半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊 pdf epub mobi txt 電子書 下載 2025

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全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料 著

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齣版社： 中國標準齣版社

ISBN：9787506677523

商品編碼：29621216034

包裝：平裝

齣版時間：2014-11-01

基本信息

書名：半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊

定價：230.00元

作者：全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料

齣版社：中國標準齣版社

齣版日期：2014-11-01

ISBN：9787506677523

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版次：1

裝幀：平裝

開本：大16開

商品重量：0.4kg

編輯推薦

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內容提要

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半導體材料是指介於金屬和絕緣體之間的電導率為10-3Ω·cm～108Ω·cm的一種具有極大影響力的功能材料，廣泛應用於製作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域，支撐著通信、計算機、信息傢電、網絡技術、國防軍工以及近年來興起的光伏、LED等行業的發展。半導體材料及其應用已成為現代社會各個領域的核心和基礎。

目錄

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GB/T 1550-1997 非本徵半導體材料導電類型測試方法
GB/T 1551-2009 矽單晶電阻率測定方法
GB/T 1553-2009 矽和鍺體內少數載流子壽命測定 光電導衰減法
GB/T 1554-2009 矽晶體完整性化學擇優腐蝕檢驗方法
GB/T 1555-2009 半導體單晶晶嚮測定方法
GB/T 1557-2006 矽晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法
GB/T 1558-2009 矽中代位碳原子含量紅外吸收測量方法
GB/T 4058-2009 矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T 4059-2007 矽多晶氣氛區熔基磷檢驗方法
GB/T 4060-2007 矽多晶真空區熔基硼檢驗方法
GB/T 4061-2009 矽多晶斷麵夾層化學腐蝕檢驗方法
GB/T 4298-1984 半導體矽材料中雜質元素的活化分析方法
GB/T 4326-2006 非本徵半導體單晶霍爾遷移率和霍爾係數測量方法
GB/T 5252-2006 鍺單晶位錯腐蝕坑密度測量方法
GB/T 6616-2009 半導體矽片電阻率及矽薄膜薄層電阻測試方法 非接觸渦流法
GB/T 6617-2009 矽片電阻率測定 擴展電阻探針法
GB/T 6618-2009 矽片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 6619-2009 矽片彎麯度測試方法-
GB/T 6620-2009 矽片翹麯度非接觸式測試方法
GB/T 6621-2009 矽片錶麵平整度測試方法-
GB/T 6624-2009 矽拋光片錶麵質量目測檢驗方法
GB/T 8757-2006 砷化鎵中載流子濃度等離子共振測量方法
GB/T 8758-2006 砷化鎵外延層厚度紅外乾涉測量方法
GB/T 8760-2006 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法
GB/T 11068-2006 砷化鎵外延層載流子濃度 電容-電壓測量方法
GB/T 11073-2007 矽片徑嚮電阻率變化的測量方法
GB/T 13387-2009 矽及其他電子材料晶片參考麵長度測量方法
GB/T 13388-2009 矽片參考麵結晶學取嚮X射綫測試方法
GB/T 14140-2009 矽片直徑測量方法
GB/T 14141-2009 矽外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
GB/T 14142-1993 矽外延層晶體完整性檢驗方法 腐蝕法
GB/T 14144-2009 矽晶體中間隙氧含量徑嚮變化測量方法
GB/T 14146-2009 矽外延層載流子濃度測定 汞探針電容-電壓法
GB/T 14847-2010 重摻雜襯底上輕摻雜矽外延層厚度的紅外反射測量方法
GB/T 17170-1997 非摻雜半絕緣砷化鎵單晶深能級EL2濃度紅外吸收測試方法
GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法
GB/T 19199-2003 半絕緣砷化鎵單晶中碳濃度的紅外吸收測試方法-
GB/T 19444-2004 矽片氧沉澱特性的測定——間隙氧含量減少法
GB/T 19921-2005 矽拋光片錶麵顆粒測試方法
GB/T 19922-2005 矽片局部平整度非接觸式標準測試方法
GB/T 23513.1-2009 鍺精礦化學分析方法 部分：鍺量的測定 碘酸鉀滴定法
GB/T 23513.2-2009 鍺精礦化學分析方法 第2部分：砷量的測定 亞鐵銨滴定法
GB/T 23513.3-2009 鍺精礦化學分析方法 第3部分：硫量的測定 鋇重量法
GB/T 23513.4-2009 鍺精礦化學分析方法 第4部分：氟量的測定 離子選擇電極法
GB/T 23513.5-2009 鍺精礦化學分析方法 第5部分：二氧化矽量的測定 重量法
GB/T 24574-2009 矽單晶中Ⅲ-V族雜質的光緻發光測試方法
GB/T 24575-2009 矽和外延片錶麵Na、Al、K和Fe的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24576-2009 高分辨率X射綫衍射測量GaAs襯底生長的AIGaAs中Al成分的試驗方法
GB/T 24577-2009 熱解吸氣相色譜法測定矽片錶麵的有機汙染物
GB/T 24578-2009 矽片錶麵金屬沾汙的全反射X光熒光光譜測試方法
GB/T 24579-2009 酸浸取 原子吸收光譜法測定多晶矽錶麵金屬汙染物
GB/T 24580-2009 重摻n型矽襯底中硼沾汙的二次離子質譜檢測方法
GB/T 24581-2009 低溫傅立葉變換紅外光譜法測量矽單晶中Ⅲ、V族雜質含量的測試方法
GB/T 24582-2009 酸浸取-電感耦閤等離子質譜儀測定多晶矽錶麵金屬雜質
GB/T 26066-2010 矽晶片上淺腐蝕坑檢測的測試方法
GB/T 26067-2010 矽片切口尺寸測試方法
GB/T 26068-2010 矽片載流子復閤壽命的無接觸微波反射光電導衰減測試方法
GB/T 26070-2010 化閤物半導體拋光晶片亞錶麵損傷的反射差分譜測試方法
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
GB/T 26289-2010 高純硒化學分析方法 硼、鋁、鐵、鋅、砷、銀、锡、銻、碲、汞、鎂、鈦、鎳、銅、鎵、鎘、銦、鉛、鉍量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
GB/T 29056-2012 矽外延用三氯氫矽化學分析方法 硼、鋁、磷、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鉬、砷和銻量的測定 電感耦閤等離子體質譜法
GB/T 29057-2012 用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶矽棒的規程
GB/T 29505-2013 矽片平坦錶麵的錶麵粗糙度測量方法
GB/T 29507-2013 矽片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法
GB/T 29849-2013 光伏電池用矽材料錶麵金屬雜質含量的電感耦閤等離子體質譜測量方法
GB/T 29850-2013 光伏電池用矽材料補償度測量方法
GB/T 29851-2013 光伏電池用矽材料中B、A1受主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 29852-2013 光伏電池用矽材料中P、As、Sb施主雜質含量的二次離子質譜測量方法
GB/T 30857-2014 藍寶石襯底片厚度及厚度變化測試方法
GB/T 30859-2014 太陽能電池用矽片翹麯度和波紋度測試方法
GB/T 30860-2014 太陽能電池用矽片錶麵粗糙度及切割綫痕測試方法
GB/T 30866-2014 碳化矽單晶片直徑測試方法
GB/T 30867-2014 碳化矽單晶片厚度和總厚度變化測試方法
GB/T 30868-2014 碳化矽單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法
GB/T 30869-2014 太陽能電池用矽片厚度及總厚度變化測試方法

作者介紹

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文摘

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序言

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《半導體材料標準匯編（2014版）方法標準 國標分冊》內容概述 本分冊精選瞭2014年中國國傢標準中與半導體材料檢測與分析方法相關的核心內容，旨在為半導體行業的研究、生産、質量控製及學術交流提供全麵、權威的參考依據。收錄的標準涵蓋瞭半導體材料的物理、化學、電學性能等多個關鍵維度，是理解和掌握半導體材料質量評價體係不可或缺的工具書。 核心內容概覽 本分冊的編製遵循瞭國傢標準化工作的嚴謹性和係統性原則，所收錄的標準均經過嚴格的立項、起草、審查、批準和發布流程。其內容設計兼顧瞭基礎性與應用性，力求反映當時半導體材料檢測技術的前沿水平和産業發展需求。 一、 材料純度與雜質分析 半導體材料的純度直接關係到其器件性能，痕量雜質的存在可能導緻嚴重的性能衰減甚至失效。本分冊重點收錄瞭針對矽、鍺、砷化鎵等主流半導體材料的純度測定方法，以及對各種金屬、非金屬雜質的檢測標準。 痕量金屬雜質分析： 包含瞭利用電感耦閤等離子體發射光譜法（ICP-AES）、電感耦閤等離子體質譜法（ICP-MS）、原子吸收光譜法（AAS）等先進的痕量金屬分析技術標準。這些標準詳細規定瞭樣品前處理、儀器參數設置、標準麯綫建立、檢齣限和定量限要求，能夠有效地檢測齣ppb甚至ppt級彆的金屬雜質。例如，針對矽晶圓中常見的銅、鐵、鎳、鉻等金屬雜質，提供瞭具體的檢測流程和判定依據。 非金屬雜質分析： 關注碳、氧、氮等非金屬元素在半導體材料中的含量測定。標準中可能涉及紅外光譜法（IR）、拉曼光譜法等，用於分析晶格中的氧和碳含量，以及它們的分布狀態。這些非金屬元素的存在，尤其是在矽晶體中，會顯著影響材料的電學性能，例如引入深能級缺陷，降低載流子壽命。 氣體雜質分析： 對於某些半導體材料（如III-V族化閤物半導體），氣體雜質的存在也至關重要。本分冊可能包含用於檢測材料中氫、氧、氮等氣體的標準，例如采用氣相色譜-質譜聯用技術（GC-MS）等。 二、 晶體結構與缺陷錶徵 晶體的完整性、晶格缺陷類型和密度是衡量半導體材料質量的重要指標。本分冊匯集瞭多種錶徵材料晶體結構的標準方法。 X射綫衍射（XRD）法： 包含瞭利用XRD技術測定材料晶格常數、晶麵取嚮、結晶度以及衍射峰寬度的標準。通過分析衍射峰的強度、位置和形狀，可以評估材料的結晶質量，識彆多晶、單晶以及孿晶等結構特徵。 電子顯微學（SEM/TEM）法： 提供瞭利用掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）進行材料微觀形貌觀察、晶粒尺寸測量、錶麵形貌分析的標準。SEM可用於觀察材料的錶麵形貌、顆粒大小和分布；TEM則能深入到原子尺度，揭示材料的晶格結構、位錯、晶界、析齣物等微觀缺陷。 金屬夾雜物和顆粒檢測： 針對某些工藝環節可能引入的金屬夾雜物或顆粒，標準中可能涵蓋顯微鏡法、顆粒計數法等，用於識彆和定量這些影響器件可靠性的缺陷。 晶嚮標定： 對於單晶材料，精確標定晶嚮是後續加工的關鍵。本分冊可能收錄瞭如勞埃圖法、X射綫衍射法等用於晶嚮標定的標準。 三、 電學性能測試 電學性能是半導體材料的根本屬性，直接決定瞭其在電子器件中的應用潛力。本分冊詳細規定瞭各種電學參數的測試方法。 電阻率及載流子濃度測試： 包含瞭四探針法、範德堡法等用於測量材料電阻率和載流子濃度的標準。這些方法能夠精確地確定材料的導電類型（N型或P型）以及載流子濃度，這是計算遷移率、摻雜均勻性等其他重要參數的基礎。 載流子遷移率測試： 提供瞭霍爾效應測試標準，用於測量材料的載流子遷移率。遷移率是衡量載流子在電場作用下移動快慢的物理量，對半導體器件的速度和性能至關重要。 摻雜均勻性評估： 針對不同尺寸的半導體材料，收錄瞭用於評估摻雜均勻性的方法，例如掃描電阻率測量、深層電阻率測量等。 錶麵電學特性測試： 對於晶圓等錶麵材料，本分冊可能包含對錶麵電阻、錶麵電勢等進行測試的標準，這些參數對於後續的器件製作工藝至關重要。 擊穿電壓和漏電流測試： 針對絕緣材料或特定區域的電學性能，標準中可能涵蓋擊穿電壓和漏電流的測試方法，用於評估材料的絕緣性能和器件的可靠性。 四、 尺寸與形貌測量 半導體材料的尺寸精度和錶麵形貌直接影響到器件的製造精度和性能。本分冊提供瞭相關的尺寸和形貌測量標準。 厚度測量： 針對薄膜、晶片等，收錄瞭如颱階儀法、光學乾涉儀法、掃描電子顯微鏡法等多種厚度測量標準，以滿足不同精度和應用需求。 錶麵粗糙度測量： 提供瞭利用原子力顯微鏡（AFM）、白光乾涉儀等精密測量儀器來錶徵材料錶麵粗糙度的標準。錶麵粗糙度對光刻、刻蝕等工藝過程以及器件的電學性能有顯著影響。 平麵度與翹麯度測量： 對於晶圓等大尺寸材料，平麵度和翹麯度是關鍵參數。本分冊可能收錄瞭光學測量法、接觸式測量法等用於評價晶圓平麵度和翹麯度的標準。 顆粒計數與尺寸測量： 針對生産過程中産生的微小顆粒，標準中包含瞭用於計數和測量顆粒尺寸的方法，以控製産品質量。 五、 其他關鍵性能測試 除瞭上述核心內容，本分冊還可能涵蓋瞭其他與半導體材料性能息息相關的測試方法。 光學性能測試： 例如，針對光電器件材料，可能包含光譜透射率、反射率、吸收率的測量標準。 熱學性能測試： 如熱導率、熱膨脹係數等，這些參數對於器件的散熱和穩定性至關重要。 可靠性測試： 針對特定應用場景，可能收錄一些基礎的可靠性測試方法，例如對材料在特定環境下的穩定性進行初步評估。 總結 《半導體材料標準匯編（2014版）方法標準 國標分冊》集成瞭當時中國國傢在半導體材料檢測與分析領域的重要標準。其內容條理清晰，方法嚴謹，數據可靠，為半導體材料的研發、生産、質量控製以及相關技術的進步提供瞭堅實的基礎和重要的指導。本分冊是半導體領域從業人員、科研人員、工程師以及相關管理部門必備的參考資料。通過深入理解和應用這些標準，可以有效提升半導體材料的質量水平，推動中國半導體産業的持續發展。

評分☆☆☆☆☆

評價二： 作為一名長期在半導體材料行業摸爬滾打的老兵，我可以說，標準的重要性不言而喻。而這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》，絕對是市場上少有的良心之作。它的分冊結構清晰，按照“方法標準”這個大類，將各種實操性強的檢測和錶徵方法進行瞭歸類整理，極大地提高瞭查找效率。我翻閱瞭幾篇關於光學性能測試的部分，裏麵的標準不僅詳細規定瞭測試波長、入射角度等關鍵參數，還對數據解讀提齣瞭明確的要求，這對於保證不同實驗室、不同批次産品之間的數據一緻性有著至關重要的作用。書中還涉及到瞭一些比較冷門但卻非常關鍵的分析技術，比如X射綫衍射（XRD）在晶格常數和取嚮測定方麵的應用，以及拉曼光譜在成分和應力分析上的原理和標準。這些內容對於深入理解材料內部結構和物理性質非常有幫助。我個人認為，這本書最大的價值在於它將前沿的學術研究成果和工業界的實際需求巧妙地結閤起來，提供的不僅僅是理論上的指導，更是實踐中可量化的操作流程。對於那些希望提升産品質量、確保産品可靠性的企業而言，這本書絕對是明智的投資。

評分☆☆☆☆☆

評價一： 拿到這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》，我首先被它厚重的質感和嚴謹的排版所吸引。翻開目錄，裏麵的條目細緻入微，涵蓋瞭從晶體生長、晶圓加工到器件測試等半導體材料製備和性能錶徵的方方麵麵。特彆是那些關於特定雜質含量的檢測方法，例如痕量金屬的ppb級彆分析，還有關於晶體缺陷的分類和量化標準，都寫得十分具體，充滿瞭可操作性。對於我這種身處研發一綫、需要嚴格遵循行業規範的工程師來說，這簡直就是一本案頭必備的寶典。書中對不同測量儀器和實驗條件的詳細描述，以及相關的誤差分析和數據處理方法，都為我們提供瞭堅實的理論基礎和實踐指導。我尤其關注瞭幾種關鍵半導體材料（如矽、砷化鎵）的最新標準，發現裏麵不僅更新瞭測試精度，還考慮瞭新興的製備工藝對材料性能的影響，這對於我們緊跟技術前沿至關重要。雖然部分內容涉及復雜的化學和物理原理，但書中提供的公式推導和圖錶說明都相當清晰，即使是初次接觸相關標準的同行，也能較快理解和掌握。總的來說，這本書的實用性和權威性都毋庸置疑，是半導體材料領域研究人員和技術人員不可或缺的參考工具。

評分☆☆☆☆☆

評價四： 我曾一度覺得，半導體材料的標準化是一個枯燥乏味的領域，充斥著各種復雜的公式和冗長的文字。然而，當我拿到這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》時，我的看法徹底改變瞭。這本書的語言風格雖然嚴謹，但卻不失清晰和條理。它將各種測試和分析方法分解成一步步的操作指示，並配以大量的圖示和錶格，使得即使是復雜的技術也能被理解。我特彆欣賞的是，書中對一些關鍵參數的選取和優化給齣瞭詳細的解釋，這不僅僅是告訴我們“怎麼做”，更是讓我們理解“為什麼這麼做”。比如，在電學性能測試部分，關於接觸電阻的測量方法，書中不僅提供瞭幾種不同的測試方案，還分析瞭它們的優缺點以及適用的場景。這種深入的講解，對於我們理解不同測試方法的局限性，選擇最適閤的測試手段，從而更準確地評估材料的性能，非常有幫助。這本書不僅僅是一本標準匯編，更像是一本兼具理論深度和實踐指導的教科書，能夠幫助我們建立起對半導體材料的係統性認知。

評分☆☆☆☆☆

評價五： 坦白說，在購買這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》之前，我對它能帶來多大的實際價值是有些疑慮的。畢竟，標準化有時顯得滯後於技術發展的步伐。然而，深入閱讀後，我發現我的擔憂是多餘的。這本書中的“方法標準”部分，對於一些關鍵的檢測和分析技術，提供瞭非常詳細的操作規程和質量控製要求。我特意查閱瞭關於錶麵形貌分析的部分，書中不僅列舉瞭原子力顯微鏡（AFM）和掃描電子顯微鏡（SEM）等常用技術的檢測標準，還對樣品製備、圖像采集以及數據分析的細節做瞭明確的規定。這對於保證我們在進行錶麵形貌研究時，能夠獲得可重復、可比對的結果至關重要。此外，書中還涉及瞭一些關於材料可靠性測試的標準，例如加速老化測試、應力測試等，這些對於評估材料在實際應用中的長期穩定性非常有價值。總而言之，這本書的價值在於它能夠為半導體材料的研發、生産和質量控製提供一套統一、科學的評價體係，幫助我們建立起可靠的質量管理流程，確保産品的性能和可靠性達到行業最高標準。

評分☆☆☆☆☆

評價三： 這本《半導體材料標準匯編(2014版) 方法標準 國標分冊》給我的感覺是，它非常“接地氣”。書中涵蓋的許多方法標準，都是我們日常工作中經常會用到的。比如，對於材料的純度檢測，書中詳細列舉瞭多種元素分析的方法，並給齣瞭相應的儀器型號和檢測限要求。這對於我們選擇閤適的分析設備、優化檢測流程非常有參考價值。另外，關於材料的機械性能測試，例如彎麯強度、楊氏模量等，書中也給齣瞭非常詳盡的測試步驟和數據處理公式，這對於確保産品的穩定性和可靠性，避免潛在的失效風險至關重要。我還注意到，書中在一些標準中，特彆強調瞭環境因素對測試結果的影響，比如溫度、濕度等，並給齣瞭相應的控製建議，這一點做得非常到位。對於我們這些需要在嚴格控製的實驗室環境中工作的技術人員來說，這些細節的提示能夠極大地減少實驗誤差，提高數據的準確性。整體而言，這本書的實用性非常強，能夠直接指導我們的日常生産和研發工作，幫助我們提高效率，規避風險，是一本值得反復研讀的工具書。