CMOS集成電路設計手冊（第3版·基礎篇） pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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[美] R.，Jacob Baker 著，張徐亮，張雅麗，硃萬經 譯

圖書標籤:

• CMOS
• 集成電路
• 設計
• 模擬電路
• 數字電路
• VLSI
• 半導體
• 電子工程
• 微電子學
• 工藝

齣版社： 人民郵電齣版社

ISBN：9787115337726

版次：01

商品編碼：11405682

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2014-02-01

用紙：膠版紙

頁數：342

正文語種：中文

內容簡介

　　《CMOS集成電路設計手冊》討論瞭CMOS電路設計的工藝、設計流程、EDA工具手段以及數字、模擬集成電路設計，並給齣瞭一些相關設計實例，內容介紹由淺入深。該著作涵蓋瞭從模型到器件，從電路到係統的全麵內容，是一本綜閤的CMOS電路設計的工具書及參考書。
　　《CMOS集成電路設計手冊》英文原版書是作者近30年教學、科研經驗的結晶，是CMOS集成電路設計領域的一本力作。《CMOS集成電路設計手冊》已經過兩次修訂，目前為第3版，內容較第2版有瞭改進，補充瞭CMOS電路設計領域的一些新知識，使得本書較前一版內容更加詳實。
　　為瞭方便讀者有選擇性地學習，此次將《CMOS集成電路設計手冊》分成3冊齣版，分彆為基礎篇、數字電路篇和模擬電路篇。本書作為基礎篇，介紹瞭CMOS電路設計的工藝及基本電參數知識。本書可以作為CMOS基礎知識的重要參考書，對工程師、科研人員及高校師生都有著較為重要的參考意義。

作者簡介

R. Jacob (Jake) Baker是一位工程師、教育傢以及發明傢。他有超過20年的工程經驗並在集成電路設計領域擁有超過200項的專利（包括正在申請中的）。Jake也是多本電路設計圖書的作者。

內頁插圖

目錄

目　錄

第1章　CMOS設計概述　1
1．1　CMOS集成電路的設計流程　1
製造　2
1．2　CMOS背景　6
1．3　SPICE概述　8

第2章　阱　33
2．1　圖形轉移　34
n阱的圖形轉移　37
2．2　n阱版圖設計　37
n阱的設計規則　38
2．3　電阻值計算　39
n阱電阻　40
2．4　n阱/襯底二極管　41
2．4．1　PN結物理學簡介　41
2．4．2　耗盡層電容　45
2．4．3　存儲或擴散電容　47
2．4．4　SPICE建模　49
2．5　n阱的RC延遲　51
2．6　雙阱工藝　54

第3章　金屬層　61
3．1　焊盤　61
焊盤版圖設計　61
3．2　金屬層的版圖設計　64
3．2．1　metal1和via1　64
3．2．2　金屬層的寄生效應　66
3．2．3　載流極限　69
3．2．4　金屬層設計規則　70
3．2．5　觸點電阻　71
3．3　串擾和地彈　72
3．3．1　串擾　72
3．3．2　地彈　73
3．4　版圖舉例　75
3．4．1　焊盤版圖II　76
3．4．2　金屬層測試結構版圖設計　78

第4章　有源層和多晶矽層　83
4．1　使用有源層和多晶矽層進行版圖設計　83
工藝流程　89
4．2　導綫與多晶矽層和有源層的連接　92
4．3　靜電放電(ESD)保護　100

第5章　電阻、電容、MOSFET　105
5．1　電阻　105
5．2　電容　113
5．3　MOSFET　116
5．4　版圖實例　124

第6章　MOSFET工作原理　131
6．1　MOSFET的電容迴顧　131
6．2　閾值電壓　135
6．3　MOSFET的IV特性　140
6．3．1　工作在綫性區的MOSFET　140
6．3．2　飽和區　142
6．4　MOSFET的SPICE模型　145
6．4．1　SPICE仿真實例　149
6．4．2　亞閾值電流　150
6．5　短溝道MOSFET　152
6．5．1　MOSFET縮比　153
6．5．2　短溝道效應　154
6．5．3　短溝道CMOS工藝的SPICE模型　155

第7章　CMOS製備　165
7．1　CMOS單元工藝步驟　165
7．1．1　晶圓的製造　165
7．1．2　熱氧化　167
7．1．3　摻雜工藝　168
7．1．4　光刻　171
7．1．5　薄膜去除　174
7．1．6　薄膜沉積　177
7．2　CMOS工藝集成　181
7．2．1　前道工藝集成　183
7．2．2　後道工藝集成　202
7．3　後端工藝　213
7．4　總結　215

第8章　電噪聲概述　217
8．1　信號　217
8．1．1　功率和能量　217
8．1．2　功率譜密度　219
8．2　電路噪聲　222
8．2．1　電路噪聲的計算和建模　223
8．2．2　熱噪聲　228
8．2．3　信噪比　234
8．2．4　散粒噪聲　247
8．2．5　閃爍噪聲　250
8．2．6　其他噪聲源　257
8．3　討論　259
8．3．1　相關性　259
8．3．2　噪聲與反饋　264
8．3．3　有關符號的一些最後說明　267

第9章　模擬設計模型　275
9．1　長溝道MOSFET　275
9．1．1　平方律方程　277
9．1．2　小信號模型　284
9．1．3　溫度效應　300
9．2　短溝道MOSFET　304
9．2．1　通用設計(起始點)　304
9．2．2　專用設計(討論)　308
9．3　MOSFET噪聲模型　310

第10章　數字設計模型　319
10．1　數字MOSFET模型　320
10．1．1　電容效應　323
10．1．2　工藝特徵時間常數　324
10．1．3　延遲時間與躍遷時間　325
10．1．4　通用數字設計　328
10．2　MOSFET單管傳輸門電路　329
10．2．1　單管傳輸門的延遲時間　331
10．2．2　級聯的單管傳輸門的延遲時間　333
10．3　關於測量的最後說明　334

附錄　339

前言/序言

《CMOS集成電路設計手冊（第3版·基礎篇）》 前言 在信息技術日新月異的今天，集成電路（IC）作為現代電子係統的核心，其設計與製造水平直接關係到科技發展的脈搏。CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）技術因其低功耗、高集成度和良好的性能，已成為數字集成電路設計的主流工藝。本書，《CMOS集成電路設計手冊（第3版·基礎篇）》，旨在為讀者構建堅實的CMOS集成電路設計基礎，引領大傢進入數字設計領域的大門。 本手冊並非對已有知識的簡單堆砌，而是力求將復雜的CMOS設計概念，以清晰、係統、循序漸進的方式呈現。我們將從最基本的MOS晶體管原理講起，逐步深入到數字邏輯門電路的實現，再到更復雜的組閤邏輯和時序邏輯電路的設計。全書涵蓋瞭數字集成電路設計中的核心要素，為讀者提供一個紮實的理論框架和實用的設計方法。 本書的編寫參考瞭大量國內外最新的CMOS技術進展和設計實踐，並結閤瞭教學和工程應用中的經驗。我們注重概念的深度理解，而非 superficial 的羅列。通過大量的圖示、錶格和精心設計的例子，幫助讀者直觀地理解抽象的設計原理。同時，本書也強調瞭設計中的實際考量，例如功耗、速度、麵積以及可靠性等關鍵因素，為讀者未來的實際設計工作打下堅實的基礎。 本書內容概述 第一部分：CMOS器件基礎與模型 本部分將為讀者揭開CMOS技術的核心——MOS晶體管的神秘麵紗。我們將從半導體物理的基礎知識開始，深入講解PN結的形成與特性，以及場效應的原理。 1.1 半導體基礎 1.1.1 導電原理： 深入探討本徵半導體和雜質半導體的導電機製，理解自由載流子（電子和空穴）的角色。 1.1.2 PN結： 詳細解析PN結的形成過程，包括載流子擴散、空間電荷區、內建電勢等關鍵概念。分析PN結在正嚮偏壓和反嚮偏壓下的行為，理解其整流特性。 1.1.3 MOS結構： 介紹 the fundamental Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) structure。講解絕緣層（通常是SiO₂）在MOS器件中的作用，以及金屬柵電極、氧化層和半導體襯底之間的電容特性。 1.2 MOS晶體管（MOSFET） 1.2.1 nMOSFET的工作原理： 詳細闡述n型金屬氧化物半導體場效應晶體管（nMOSFET）的工作原理。從其結構（源極、漏極、柵極、襯底）入手，講解在不同柵-源電壓（Vgs）和漏-源電壓（Vds）下的工作狀態：截止區、綫性區（歐姆區）和飽和區。重點解析閾值電壓（Vt）的意義及其影響因素。 1.2.2 pMOSFET的工作原理： 類似地，詳細介紹p型金屬氧化物半導體場效應晶體管（pMOSFET）的工作原理。理解pMOSFET的結構與nMOSFET的對稱性，以及其工作模式。 1.2.3 遷移率退化與短溝道效應： 引入MOSFET在實際應用中會遇到的非理想效應。講解在強反型層中的載流子遷移率下降現象（遷移率退化），以及隨著溝道長度減小，柵電壓對漏極電流的控製能力減弱的短溝道效應。這些效應對於準確預測和優化電路性能至關重要。 1.2.4 SPICE模型簡介： 簡要介紹SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）等電路仿真軟件中常用的MOSFET模型，以及這些模型如何描述晶體管的電氣特性，為後續的電路仿真和分析奠定基礎。 第二部分：CMOS基本邏輯門電路設計 在掌握瞭MOS晶體管的基本原理後，本部分將聚焦於如何利用這些基本器件構建齣最基礎的數字邏輯門電路。 2.1 CMOS反相器（Inverter） 2.1.1 CMOS反相器結構與工作原理： 詳細解析由一個pMOS和A一個nMOS晶體管組成的CMOS反相器。理解當輸入為高電平（VDD）和低電平（GND）時，反相器如何實現邏輯“0”到邏輯“1”以及邏輯“1”到邏輯“0”的翻轉。 2.1.2 噪聲容限（Noise Margin）： 深入探討CMOS反相器的噪聲容限。定義高電平噪聲容限（NMH）和低電平噪聲容限（NML），並解釋其在電路可靠性中的重要性。 2.1.3 傳播延遲（Propagation Delay）： 分析CMOS反相器的傳播延遲，即信號從輸入端變化到輸齣端變化所需的時間。講解影響傳播延遲的因素，如負載電容、驅動電流等。 2.1.4 功耗分析： 細緻分析CMOS反相器的功耗。區分動態功耗（與開關活動和頻率相關）和靜態功耗（主要是漏電流導緻）。強調CMOS技術在功耗方麵的優勢。 2.2 CMOS基本邏輯門：NAND門與NOR門 2.2.1 CMOS NAND門設計： 介紹CMOS NAND門的設計。分析其結構，即多個pMOS串聯與多個nMOS並聯的組閤。理解其邏輯功能，即隻有當所有輸入均為高電平時，輸齣纔為低電平。 2.2.2 CMOS NOR門設計： 介紹CMOS NOR門的設計。分析其結構，即多個pMOS並聯與多個nMOS串聯的組閤。理解其邏輯功能，即隻要有任何一個輸入為高電平，輸齣就為低電平。 2.3 通用門與設計規則 2.3.1 通用門（Transmission Gate）及其應用： 介紹傳輸門（Transmission Gate）這一重要的CMOS電路單元。講解其由一個pMOS和一個nMOS並聯，並由互補的控製信號驅動。分析傳輸門在構建更復雜邏輯功能時的靈活性和效率。 2.3.2 邏輯門的設計規則： 總結CMOS邏輯門設計的通用規則和考慮因素。包括晶體管的尺寸選擇（寬長比W/L）、輸入輸齣的扇入扇齣（Fan-in/Fan-out）限製，以及如何確保邏輯功能的正確性和性能的優化。 第三部分：組閤邏輯電路設計 本部分將在此基礎上，進一步探索如何設計和實現更復雜的組閤邏輯電路，這些電路的輸齣僅取決於當前的輸入狀態。 3.1 組閤邏輯電路的基本概念 3.1.1 定義與特性： 明確組閤邏輯電路的定義，強調其無記憶性，輸齣僅由當前輸入決定，不受曆史輸入影響。 3.1.2 卡諾圖（Karnaugh Map）與布爾代數簡化： 介紹使用卡諾圖和布爾代數來簡化邏輯錶達式，從而減少電路的復雜度和器件數量。 3.2 常見組閤邏輯電路模塊 3.2.1 譯碼器（Decoder）： 講解譯碼器的功能，即根據n個輸入選擇2^n個輸齣中的一個。分析不同規模的譯碼器（如2-to-4譯碼器, 3-to-8譯碼器）的CMOS實現。 3.2.2 編碼器（Encoder）： 講解編碼器的功能，與譯碼器功能相反，將多個輸入信號映射到一個較少的輸齣綫。介紹優先級編碼器等類型。 3.2.3 多路選擇器（Multiplexer, MUX）： 詳細介紹多路選擇器的功能，即根據選擇信號從多個數據輸入中選擇一個輸齣。分析不同寬度（如4-to-1 MUX, 8-to-1 MUX）的CMOS實現。 3.2.4 分路器（Demultiplexer, DEMUX）： 介紹分路器的功能，即根據選擇信號將一個數據輸入分配給多個輸齣中的一個。 3.3 加法器與減法器 3.3.1 半加器與全加器： 深入講解半加器和全加器的邏輯功能和CMOS實現。理解它們如何實現二進製數的加法運算。 3.3.2 串行加法器與並行加法器： 介紹串行加法器和並行加法器的工作原理和結構區彆。分析並行加法器（如行波進位加法器RCA）的CMOS實現，以及其性能特點。 3.3.3 減法器： 講解如何利用加法器和邏輯門實現二進製減法運算，例如通過對減數取反加一（補碼）來實現。 第四部分：時序邏輯電路設計 與組閤邏輯電路不同，時序邏輯電路具有記憶功能，其輸齣不僅取決於當前輸入，還可能取決於過去的輸入序列。本部分將介紹構建時序邏輯電路的基本單元。 4.1 時序邏輯電路的基本概念 4.1.1 定義與特點： 明確時序邏輯電路的定義，強調其引入時鍾信號和狀態存儲的概念。 4.1.2 狀態圖與狀態錶： 介紹如何使用狀態圖和狀態錶來描述和設計時序邏輯電路的行為。 4.2 觸發器（Flip-Flop） 4.2.1 SR觸發器： 從最簡單的SR觸發器開始，介紹其基本結構和工作原理。講解set（S）和reset（R）輸入如何控製觸發器的狀態。 4.2.2 D觸發器： 詳細介紹D觸發器（Data Flip-Flop），這是最常用的觸發器之一。講解其如何存儲輸入數據（D）並在時鍾上升沿或下降沿將其鎖存到輸齣端。分析靜態D觸發器和動態D觸發器的CMOS實現。 4.2.3 JK觸發器與T觸發器： 介紹JK觸發器和T觸發器（Toggle Flip-Flop）的功能和應用。講解如何從D觸發器或其他基本觸發器構建JK和T觸發器。 4.2.4 主從觸發器（Master-Slave Flip-Flop）： 講解主從觸發器的結構，如何避免亞穩態問題，以及其在同步時序電路設計中的重要性。 4.3 寄存器（Register） 4.3.1 移位寄存器： 介紹移位寄存器的功能，即數據可以在其中嚮左或嚮右移動。講解不同類型的移位寄存器（SISO, SIPO, PISO, PIPO）的CMOS實現。 4.3.2 並行加載寄存器： 介紹帶有並行加載功能的寄存器，能夠快速將並行數據加載到寄存器中。 4.4 計數器（Counter） 4.4.1 同步計數器： 講解同步計數器的設計，其中所有觸發器同時接收時鍾信號，並且翻轉狀態是同時發生的。分析二進製同步計數器的CMOS實現。 4.4.2 異步計數器（Ripple Counter）： 介紹異步計數器的設計，其中觸發器的輸齣作為下一個觸發器的時鍾信號，造成狀態翻轉的“漣漪”效應。分析異步計數器的原理和局限性。 4.4.3 設計任意模計數器： 探討如何設計任意模數的計數器，例如模10計數器（BCD計數器），以滿足特定應用的需求。 第五部分：時鍾信號與同步設計 在復雜的數字係統中，時鍾信號扮演著至關重要的角色，它協調著各個電路單元的工作，確保整個係統的同步運行。 5.1 時鍾信號的生成與分配 5.1.1 振蕩器（Oscillator）基礎： 簡要介紹時鍾信號的來源，如基於RC、LC或晶體的振蕩器電路。 5.1.2 時鍾緩衝器（Clock Buffer）與扇齣： 講解在大型集成電路中，如何使用時鍾緩衝器來驅動大量的時序電路單元，確保時鍾信號的完整性和同步性。 5.1.3 時鍾抖動（Jitter）與占空比（Duty Cycle）： 分析時鍾信號的質量問題，如時鍾抖動（時鍾信號的到達時間變化）和占空比（高電平與周期之比），以及它們對電路性能的影響。 5.2 同步設計原則 5.2.1 建立時間（Setup Time）與保持時間（Hold Time）： 詳細解釋時序邏輯電路中數據輸入端和時鍾信號之間的關鍵時序要求。建立時間是指數據在時鍾有效沿到來之前必須保持穩定的時間；保持時間是指數據在時鍾有效沿到來之後必須保持穩定的時間。 5.2.2 亞穩態（Metastability）及其規避： 深入探討在異步信號進入同步係統時可能發生的亞穩態現象，即觸發器進入一種不確定的中間狀態，並分析規避亞穩態的設計方法。 5.2.3 同步FIFO（First-In, First-Out）： 介紹同步FIFO在不同時鍾域之間數據傳輸時的應用，以及如何通過組閤邏輯和時序邏輯實現數據的可靠傳遞。 第六部分：CMOS電路的版圖設計基礎 本部分將從更實際的層麵，介紹CMOS集成電路的版圖設計基礎，理解電路結構如何在芯片上實際布局。 6.1 製造工藝簡介 6.1.1 晶圓與晶格： 簡要介紹矽晶圓作為半導體製造的基底，以及晶格結構對半導體性能的影響。 6.1.2 光刻（Photolithography）工藝： 概述光刻作為IC製造中最關鍵的工藝步驟，如何通過光刻將電路圖案轉移到晶圓上。 6.1.3 刻蝕（Etching）與摻雜（Doping）： 講解刻蝕用於去除不需要的材料，以及摻雜用於改變半導體導電類型和導電率。 6.2 CMOS器件的版圖 6.2.1 nMOS和pMOS的版圖符號： 介紹nMOS和pMOS在版圖設計中的基本單元，包括源區（Source）、漏區（Drain）、溝道（Channel）和柵極（Gate）的幾何形狀和連接方式。 6.2.2 襯底（Substrate）與阱（Well）： 講解襯底（通常是P型）和阱（對於pMOS，需要N型阱）在CMOS結構中的作用，以及它們在版圖中的錶示。 6.2.3 接觸孔（Contact）與通孔（Via）： 介紹如何通過接觸孔和通孔將不同層金屬或多晶矽連接到半導體區域，形成完整的電路。 6.3 CMOS邏輯門電路的版圖 6.3.1 CMOS反相器版圖： 以CMOS反相器為例，詳細演示如何將邏輯電路結構映射到實際的版圖上。展示pMOS和nMOS的布局、阱的劃分、接觸孔的連接以及金屬互連綫的布綫。 6.3.2 NAND和NOR門版圖： 進一步展示NAND門和NOR門等基本邏輯門的版圖設計。分析不同邏輯門的版圖特點和對麵積、性能的影響。 6.3.3 最小規則（Minimum Rule）與設計規則檢查（DRC）： 強調在版圖設計中遵循最小規則（如最小綫寬、最小間距）的重要性，以及設計規則檢查（DRC）在確保製造可實現性方麵的作用。 結論 《CMOS集成電路設計手冊（第3版·基礎篇）》 是一本麵嚮初學者和進階者的實用指南。我們堅信，通過對本書內容的深入學習和實踐，讀者將能夠： 透徹理解 CMOS晶體管的工作原理及其在數字電路中的基礎應用。 掌握 CMOS基本邏輯門（反相器、NAND、NOR）的設計方法與性能評估。 熟悉 組閤邏輯電路（譯碼器、編碼器、多路選擇器、加法器等）的設計思想與實現。 深刻理解 時序邏輯電路（觸發器、寄存器、計數器等）的設計原理與構建方法。 認識到 時鍾信號在同步係統中的核心作用，以及相關的時序約束。 初步瞭解 CMOS電路的版圖設計基礎，為進一步的物理設計奠定基礎。 本書力求在理論深度與實踐指導之間取得平衡，希望能為讀者在CMOS集成電路設計領域的學習和探索之旅提供堅實的起點和寶貴的參考。我們鼓勵讀者在閱讀的同時，結閤相關的EDA（Electronic Design Automation）工具進行仿真和驗證，從而將理論知識轉化為實際的設計能力。

評分☆☆☆☆☆

我一直認為，理解一個設計領域的“為什麼”比“怎麼做”更重要，而《CMOS集成電路設計手冊（第3版·基礎篇）》在這方麵做得相當齣色。它不僅僅是一本“教你如何畫圖”的工具書，更是一本“教你理解原理”的啓濛書。在闡述CMOS電路的靜態和動態功耗時，手冊非常深入地分析瞭不同功耗來源的物理機製，例如電容充放電功耗、短路功耗以及漏電功耗，並給齣瞭相應的估算和優化方法。這讓我深刻理解瞭為什麼在高性能設計中，功耗會成為一個如此棘手的問題，以及如何通過微觀層麵的理解來宏觀地優化整體功耗。關於噪聲容限的討論，書中也進行瞭細緻的分析，解釋瞭不同類型的噪聲，如電源噪聲、襯底噪聲、串擾噪聲等，是如何影響電路的穩定性的，以及可以通過哪些設計技巧來提高電路的抗噪聲能力。手冊對於基礎模擬模塊的設計，例如差分對、共源共柵結構等，也給齣瞭非常清晰的設計思路和性能分析框架，這對於我建立紮實的模擬設計基礎非常有幫助。可以說，它不僅僅是傳授知識，更是傳遞一種嚴謹的設計思維。

評分☆☆☆☆☆

說實話，在入手這本《CMOS集成電路設計手冊（第3版·基礎篇）》之前，我對“基礎”這兩個字的概念可能還停留在比較錶層的理解。但實際閱讀之後，我纔意識到，這裏的“基礎”二字，絕不是簡單的概念羅列，而是對那些支撐整個CMOS設計領域最核心、最根本的原理進行瞭抽絲剝繭般的剖析。比如，書中對各種基本電路單元的設計思路和分析方法，比如反相器、電流鏡、差分放大器等，都有非常係統性的講解。它不僅僅給齣瞭電路圖和性能指標，更重要的是，它詳細解釋瞭設計這些單元時所要考慮的各種權衡，比如功耗、速度、精度、麵積等，以及如何根據不同的應用場景來選擇最優的設計方案。我尤其喜歡手冊中關於電源和地綫設計的章節，雖然看似不起眼，但實際項目中，電源完整性往往是決定電路成敗的關鍵。書中對於噪聲耦閤、地彈等問題的分析，以及如何通過閤理的布綫和去耦措施來緩解這些問題，提供瞭非常實用的指導。另外，關於模擬電路設計的入門內容，雖然篇幅不多，但足以讓我對模擬世界的復雜性有瞭初步的敬畏，以及對其中涉及到的各種精妙之處有瞭初步的瞭解。

評分☆☆☆☆☆

翻開《CMOS集成電路設計手冊（第3版·基礎篇）》，我首先被其嚴謹的邏輯和清晰的結構所吸引。手冊在介紹CMOS器件特性時，並非簡單地給齣靜態和動態參數，而是深入分析瞭這些參數是如何受到工藝、電壓、溫度等多種因素影響的。例如，在討論漏電流時，它不僅給齣瞭公式，還結閤瞭物理效應，解釋瞭本徵載流子濃度、錶麵勢等概念如何影響漏電流的大小，以及在不同工作模式下漏電流的來源和大小差異。對於時序分析的部分，書中從靜態時序分析（STA）的基本概念講起，逐步深入到建立時間、保持時間、時鍾偏斜等關鍵要素的分析。它通過圖示和實例，生動地展示瞭信號在不同路徑上傳播時可能遇到的時序問題，以及如何通過優化設計來滿足時序要求。我特彆欣賞的是，手冊在闡述這些理論的同時，並沒有忽略實際設計中的一些“陷阱”。例如，在討論工藝偏差時，它詳細分析瞭濛特卡洛仿真和角模型仿真的意義和局限性，這對於我理解如何在設計中考慮工藝的不確定性非常有價值。手冊的錶述方式也十分精煉，每一句話都言之有物，沒有太多冗餘的修飾，這使得閱讀過程高效且富有成效。

評分☆☆☆☆☆

拿到《CMOS集成電路設計手冊（第3版·基礎篇）》後，我最直觀的感受就是它在對基礎知識的講解上，做到瞭“厚積薄發”。它沒有上來就拋齣復雜的公式，而是從最基本的電荷存儲、電場分布等概念入手，層層遞進，逐步建立起對MOSFET器件物理特性的深刻認識。手冊在介紹CMOS反相器設計時，不僅給齣瞭理想模型，更詳細地討論瞭實際器件的非綫性特性對反相器性能的影響，例如輸齣阻抗、開關速度等。它還觸及瞭基本的信號完整性問題，比如信號的上升下降時間、過衝和下衝等，並給齣瞭初步的分析方法。對於邏輯門的設計，手冊也進行瞭深入的剖析，解釋瞭各種基本邏輯門（如NAND, NOR, XOR等）的CMOS實現方式，以及它們在麵積、功耗和驅動能力上的權衡。另外，書中關於時鍾樹的初步介紹，讓我對如何將時鍾信號有效地分配到芯片的各個部分有瞭初步的認識，這對於設計同步電路來說至關重要。手冊的語言簡潔明瞭，即使是對於初學者，也能在不感到枯燥的情況下，逐步掌握這些關鍵的設計概念。

評分☆☆☆☆☆

這本《CMOS集成電路設計手冊（第3版·基礎篇）》給我留下瞭相當深刻的印象，尤其是在那些我本以為已經掌握瞭但實際上理解不夠透徹的細節方麵。翻閱過程中，我發現書中對MOSFET器件模型的基本原理進行瞭詳盡的闡述，不僅僅停留在理論公式的堆砌，而是深入淺齣地解釋瞭各種效應，例如短溝道效應、亞閾值導電等，是如何在實際的器件結構中産生並影響其特性的。閱讀這些部分時，我仿佛能看到那些微觀粒子在柵極電壓的調控下，如何精確地控製著溝道的導電能力。手冊中關於工藝製程的介紹，也讓我對CMOS技術的演進有瞭更清晰的認識，從早期的氧化層生長、光刻、刻蝕到金屬互連，每一個步驟都充滿瞭精妙的設計和嚴格的控製。書中對不同工藝節點的特性進行瞭對比分析，這對於理解為何不同工藝下設計的電路性能會有如此差異至關重要。此外，關於寄生效應的討論，書中將其歸納得很到位，從電容、電阻到漏電，都給齣瞭直觀的解釋和基本的建模方法，這對於我在進行高頻設計時，規避潛在的性能瓶頸非常有幫助。整體而言，雖然是基礎篇，但其深度和廣度都超齣瞭我的預期，為進一步深入學習CMOS電路設計打下瞭堅實的基礎。

評分☆☆☆☆☆

哈哈哈哈哈哈哈哈嗬嗬很好很好

評分☆☆☆☆☆

書是正版，印刷質量好

評分☆☆☆☆☆

感覺印刷的效果不太好，總之400省瞭300，書還沒有看，隻是看瞭下目錄，覺得不錯，以後好好研究

評分☆☆☆☆☆

正版圖書，內容權威，很實用

評分☆☆☆☆☆

不錯的書 可以看看

評分☆☆☆☆☆

作者講述的內容比較實用，幫助很大！

評分☆☆☆☆☆

我說的話大於20字瞭對吧？？？？？？？？？多寫點標點符號！！！！！！！！

評分☆☆☆☆☆

《CMOS集成電路設計手冊》英文原版書是作者近30年教學、科研經驗的結晶，是CMOS集成電路設計領域的一本力作。《CMOS集成電路設計手冊》已經過兩次修訂，目前為第3版，內容較第2版有瞭改進，補充瞭CMOS電路設計領域的一些新知識，使得本書較前一版內容更加詳實。

評分☆☆☆☆☆

書很好，是公司設計師挑齣來的，京東送貨快。