CMOS集成电路设计手册（第3版·基础篇） pdf epub mobi txt 电子书 下载 2025

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[美] R.，Jacob Baker 著，张徐亮，张雅丽，朱万经 译

图书标签:

• CMOS
• 集成电路
• 设计
• 模拟电路
• 数字电路
• VLSI
• 半导体
• 电子工程
• 微电子学
• 工艺

出版社： 人民邮电出版社

ISBN：9787115337726

版次：01

商品编码：11405682

包装：平装

开本：16开

出版时间：2014-02-01

用纸：胶版纸

页数：342

正文语种：中文

内容简介

　　《CMOS集成电路设计手册》讨论了CMOS电路设计的工艺、设计流程、EDA工具手段以及数字、模拟集成电路设计，并给出了一些相关设计实例，内容介绍由浅入深。该著作涵盖了从模型到器件，从电路到系统的全面内容，是一本综合的CMOS电路设计的工具书及参考书。
　　《CMOS集成电路设计手册》英文原版书是作者近30年教学、科研经验的结晶，是CMOS集成电路设计领域的一本力作。《CMOS集成电路设计手册》已经过两次修订，目前为第3版，内容较第2版有了改进，补充了CMOS电路设计领域的一些新知识，使得本书较前一版内容更加详实。
　　为了方便读者有选择性地学习，此次将《CMOS集成电路设计手册》分成3册出版，分别为基础篇、数字电路篇和模拟电路篇。本书作为基础篇，介绍了CMOS电路设计的工艺及基本电参数知识。本书可以作为CMOS基础知识的重要参考书，对工程师、科研人员及高校师生都有着较为重要的参考意义。

作者简介

R. Jacob (Jake) Baker是一位工程师、教育家以及发明家。他有超过20年的工程经验并在集成电路设计领域拥有超过200项的专利（包括正在申请中的）。Jake也是多本电路设计图书的作者。

内页插图

目录

目　录

第1章　CMOS设计概述　1
1．1　CMOS集成电路的设计流程　1
制造　2
1．2　CMOS背景　6
1．3　SPICE概述　8

第2章　阱　33
2．1　图形转移　34
n阱的图形转移　37
2．2　n阱版图设计　37
n阱的设计规则　38
2．3　电阻值计算　39
n阱电阻　40
2．4　n阱/衬底二极管　41
2．4．1　PN结物理学简介　41
2．4．2　耗尽层电容　45
2．4．3　存储或扩散电容　47
2．4．4　SPICE建模　49
2．5　n阱的RC延迟　51
2．6　双阱工艺　54

第3章　金属层　61
3．1　焊盘　61
焊盘版图设计　61
3．2　金属层的版图设计　64
3．2．1　metal1和via1　64
3．2．2　金属层的寄生效应　66
3．2．3　载流极限　69
3．2．4　金属层设计规则　70
3．2．5　触点电阻　71
3．3　串扰和地弹　72
3．3．1　串扰　72
3．3．2　地弹　73
3．4　版图举例　75
3．4．1　焊盘版图II　76
3．4．2　金属层测试结构版图设计　78

第4章　有源层和多晶硅层　83
4．1　使用有源层和多晶硅层进行版图设计　83
工艺流程　89
4．2　导线与多晶硅层和有源层的连接　92
4．3　静电放电(ESD)保护　100

第5章　电阻、电容、MOSFET　105
5．1　电阻　105
5．2　电容　113
5．3　MOSFET　116
5．4　版图实例　124

第6章　MOSFET工作原理　131
6．1　MOSFET的电容回顾　131
6．2　阈值电压　135
6．3　MOSFET的IV特性　140
6．3．1　工作在线性区的MOSFET　140
6．3．2　饱和区　142
6．4　MOSFET的SPICE模型　145
6．4．1　SPICE仿真实例　149
6．4．2　亚阈值电流　150
6．5　短沟道MOSFET　152
6．5．1　MOSFET缩比　153
6．5．2　短沟道效应　154
6．5．3　短沟道CMOS工艺的SPICE模型　155

第7章　CMOS制备　165
7．1　CMOS单元工艺步骤　165
7．1．1　晶圆的制造　165
7．1．2　热氧化　167
7．1．3　掺杂工艺　168
7．1．4　光刻　171
7．1．5　薄膜去除　174
7．1．6　薄膜沉积　177
7．2　CMOS工艺集成　181
7．2．1　前道工艺集成　183
7．2．2　后道工艺集成　202
7．3　后端工艺　213
7．4　总结　215

第8章　电噪声概述　217
8．1　信号　217
8．1．1　功率和能量　217
8．1．2　功率谱密度　219
8．2　电路噪声　222
8．2．1　电路噪声的计算和建模　223
8．2．2　热噪声　228
8．2．3　信噪比　234
8．2．4　散粒噪声　247
8．2．5　闪烁噪声　250
8．2．6　其他噪声源　257
8．3　讨论　259
8．3．1　相关性　259
8．3．2　噪声与反馈　264
8．3．3　有关符号的一些最后说明　267

第9章　模拟设计模型　275
9．1　长沟道MOSFET　275
9．1．1　平方律方程　277
9．1．2　小信号模型　284
9．1．3　温度效应　300
9．2　短沟道MOSFET　304
9．2．1　通用设计(起始点)　304
9．2．2　专用设计(讨论)　308
9．3　MOSFET噪声模型　310

第10章　数字设计模型　319
10．1　数字MOSFET模型　320
10．1．1　电容效应　323
10．1．2　工艺特征时间常数　324
10．1．3　延迟时间与跃迁时间　325
10．1．4　通用数字设计　328
10．2　MOSFET单管传输门电路　329
10．2．1　单管传输门的延迟时间　331
10．2．2　级联的单管传输门的延迟时间　333
10．3　关于测量的最后说明　334

附录　339

前言/序言

《CMOS集成电路设计手册（第3版·基础篇）》 前言 在信息技术日新月异的今天，集成电路（IC）作为现代电子系统的核心，其设计与制造水平直接关系到科技发展的脉搏。CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）技术因其低功耗、高集成度和良好的性能，已成为数字集成电路设计的主流工艺。本书，《CMOS集成电路设计手册（第3版·基础篇）》，旨在为读者构建坚实的CMOS集成电路设计基础，引领大家进入数字设计领域的大门。 本手册并非对已有知识的简单堆砌，而是力求将复杂的CMOS设计概念，以清晰、系统、循序渐进的方式呈现。我们将从最基本的MOS晶体管原理讲起，逐步深入到数字逻辑门电路的实现，再到更复杂的组合逻辑和时序逻辑电路的设计。全书涵盖了数字集成电路设计中的核心要素，为读者提供一个扎实的理论框架和实用的设计方法。 本书的编写参考了大量国内外最新的CMOS技术进展和设计实践，并结合了教学和工程应用中的经验。我们注重概念的深度理解，而非 superficial 的罗列。通过大量的图示、表格和精心设计的例子，帮助读者直观地理解抽象的设计原理。同时，本书也强调了设计中的实际考量，例如功耗、速度、面积以及可靠性等关键因素，为读者未来的实际设计工作打下坚实的基础。 本书内容概述 第一部分：CMOS器件基础与模型 本部分将为读者揭开CMOS技术的核心——MOS晶体管的神秘面纱。我们将从半导体物理的基础知识开始，深入讲解PN结的形成与特性，以及场效应的原理。 1.1 半导体基础 1.1.1 导电原理： 深入探讨本征半导体和杂质半导体的导电机制，理解自由载流子（电子和空穴）的角色。 1.1.2 PN结： 详细解析PN结的形成过程，包括载流子扩散、空间电荷区、内建电势等关键概念。分析PN结在正向偏压和反向偏压下的行为，理解其整流特性。 1.1.3 MOS结构： 介绍 the fundamental Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) structure。讲解绝缘层（通常是SiO₂）在MOS器件中的作用，以及金属栅电极、氧化层和半导体衬底之间的电容特性。 1.2 MOS晶体管（MOSFET） 1.2.1 nMOSFET的工作原理： 详细阐述n型金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）的工作原理。从其结构（源极、漏极、栅极、衬底）入手，讲解在不同栅-源电压（Vgs）和漏-源电压（Vds）下的工作状态：截止区、线性区（欧姆区）和饱和区。重点解析阈值电压（Vt）的意义及其影响因素。 1.2.2 pMOSFET的工作原理： 类似地，详细介绍p型金属氧化物半导体场效应晶体管（pMOSFET）的工作原理。理解pMOSFET的结构与nMOSFET的对称性，以及其工作模式。 1.2.3 迁移率退化与短沟道效应： 引入MOSFET在实际应用中会遇到的非理想效应。讲解在强反型层中的载流子迁移率下降现象（迁移率退化），以及随着沟道长度减小，栅电压对漏极电流的控制能力减弱的短沟道效应。这些效应对于准确预测和优化电路性能至关重要。 1.2.4 SPICE模型简介： 简要介绍SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）等电路仿真软件中常用的MOSFET模型，以及这些模型如何描述晶体管的电气特性，为后续的电路仿真和分析奠定基础。 第二部分：CMOS基本逻辑门电路设计 在掌握了MOS晶体管的基本原理后，本部分将聚焦于如何利用这些基本器件构建出最基础的数字逻辑门电路。 2.1 CMOS反相器（Inverter） 2.1.1 CMOS反相器结构与工作原理： 详细解析由一个pMOS和A一个nMOS晶体管组成的CMOS反相器。理解当输入为高电平（VDD）和低电平（GND）时，反相器如何实现逻辑“0”到逻辑“1”以及逻辑“1”到逻辑“0”的翻转。 2.1.2 噪声容限（Noise Margin）： 深入探讨CMOS反相器的噪声容限。定义高电平噪声容限（NMH）和低电平噪声容限（NML），并解释其在电路可靠性中的重要性。 2.1.3 传播延迟（Propagation Delay）： 分析CMOS反相器的传播延迟，即信号从输入端变化到输出端变化所需的时间。讲解影响传播延迟的因素，如负载电容、驱动电流等。 2.1.4 功耗分析： 细致分析CMOS反相器的功耗。区分动态功耗（与开关活动和频率相关）和静态功耗（主要是漏电流导致）。强调CMOS技术在功耗方面的优势。 2.2 CMOS基本逻辑门：NAND门与NOR门 2.2.1 CMOS NAND门设计： 介绍CMOS NAND门的设计。分析其结构，即多个pMOS串联与多个nMOS并联的组合。理解其逻辑功能，即只有当所有输入均为高电平时，输出才为低电平。 2.2.2 CMOS NOR门设计： 介绍CMOS NOR门的设计。分析其结构，即多个pMOS并联与多个nMOS串联的组合。理解其逻辑功能，即只要有任何一个输入为高电平，输出就为低电平。 2.3 通用门与设计规则 2.3.1 通用门（Transmission Gate）及其应用： 介绍传输门（Transmission Gate）这一重要的CMOS电路单元。讲解其由一个pMOS和一个nMOS并联，并由互补的控制信号驱动。分析传输门在构建更复杂逻辑功能时的灵活性和效率。 2.3.2 逻辑门的设计规则： 总结CMOS逻辑门设计的通用规则和考虑因素。包括晶体管的尺寸选择（宽长比W/L）、输入输出的扇入扇出（Fan-in/Fan-out）限制，以及如何确保逻辑功能的正确性和性能的优化。 第三部分：组合逻辑电路设计 本部分将在此基础上，进一步探索如何设计和实现更复杂的组合逻辑电路，这些电路的输出仅取决于当前的输入状态。 3.1 组合逻辑电路的基本概念 3.1.1 定义与特性： 明确组合逻辑电路的定义，强调其无记忆性，输出仅由当前输入决定，不受历史输入影响。 3.1.2 卡诺图（Karnaugh Map）与布尔代数简化： 介绍使用卡诺图和布尔代数来简化逻辑表达式，从而减少电路的复杂度和器件数量。 3.2 常见组合逻辑电路模块 3.2.1 译码器（Decoder）： 讲解译码器的功能，即根据n个输入选择2^n个输出中的一个。分析不同规模的译码器（如2-to-4译码器, 3-to-8译码器）的CMOS实现。 3.2.2 编码器（Encoder）： 讲解编码器的功能，与译码器功能相反，将多个输入信号映射到一个较少的输出线。介绍优先级编码器等类型。 3.2.3 多路选择器（Multiplexer, MUX）： 详细介绍多路选择器的功能，即根据选择信号从多个数据输入中选择一个输出。分析不同宽度（如4-to-1 MUX, 8-to-1 MUX）的CMOS实现。 3.2.4 分路器（Demultiplexer, DEMUX）： 介绍分路器的功能，即根据选择信号将一个数据输入分配给多个输出中的一个。 3.3 加法器与减法器 3.3.1 半加器与全加器： 深入讲解半加器和全加器的逻辑功能和CMOS实现。理解它们如何实现二进制数的加法运算。 3.3.2 串行加法器与并行加法器： 介绍串行加法器和并行加法器的工作原理和结构区别。分析并行加法器（如行波进位加法器RCA）的CMOS实现，以及其性能特点。 3.3.3 减法器： 讲解如何利用加法器和逻辑门实现二进制减法运算，例如通过对减数取反加一（补码）来实现。 第四部分：时序逻辑电路设计 与组合逻辑电路不同，时序逻辑电路具有记忆功能，其输出不仅取决于当前输入，还可能取决于过去的输入序列。本部分将介绍构建时序逻辑电路的基本单元。 4.1 时序逻辑电路的基本概念 4.1.1 定义与特点： 明确时序逻辑电路的定义，强调其引入时钟信号和状态存储的概念。 4.1.2 状态图与状态表： 介绍如何使用状态图和状态表来描述和设计时序逻辑电路的行为。 4.2 触发器（Flip-Flop） 4.2.1 SR触发器： 从最简单的SR触发器开始，介绍其基本结构和工作原理。讲解set（S）和reset（R）输入如何控制触发器的状态。 4.2.2 D触发器： 详细介绍D触发器（Data Flip-Flop），这是最常用的触发器之一。讲解其如何存储输入数据（D）并在时钟上升沿或下降沿将其锁存到输出端。分析静态D触发器和动态D触发器的CMOS实现。 4.2.3 JK触发器与T触发器： 介绍JK触发器和T触发器（Toggle Flip-Flop）的功能和应用。讲解如何从D触发器或其他基本触发器构建JK和T触发器。 4.2.4 主从触发器（Master-Slave Flip-Flop）： 讲解主从触发器的结构，如何避免亚稳态问题，以及其在同步时序电路设计中的重要性。 4.3 寄存器（Register） 4.3.1 移位寄存器： 介绍移位寄存器的功能，即数据可以在其中向左或向右移动。讲解不同类型的移位寄存器（SISO, SIPO, PISO, PIPO）的CMOS实现。 4.3.2 并行加载寄存器： 介绍带有并行加载功能的寄存器，能够快速将并行数据加载到寄存器中。 4.4 计数器（Counter） 4.4.1 同步计数器： 讲解同步计数器的设计，其中所有触发器同时接收时钟信号，并且翻转状态是同时发生的。分析二进制同步计数器的CMOS实现。 4.4.2 异步计数器（Ripple Counter）： 介绍异步计数器的设计，其中触发器的输出作为下一个触发器的时钟信号，造成状态翻转的“涟漪”效应。分析异步计数器的原理和局限性。 4.4.3 设计任意模计数器： 探讨如何设计任意模数的计数器，例如模10计数器（BCD计数器），以满足特定应用的需求。 第五部分：时钟信号与同步设计 在复杂的数字系统中，时钟信号扮演着至关重要的角色，它协调着各个电路单元的工作，确保整个系统的同步运行。 5.1 时钟信号的生成与分配 5.1.1 振荡器（Oscillator）基础： 简要介绍时钟信号的来源，如基于RC、LC或晶体的振荡器电路。 5.1.2 时钟缓冲器（Clock Buffer）与扇出： 讲解在大型集成电路中，如何使用时钟缓冲器来驱动大量的时序电路单元，确保时钟信号的完整性和同步性。 5.1.3 时钟抖动（Jitter）与占空比（Duty Cycle）： 分析时钟信号的质量问题，如时钟抖动（时钟信号的到达时间变化）和占空比（高电平与周期之比），以及它们对电路性能的影响。 5.2 同步设计原则 5.2.1 建立时间（Setup Time）与保持时间（Hold Time）： 详细解释时序逻辑电路中数据输入端和时钟信号之间的关键时序要求。建立时间是指数据在时钟有效沿到来之前必须保持稳定的时间；保持时间是指数据在时钟有效沿到来之后必须保持稳定的时间。 5.2.2 亚稳态（Metastability）及其规避： 深入探讨在异步信号进入同步系统时可能发生的亚稳态现象，即触发器进入一种不确定的中间状态，并分析规避亚稳态的设计方法。 5.2.3 同步FIFO（First-In, First-Out）： 介绍同步FIFO在不同时钟域之间数据传输时的应用，以及如何通过组合逻辑和时序逻辑实现数据的可靠传递。 第六部分：CMOS电路的版图设计基础 本部分将从更实际的层面，介绍CMOS集成电路的版图设计基础，理解电路结构如何在芯片上实际布局。 6.1 制造工艺简介 6.1.1 晶圆与晶格： 简要介绍硅晶圆作为半导体制造的基底，以及晶格结构对半导体性能的影响。 6.1.2 光刻（Photolithography）工艺： 概述光刻作为IC制造中最关键的工艺步骤，如何通过光刻将电路图案转移到晶圆上。 6.1.3 刻蚀（Etching）与掺杂（Doping）： 讲解刻蚀用于去除不需要的材料，以及掺杂用于改变半导体导电类型和导电率。 6.2 CMOS器件的版图 6.2.1 nMOS和pMOS的版图符号： 介绍nMOS和pMOS在版图设计中的基本单元，包括源区（Source）、漏区（Drain）、沟道（Channel）和栅极（Gate）的几何形状和连接方式。 6.2.2 衬底（Substrate）与阱（Well）： 讲解衬底（通常是P型）和阱（对于pMOS，需要N型阱）在CMOS结构中的作用，以及它们在版图中的表示。 6.2.3 接触孔（Contact）与通孔（Via）： 介绍如何通过接触孔和通孔将不同层金属或多晶硅连接到半导体区域，形成完整的电路。 6.3 CMOS逻辑门电路的版图 6.3.1 CMOS反相器版图： 以CMOS反相器为例，详细演示如何将逻辑电路结构映射到实际的版图上。展示pMOS和nMOS的布局、阱的划分、接触孔的连接以及金属互连线的布线。 6.3.2 NAND和NOR门版图： 进一步展示NAND门和NOR门等基本逻辑门的版图设计。分析不同逻辑门的版图特点和对面积、性能的影响。 6.3.3 最小规则（Minimum Rule）与设计规则检查（DRC）： 强调在版图设计中遵循最小规则（如最小线宽、最小间距）的重要性，以及设计规则检查（DRC）在确保制造可实现性方面的作用。 结论 《CMOS集成电路设计手册（第3版·基础篇）》 是一本面向初学者和进阶者的实用指南。我们坚信，通过对本书内容的深入学习和实践，读者将能够： 透彻理解 CMOS晶体管的工作原理及其在数字电路中的基础应用。 掌握 CMOS基本逻辑门（反相器、NAND、NOR）的设计方法与性能评估。 熟悉 组合逻辑电路（译码器、编码器、多路选择器、加法器等）的设计思想与实现。 深刻理解 时序逻辑电路（触发器、寄存器、计数器等）的设计原理与构建方法。 认识到 时钟信号在同步系统中的核心作用，以及相关的时序约束。 初步了解 CMOS电路的版图设计基础，为进一步的物理设计奠定基础。 本书力求在理论深度与实践指导之间取得平衡，希望能为读者在CMOS集成电路设计领域的学习和探索之旅提供坚实的起点和宝贵的参考。我们鼓励读者在阅读的同时，结合相关的EDA（Electronic Design Automation）工具进行仿真和验证，从而将理论知识转化为实际的设计能力。

评分☆☆☆☆☆

翻开《CMOS集成电路设计手册（第3版·基础篇）》，我首先被其严谨的逻辑和清晰的结构所吸引。手册在介绍CMOS器件特性时，并非简单地给出静态和动态参数，而是深入分析了这些参数是如何受到工艺、电压、温度等多种因素影响的。例如，在讨论漏电流时，它不仅给出了公式，还结合了物理效应，解释了本征载流子浓度、表面势等概念如何影响漏电流的大小，以及在不同工作模式下漏电流的来源和大小差异。对于时序分析的部分，书中从静态时序分析（STA）的基本概念讲起，逐步深入到建立时间、保持时间、时钟偏斜等关键要素的分析。它通过图示和实例，生动地展示了信号在不同路径上传播时可能遇到的时序问题，以及如何通过优化设计来满足时序要求。我特别欣赏的是，手册在阐述这些理论的同时，并没有忽略实际设计中的一些“陷阱”。例如，在讨论工艺偏差时，它详细分析了蒙特卡洛仿真和角模型仿真的意义和局限性，这对于我理解如何在设计中考虑工艺的不确定性非常有价值。手册的表述方式也十分精炼，每一句话都言之有物，没有太多冗余的修饰，这使得阅读过程高效且富有成效。

评分☆☆☆☆☆

这本《CMOS集成电路设计手册（第3版·基础篇）》给我留下了相当深刻的印象，尤其是在那些我本以为已经掌握了但实际上理解不够透彻的细节方面。翻阅过程中，我发现书中对MOSFET器件模型的基本原理进行了详尽的阐述，不仅仅停留在理论公式的堆砌，而是深入浅出地解释了各种效应，例如短沟道效应、亚阈值导电等，是如何在实际的器件结构中产生并影响其特性的。阅读这些部分时，我仿佛能看到那些微观粒子在栅极电压的调控下，如何精确地控制着沟道的导电能力。手册中关于工艺制程的介绍，也让我对CMOS技术的演进有了更清晰的认识，从早期的氧化层生长、光刻、刻蚀到金属互连，每一个步骤都充满了精妙的设计和严格的控制。书中对不同工艺节点的特性进行了对比分析，这对于理解为何不同工艺下设计的电路性能会有如此差异至关重要。此外，关于寄生效应的讨论，书中将其归纳得很到位，从电容、电阻到漏电，都给出了直观的解释和基本的建模方法，这对于我在进行高频设计时，规避潜在的性能瓶颈非常有帮助。整体而言，虽然是基础篇，但其深度和广度都超出了我的预期，为进一步深入学习CMOS电路设计打下了坚实的基础。

评分☆☆☆☆☆

拿到《CMOS集成电路设计手册（第3版·基础篇）》后，我最直观的感受就是它在对基础知识的讲解上，做到了“厚积薄发”。它没有上来就抛出复杂的公式，而是从最基本的电荷存储、电场分布等概念入手，层层递进，逐步建立起对MOSFET器件物理特性的深刻认识。手册在介绍CMOS反相器设计时，不仅给出了理想模型，更详细地讨论了实际器件的非线性特性对反相器性能的影响，例如输出阻抗、开关速度等。它还触及了基本的信号完整性问题，比如信号的上升下降时间、过冲和下冲等，并给出了初步的分析方法。对于逻辑门的设计，手册也进行了深入的剖析，解释了各种基本逻辑门（如NAND, NOR, XOR等）的CMOS实现方式，以及它们在面积、功耗和驱动能力上的权衡。另外，书中关于时钟树的初步介绍，让我对如何将时钟信号有效地分配到芯片的各个部分有了初步的认识，这对于设计同步电路来说至关重要。手册的语言简洁明了，即使是对于初学者，也能在不感到枯燥的情况下，逐步掌握这些关键的设计概念。

评分☆☆☆☆☆

我一直认为，理解一个设计领域的“为什么”比“怎么做”更重要，而《CMOS集成电路设计手册（第3版·基础篇）》在这方面做得相当出色。它不仅仅是一本“教你如何画图”的工具书，更是一本“教你理解原理”的启蒙书。在阐述CMOS电路的静态和动态功耗时，手册非常深入地分析了不同功耗来源的物理机制，例如电容充放电功耗、短路功耗以及漏电功耗，并给出了相应的估算和优化方法。这让我深刻理解了为什么在高性能设计中，功耗会成为一个如此棘手的问题，以及如何通过微观层面的理解来宏观地优化整体功耗。关于噪声容限的讨论，书中也进行了细致的分析，解释了不同类型的噪声，如电源噪声、衬底噪声、串扰噪声等，是如何影响电路的稳定性的，以及可以通过哪些设计技巧来提高电路的抗噪声能力。手册对于基础模拟模块的设计，例如差分对、共源共栅结构等，也给出了非常清晰的设计思路和性能分析框架，这对于我建立扎实的模拟设计基础非常有帮助。可以说，它不仅仅是传授知识，更是传递一种严谨的设计思维。

评分☆☆☆☆☆

说实话，在入手这本《CMOS集成电路设计手册（第3版·基础篇）》之前，我对“基础”这两个字的概念可能还停留在比较表层的理解。但实际阅读之后，我才意识到，这里的“基础”二字，绝不是简单的概念罗列，而是对那些支撑整个CMOS设计领域最核心、最根本的原理进行了抽丝剥茧般的剖析。比如，书中对各种基本电路单元的设计思路和分析方法，比如反相器、电流镜、差分放大器等，都有非常系统性的讲解。它不仅仅给出了电路图和性能指标，更重要的是，它详细解释了设计这些单元时所要考虑的各种权衡，比如功耗、速度、精度、面积等，以及如何根据不同的应用场景来选择最优的设计方案。我尤其喜欢手册中关于电源和地线设计的章节，虽然看似不起眼，但实际项目中，电源完整性往往是决定电路成败的关键。书中对于噪声耦合、地弹等问题的分析，以及如何通过合理的布线和去耦措施来缓解这些问题，提供了非常实用的指导。另外，关于模拟电路设计的入门内容，虽然篇幅不多，但足以让我对模拟世界的复杂性有了初步的敬畏，以及对其中涉及到的各种精妙之处有了初步的了解。

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CMOS集成电路设计手册 不错是正版

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好东西值得推荐 好东西值得推荐

评分☆☆☆☆☆

很实用的工具书，很不错

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"[ZZ]的这本[SM]真挺不错的，很值得看，价格也非常便宜，比实体店买便宜好多还省车费。 书的内容直得一读[BJTJ][NRJJ] 买回来觉得还是非常值的。我喜欢看书，喜欢看各种各样的书，看的很杂，文学名著，流行小说都看，只要作者的文笔不是太差，总能让我从头到脚看完整本书。只不过很多时候是当成故事来看，看完了感叹一番也就丢下了。所在来这里买书是非常明智的。这本书对我来说通过细腻的描述和犀利的评述，再机上和让我对该书了解了，也特别想拜读。通过读书我得到了很多好处古人云书中自有黄金屋，书中自有颜如玉。可见，古人对读书的情有独钟。其实，对于任何人而言，读书最大的好处在于它让求知的人从中获知，让无知的人变得有知。读史蒂芬?霍金的时间简史和果壳中的宇宙，畅游在粒子、生命和星体的处境中，感受智慧的光泽，犹如攀登高山一样，瞬间眼前呈现出仿佛九叠画屏般的开阔视野。于是，便像李白在诗中所写到的庐山秀出南斗旁，屏风九叠云锦张，影落明湖青黛光。对于坎坷曲折的人生道路而言，读书便是最佳的润滑剂。[QY] 太喜爱京东了。|给大家介绍本好书《我们如何走到这一步》自序：这些年，你过得怎么样我曾经想过，如果能时光穿梭，遇见从前的自己，是否可以和她做朋友。但我审慎地不敢发表意见。因为从前的自己是多么无知，这件事是很清楚的。就算怀着再复杂的爱去回望，没准儿也能气个半死，看着她在那条傻乎乎的路上跌跌撞撞前行，忍不住开口相劝，搞不好还会被她厌弃。你看天下的事情往往都是一厢情愿。当然我也忍住了各种吐槽，人总是要给自己留余地的，因为还有一种可能是，未来的自己回望现在，看见的还是一个人。好在现在不敢轻易放狠话了，所以总算显得比年轻的时候还有一分从容。但不管什么时候的你，都是你。这时间轴上反复上演的就是打怪兽的过程。过去困扰你的事情，现在已可轻易解决，但往往还有更大的boss在前面等你。“人怎么可能没有烦恼呢”——无论是你初中毕业的那个午后，或者多年后功成名就那一天，总有不同忧伤涌上心头：有些烦恼是钱可以解决的，而更伤悲的是有些烦恼是钱解决不了的。我们曾经在年少时想象的“等到什么什么的时候就一切都好起来了”根本就是个谬论。所以，只能咬着牙继续朝前走吧。[SZ]"

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包装一般，书是好书，搞活动买的，划算

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京东退货处理一个多月了，难道人都死光了？

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已收到，新年要开始好好学习了

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作者简介

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