高速光电子器件建模及光电集成电路设计技术

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高建军 著
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  • 光电子器件
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出版社: 高等教育出版社
ISBN:9787040258004
版次:1
商品编码:10000384
包装:平装
开本:16开
出版时间:2009-06-01
用纸:胶版纸
页数:225
正文语种:中文

具体描述

编辑推荐

  本书共分为七章,重点介绍光电子器件小信号等效电路模型、大信号非线性等效电路模型和噪声等效电路模型,以及等效电路模型的参数提取技术,同时对光纤通信最重要的接收机和发射机中核心集成电路的设计进行了详细的描述。本书可以作为高年级本科生和研究生的教材,也可以供从事光电子、微波和集成电路设计的工程师参考。集成电路的计算机辅助设计日新月异,作者也竭尽全力对本书所涵盖的领域提供最新的资料。

内容简介

  《高速光电子器件建模及光电集成电路设计技术》是作者在微波和光通信技术领域多年学习、工作、研究和教学过程中获得的知识和经验的总结。主要研究内容包括高速光电子器件的工作机理、建模技术和参数提取技术,以及光接收机和发射机集成电路设计技术。光电子器件小信号等效电路模型、大信号非线性等效电路模型和噪声等效电路模型,以及等效电路模型的参数提取技术是《高速光电子器件建模及光电集成电路设计技术》的重点。《高速光电子器件建模及光电集成电路设计技术》可以作为光电子专业、微波专业和电路与系统专业的高年级本科生和研究生教材,也可以供从事集成电路设计的科研人员参考。

目录

第一章 绪论
1.1 光纤通信系统的组成
1.2 光电集成电路计算机辅助设计
1.3 本书的目标和结构
参考文献

第二章 半导体激光器工作原理和表征技术
2.1 半导体激光器发光机理
2.1.1 原子能级
2.1.2 光子辐射
2.1.3 粒子数反转
2.1.4 光增益
2.2 半导体激光器的基本结构和类型
2.2.1 法布里-珀罗激光器
2.2.2 量子阱激光器
2.2.3 分布反馈激光器
2.2.4 垂直腔面发射激光器
2.2.5 增益导引激光器和折射率导引激光器
2.3 半导体激光器表征技术
2.3.1 速率方程
2.3.2 小信号强度调制特性
2.3.3 小信号频率调制特性
2.3.4 噪声特性
2.3.5 大信号特性
2.3.6 温度特性
本章小结
参考文献

第三章 高速半导体激光器建模技术
3.1 异质结半导体激光器建模技术
3.1.1 大信号模型
3.1.2 小信号模型
3.1.3 噪声模型
3.2 量子阱激光器建模技术
3.2.1 大信号模型
3.2.2 小信号模型
3.3 半导体激光器模型参数提取技术
3.3.1 直接提取技术
3.3.2 半分析提取技术
本章小结
参考文献

第四章 高速半导体光电探测器建模技术
4.1 光电探测器的基本工作原理
4.2 光电探测器的基本特性
4.2.1 响应度
4.2.2 量子效率
4.2.3 吸收系数
4.2.4 暗电流和击穿电压
4.2.5 上升时间和带宽
4.2.6 噪声
4.3 光电探测器建模技术
4.3.1 PIN光电探测器等效电路模型
4.3.2 雪崩光电探测器等效电路模型
4.3.3 金属-半导体-金属光电探测器等效电路模型
本章小结
参考文献

第五章 高速半导体晶体管建模技术
5.1 微波射频半导体晶体管
5.2 GaAs MESFET/HEMT建模技术
5.2.1 小信号等效电路模型
5.2.2 大信号等效电路模型
5.2.3 噪声等效电路模型
5.2.4 模型参数提取技术
5.3 GaAs/InP HBT建模技术
5.3.1 大信号等效电路模型
5.3.2 小信号等效电路模型
5.3.3 噪声等效电路模型
5.3.4 模型参数提取技术
5.4 SiGe HBT建模技术
5.5 MOSFET建模技术
5.5.1 小信号等效电路模型
5.5.2 大信号等效电路模型
5.5.3 噪声等效电路模型
5.5.4 模型参数提取技术
本章小结
参考文献

第六章 光发射机驱动电路设计技术
6.1 光发射机基本工作原理
6.2 光发射机的集成方式
6.2.1 单片集成光发射机
6.2.2 混合集成光发射机
6.3 直接调制驱动电路设计
6.4 外调制驱动电路设计
6.4.1 MESFET/HEMT基外驱动电路设计
6.4.2 BJT/HBT基外驱动电路设计
6.4.3 MOSFET基外驱动电路设计
6.5 分布式驱动电路设计
6.6 驱动电路电感电容峰化技术
6.6.1 驱动电路电感峰化技术
6.6.2 驱动电路电容峰化技术
6.6.3 10 Gb/s调制器驱动电路设计
本章小结
参考文献

第七章 高速光接收机前端电路设计技术
7.1 光接收机的基本指标
7.1.1 信噪比
7.1.2 误码率
7.1.3 灵敏度
7.1.4 眼图
7.1.5 信号带宽
7.1.6 噪声带宽
7.1.7 动态范围
7.2 光接收机前端的电路结构
7.2.1 常用的光接收机前端电路形式
7.2.2 高阻型前置放大器
7.2.3 跨阻型前置放大器
7.2.4 高阻型和跨阻型前置放大器的比较
7.3 前置放大器的性能指标
7.3.1 二口网络S参数
7.3.2 二口网络噪声系数
7.3.3 跨阻增益和s参数之间的关系
7.3.4 1等效输入噪声电流谱密度和噪声系数之间的关系
7.4 高速前置放大器设计
7.4.1 基于BJT的前置放大器设计
7.4.2 基于HBT的前置放大器设计
7.4.3 基于MESFET/HEMT的前置放大器设计
7.4.4 基于MOsFET的前置放大器设计
7.4.5 分布式前置放大器设计
7.5 接收电路电感电容峰化技术
7.5.1 接收电路电感峰化技术
7.5.2 接收电路电容峰化技术
7.6 光电探测器和前置放大器之间匹配电路设计
7.6.1 电感窄带调谐技术
7.6.2 宽带匹配技术
本章小结
参考文献

精彩书摘

  如何将光的放大转为光的振荡形成激光输出,在实践中需要基于反馈的原理,把放大了的光子反馈一部分回来进一步放大,使其产生振荡。同时借用光波十涉仪的技术,即在激活区域的两端放置两个面对面的反射镜用于光反馈(Optical Feedback),具体结构如图2.8所示。两个光子——一个是原始的光子和一个受激的光子被反射回来,重新进入激活层,这两个光子又作为外来光子,然后激发出另外两个新的光子。这四个光子又由另外一端的反射镜反射回来,激发出共八个光子,如此反复,就这样用两面镜子实现了光的正反馈。其中一面镜子要求具有100%的反射率,另外一面要求具有95%的反射率,即允许部分光透射。
  受激辐射具有以下四个特点:
  (1)单色性。受激辐射获得的光子和外界光子频率完全一致,这个特性保证辐射光的光谱宽度很窄(对于长波长激光二极管的线宽通常在一纳米以下)。
  (2)高输出光强度。所有光子的传播方向都是一样的,并且均为输出光功率作出贡献,因此激光二极管的光电转换效率和输出功率都很高,其光电转换效率通常为发光二极管的10倍以上。
  (3)定向性好。所有受激光子的发射方向都与激发它们的光子相同,因此输出光波具有很好的定向性。
  (4)相干性。仅当外界光子激发时,受激光子才会辐射,这两种光子被称为同步的和同相的,因此受激辐射具有相干性。这个特性对于信号的检测和传输非常重要。

前言/序言

  高速光电子器件建模和光电集成电路设计技术是光纤通信和光网络中的一个关键问题,同时也是微电子、光电子和微波与电磁场技术的交叉学科,有许多科学技术问题需要进一步研究解决。本书作者高建军教授在该领域从事研究近20年,具备系统的科学技术知识,在国际著名期刊上发表了多篇科研论文,并具有丰富的文献研究报告。《高速光电子器件建模及光电集成电路设计技术》一书综合了很多作者的研究成果,以及一些最新进展。文中针对光电子器件的表征技术提出了一些新的研究方法和建议,讨论了光电集成电路的设计关键技术,同时在探索新的分析思路方面进行了很好的尝试,形成了一套研究方法。
  该书注重介绍实用技术,可以帮助读者了解这些研究方法建立的背景、实际工作中可能出现的问题,以掌握应用的条件和使用的技巧。
  作者与德国、加拿大及新加坡等国家的科研机构具有广泛的国际合作和联系,同时在IEEE(国际电子电器工程师协会)担任多个期刊的编委和评审人.为撰写符合国际学术前沿发展的学术著作提供了基础。这一学术专著对于从事光电子器件和集成电路设计的高等院校、研究院所的研究生、教师和科研人员,无疑是一本具有重要实用价值的参考书。为此我乐意为此书做序,并深切期望该书的出版能为光电子学领域理论研究和技术应用的发展,为高速光电子学的开拓和发展起到积极的推动作用。
《高性能通信系统中的新材料与器件》 内容简介: 在信息爆炸的时代,通信系统的速度、容量和效率已成为衡量科技进步的关键指标。当前,传统硅基电子器件的物理极限正日益凸显,制约着下一代通信系统乃至更广泛的数字经济的发展。为了突破这些瓶颈,科学界和工程界正积极探索和开发具有颠覆性潜力的新材料和新型器件。本书《高性能通信系统中的新材料与器件》正是聚焦于这一前沿领域,系统性地梳理和介绍了在高性能通信系统设计中扮演着核心角色的各类创新材料及其对应的器件应用。 本书旨在为从事通信系统研发、器件设计、材料科学以及相关交叉学科的研究人员、工程师、研究生和高年级本科生提供一本全面、深入且具有前瞻性的参考手册。我们不仅仅关注材料本身的特性,更侧重于这些材料如何被转化为实际的、能够驱动下一代通信系统前进的电子和光电子器件。 全书共分为六大部分,详细涵盖了以下关键内容: 第一部分:高性能通信系统的新材料需求与挑战 本部分首先阐述了当前及未来高性能通信系统对器件材料提出的严峻挑战。我们将从理论和实际应用层面,剖析日益增长的数据传输速率、降低功耗、提高集成密度、克服信号损耗以及应对恶劣工作环境等需求,是如何促使现有材料体系面临瓶颈的。我们将深入讨论诸如带宽限制、载流子迁移率不足、介电损耗、热管理难题以及量子效应的引入等问题。 随后,我们将对当前学术界和工业界正在积极探索的几种有前景的新材料家族进行初步的介绍,为后续章节的深入讨论奠定基础。这包括但不限于: 宽禁带半导体材料: 如氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等,它们在高温、高压和高频下的优异性能,为功率器件和射频器件的发展提供了可能。 二维(2D)材料: 如石墨烯、过渡金属硫化物(TMDs)、黑磷等,它们独特的电子和光学性质,在超高频电子器件、传感器以及柔性电子器件方面展现出巨大潜力。 有机半导体材料: 它们在可加工性、柔韧性和成本方面的优势,为开发新型显示器、光伏器件和传感器提供了新的方向。 新型铁电/铁磁材料: 它们在存储器件、逻辑器件以及自旋电子器件方面的潜在应用。 低维纳米结构材料: 如量子点、纳米线等,它们通过量子尺寸效应和表面效应,能够实现传统块体材料无法企及的光电特性。 本部分还将简要回顾材料科学与电子工程交叉融合的历史进程,强调技术革新往往源于基础材料的突破,并展望未来材料发展的大致趋势。 第二部分:先进半导体材料在高速电子器件中的应用 本部分将聚焦于那些能够显著提升电子器件性能的先进半导体材料,并详细探讨它们在构建高性能通信系统中的电子器件方面的具体应用。 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)基器件: 我们将深入分析GaN和SiC在制造大功率高频射频(RF)功率放大器、开关器件以及耐高温电子器件方面的优势。内容将涵盖其材料特性(如高电子迁移率、高击穿电压、良好的导热性),器件结构设计(如HEMTs、MOSFETs),以及在基站、雷达、卫星通信等领域的实际应用案例。我们将重点分析其在提高通信效率、降低功耗和减小设备体积方面的关键作用。 二维材料(石墨烯、TMDs)在超高频电子器件中的潜力: 本章节将详细介绍石墨烯的狄拉克锥特性、零带隙以及极高的载流子迁移率如何使其成为制造太赫兹(THz)器件的理想材料。同时,我们将探讨MoS2、WSe2等TMDs的带隙可调性以及其在制造高性能场效应晶体管(FETs)、传感器和肖特基二极管中的应用。我们将分析这些器件在下一代超高速无线通信、高分辨率成像和精密传感等领域的潜在突破。 III-V族化合物半导体(如InGaAs, InP)的高速器件: 虽然不如GaN和SiC那样新兴,但III-V族材料在光电子器件领域有着悠久的历史,并且在某些高速电子器件领域仍占据重要地位。我们将讨论其在制造高迁移率晶体管(HEMTs)、异质结双极晶体管(HBTs)以及太赫兹电子器件中的优势,以及它们在高速数据采集和信号处理中的应用。 新兴材料体系的探索: 本部分还将简要介绍一些正在兴起的新型半导体材料,如钙钛矿材料在新型传感器和光电器件中的应用,以及拓扑半金属材料在自旋电子学和量子计算方面的初步研究进展。 第三部分:光通信与光电子器件的新材料 光通信是现代通信系统的支柱,而高效、低损耗的光电子器件是实现光通信的关键。本部分将深入探讨用于构建高性能光通信系统的各类创新光电子材料及其器件。 硅光子学(Silicon Photonics)的进展与挑战: 硅光子学利用成熟的CMOS工艺制造光电子器件,具有成本低、集成度高、易于与电子电路集成等优势。我们将详细介绍硅基光调制器(如电吸收调制器EAM、马赫-曾德尔调制器MZM)、光探测器(如PIN二极管、雪崩光电二极管APD)以及波导器件的设计与制造。我们将讨论硅材料在近红外波段的透明度问题、热光效应以及如何通过混合集成(如与III-V族材料)来克服这些限制。 III-V族材料(InP, GaAs)在光电子器件中的核心地位: InP和GaAs是制造高性能激光器、光探测器、调制器等核心光通信器件不可或缺的材料。我们将详细分析这些材料在激光器(如DFB激光器、VCSELs)、高速光电探测器(如APD、PIN)、调制器以及光放大器中的应用。重点将阐述其在高增益、低噪声、宽带宽等方面的优势,以及如何通过外延生长、合金组分调控来优化器件性能。 二维材料(石墨烯、TMDs)在光电子领域的创新应用: 石墨烯的超快载流子响应使其成为制造高速光探测器和调制器的有力候选者。我们将探讨其在光电导探测器、等离子体光探测器中的应用,以及如何在硅基平台上实现石墨烯的光电集成。TMDs(如MoS2)的直接带隙和强光电耦合使其在光探测器、光发射器和光开关等器件中展现出独特的优势。 非线性光学材料与器件: 为了实现更高的数据速率和更复杂的信号处理,非线性光学材料和器件的研究变得尤为重要。我们将介绍周期性极化铌酸锂(PPLN)、有机非线性材料等在光学频率转换、光开关、光逻辑门以及光学信号处理等方面的应用。 新型光子晶体与超材料: 本部分还将简要介绍光子晶体和超材料在调控光传播、实现新型光学功能(如负折射、隐身)方面的潜力,以及它们在未来光通信网络中的潜在应用。 第四部分:集成化与多功能化器件设计 随着通信系统朝着更高密度、更低功耗和更强功能性的方向发展,器件的集成化和多功能化成为必然趋势。本部分将深入探讨如何利用新材料和先进工艺技术实现高性能器件的集成与多功能化。 光电集成(Photonic-Electronic Integration)的策略与技术: 光电集成是将光信号处理与电子信号处理在同一芯片上实现的集成技术。我们将详细介绍主流的集成策略,如混合集成(Hybrid Integration)、单片集成(Monolithic Integration)和三维集成(3D Integration)。重点将讨论如何将III-V族光电子器件与CMOS电子电路集成,以及如何利用硅光子平台实现全硅光电集成。内容将涵盖衬底选择、键合技术、互连技术以及共封装(Co-packaged Optics)等关键技术。 多功能器件的设计理念与实现: 本部分将探讨如何利用单一材料或多种材料的协同作用,设计出能够同时实现多种功能的器件。例如,将光探测、信号调制和信息存储功能集成到同一个器件中。我们将介绍基于新型量子效应(如激子-极化激子效应、多激子效应)、自旋电子学以及忆阻器等新兴器件的原型设计和性能评估。 微纳加工技术与工艺控制: 实现高性能集成化器件离不开先进的微纳加工技术。本部分将介绍薄膜沉积、光刻、刻蚀、键合、互连等关键加工工艺,并重点讨论如何通过精确的工艺控制来优化材料性能和器件性能。我们将强调不同材料体系的加工难点与解决方法。 封装技术与可靠性: 器件的封装对其最终性能和可靠性至关重要。本部分将介绍用于高速光电子器件的先进封装技术,包括高密度互连、热管理、信号完整性以及光纤耦合等。我们将讨论不同封装技术在提升器件性能、降低成本和提高系统可靠性方面的作用。 第五部分:新兴通信技术中的材料与器件挑战 通信技术的演进从未停止,本书的这一部分将着眼于当前和未来几年可能颠覆通信格局的新兴技术,并分析其对材料和器件提出的独特要求。 太赫兹(THz)通信: 随着频谱资源的日益稀缺,太赫兹频段(0.1-10 THz)已成为下一代高速无线通信的潜在候选。本部分将深入探讨THz波段的传播特性、材料的介电损耗以及THz器件的设计难点。我们将重点介绍基于二维材料(如石墨烯)的THz探测器、THz发射器以及THz传输线的设计与性能。同时,也将讨论THz成像、传感等领域的应用潜力。 量子通信与量子计算: 量子通信利用量子力学原理实现安全的通信,而量子计算则有望解决经典计算机难以处理的复杂问题。本部分将介绍实现量子通信(如量子密钥分发QKD)所需的光子源、单光子探测器以及光子存储器等关键器件,并分析其材料要求(如低温环境、高效率、低噪声)。对于量子计算,我们将讨论超导量子比特、离子阱量子比特、半导体量子点等不同技术路线的材料基础和器件实现。 人工智能(AI)与边缘计算中的通信需求: AI和边缘计算的快速发展对通信网络提出了新的挑战,包括超低延迟、海量数据传输以及对节能器件的需求。本部分将探讨如何利用新型材料和器件来满足这些需求,例如,基于忆阻器或新型相变材料的存内计算(In-memory Computing)技术,以及低功耗、高性能的射频前端器件。 智能表面(Intelligent Surfaces)与下一代无线通信: 智能表面,也称为可重构智能表面(RIS),能够通过调整表面元胞的电磁响应来控制无线信号的传播。本部分将介绍用于构建智能表面的新型电磁材料、可编程开关器件以及天线阵列的设计。我们将探讨智能表面在提升通信覆盖、降低能耗以及实现波束赋形等方面的潜力。 第六部分:未来展望与研究前沿 本书的最后一部分将对当前材料科学和器件工程的研究前沿进行梳理,并展望高性能通信系统未来可能的发展方向。 计算材料科学与人工智能辅助设计: 随着计算能力的提升,基于第一性原理计算和机器学习的材料设计方法日益成熟。本部分将介绍如何利用这些工具来加速新材料的发现、预测材料性质以及优化器件结构。 可持续性与绿色通信: 在日益关注环境保护的背景下,开发低能耗、环保的通信材料和器件变得尤为重要。本部分将讨论如何通过材料选择、器件优化以及循环经济理念来构建更可持续的通信系统。 跨学科合作的机遇: 高性能通信系统的发展离不开材料科学、物理学、化学、电子工程、计算机科学等多个学科的紧密合作。本部分将强调跨学科合作的重要性,并鼓励读者探索新的研究领域和合作模式。 未解决的挑战与开放性问题: 本部分还将指出当前材料和器件领域仍然存在的关键科学问题和工程挑战,为未来的研究提供方向和启示。 总而言之,《高性能通信系统中的新材料与器件》将为读者提供一个全面、深入且具有前瞻性的视角,帮助理解驱动下一代通信系统发展的核心技术动力。通过对新材料的深入剖析和对新型器件的详细介绍,本书旨在激发创新灵感,助力研究人员和工程师们在瞬息万变的通信领域取得突破。

用户评价

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这本书的内容给我留下了非常深刻的印象,它在很多方面都超越了我的预期。我原以为这本书会更多地侧重于宏观的理论介绍,但没想到它在微观的物理机制层面也进行了相当深入的探讨。例如,在关于光电探测器的部分,作者详细分析了不同探测机制的物理原理,并给出了相应的器件模型。这对于我理解探测器的噪声来源和响应速度限制非常有帮助。我特别欣赏书中关于噪声分析的章节,它清晰地解释了热噪声、散弹噪声以及闪烁噪声等不同噪声的来源和影响,并提供了相应的抑制方法。这种细致入微的分析,让我对高速光电子器件的性能极限有了更深刻的认识。虽然书中涉及的数学和物理知识都比较专业,但作者的讲解方式非常清晰,逻辑性也很强,能够引导读者逐步深入。这本书无疑是为那些希望在光电子器件领域进行深入研究的专业人士量身定制的。

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这本书绝对是那种让你在书店里一眼相中,然后爱不释手的那种。我之前一直对高速光电子器件这个领域充满了好奇,但总觉得它像是一个高深的迷宫,入口都找不到。直到我翻开这本书,才感觉眼前豁然开朗。书中的一些概念介绍,比如光学波导的传播模式分析,讲解得非常透彻,而且图文并茂,即使是对新手来说也足够友好。我特别喜欢其中关于SPP(表面等离子体激元)的章节,它将一些看似抽象的物理现象具象化,让我能直观地理解其工作原理。当然,书的篇幅不小,内容也非常扎实,不是那种泛泛而谈的科普读物。里面有一些公式推导和仿真方法的介绍,虽然我暂时还没完全消化,但能感觉到作者在理论深度和实践指导上都下了很大的功夫。我尤其期待接下来的章节,希望能看到更多关于器件制造工艺和性能优化方面的实际案例。总的来说,这本书为我打开了一扇通往光电子学研究的大门,让我看到了这个领域令人兴奋的可能性,也给了我继续深入学习的强大动力。

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我一直对光电集成电路的设计技术感到非常好奇,但总觉得那些复杂的电路图和仿真软件遥不可及。这本书就像一位经验丰富的向导,一步步带领我走进这个神奇的世界。我最喜欢的部分是关于光电集成的方法论,它不仅讲解了如何将不同的光电子元件集成在一个芯片上,还深入探讨了不同集成技术的优缺点。我尤其对书中关于硅光子集成平台的介绍印象深刻,作者清晰地阐述了其发展历史、关键技术以及未来的发展趋势。书中的一些具体设计案例,比如如何设计低功耗的光收发器,以及如何利用光子集成实现复杂的信号处理功能,都让我大开眼界。虽然我还没有完全掌握书中的所有设计技巧,但这本书已经为我提供了一个非常好的框架和起点。我迫不及待地想尝试书中的一些设计思路,并将它们应用到我自己的项目中。这本书让我看到了光电集成电路在通信、计算、传感等领域巨大的应用潜力。

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对于我这样一名刚刚接触高速光电子器件领域的研究生来说,这本书简直是一本“宝藏”。它以一种非常系统和全面的方式,为我梳理了整个领域的知识脉络。从最基础的光学原理,到复杂的器件结构和设计技术,书中都做了详尽的介绍。我尤其喜欢书中对不同类型光电集成电路的设计哲学和实现途径的讲解,这让我对未来的研究方向有了更明确的定位。我印象最深刻的是关于PIC(光子集成电路)设计流程的介绍,它详细描述了从概念设计到版图制作再到器件测试的整个过程,让我对实际的工程实践有了初步的了解。书中的一些仿真工具和方法介绍,也为我今后的研究工作提供了宝贵的参考。虽然某些章节的深度对我来说还有些挑战,但我相信随着我学习的深入,这本书一定会成为我不可或缺的研究伙伴。它不仅提供了知识,更重要的是,它激发了我对这个领域更深层次探索的兴趣。

评分

作为一名在光通信领域摸爬滚打多年的工程师,我一直觉得在高速光电子器件的理论建模方面,市面上能够找到的资料总是要么过于理论化,要么不够深入。这本书的出现,无疑填补了这个空白。我惊喜地发现,它并没有简单地堆砌公式,而是非常巧妙地将物理模型与实际应用相结合。例如,在介绍激光器模型的部分,作者不仅详细讲解了速率方程,还结合了半导体材料的特性,给出了如何进行仿真参数设定的指导。这对于我们做产品开发的人来说,简直是福音。书中对不同类型光调制器(如MZM, Electro-optic Mach-Zehnder modulator)的建模分析,也让我对它们的性能限制和优化方向有了更清晰的认识。我尤其赞赏其中关于电光效应和非线性效应的讲解,这些都是影响高速器件性能的关键因素,作者的处理方式既严谨又不失易读性。虽然有些章节可能需要一定的物理和数学基础,但总体而言,这本书的实用性和前瞻性都非常突出,是我近年来看到的最有价值的专业书籍之一。

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多学知识,书到用时方恨少啊。

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光电子器件专业教材,不错。

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好书

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书还是很好的,质量好

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书讲得很好

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书讲得很好

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不错,送货速度比较快,是正品。

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非常不错,好……

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没事的时候看看!看看别人怎么想的!

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