色： 总结可靠性工程如何贯穿产品研发、生产、使用、维护和退役的全过程，以及如何实现跨部门协作，共同提升电子设备的整体可靠性水平。 三、 目标读者 本书适用于广泛的读者群体，包括但不限于： 电子工程师与产品设计师： 希望提升产品设计可靠性，避免设计缺陷的工程师。 可靠性工程师与质量工程师： 需要系统掌握可靠性理论、分析方法和测试技术的专业人员。 研发经理与项目经理： 负责产品开发和质量管理，需要了解并实施可靠性工程的领导者。 制造与生产管理人员： 关注生产过程中的质量控制和产品一致性的管理者。 航空航天、汽车、医疗设备、通信、国防等行业的从业人员： 这些行业对设备可靠性有着极高的要求。 相关专业的在校学生与研究人员： 希望深入学习电子设备可靠性理论和实践的学生及学者。 四、 学习收获 通过阅读和实践本书的内容，读者将能够： 深刻理解可靠性工程的价值与挑战。 熟练运用各种可靠性分析工具和统计方法。 掌握从源头提升产品可靠性的设计策略。 有效进行可靠性测试与评估，科学地评价产品可靠性。 建立健全的可靠性管理体系，实现产品全生命周期的可靠性保障。 在实际工作中，能够独立或协同团队解决电子设备可靠性相关的问题，最终交付更稳定、更长寿命、更高价值的产品。 本书力求理论与实践相结合，通过丰富的案例分析和图表展示，帮助读者更直观地理解和掌握可靠性工程的精髓。我们相信，这本书将成为您在电子设备可靠性领域不可或缺的参考指南。

评分☆☆☆☆☆

作为一名在半导体行业摸索多年的工程师，我对《半导体集成电路的可靠性及评价方法》这本书的书名有着天然的亲切感。可靠性，这个词在我们的日常工作中占据着举足轻重的地位。我非常好奇书中对于“评价方法”的论述会达到怎样的高度。它是否会深入探讨各种失效机理，例如热失效、电迁移、击穿等，并给出相应的量化模型？而对于评价方法本身，我期望它能涵盖从理论建模到实际测试的完整流程。书中是否会介绍一些前沿的可靠性测试技术，例如AI辅助的失效预测、高通量测试平台，亦或是针对新兴材料（如GaN、SiC）的特殊可靠性评估方法？我更关心的是，这本书是否能为我们提供一套系统性的、可落地的可靠性评估框架，帮助我们在产品设计、制造和应用的全生命周期中，有效管理和提升产品的可靠性。我期待这本书能够成为我们解决实际可靠性问题的有力工具。

评分☆☆☆☆☆

对于我这样一位在电子产品领域摸爬滚打多年的从业者来说，质量和稳定性是产品的生命线。《半导体集成电路的可靠性及评价方法》这个书名，无异于给我指明了一个亟需深耕的领域。我非常好奇书中对于“评价方法”的论述会有多详尽。是侧重于理论模型的推导，还是更偏向于实际的测试方案和标准？我个人更希望看到后者，比如关于加速寿命试验、环境应力筛选、失效模式分析（FMEA）、故障树分析（FTA）等方法的具体实施细节，以及如何根据不同的产品类型和应用场景来选择和组合这些方法。这本书是否能够提供一些实用的工具和软件推荐，帮助我们更高效地进行可靠性评估？同时，我也很想了解书中关于可靠性设计（Design for Reliability, DFR）的理念是如何与评价方法相结合的。毕竟，预防胜于治疗，在设计阶段就融入可靠性考量，远比事后补救更为有效。我期待这本书能为我们提供切实可行的指导，帮助我们在激烈的市场竞争中，交付更具竞争力的产品。

评分☆☆☆☆☆

这本书的封面设计非常吸引人，虽然我还没来得及深入阅读，但仅仅是书名《半导体集成电路的可靠性及评价方法》就勾起了我对这个专业领域的好奇心。通常，我们接触到的半导体信息更多停留在其功能、性能以及设计制造工艺的层面，而“可靠性”这个词，则触及了产品生命周期和实际应用的关键环节。我一直对电子产品为何会“坏掉”以及如何避免这种情况发生非常感兴趣。这本书似乎就是解决这个痛点的。它是否能够详细阐述那些导致集成电路失效的内在机制，比如材料缺陷、工艺偏差、电迁移、热应力等等？更重要的是，它能否提供一套系统的、可操作的评价方法？我期望书中能包含大量的案例分析，展示不同类型的集成电路在不同工作环境下可靠性表现的差异，以及相应的测试和验证流程。毕竟，理论的再完美，也需要实际数据的支撑。我尤其关注书中所介绍的评价方法是否具有前瞻性，能否应对未来更复杂、更微小、更高性能的集成电路挑战。

评分☆☆☆☆☆

我一直对电子元器件背后的科学原理感到着迷，而《半导体集成电路的可靠性及评价方法》这个书名，瞬间抓住了我的眼球。我好奇这本书是否能深入浅出地解释，为什么那些微小的硅片能够承载如此复杂的功能，又是什么原因让它们在长时间的运行中逐渐衰老，甚至失效。我特别关注书中是否会涉及半导体材料在不同应力下的物理化学变化，例如高低温循环、湿度、振动以及电应力对材料性能的影响。而且，“评价方法”这个部分，我期待它能揭示一些不为人知的技术秘密。它是否会介绍一些前沿的可靠性测试技术，比如基于人工智能的失效预测，或者非接触式的监测手段？我想了解，科学家和工程师们是如何通过精密的实验和分析，来量化一个集成电路的“寿命”，并预测其在真实应用中的表现。这本书是否能帮助我构建一个更全面的知识体系，让我能够更好地理解半导体产业的深度和广度？

评分☆☆☆☆☆

从一个普通消费者的角度来看，电子产品“用久了就不好使”是司空见惯的现象。《半导体集成电路的可靠性及评价方法》这本书，似乎给了我们一个深入了解这个现象的契机。我好奇这本书是否会用通俗易懂的语言，解释集成电路在日常使用中会经历哪些“磨损”？比如，手机经常发烫，是否会加速它的“衰老”？经常摔落，会对内部的芯片造成怎样的影响？我更感兴趣的是，那些生产厂商是如何确保我们手中的产品能够稳定可靠地工作一段时间的。书中提到的“评价方法”，是否意味着有一些严格的质量检测流程？我希望能读到一些关于产品上市前所经历的各种严苛测试的描述，比如模拟极端环境的实验室测试，以及一些用户在使用过程中可能遇到的典型失效场景的分析。如果这本书能让我对电子产品的可靠性有一个更清晰的认识，从而在选购产品时更有依据，那我将非常满足。

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实用的书

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速度快，服务好，书是正品

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很不错的书，就是案例再多一些就好了，对于工作帮助很大……

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一大波好书，留着慢慢赏。

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专业技术图书，非常不错。

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很好

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一个字：好！

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很好