半導體物理學（第7版） pdf epub mobi txt 電子書下載 2025

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劉恩科著

圖書標籤:

半導體物理學
固體物理
電子工程
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半導體器件
微電子學
高等教育
教材
第七版

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齣版社：電子工業齣版社

ISBN：9787121320071

版次：7

商品編碼：12156267

包裝：平裝

開本：16開

齣版時間：2017-07-01

用紙：膠版紙

頁數：400

字數：730000

具體描述

內容簡介

　　本書以正確闡述物理概念為主，輔以必要的數學推導，理論分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹沒在繁瑣的數學運算中，使讀者通過學習，達到對半導體中的各種基本物理現象有一全麵正確的概念，建立起清晰的半導體物理圖像，為後續課程的學習，研究工作的開展，理解各種半導體器件，集成電路的工作機理打下良好的基礎。

作者簡介

　　西安交通大學電子與信息工程學院微電子學係教授﹑博士生導師，一直從事教學及科研工作。對本科生講授過《普通物理學》﹑《原子物理學》﹑《固體物理學》 ﹑《半導體物理學》，《半導體物理與器件》﹑《半導體器件工藝》﹑《半導體物理與工藝實驗》。對碩士生講授過《太陽電池物理》﹑《半導體集成光學》。對博士生講授過《半導體光電子學和光集成》等課程。

前言/序言

再版前言

本教材第1版於1979年12月由國防工業齣版社齣版。以後，被推薦列入原電子工業部教材辦公室組織編導的1982—1985年、1986—1990年、1991—1995年年度的高等學校工科電子類專業教材編審齣版規劃，並由《電子材料與固體器件》教材編審委員會《半導體物理與器件》編審組負責編審、推薦齣版。此後，再次被推薦為國傢級重點教材，並列入電子工業部的1996—2000年全國電子信息類專業教材編審齣版規劃，由微電子技術專業教學指導委員會負責編審、推薦齣版。2006年納入普通高等教育“十一五”國傢級規劃教材，修訂齣版。2012年入圍“十二五”普通高等教育本科國傢級規劃教材，2014年被教育部評選為“普通高等教育精品教材”。

按照各次教材規劃的要求，本教材第2版於1984年5月由上海科學技術齣版社齣版，並於1987年12月獲電子工業部1977—1985年年度工科電子類專業優秀教材特等奬，1988年1月獲全國高等學校優秀教材奬。第3版於1989年5月由國防工業齣版社齣版，並於1992年1月獲第二屆機械電子工業部電子類專業優秀教材特等奬，1992年11月獲第二屆普通高等學校優秀教材全國特等奬。第4版於1994年4月由國防工業齣版社齣版，第5版於1998年10月由西安交通大學齣版社齣版。第6版於2003年8月由電子工業齣版社齣版，第7版於2008年5月由電子工業齣版後，於2013年3月進行改版修訂，印刷12次，印數8萬多冊。本次是在2013年改版的基礎，再次修訂。依據當前教學需求再次改版。

本教材共13章，主要內容為：半導體的晶格結構和電子狀態；雜質和缺陷能級；載流子的統計分布；載流子的散射及電導問題；非平衡載流子的産生、復閤及其運動規律；pn結；金屬和半導體的接觸；半導體錶麵及MIS結構；半導體異質結構；半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現象和非晶態半導體。各章後都附有習題和參考資料供教師、學生選用。本教材由西安交通大學劉恩科擔任主編。

第7版修訂由劉恩科，硃秉升，羅晉生進行。劉恩科負責第1.1～1.8節、第4章、第7章、第10.1～10.5節、第11章、第12章節及附錄；硃秉升負責第1.9節、1.10節、第2章、第3章、第6章、10.6節、10.7節；羅晉生負責第5、第8、第9、第13章。修訂主要做瞭以下一些工作：

(1)為瞭便於讀者閱讀其他有關科技書籍、文獻資料，將波數矢量的大小定義為 k =2π/ λ ，並將與之有關的所有公式做瞭相應的修改；

(2)電場改用 E 錶示，其中黑體 E 錶示矢量，非黑體 E 錶示標量，與之相應的公式均做瞭修改；

(3)常用的一些參數數據盡可能參閱近年來有關的文獻資料並做瞭一定的更新，附錄是按2004年美國齣版由Madelung O.主編《Semiconductors:Data Book,3 rd edition》整理的；

(4)為便於理解GaN、AlN的能帶，第1章增加瞭具有六方對稱的縴鋅礦結構的布裏淵區；

(5)第2章增加瞭GaN、AlN、SiC中的雜質能級；

(6)第3章將載流子占據雜質能級的概率改用簡並因子 g 錶示的普遍公式；

(7)第4章簡要地介紹瞭少數載流子遷移率的概念；

(8)第5章增加瞭矽的少數載流子壽命與擴散長度一節；

(9)第9章增加瞭GaN基半導體異質結構，介紹瞭極化效應及AlGaN/GaN和InGaN/GaN的異質結構及其特性；

(10)將原第9章中的半導體異質結在光電子器件中的應用一節移到第10章；

(11)由於羅晉生教授一絲不苟的作風，對第6版中不少錯誤進行瞭訂正，期望經過這次修訂盡可能將書中存在的錯誤降至最少。

使用本教材時，主要以前9章為主，第10章至第13章視各校情況選用。教學中第1章的1.1～1.4節視學生是否學習過固體物理學中的能帶論酌情處理，第6章pn結，著重在物理過程的分析，輔以必要的數學推導，至於與生産實際聯係密切的內容是屬於晶體管原理課程所解決的問題。同時，為瞭便於教學，依據近年來教學知識體係及教學學時數的調整，以及眾多學校使用本教材後反饋的信息，本次改版對全書的知識體係進行瞭分層。除主修內容外，將各校視需要而選修的內容，以及研究生階段參考的理論證明，加深、拓展的內容分彆以“*”和“ ★ ”標齣，供各學校教學參考。

“半導體物理學”作為電子科學與技術專業的骨乾課程之一，理論性和係統性均較強。為瞭幫助學生掌握並深刻理解課程中涉及的概念、理論和方法，以及增強解決實際問題的能力，又為本課程配套編寫瞭《半導體物理學學習輔導及習題詳解》一書(電子工業齣版社齣版)。同時，復旦大學蔣玉龍教授根據多年的教學體會，為本書開發瞭同步教學多媒體課件，需要的讀者可以到華信教育資源網（www.hxedu.com.cn）申請。

本教材由劉恩科編寫第1章的1.1～1.8節，第4、第7和第11、第12章及第10章的室溫激子部分；硃秉升編寫第2、第3、第6章及第1章的1.9節和1.10節，5.4節中的俄歇復閤，以及第9章的9.1節、9.6節，第10章的10.6節、10.7節；羅晉生編寫第8、第13章，第4章4.2節中的閤金散射，第5章的5.9節，第9章的9.2～9.5節；屠善潔編寫第10章的10.1～10.6節；亢潤民編寫第5章的5.1～5.8節和第7章；附錄由劉恩科、亢潤民整理。

在各次修訂時，主審和《半導體物理與器件》教材編審組全體委員及電子科學與技術專業教學指導委員會全體委員，以及使用本教材的各院校教師，都為本書提齣許多寶貴意見。本次修訂，部分院校的授課教師及電子工業齣版社的陳曉莉編審提供瞭很寶貴的意見，在此錶示誠摯的感謝!

由於編者水平有限，書中難免還存在一些缺點和錯誤，殷切希望廣大讀者批評指正。

編者

2017年6

於西安交通大學

《半導體物理學》（第7版）內容詳盡指南本書是一本旨在全麵深入地闡述半導體材料及其物理原理的權威著作。它不僅為初學者構建堅實的理論基礎，也為相關領域的專業研究者提供瞭寶貴的參考。本版內容在原有基礎上進行瞭 extensive 的更新與拓展，力求反映半導體科學與技術領域最新的發展動態和研究前沿。第一部分：晶體結構與電子理論基礎本部分從半導體最基本的組成單元——晶體結構入手，詳細介紹瞭各類半導體材料（如矽、鍺、砷化鎵等）的晶格結構、對稱性及其對材料性質的影響。晶體生長技術、缺陷的形成與錶徵也在本章得到詳盡的闡述，為後續章節的理論分析奠定基礎。隨後，本書係統地梳理瞭量子力學在理解半導體電子行為中的核心作用。我們將深入探討薛定諤方程在周期勢場中的應用，詳細推導能帶理論，清晰解釋絕緣體、半導體和導體的能帶結構差異。布裏淵區、晶格振動（聲子）的概念及其對電子-聲子相互作用的影響，也將得到嚴謹的論證。第二部分：載流子輸運與統計學本部分的核心在於解釋半導體內部電荷載流子的行為。我們將詳細闡述本徵半導體的載流子産生與復閤機製，以及摻雜對載流子濃度的影響，深入剖析雜質能級及其對導電性能的調控作用。緊接著，本書將係統講解各種載流子輸運現象，包括漂移和擴散。我們將詳細推導歐姆定律在半導體中的適用條件，分析霍爾效應的物理本質及其在材料參數測量中的應用。同時，還會深入探討非平衡載流子動力學，如載流子的壽命、錶麵復閤和俘獲等現象，這些對於理解器件的動態響應至關重要。統計物理學的應用貫穿本部分始終。我們將詳細介紹費米-狄拉剋統計在半導體中的應用，推導本徵和摻雜半導體的載流子濃度公式，並深入分析不同溫度下的統計行為。第三部分： PN結及其基本器件 PN結是現代半導體器件的基石，本部分將對其進行細緻入微的分析。我們將詳細闡述PN結的形成過程、勢壘的形成機理，以及在外加電壓作用下的載流子行為（擴散和漂移）。靜電勢、電場和載流子濃度的分布在PN結中的變化將得到嚴謹的推導和討論。我們將分析PN結的伏安特性麯綫，解釋其整流作用的物理根源。本部分還將深入探討PN結的容限效應、雪崩擊穿和齊納擊穿等重要的擊穿機製。基於PN結的原理，本書將詳細介紹幾類重要的基本半導體器件：二極管：包括點接觸二極管、PN結二極管、肖特基二極管等，闡述其工作原理、特性麯綫以及在整流、開關等應用中的作用。晶體管：重點講解雙極結型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET），包括其結構、工作原理、放大和開關特性。特彆是對MOSFET的詳細分析，涵蓋其柵極結構、閾值電壓、跨導等關鍵參數，為理解現代集成電路打下基礎。第四部分：半導體異質結與器件應用隨著半導體材料科學的發展，異質結器件的齣現極大地拓展瞭半導體的應用範圍。本部分將重點介紹由不同半導體材料形成的異質結，如GaAs/AlGaAs異質結。我們將詳細分析異質結中的能帶錯配、界麵態及其對載流子行為的影響。在此基礎上，本書將深入探討基於異質結的新型器件：雙極異質結晶體管（HBT）：分析其相比於BJT的優勢，以及在高頻應用的潛力。量子阱器件：介紹量子限域效應，以及在激光器、LED等光電器件中的應用。 MOSFET的進一步分析：深入探討短溝道效應、亞閾值擺幅等高級概念，以及其在CMOS電路中的重要性。第五部分：光與半導體的相互作用本部分將聚焦於光電器件，深入闡述光與半導體的相互作用。我們將詳細分析光子在半導體中的吸收與發射過程，解釋光生載流子的産生和復閤機製。本書將係統介紹各類光電器件的工作原理：光電探測器：包括光電二極管、光電導探測器、光電倍增管等，闡述其探測原理、響應時間、量子效率等關鍵性能指標。發光二極管（LED）：重點分析其輻射復閤過程，不同材料體係的LED發光顔色，以及其在顯示和照明領域的應用。激光器：深入講解半導體激光器的閾值電流、增益譜、輸齣功率等特性，以及其在高密度信息存儲、通信等領域的應用。第六部分：現代半導體技術與未來展望本部分將帶領讀者瞭解當前半導體技術的發展現狀和前沿領域。我們將討論先進的半導體製造工藝，如光刻、刻蝕、薄膜沉積等，以及其在實現更小特徵尺寸和更高集成度方麵的挑戰。同時，本書還將介紹一些新興的半導體材料和器件，如寬禁帶半導體（SiC, GaN）在功率器件和高頻電子領域的應用；二維材料（如石墨烯）的獨特性質及其潛在應用；以及自鏇電子學、量子計算等顛覆性技術的發展方嚮。最後，本書將對半導體科學與技術的未來發展趨勢進行展望，鼓勵讀者在不斷變化和進步的領域中進行探索和創新。《半導體物理學》（第7版）力求內容全麵、邏輯嚴謹、物理直觀，並通過大量圖示和例題，幫助讀者深刻理解半導體物理學的精髓，為後續的學習和研究打下堅實的基礎。

用戶評價

評分☆☆☆☆☆

如果說有一本書能夠讓我放下手中的手機，沉浸其中，那一定是《半導體物理學（第7版）》。我本來以為這本厚重的教材會是一堆枯燥的公式和理論，但事實卻齣乎我的意料。作者用一種非常人性化，甚至可以說是有溫度的方式，來講述半導體物理。他不僅僅是羅列事實，而是通過引導性的提問，激發讀者的思考。例如，在講解“費米-狄拉剋分布”時，他並沒有直接給齣復雜的數學錶達式，而是先問讀者，在一定溫度下，電子占據不同能量狀態的概率如何變化？這種循序漸進的引導方式，讓我感覺自己像是在和一位經驗豐富的老師對話，而不是在被動地接受信息。我尤其喜歡書中對於“錶麵效應”的討論，它解釋瞭為什麼在材料的錶麵，電子的行為會與體相有很大的不同，這對於理解MOSFET等器件的柵極控製機製至關重要。書中還涉及到瞭半導體異質結的概念，這讓我明白瞭為什麼不同的半導體材料可以巧妙地組閤在一起，形成具有特殊功能的器件，比如LED的光電轉換效率是如何被提升的。這本書的語言風格非常流暢，即使是遇到一些復雜的高級概念，作者也能用相對通俗易懂的語言來闡釋，並配以精美的插圖和錶格，讓整個學習過程更加輕鬆愉快。

評分☆☆☆☆☆

我必須承認，《半導體物理學（第7版）》這本書，徹底改變瞭我對半導體物理學的刻闆印象。一直以來，我都覺得這個領域是屬於那些“天纔”的，充滿瞭晦澀難懂的數學和物理概念。但是，當我開始閱讀這本書後，我發現自己錯瞭。作者以一種非常“接地氣”的方式，將那些看似遙不可及的理論，與我們日常生活中的電子産品聯係瞭起來。我至今還記得，在講解“擴散電流”的時候，作者用瞭一個非常生動的例子，將電子比作在一個擁擠的房間裏，它們會自然地嚮人少的地方擴散，直到達到一種平衡狀態。這種生活化的類比，讓我一下子就理解瞭半導體中載流子的擴散機製。書中對於“漂移電流”的解釋也同樣精彩，它就像是一個推著小車的人，在平坦的地麵上走，速度會隨著推力的加大而增加。我特彆欣賞書中對“pn結”的深入剖析，它詳細解釋瞭正嚮偏置、反嚮偏置以及零偏置下pn結的電學特性，這讓我明白瞭二極管和三極管是如何工作的。而且，作者並沒有止步於此，他還進一步討論瞭npn和pnp晶體管的結構和放大原理，讓我看到瞭半導體器件的層層遞進。這本書不僅僅是知識的傳遞，更是一種思維的啓迪，它讓我看到瞭科學的魅力，以及那些偉大發明背後深刻的物理原理。

評分☆☆☆☆☆

我是一名軟件工程師，雖然日常工作主要與代碼打交道，但一直對硬件底層原理，特彆是半導體這個核心領域非常感興趣。《半導體物理學（第7版）》恰好滿足瞭我的求知欲。這本書的視角非常宏觀，它不僅僅局限於微觀的粒子行為，而是將這些微觀現象與宏觀的器件性能緊密地聯係起來。作者在講解能帶理論時，采用瞭非常形象的比喻，例如將電子比作在工廠裏搬運貨物的工人，需要通過一定的“能量通道”纔能到達不同的工作區域，這種類比讓我一下子就抓住瞭核心概念。我特彆喜歡書中對“電子-空穴對”以及“載流子濃度”的討論，它清晰地展示瞭半導體在不同狀態下（如光照、加電場）電導率的變化規律。書中對於“霍爾效應”的講解更是讓我大開眼界，它不僅解釋瞭如何通過霍爾效應來測量載流子類型和濃度，還展示瞭其在許多實際測量儀器中的應用。此外，書中還涉及到瞭半導體器件中的一些基本物理過程，如擴散、漂移、以及載流子在電場作用下的加速和散射，這些都為我理解更復雜的半導體器件（如晶體管、二極管）打下瞭堅實的基礎。這本書讓我明白瞭，理解軟件的運行，離不開對底層硬件的認知，而半導體物理學正是這其中的關鍵。

評分☆☆☆☆☆

《半導體物理學（第7版）》這本書，對我來說，就像是一把開啓半導體世界大門的鑰匙。我一直對集成電路、微處理器這些“高科技”産品充滿瞭好奇，但總是覺得它們離自己很遠，很神秘。直到我開始閱讀這本書，我纔慢慢明白，這些神奇的電子設備，都是基於一些最基本的半導體物理原理。作者在講解“能帶理論”時，並沒有直接使用復雜的數學推導，而是通過一個巧妙的類比，將電子在晶體中的能量狀態比作一個多層樓的房間，隻有擁有足夠的能量，電子纔能“跳躍”到更高的樓層，也就是更高的能級。這個比喻讓我一下子就理解瞭半導體為什麼會有導電帶和價帶之分。我最喜歡的部分是關於“載流子輸運”的章節，它詳細解釋瞭電子和空穴是如何在電場作用下移動，以及它們在晶格中的散射現象。這些內容讓我明白瞭為什麼半導體的導電性會受到溫度和雜質的影響。書中還涉及到瞭半導體器件中的一些重要概念，比如“閾值電壓”和“漏電流”，這些都為我理解更復雜的電子元件打下瞭基礎。總而言之，這本書是一本非常優秀的入門教材，它用清晰的語言和形象的比喻，將那些復雜的物理概念變得觸手可及，讓我對半導體世界有瞭全新的認識。

評分☆☆☆☆☆

剛拿到《半導體物理學（第7版）》的時候，我其實是抱著一種“看一看，學點東西”的心態。畢竟，半導體物理聽起來就不是那種輕鬆易懂的學科。然而，事實證明，我的擔憂是多餘的。這本書的作者，真是一位能夠化繁為簡的大師。他以一種非常引人入勝的方式，將那些抽象的物理概念，比如電子在晶體中的運動，以及各種能量的相互作用，描繪得栩栩如生。我特彆欣賞他對於量子力學在半導體中的應用的處理方式。以往我看過的很多關於這個主題的書，往往會直接拋齣復雜的薛定諤方程，讓人望而卻步。但在這本書裏，作者循序漸進，從最基本的粒子行為開始，慢慢過渡到如何用量子力學來解釋半導體的能帶結構，這個過程非常自然，而且清晰易懂。我最喜歡的部分是關於“有效質量”的章節，它解釋瞭為什麼電子在晶體中錶現得像擁有不同的質量一樣，這對於理解半導體的導電性和傳輸性質至關重要。此外，書中對於晶格振動，也就是聲子的介紹也十分到位，讓我明白瞭溫度對半導體性能的影響。我甚至覺得，作者在撰寫這本書時，一定設身處地地站在瞭一個初學者的角度，去思考如何纔能讓讀者最快、最有效地掌握這些知識。這本書不僅僅是知識的堆砌，更像是一次引人入勝的科學探索之旅，讓我對半導體這個迷人的領域充滿瞭敬畏和好奇。

評分☆☆☆☆☆

對於像我這樣，在大學階段接觸過半導體物理，但又因為各種原因，很多細節已經模糊的讀者來說，《半導體物理學（第7版）》簡直就是一本“及時雨”。這次重讀，我有瞭全新的體會。這本書最大的亮點在於它在保留瞭核心物理理論精髓的同時，又巧妙地融入瞭最新的研究進展和技術應用。作者在闡述經典理論時，並沒有因為年代久遠而顯得陳舊，反而通過精煉的語言和恰當的插圖，使其煥發齣新的生命力。我印象深刻的是關於“載流子復閤”的章節，它不僅詳細解釋瞭輻射復閤和非輻射復閤的機理，還聯係到瞭LED和激光器的發光效率問題，讓我看到瞭理論與實際應用之間緊密的聯係。對於一些復雜的高級概念，比如“陷阱態”、“錶麵態”以及“載流子輸運理論”中的濛特卡洛模擬方法，作者也給齣瞭相對易於理解的闡述，並配以相關的物理模型和數學描述。我尤其欣賞書中對於半導體材料分類的詳盡介紹，從最常見的矽、鍺，到III-V族化閤物半導體，以及一些新型的寬禁帶半導體，如氮化鎵和碳化矽，都進行瞭詳細的特性分析和應用前景展望。這本書讓我意識到，半導體物理學遠不止於基礎理論，它更是支撐著我們現代電子工業蓬勃發展的基石。每一次翻閱，都能學到新的知識，解決一些之前睏擾我的疑問，這讓我感到非常充實和滿足。

評分☆☆☆☆☆

《半導體物理學（第7版）》這本書，是我近期閱讀過最令人興奮的一本技術類書籍。作者的敘述方式非常獨特，他不僅僅是機械地傳授知識，而是通過提問、引導和對比，讓讀者自己去發現和理解其中的奧秘。在講解“晶體結構”時，他並沒有直接給齣復雜的密排結構模型，而是先讓讀者思考，為什麼原子會以特定的方式排列？這種引導性的提問方式，讓我對晶體學的基本原理産生瞭濃厚的興趣。我最喜歡的部分是關於“量子效應在半導體中的應用”的章節，它詳細解釋瞭量子隧穿效應、量子阱等概念，以及它們在現代半導體器件中的應用，比如存儲器和量子計算。這些前沿的知識讓我看到瞭半導體物理學在不斷發展和創新。書中還對“熱電效應”進行瞭詳細的介紹，這讓我明白瞭半導體材料如何將熱能轉化為電能，或者反過來，這對於能源轉換技術具有重要的意義。這本書的優點在於，它能夠在保持理論深度的同時，又具備很強的可讀性，讓我能夠深入淺齣地理解那些看似高深的概念。每次讀完一章，我都會感覺自己對半導體世界的理解又提升瞭一個層次。

評分☆☆☆☆☆

這是一本讓我欲罷不能的《半導體物理學（第7版）》。我通常對物理教材的印象就是枯燥乏味，但這本書卻給瞭我截然不同的體驗。作者的敘述風格非常活潑，而且總是能恰到好處地插入一些有趣的曆史故事或者實際應用案例，讓我在學習知識的同時，也能感受到科學發展的脈絡。我印象最深刻的是關於“半導體製造工藝”的章節，它詳細介紹瞭光刻、刻蝕、摻雜等關鍵步驟，讓我明白瞭那些精密的芯片是如何一步步被製造齣來的。這種將理論與實踐緊密結閤的做法，讓我覺得非常實用，也更加激發瞭我對這個領域的熱情。書中對“MOSFET”的講解也尤為精彩，它不僅解釋瞭MOSFET的結構和工作原理，還深入分析瞭其各種工作模式，比如飽和區、綫性區，以及關鍵參數如跨導和輸齣電阻的意義。這些內容對於我理解現代電子設備中的核心元件至關重要。此外，書中還對一些新興的半導體材料和器件，如量子點、二維材料等進行瞭介紹，讓我看到瞭半導體技術的未來發展方嚮。總的來說，這本書不僅是一本紮實的教科書，更是一本能夠激發讀者好奇心和探索欲的讀物，我強烈推薦給任何想要深入瞭解半導體物理學的人。

評分☆☆☆☆☆

這是一本讓我愛不釋手的教材！我一直對半導體這個領域充滿好奇，但總覺得理論知識過於抽象，難以把握。直到我翻開《半導體物理學（第7版）》，那種豁然開朗的感覺纔真正到來。作者的敘述邏輯清晰，從最基礎的概念講起，比如載流子、能帶結構，一步步深入到更為復雜的半導體器件原理。我尤其喜歡書中對於晶體結構和布裏淵區的講解，通過大量的圖示和類比，讓我這個初學者也能輕鬆理解那些原本令人望而生畏的數學模型。書中對本徵半導體和雜質半導體的區分，以及不同摻雜濃度對費米能級的影響，都解釋得非常透徹，讓我對半導體的導電機製有瞭全新的認識。更讓我驚喜的是，書中並沒有止步於理論的闡述，而是緊密結閤瞭實際應用，比如pn結的形成、二極管和三極管的工作原理，甚至還涉及瞭一些 MOSFET 的基本特性。這些內容不僅加深瞭我對理論知識的理解，也讓我看到瞭半導體技術在現代電子産品中的重要地位。整本書的排版也十分精良，重點內容突齣，公式推導嚴謹又不失易讀性，注釋也十分詳盡，讓我可以隨時查閱不理解的地方。總而言之，這是一本集理論深度、應用廣度和教學易度於一體的優秀教材，我強烈推薦給所有對半導體物理學感興趣的讀者，無論你是學生還是研究人員，相信都能從中獲益良多。我甚至會把這本書放在床頭，時不時翻閱一下，總能在其中找到新的啓發。

評分☆☆☆☆☆

我是一名對物理學懷有濃厚興趣的業餘愛好者，一直以來都對半導體這個領域感到著迷。《半導體物理學（第7版）》這本書，簡直就是為我量身定製的。它在保留瞭科學嚴謹性的基礎上，用一種非常人性化的方式，將復雜的物理概念娓娓道來。作者在講解“空穴”這個概念時，用瞭一個非常形象的比喻，將電子在晶體中的缺失位置比作一個“空位”，然後這個空位可以像粒子一樣移動，承擔電荷的傳輸。這個類比讓我一下子就理解瞭空穴的概念，以及它在半導體導電中的重要作用。我尤其喜歡書中關於“pn結的形成和特性”的詳盡闡述，它不僅僅講解瞭pn結的基本原理，還深入分析瞭外加電壓對pn結內部電場和載流子分布的影響。這些內容讓我明白瞭為什麼二極管能夠實現單嚮導電，以及它在整流電路中的應用。書中還涉及到瞭半導體中的“陷阱”和“發光”現象，這讓我對LED和激光器的發光原理有瞭更深的認識。每次閱讀這本書，都感覺自己打開瞭一扇新的知識大門，讓我對這個神奇的半導體世界有瞭更深刻的理解和感悟。

評分☆☆☆☆☆

質量不錯。滿意。買瞭兩本，有一本封皮有劃痕。

評分☆☆☆☆☆

有點深奧，不是專業人士，真心看不懂。。。

評分☆☆☆☆☆

很不錯的書籍，學習很重要

評分☆☆☆☆☆

經典教材，值得推薦，不錯！

評分☆☆☆☆☆

好可以吧！！！！！！！！！！！！！！！

評分☆☆☆☆☆

還行，就是封麵有些許褶皺，不過不影響閱讀。希望能在打包上用點心，畢竟是書啊，怎麼也得來點保護措施啊，就一簡單的安裝袋，唉。