半導體器件物理(第3版)(引進版權) (美)施敏,(美)伍國玨,耿莉,張瑞智 西安交通大學

半導體器件物理(第3版)(引進版權) (美)施敏,(美)伍國玨,耿莉,張瑞智 西安交通大學 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

[美] 施敏,[美] 伍國玨,耿莉,張瑞智 著
圖書標籤:
  • 半導體
  • 器件物理
  • 施敏
  • 伍國玨
  • 耿莉
  • 張瑞智
  • 西安交通大學
  • 物理學
  • 電子學
  • 高等教育
  • 教材
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店鋪: 傑城圖書專營店
齣版社: 西安交通大學齣版社
ISBN:9787560525969
商品編碼:11879898784
包裝:平裝
齣版時間:2008-06-01

具體描述

   圖書基本信息
圖書名稱 半導體器件物理(第3版)(引進版權) 作者 (美)施敏,(美)伍國玨,耿莉,張瑞智
定價 76.00元 齣版社 西安交通大學齣版社
ISBN 9787560525969 齣版日期 2008-06-01
字數 頁碼
版次 1 裝幀 平裝
開本 16開 商品重量 0.740Kg

   內容簡介
《半導體器件物理》這本經典著作在半導體器件領域已經樹立起瞭先進的學習和參考典範。此書的第3版保留瞭重要半導體器件的為詳盡的知識內容,並做瞭更新和重新組織,反映瞭當今器件在概念和性能等方麵的巨大進展,它可以使讀者快速地瞭解當今半導體物理和所有主要器件,如雙極、場效應、微波、光子器件和傳感器的性能特點。
本書專為研究生教材和參考所需設計,新版本包括:
以*進展進行瞭全麵更新;
包括瞭對三維MOSFET、MODFET、共振隧穿二極管、半導體傳感器、量子級聯激光器、單電子晶體管、實空間轉移器件等新型器件的敘述;
對內容進行瞭重新組織和安排;
各章後麵配備瞭習題;
重新高質量地製作瞭書中的所有插圖。
《半導體器件物理》(第3版)為工程師、研究人員、科技工作者、高校師生提供瞭解當今應用中為重要的半導體器件的基礎知識,對預測未來器件性能和局限性提供瞭良好的基礎。

   作者簡介
施敏,(s.M.SZE),獲斯坦福大學電氣工程專業博士學位,1963-1989年在貝爾實驗室工作,1990年起在颱灣新竹交通大學(NCTU)電子工程係任教,施敏博士現在為NCTU的講座教授和斯坦福大學的顧問教授,並擔任多所院校及研究機構的客座教授,他對半導體器件有著基礎性和先驅性的

   目錄
譯者序
前言
導言
第1部分 半導體物理
 第1章 半導體物理學和半導體性質概要
  1.1 引言
  1.2 晶體結構
  1.3 能帶和能隙
  1.4 熱平衡時的載流子濃度
  1.5 載流子輸運現象
  1.6 聲子、光學和熱特性
  1.7 異質結和納米結構
1.8 基本方程和實例
第2部分 器件的基本構件
 第2章 p-n結二極管
  2.1 引言
  2.2 耗盡區
  2.3 電流-電壓特性
  2.4 結擊穿
  2.5 瞬變特性與噪聲
  2.6 端功能
  2.7 異質結
 第3章 金屬-半導體接觸
  3.1 引言
  3.2 勢壘的形成
  3.3 電流輸運過程
  3.4 勢壘高度的測量
  3.5 器件結構
  3.6 歐姆接觸
 第4章 金屬-絕緣體-半導體電容
  4.1 引言
  4.2 理想MIS電容
  4.3 矽MOS電容
第3部分 晶體管
 第5章 雙極晶體管
  5.1 引言
  5.2 靜態特性
  5.3 微波特性
  5.4 相關器件結構
  5.5 異質結雙極晶體管
 第6章 MOS場效應晶體管
 6.1 引言
  6.2 器件的基本特性
  6.3 非均勻摻雜和埋溝器件
  6.4 器件按比例縮小和短溝道效應
  6.5 MOSFET的結構
  6.6 電路應用
  6.7 非揮發存儲器
  6.8 單電子晶體管
 第7章 JFET,MESFET和MODFET器件
  7.1 引言
  7.2 JFET和MODFET
  7.3 MODFET
第4部分 負阻器件和功率器件
 第8章 隧道器件
  8.1 引言
  8.2 隧道二極管
  8.3 相關的隧道器件
  8.4 共振遂穿二極管
 第9章 碰撞電離雪崩渡越時間二極管
 第10章 轉移電子器件和實空間轉移器件
 第11章 晶閘管和功率器件
第5部分 光學器件和傳感器
 第12章 發光二極管和半導體激光器
 第13章 光電探測器和太陽電池
 第14章 傳感器
附錄
A.符號錶
B.國際單位製
C.單位詞頭
D.希臘字母錶
E.物理常數
F.重要半導體的特性
G.Si和GaAs的特性
H.SiO2和Si3N4的特性

   編輯推薦

   文摘

   序言






《半導體器件物理(第3版)》 作者: (美) 施敏 (S. M. Sze), (美) 伍國玨 (G. W. Neudeck), 耿莉, 張瑞智 齣版社: 西安交通大學齣版社 圖書簡介: 《半導體器件物理(第3版)》是一本深入探討半導體材料特性、器件原理、結構設計、性能分析及製造工藝的權威性著作。本書以清晰的邏輯、嚴謹的論證和豐富的實例,為讀者構建瞭紮實的半導體器件理論基礎,是高等院校電子科學與技術、微電子學、物理學等相關專業師生的理想教材,也是半導體行業研發人員、工程師及技術愛好者的寶貴參考書。 核心內容概述: 本書的理論體係建立在量子力學、固體物理學和電磁學的基礎上,從微觀的能帶理論齣發,循序漸進地闡述瞭各種半導體材料的電學、光學和熱學特性。隨後,將這些基本物理概念應用於分析和理解各類半導體器件的工作原理。 關鍵章節與知識點: 第一部分:半導體基礎 晶體結構與鍵閤: 詳細介紹半導體的晶體結構,如金剛石立方和閃鋅礦結構,以及原子間的共價鍵閤,為理解材料的宏觀性質奠定基礎。 能帶理論: 深入講解能帶的形成、電子和空穴的概念、有效質量、費米能級等核心概念。通過對不同材料(如矽、鍺、砷化鎵)能帶結構的分析,解釋其導電特性的差異。 載流子統計: 闡述在不同溫度和摻雜濃度下,導帶和價帶中電子和空穴的分布,以及如何計算自由載流子的濃度。 導電機製: 詳細分析半導體中的載流子輸運過程,包括漂移和擴散,以及它們如何導緻電流的産生。重點討論瞭霍爾效應及其在測量載流子濃度和遷移率中的應用。 雜質半導體: 深入講解摻雜對半導體性能的影響,包括本徵半導體和外延半導體的區彆,以及n型和p型半導體的形成。 第二部分:PN結與二極管 PN結的形成與能帶圖: 詳細分析PN結的形成過程,包括擴散和復閤,以及PN結的平衡狀態和費米能級。通過能帶圖直觀地展示PN結的電勢壘。 PN結的伏安特性: 詳細推導PN結的正嚮偏壓和反嚮偏壓下的電流方程,解釋其非綫性伏安特性。 PN結的擊穿現象: 分析雪崩擊穿和齊納擊穿的物理機製,以及它們在器件設計中的重要性。 各種類型的二極管: 深入介紹不同類型的二極管,如整流二極管、穩壓二極管(齊納管)、變容二極管、PIN二極管、肖特基二極管等,分析它們的結構、工作原理、特性麯綫和應用領域。 第三部分:雙極型晶體管(BJT) BJT的結構與工作原理: 詳細介紹NPN和PNP結構雙極型晶體管的構造,以及基區、集電區和發射區的摻雜特性。 BJT的放大作用: 深入分析BJT在共射、共集和共基三種組態下的放大原理,包括電流增益和電壓增益。 BJT的特性麯綫與偏置: 繪製BJT的輸入特性麯綫、輸齣特性麯綫和轉移特性麯綫,並講解不同偏置方式對BJT工作狀態的影響。 BJT的開關特性: 分析BJT在開關電路中的截止、飽和和放大區特性,以及其在數字電路中的應用。 第四部分:場效應晶體管(FET) JFET的結構與原理: 詳細介紹結型場效應晶體管(JFET)的P溝道和N溝道結構,以及柵極電壓對溝道導電性的控製作用。 MOSFET的結構與原理: 深入分析金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)的NMOS和PMOS結構,包括閾值電壓、跨導等關鍵參數,以及其增強型和耗盡型工作模式。 MOSFET的特性麯綫: 繪製MOSFET的輸齣特性麯綫和轉移特性麯綫,分析其在放大和開關電路中的應用。 CMOS器件: 重點介紹互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術,分析其低功耗和高集成度的優勢,以及CMOS反相器、多路選擇器等基本邏輯門電路的工作原理。 第五部分:光電器件 光電效應: 介紹半導體中的光電效應,包括光吸收、載流子産生和復閤。 光電器件的種類與原理: 詳細分析光電二極管、光電晶體管、發光二極管(LED)、有機發光二極管(OLED)和半導體激光器等器件的工作原理、結構特點和性能指標。 太陽能電池: 深入探討太陽能電池的工作原理,分析其光電轉換效率的影響因素。 第六部分:器件的製造工藝 半導體材料的製備: 介紹矽單晶的生長技術(如直拉法、區熔法),以及其他化閤物半導體材料的製備方法。 摻雜技術: 詳細闡述擴散、離子注入等摻雜技術,以及它們在精確控製摻雜濃度方麵的作用。 氧化與光刻: 深入介紹熱氧化、化學氣相沉積(CVD)等薄膜沉積技術,以及光刻技術在圖形轉移中的關鍵作用。 刻蝕技術: 講解濕法刻蝕和乾法刻蝕(如等離子體刻蝕)的工作原理及其在器件加工中的應用。 金屬化與封裝: 介紹薄膜的金屬化技術,以及半導體器件的封裝工藝,以保護器件並實現電氣連接。 第七部分:器件的可靠性與高級主題 器件的可靠性: 分析影響半導體器件可靠性的各種因素,如熱應力、電應力、輻射效應等,並介紹提高器件可靠性的方法。 新興器件: 簡要介紹一些前沿的半導體器件,如MEMS器件、量子點器件、憶阻器等,展望未來的發展趨勢。 本書的特點: 1. 理論深度與廣度並存: 緊密結閤物理學和電子工程學原理,深入剖析半導體器件的微觀機理,同時涵蓋瞭從基礎到高級的各類器件。 2. 內容更新與時俱進: 第三版在原有基礎上,對內容進行瞭更新和補充,納入瞭近年來半導體領域的重要進展,例如對CMOS技術、光電器件的深入探討,以及對新興器件的介紹。 3. 清晰的闡述風格: 作者采用清晰、邏輯性強的語言,配閤大量的插圖、圖錶和公式,使得復雜的概念易於理解。 4. 豐富的工程實例: 書中穿插瞭大量的工程實例和應用場景,幫助讀者將理論知識與實際應用相結閤。 5. 國際化視野: 作為引進版權的作品,本書融閤瞭國際先進的教學理念和研究成果,為國內半導體教育和研究提供瞭寶貴的藉鑒。 閱讀本書將幫助讀者: 掌握半導體材料的基本物理性質。 理解 PN 結、二極管、 BJT、 MOSFET 等基本半導體器件的工作原理。 分析和設計簡單的半導體電路。 瞭解半導體器件的製造工藝流程。 認識半導體技術在現代電子産品中的核心地位。 《半導體器件物理(第3版)》是一部集科學性、係統性、實用性於一體的經典之作,對於希望在半導體領域深造或從事相關工作的讀者而言,無疑是開啓知識之門的鑰匙。

用戶評價

評分

哇,拿到這本《半導體器件物理(第3版)》的引進版,真的是太激動瞭!我一直對半導體領域非常著迷,從最基礎的PN結到復雜的MOSFET,我都想深入瞭解。這本書的名字本身就非常有吸引力,"半導體器件物理",聽起來就充滿瞭深度和嚴謹性。而且還是施敏和伍國玨兩位大師的著作,這質量肯定有保障。我之前也看過一些半導體的入門書籍,但總覺得不夠深入,很多細節的地方還是有點模糊。這次引進引進版,感覺就像是把最前沿、最權威的知識直接帶到瞭我們麵前,太難得瞭。我最期待的就是它能夠清晰地解釋各種器件的工作原理,特彆是那些我一直覺得難以理解的部分,比如量子效應在器件中的體現,以及如何通過材料選擇和結構設計來優化器件性能。我希望這本書能讓我明白,為什麼同樣的材料,做齣不同的結構,性能會有天壤之彆。而且,聽說這本書的案例分析也很豐富,我特彆想看看那些經典的半導體器件,比如BJT、FET,在作者的筆下是如何被剖析得淋灕盡緻的。這不僅僅是一本書,更像是一扇通往半導體世界的神奇大門,我迫不及待地想踏進去,去探索那微觀世界的奇妙。我希望這本書能夠給我帶來一種“豁然開朗”的感覺,讓那些曾經睏擾我的難題迎刃而解。

評分

最近我一直在關注一些關於人工智能和機器學習的最新發展,我發現很多突破性的進展都離不開高性能的計算硬件,而這些硬件的核心就是先進的半導體器件。因此,我對《半導體器件物理(第3版)》這本書産生瞭濃厚的興趣。我希望這本書能夠詳細介紹當前主流的半導體器件,比如CMOS、FinFET、以及新興的納米器件,並深入分析它們的設計理念和性能優勢。特彆是我對存儲器器件,如DRAM、NAND Flash等,一直感到非常好奇,我希望這本書能夠揭示它們的工作原理以及未來發展的方嚮。而且,隨著AI算力的爆炸式增長,對低功耗、高性能半導體器件的需求也越來越迫切,我希望書中能夠探討如何通過物理層麵的優化來滿足這些需求。我期待這本書能夠為我提供一個清晰的視角,讓我理解半導體器件是如何驅動著人工智能等前沿技術的發展,並為我學習和研究相關領域提供堅實的理論基礎。這本書就像是連接瞭物理世界和數字世界的橋梁,我希望能通過它,更深入地理解這個由微小晶體管構建的龐大數字帝國。

評分

作為一個在半導體行業摸爬滾打瞭多年的工程師,我深知理論知識的重要性,尤其是在麵對日益復雜和精密的器件時。所以,當我得知《半導體器件物理(第3版)》這本書被引進的時候,我立刻引起瞭我的高度關注。我一直認為,技術的發展往往是建立在紮實的物理原理之上的,而這本書恰好填補瞭這方麵的空白。我非常期待書中對各種器件物理機製的深入剖析,例如載流子輸運、勢壘形成、量子隧穿效應等,這些都是影響器件性能的關鍵因素。我希望它能提供一些數學模型和仿真工具的介紹,幫助我們更好地理解和預測器件的行為。而且,我一直對新一代半導體器件,比如IGBT、GaN器件等,非常感興趣,希望這本書能夠對這些器件的發展趨勢和關鍵技術有深入的探討。我希望通過閱讀這本書,能夠更新自己的知識體係,掌握最新的技術動態,並在實際工作中能夠運用這些知識解決更具挑戰性的問題。這本書對我而言,不僅僅是一次學習的機會,更是一次與大師對話、拓展技術視野的寶貴契機。

評分

我是一名即將步入大學的工科新生,對電子工程專業充滿瞭好奇和憧憬。在選擇入門書籍的時候,我聽學長學姐推薦瞭好幾本,其中《半導體器件物理(第3版)》這本書讓我印象特彆深刻。它不僅是經典教材,而且是引進版權,這意味著它融閤瞭國際上最先進的教學理念和研究成果。我希望這本書能夠為我打下堅實的基礎,讓我對半導體器件有一個全麵而深刻的認識。我特彆期待書中關於半導體材料的晶體結構、能帶理論的講解,這些都是理解器件工作原理的基石。同時,我也希望它能詳細介紹各種基本半導體器件,比如二極管、三極管、場效應管等,並深入剖析它們的結構、工作特性以及應用。如果書中能有一些實際的例子或者實驗演示,那就更棒瞭,這樣可以幫助我更好地將理論與實踐結閤起來。我希望這本書能夠激發我對半導體領域的學習興趣,讓我看到這個領域廣闊的發展前景和無限的創新可能。這本書不僅僅是一本教科書,更像是一位經驗豐富的老師,指引我在半導體科學的海洋中揚帆起航。

評分

作為一名對前沿技術充滿好奇的讀者,我一直密切關注著量子計算、5G通信、物聯網等領域的最新動態。我瞭解到,這些領域的發展都離不開高性能的半導體器件。《半導體器件物理(第3版)》這本書,為我提供瞭一個深入瞭解這些技術背後的科學原理的絕佳機會。我希望書中能夠介紹一些前沿的半導體器件,比如量子點、單電子晶體管等,並探討它們在未來科技發展中的潛在應用。我期待書中能夠深入剖析這些新型器件的工作機製,以及如何通過量子力學等原理來實現更強大的計算和通信能力。我希望能夠理解,半導體技術是如何為量子計算提供硬件基礎,如何支持5G通信的超高速度,以及如何賦能海量物聯網設備的互聯互通。我希望通過閱讀這本書,能夠對未來的科技發展趨勢有一個更清晰的認識,並為我未來在這個領域的學習和探索做好準備。這本書就像是連接瞭現實世界和未來科技的橋梁,我希望能通過它,提前窺探到未來世界的無限可能。

評分

我最近在搗鼓一些小型的電子項目,雖然已經有瞭一些實踐經驗,但總感覺理論功底不夠紮實,很多時候都是在摸索和試錯。這次看到《半導體器件物理(第3版)》這本書,簡直就是及時雨!我一直想找一本既有理論深度,又能指導實踐的書。聽說這本書的作者是行業內的頂尖專傢,他們的研究成果享譽國際,所以這本書的內容肯定非常權威和前沿。我特彆想學習書中關於不同半導體材料特性的分析,比如矽、鍺、砷化鎵等,它們各自的優缺點以及在不同應用場景下的選擇依據。還有,我一直對半導體器件的製造工藝很感興趣,雖然書名是“物理”,但我希望它也能涉及到一些關鍵的製造過程,讓我瞭解一個器件是如何從無到有、一步步被製造齣來的。特彆是微納加工技術,那簡直是工程的奇跡!我希望這本書能夠提供一些清晰的圖示和模型,幫助我理解那些抽象的物理概念。我期待通過閱讀這本書,能夠提升自己的理論認知,從而在未來的項目設計中更加得心應手,避免不必要的彎路。畢竟,紮實的理論基礎是創新和突破的關鍵。

評分

我是一名對電子産品拆解和DIY有濃厚興趣的愛好者,我總喜歡把各種電子設備拆開,看看裏麵都是些什麼。但是,很多時候我隻能看到各種芯片和元器件,但並不理解它們到底是如何工作的。《半導體器件物理(第3版)》這本書,正是我想深入瞭解的領域。我希望書中能夠詳細介紹各種電子元器件的內部結構和工作原理,比如晶體管是怎麼放大信號的,二極管是怎麼控製電流方嚮的。我希望能夠通過這本書,把那些我拆下來的芯片,從一個陌生的方塊,變成我能夠理解的、有生命力的電子大腦。我尤其希望書中能夠介紹一些常見的半導體器件,比如CPU、內存芯片等,它們的內部構造和工作原理。如果書中能提供一些關於元器件選型和應用的建議,那就更完美瞭,這樣我就可以在自己的DIY項目中,更加自信地選擇和搭配元器件。這本書對我來說,不僅僅是一本學習資料,更像是一本“電子器械解剖學”的聖經,讓我能夠更深刻地理解我熱愛的電子世界的奧秘。

評分

我是一名對新能源和可持續發展非常關注的讀者,我瞭解到半導體技術在太陽能電池、LED照明、電動汽車等領域發揮著至關重要的作用。因此,《半導體器件物理(第3版)》這本書,對我來說具有特殊的意義。我希望書中能夠重點介紹與新能源相關的半導體器件,比如太陽能電池的PN結原理、LED的發光機製、以及功率半導體器件在電動汽車中的應用。我希望能夠瞭解,是如何通過半導體技術,將光能轉化為電能,或者將電能高效地轉化為光能。我期待書中能夠探討如何通過改進半導體器件的性能,來提高能源的轉化效率,降低能耗,從而為實現可持續發展做齣貢獻。我希望通過閱讀這本書,能夠更深入地理解半導體技術在新能源領域的應用前景,並為我未來在這個方嚮上的學習和研究提供啓示。這本書就像是一把鑰匙,能夠打開通往綠色能源世界的大門,讓我看到科技如何為我們的地球帶來更美好的未來。

評分

我是一名對科學史和技術發展史非常著迷的讀者,我喜歡追溯一項項偉大發明是如何誕生的。《半導體器件物理(第3版)》這本書,無疑是20世紀最偉大的科技突破之一——半導體技術的基石。我希望這本書能夠不僅僅講解技術本身,還能穿插一些關於半導體技術發展曆程的故事,比如晶體管的發明、集成電路的誕生等等。我希望能夠瞭解到,在這些偉大的發明背後,有哪些科學傢的智慧和努力,以及他們是如何剋服重重睏難,最終取得成功的。我期待書中能夠詳細介紹早期半導體器件的設計和製造過程,以及它們是如何一步步演進到今天如此精密和復雜的程度。我希望通過閱讀這本書,能夠更深刻地理解半導體技術對現代社會産生的顛覆性影響,以及它如何改變瞭我們的生活方式。這本書對我來說,就像是一部生動的科技史,讓我能夠穿越時空,去親曆半導體技術從萌芽到繁榮的波瀾壯闊的曆程。

評分

我是一名對科學技術充滿熱情的高中生,平時喜歡閱讀一些科普讀物,但總覺得對一些核心的科學原理還不夠深入。《半導體器件物理(第3版)》這本書,雖然名字聽起來有些專業,但我相信它能夠帶我進入一個全新的科學領域。我希望這本書能夠用通俗易懂的語言,解釋半導體材料的奇妙特性,比如為什麼有些材料導電,有些不導電,以及如何通過摻雜來改變它們的導電性。我特彆好奇二極管和三極管是如何工作的,它們在我們的電子設備中扮演著怎樣的角色。如果書中能夠配有一些有趣的實驗或者類比,那就更好瞭,這樣我就可以在腦海中構建齣它們的模型,更容易理解。我希望通過這本書,能夠激發我對物理和工程學的興趣,為我未來選擇大學專業打下一定的基礎。我希望這本書能夠像一盞明燈,照亮我在科學探索道路上的方嚮,讓我看到微觀世界裏隱藏的巨大能量和無限可能。

評分

書內容很好

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上課書本,跳躍性很大,不適閤沒有基礎的學生。

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此用戶未填寫評價內容

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是今年新印刷的書,內容有一定深度,適閤有一定基礎的人看

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快遞太慢瞭

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快遞太慢瞭

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服務是真的差。。

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書是正版,紙質很好

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